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首页 > 热门关键词 > 场效应晶体管
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1个P沟道 耐压:25V 电流:3A
型号：VBZ3401A 编号：C3040320
封装：SOT-23
品牌：VBsemi(微碧半导体)
台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：AP2309AGN-VB 编号：C878855
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：SI2338DS-T1-E3-VB 编号：C18212491
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：NTR4503NT1G-VB 编号：C558220
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：P5103EMG-VB 编号：C879132
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.4A
    型号：FDN360P-NL-VB 编号：C7428966
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：MT3401-VB 编号：C20754978
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：SI2318DS-T1-GE3-VB 编号：C558253
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：AP2305N-VB 编号：C7494610
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：SSM3K329R-VB 编号：C7494451
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：BSH108-VB 编号：C5355774
    封装：TO-236(SOT-23)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：FDN352AP-NL-VB 编号：C7494537
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：SI2303ADS-T1-GE3-VB 编号：C7494553
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：SM2303PSA-VB 编号：C7494539
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：SSM3J332R-VB 编号：C558283
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
    数据手册

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      ￥0.33174 ￥0.3492

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      ￥0.314735 ￥0.3313
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：AP2303GN-VB 编号：C558071
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
    数据手册

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      ￥0.33459 ￥0.3522

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.9A
    型号：WNM2020-3/TR 编号：C239545
    封装：SOT-23
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM2020 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：APM2309AC-TRL-VB 编号：C5878783
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

    • 5+

      ￥0.337915 ￥0.3557

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：DMP2035U-7-F-VB 编号：C7428947
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

    • 5+

      ￥0.341525 ￥0.3595

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    1个P沟道 耐压:100V 电流:0.8A
    型号：ST1005SRG 编号：C2682898
    封装：SOT-23
    品牌：STANSON(司坦森)
    ST1005SRG是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路，以及需要低在线功率损耗的场合
    数据手册

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      ￥0.159
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：EMB50P03J-VB 编号：C7568776
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.54A
    型号：WNM2077-3/TR 编号：C239779
    封装：SOT-723
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM2077是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
    型号：SSM3K310T-VB 编号：C20417538
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：IRLML9303TRPBF-VB 编号：C7463614
    封装：SOT-23
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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    1个P沟道 耐压:60V 电流:500mA
    型号：BS250FTA-VB 编号：C558099
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：SSC8035GS6-VB 编号：C725195
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
    型号：HM2300B-VB 编号：C18212588
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
    型号：FDV301N-NL-VB 编号：C5878797
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    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
    型号：HM2302A-VB 编号：C7525075
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

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    型号：APM2300AC-TRG-VB 编号：C18212620
    封装：SOT-23(TO-236)
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