场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220AB

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电动工具和家用电器、汽车电子系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；20A；RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥2.5415 ￥2.99
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￥1.241 ￥1.46

有货

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型号：IRF531-VB 编号：C19711247

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电动工具和家用电器、汽车电子系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；20A；RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥2.601 ￥3.06
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￥2.0655 ￥2.43
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￥1.836 ￥2.16
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￥1.547 ￥1.82
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￥1.4195 ￥1.67
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￥1.343 ￥1.58

有货

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型号：CEB73A3G-VB 编号：C4355098

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种电源和功率控制应用。TO263；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

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￥2.6265 ￥3.09
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￥2.057 ￥2.42
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￥1.751 ￥2.06
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￥1.445 ￥1.7
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￥1.309 ￥1.54
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￥1.224 ￥1.44

有货

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型号：IRF7478TRPBF-VB 编号：C5878808

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，具有较高的工作稳定性和可靠性，适用于需要中小功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、智能家居控制模块和电动工具模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；7.6A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；

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￥2.6315 ￥2.77
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￥2.071 ￥2.18
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有货

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型号：AO4425-VB 编号：C5137426

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥2.6315 ￥2.77
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有货

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型号：IRFU024NPBF-VB 编号：C7429047

封装：TO-251

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较大的电压容忍度，可提供良好的电路灵活性。适用于电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。TO251；N—Channel沟道,60V；35A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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￥2.6315 ￥2.77
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￥2.071 ￥2.18
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有货

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型号：AO4007-VB 编号：C18795032

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥2.6315 ￥2.77
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有货

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型号：IXTU12N06T-VB 编号：C5355681

封装：TO-251

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较大的电压容忍度，可提供良好的电路灵活性。适用于电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。TO251；N—Channel沟道,60V；35A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥2.6315 ￥2.77
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￥2.071 ￥2.18
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￥1.824 ￥1.92
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￥1.311 ￥1.38

有货

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型号：SI4840DY-T1-E3-VB 编号：C558269

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，具有优良的电气特性和可靠性，适用于低功率控制和驱动应用，包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,40V；10A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥2.7835 ￥2.93
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￥2.223 ￥2.34
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￥1.9855 ￥2.09
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有货

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型号：IRFZ14PBF-VB 编号：C20417494

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电动工具和家用电器、汽车电子系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；20A；RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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￥2.793 ￥2.94
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￥2.1945 ￥2.31
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￥1.938 ￥2.04
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有货

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型号：AP4435GJ-VB 编号：C724976

封装：TO-251

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P功率场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种领域和模块。TO251；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2V；

数据手册

1+
￥2.8215 ￥2.97
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￥2.223 ￥2.34
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￥1.9665 ￥2.07
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￥1.3585 ￥1.43

有货

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型号：CMF5015 编号：C7470622

封装：TO-220F

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高开关性能和出色的品质。这些器件非常适合用于高效开关DC/DC转换器、开关电源、不间断电源的DC-AC转换器和电机控制。

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￥2.8595 ￥3.01
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￥1.292 ￥1.36

有货

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型号：FDS6679AZ-NL-VB 编号：C6705261

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

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￥2.9325 ￥3.45
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￥2.3035 ￥2.71
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有货

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型号：MTP2N50E-VB 编号：C7568898

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极N型场效应晶体管，采用Plannar技术制造，适用于各种电源和电路模块。TO220；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=1700mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4.5V；

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￥2.9495 ￥3.47
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￥2.0825 ￥2.45
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￥1.53 ￥1.8

有货

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型号：IRLZ14PBF-VB 编号：C5240581

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电动工具和家用电器、汽车电子系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；20A；RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥2.9545 ￥3.11
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￥2.356 ￥2.48
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有货

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型号：CMP32N20P 编号：C19077055

封装：TO-220

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Cmos专有的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源用DC-AC转换器以及电机控制

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￥3.0685 ￥3.23
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￥2.413 ￥2.54
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￥2.128 ￥2.24
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有货

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型号：FDS6673BZ-NL-VB 编号：C7463696

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

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￥3.111 ￥3.66
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￥2.482 ￥2.92
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型号：AP9474GM-HF-VB 编号：C7463668

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要中等功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；12A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥3.1195 ￥3.67
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￥2.4905 ￥2.93
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有货

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型号：BUK7L11-34ARC-VB 编号：C19190210

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于电源模块、电动汽车控制器、工业自动化等领域。TO220；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

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￥3.173 ￥3.34
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￥2.5365 ￥2.67
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有货

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型号：UPA1764G-VB 编号：C19632182

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥3.179 ￥3.74
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￥2.584 ￥3.04
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￥2.2865 ￥2.69
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有货

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型号：T20P06L-VB 编号：C20417460

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥3.179 ￥3.74
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￥2.584 ￥3.04
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￥1.819 ￥2.14
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￥1.7255 ￥2.03

有货

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型号：VBZE20P06 编号：C700633

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.179 ￥3.74
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￥2.584 ￥3.04
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￥2.2865 ￥2.69
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￥1.9975 ￥2.35
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￥1.5895 ￥1.87
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￥1.496 ￥1.76

有货

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型号：MTD2955VT4G-VB 编号：C5240578

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.2215 ￥3.79
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￥2.6265 ￥3.09
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￥2.329 ￥2.74
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￥1.7765 ￥2.09
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￥1.683 ￥1.98

有货

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型号：IRF7842TRPBF-VB 编号：C5438941

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源管理、LED驱动和汽车电子等领域的模块中。SOP8；N—Channel沟道,40V；18A；RDS(ON)=3.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥3.2775 ￥3.45
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￥2.5745 ￥2.71
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￥2.28 ￥2.4
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￥1.9 ￥2
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￥1.729 ￥1.82
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￥1.634 ￥1.72

有货

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型号：UT2955G-TN3-R-VB 编号：C7463608

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥3.298 ￥3.88
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￥1.683 ￥1.98

有货

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型号：DMP3010LK3-VB 编号：C7525024

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥3.325 ￥3.5
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有货

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型号：CMF11N60 编号：C6939713

封装：TO-220F

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术生产。这项最新技术经过专门设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

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￥3.344 ￥3.52
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有货

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型号：CMSA028N06 编号：C7501166

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA028N06采用先进技术，可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并将功率转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于开关电源（SMPS）中的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用用途。

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￥1.8335 ￥1.93

有货

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型号：AUIRF7341QTR-VB 编号：C5355714

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥3.42 ￥3.6
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￥2.755 ￥2.9
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有货

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型号：STD80N4F6-VB 编号：C2680806

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

数据手册

1+
￥3.4255 ￥4.03
10+
￥2.7795 ￥3.27
30+
￥2.4565 ￥2.89
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￥2.1335 ￥2.51
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