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1个N沟道耐压:30V 电流:70A

型号：FDD6630A-VB 编号：C20626337

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；

1+
￥2.057 ￥2.42
10+
￥1.615 ￥1.9
30+
￥1.428 ￥1.68
100+
￥1.19 ￥1.4
500+
￥1.088 ￥1.28
1000+
￥1.02 ￥1.2

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:9A

型号：FDS8435A-NL-VB 编号：C7463603

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

5+
￥2.0723 ￥2.438
50+
￥1.660985 ￥1.9541
150+
￥1.48478 ￥1.7468
500+
￥1.15549 ￥1.3594
2500+
￥1.05757 ￥1.2442
4000+
￥0.998835 ￥1.1751

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:70A

型号：AOD400-VB 编号：C879104

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；

数据手册

1+
￥2.1165 ￥2.49
10+
￥1.683 ￥1.98
30+
￥1.4875 ￥1.75
100+
￥1.258 ￥1.48
500+
￥1.088 ￥1.28
1000+
￥1.02 ￥1.2

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:4.5A

型号：ZVN2106GTA-VB 编号：C19188225

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

5+
￥2.1204 ￥2.232
50+
￥1.69423 ￥1.7834
150+
￥1.51164 ￥1.5912
500+
￥1.283735 ￥1.3513
2500+
￥1.04595 ￥1.101
5000+
￥0.985055 ￥1.0369

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:30A

型号：TJ8S06M3L-VB 编号：C19188120

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.128 ￥2.24
10+
￥2.0805 ￥2.19
30+
￥2.052 ￥2.16
100+
￥2.0235 ￥2.13

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:9A

型号：APM4435KC-TRL-VB 编号：C558094

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

5+
￥2.140065 ￥2.2527
50+
￥1.680455 ￥1.7689
150+
￥1.483425 ￥1.5615
500+
￥1.23766 ￥1.3028
2500+
￥1.12822 ￥1.1876
4000+
￥1.06248 ￥1.1184

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:38A

型号：APM3095PUC-TRL-VB 编号：C558092

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，是一种多功能、高性能的电子器件，适用于许多不同的应用领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-38A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.142 ￥2.52
10+
￥1.7 ￥2
30+
￥1.513 ￥1.78
100+
￥1.275 ￥1.5
500+
￥1.173 ￥1.38
1000+
￥1.105 ￥1.3

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:38A

型号：AP3310GH-HF-VB 编号：C7494525

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，是一种多功能、高性能的电子器件，适用于许多不同的应用领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-38A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥2.142 ￥2.52
10+
￥1.7 ￥2
30+
￥1.513 ￥1.78
100+
￥1.275 ￥1.5
500+
￥1.173 ￥1.38
1000+
￥1.105 ￥1.3

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:21.8A

型号：APM3055LUC-TRL-VB 编号：C5878784

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；

1+
￥2.21 ￥2.6
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￥1.768 ￥2.08
30+
￥1.5725 ￥1.85
100+
￥1.343 ￥1.58
500+
￥1.2325 ￥1.45
1000+
￥1.173 ￥1.38

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:85A

型号：AOD486A-VB 编号：C18212505

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

1+
￥2.2325 ￥2.35
10+
￥2.185 ￥2.3
30+
￥2.1565 ￥2.27
100+
￥2.128 ￥2.24

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:10A

型号：MTD6N20ET4G-VB 编号：C19626848

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。TO252；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=245mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=2~4V；

1+
￥2.2325 ￥2.35
10+
￥2.1755 ￥2.29
30+
￥2.147 ￥2.26
100+
￥2.109 ￥2.22

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:20.8A

型号：ME20N15-G 编号：C709774

封装：TO-252-3

品牌：MATSUKI(松木)

ME20N15是采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门为最大限度降低导通电阻而设计。这些器件特别适用于低压应用，如手机、笔记本电脑电源管理，以及其他需要高端开关且采用极小外形尺寸表面贴装封装以实现低在线功率损耗的电池供电电路

数据手册

1+
￥2.24
10+
￥1.96
30+
￥1.85
100+
￥1.7
500+
￥1.64
1000+
￥1.6

有货

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1个P沟道耐压:40V 电流:90A

型号：CMSA90P04B 编号：C5371903

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA90P04B采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源（SMPS）的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用应用。

数据手册

5+
￥2.241525 ￥2.3595
50+
￥1.76415 ￥1.857
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￥1.55952 ￥1.6416
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￥1.28535 ￥1.353
2500+
￥1.17173 ￥1.2334
5000+
￥1.10352 ￥1.1616

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1个N沟道耐压:60V 电流:4A

型号：NDT3055 编号：C3289937

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用）专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如直流电机控制和直流-直流转换，这些应用需要快速开关、低线路功率损耗和抗瞬态能力

数据手册

1+
￥2.25
10+
￥1.75
30+
￥1.54
100+
￥1.28

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:9A

型号：SI4431BDY-T1-E3-VB 编号：C19188089

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

5+
￥2.28722 ￥2.4076
50+
￥1.827515 ￥1.9237
150+
￥1.63058 ￥1.7164
500+
￥1.23766 ￥1.3028
2500+
￥1.12822 ￥1.1876
4000+
￥1.06248 ￥1.1184

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:70A

型号：HY1403D-VB 编号：C20755514

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；

1+
￥2.299 ￥2.42
10+
￥1.805 ￥1.9
30+
￥1.596 ￥1.68
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￥1.33 ￥1.4
500+
￥1.216 ￥1.28
1000+
￥1.14 ￥1.2

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:7A

型号：SVF7N65CMJ 编号：C403825

封装：TO-251-3

品牌：SILAN(士兰微)

SVF7N65CF/D/MJ/MJL/K/T是一款N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，采用专有的F- Cell高压平面VDMOS技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DC-DC转换器和H桥PWM电机驱动器

数据手册

5+
￥2.31
50+
￥1.8
150+
￥1.59
525+
￥1.32

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:25A

型号：CMSA5020 编号：C7427450

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA5020采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为开关电源（SMPS）中的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用用途。

1+
￥2.3275 ￥2.45
10+
￥2.2705 ￥2.39
30+
￥2.242 ￥2.36
100+
￥2.204 ￥2.32

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P沟道,电流:38A,耐压:30V

型号：AOD405-VB 编号：C3040299

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，是一种多功能、高性能的电子器件，适用于许多不同的应用领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-38A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.337 ￥2.46
10+
￥1.8525 ￥1.95
30+
￥1.634 ￥1.72
100+
￥1.3775 ￥1.45
500+
￥1.216 ￥1.28
1000+
￥1.14 ￥1.2

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:6.5A

型号：2SJ288-VB 编号：C5240558

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于小型功率电路，具有良好的散热性能和安装方便性。 SOT89-3；P—Channel沟道,-60V；-6.5A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.356 ￥2.48
10+
￥1.862 ￥1.96
30+
￥1.653 ￥1.74
100+
￥1.387 ￥1.46
500+
￥1.216 ￥1.28
1000+
￥1.14 ￥1.2

有货

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降压型 2A 4.5V~28V

型号：TPS54202HDDCT 编号：C134129

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS54202H是一款输入电压范围为4.5V至28V的2A同步降压转换器。该器件包含两个集成式开关场效应晶体管(MOSFET),持续输出电流为2A。具有内部回路补偿和5ms内部软启动功能,可降低组件数。采用SOT-23封装。

数据手册

5+
￥2.359
50+
￥1.8777
250+
￥1.6567

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:21.8A

型号：20N03-VB 编号：C693186

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；

数据手册

1+
￥2.4565 ￥2.89
10+
￥1.955 ￥2.3
30+
￥1.734 ￥2.04
100+
￥1.462 ￥1.72
500+
￥1.343 ￥1.58
1000+
￥1.275 ￥1.5

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:4A

型号：BSV236SP-VB 编号：C7524945

封装：SC-70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道MOS场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种电子模块和电路设计。SC70-6；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1V；

1+
￥2.4565 ￥2.89
10+
￥1.9465 ￥2.29
30+
￥1.734 ￥2.04
100+
￥1.462 ￥1.72
500+
￥1.343 ￥1.58
1000+
￥1.2665 ￥1.49

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:4A

型号：PMN27UP-VB 编号：C7494580

封装：SC-70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道MOS场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种电子模块和电路设计。SC70-6；P—Channel沟道,-20V；-4A；RDS(ON)=34mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1V；

1+
￥2.465 ￥2.9
10+
￥1.9635 ￥2.31
30+
￥1.7425 ￥2.05
100+
￥1.479 ￥1.74
500+
￥1.3005 ￥1.53
1000+
￥1.2325 ￥1.45

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:30A

型号：RFD3055LE-VB 编号：C7463467

封装：TO-251

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较大的电压容忍度，可提供良好的电路灵活性。适用于电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。TO251；N—Channel沟道,60V；35A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥2.482 ￥2.92
10+
￥1.9805 ￥2.33
30+
￥1.7595 ￥2.07
80+
￥1.428 ￥1.68
480+
￥1.3005 ￥1.53
960+
￥1.2325 ￥1.45

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:9A

型号：CEM4435-VB 编号：C5137442

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.482 ￥2.92
10+
￥1.972 ￥2.32
30+
￥1.7595 ￥2.07
100+
￥1.4875 ￥1.75
500+
￥1.326 ￥1.56
1000+
￥1.258 ￥1.48

有货

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1个N沟道耐压:400V 电流:10A

型号：IRF740UZ 编号：C5371911

封装：TO-263

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造，该技术专门用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子镇流器。

数据手册

1+
￥2.5175 ￥2.65
10+
￥1.976 ￥2.08
30+
￥1.748 ￥1.84
100+
￥1.4535 ￥1.53
500+
￥1.33 ￥1.4
800+
￥1.254 ￥1.32

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:7.6A

型号：FDS5351-NL-VB 编号：C7463597

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，具有较高的工作稳定性和可靠性，适用于需要中小功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、智能家居控制模块和电动工具模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；7.6A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；

1+
￥2.5245 ￥2.97
10+
￥2.023 ￥2.38
30+
￥1.802 ￥2.12
100+
￥1.5385 ￥1.81
500+
￥1.3005 ￥1.53
1000+
￥1.2325 ￥1.45

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:10A

型号：FDS8447-NL-VB 编号：C6705263

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，具有优良的电气特性和可靠性，适用于低功率控制和驱动应用，包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,40V；10A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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1个N沟道耐压:60V 电流:12A

型号：RFP15N05L-VB 编号：C7525039

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电动工具和家用电器、汽车电子系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；20A；RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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