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1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：BM3407-VB 编号：C20755145

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
50+
￥0.27336 ￥0.3216
150+
￥0.269025 ￥0.3165
500+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：DMN100-7-F-VB 编号：C20755351

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
50+
￥0.27336 ￥0.3216
150+
￥0.269025 ￥0.3165
500+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：UT3401ZG-AE3-R-VB 编号：C20754962

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
50+
￥0.27336 ￥0.3216
150+
￥0.269025 ￥0.3165
500+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2315BDS-T1-GE3-VB 编号：C19190166

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
50+
￥0.27336 ￥0.3216
150+
￥0.269025 ￥0.3165
500+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：LP3443LT1G-VB 编号：C20755204

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
50+
￥0.27336 ￥0.3216
150+
￥0.269025 ￥0.3165
500+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：CPH3348-VB 编号：C7494609

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
50+
￥0.27336 ￥0.3216
150+
￥0.269025 ￥0.3165
500+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SPP3401S23RG-VB 编号：C19190171

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.280075 ￥0.3295
50+
￥0.27353 ￥0.3218
150+
￥0.269195 ￥0.3167
500+
￥0.26486 ￥0.3116

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：ME2308S-VB 编号：C710012

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.280245 ￥0.3297
50+
￥0.273785 ￥0.3221
150+
￥0.26945 ￥0.317
500+
￥0.265115 ￥0.3119

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:350mA

型号：TSM2N7002KDCU6 RF-VB 编号：C7494637

封装：SC70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于广泛的电子设备和系统中。SC70-6，2个N—Channel沟道,60V；0.35A；RDS(ON)=1800mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

5+
￥0.28543 ￥0.3358
50+
￥0.27982 ￥0.3292
150+
￥0.27608 ￥0.3248
500+
￥0.27234 ￥0.3204

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：DMP1045U-7-VB 编号：C7524914

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.29002 ￥0.3412
50+
￥0.28356 ￥0.3336
150+
￥0.279225 ￥0.3285
500+
￥0.27489 ￥0.3234

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：G2309-VB 编号：C693385

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.29138 ￥0.3428
50+
￥0.285005 ￥0.3353
150+
￥0.28067 ￥0.3302
500+
￥0.27642 ￥0.3252

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：ST2306S23RG-VB 编号：C879105

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.29223 ￥0.3438
50+
￥0.28577 ￥0.3362
150+
￥0.281435 ￥0.3311
500+
￥0.2771 ￥0.326

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SMC3407S-TRG-VB 编号：C5878851

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.293675 ￥0.3455
50+
￥0.28713 ￥0.3378
150+
￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：IRLML5103TRPBF-VB 编号：C7429057

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.293675 ￥0.3455
50+
￥0.28713 ￥0.3378
150+
￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：MGSF1N03LT1G-VB 编号：C7429065

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.293675 ￥0.3455
50+
￥0.28713 ￥0.3378
150+
￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SSM3J14T-VB 编号：C725198

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.293675 ￥0.3455
50+
￥0.28713 ￥0.3378
150+
￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：MTN2306AN3-VB 编号：C7494578

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.293675 ￥0.3455
50+
￥0.28713 ￥0.3378
150+
￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：IRLML6344GTRPBF-VB 编号：C5878822

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.293675 ￥0.3455
50+
￥0.28713 ￥0.3378
150+
￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SSM3J01F-VB 编号：C7494443

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.293675 ￥0.3455
50+
￥0.28713 ￥0.3378
150+
￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：SSM3K335R-VB 编号：C5456607

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.293675 ￥0.3455
50+
￥0.28713 ￥0.3378
150+
￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：CES2314-VB 编号：C878847

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.299285 ￥0.3521
50+
￥0.292825 ￥0.3445
150+
￥0.28849 ￥0.3394
500+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：GT3401-VB 编号：C7568799

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.299285 ￥0.3521
50+
￥0.292825 ￥0.3445
150+
￥0.28849 ￥0.3394
500+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:6A

型号：VB2140 编号：C516877

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管；采用Trench工艺，可以用于电池管理模块、充电电路和功率开关，车载电子系统中的驱动电路和电源管理单元还可用于家用电器中的电源开关和电动马达控制。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-6A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=0.5~1.5V；

数据手册

5+
￥0.299285 ￥0.3521
50+
￥0.292825 ￥0.3445
150+
￥0.28849 ￥0.3394
500+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：HM2305B-VB 编号：C19626769

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.299285 ￥0.3521
50+
￥0.292825 ￥0.3445
150+
￥0.28849 ￥0.3394
500+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:300mA

型号：RSU002N06T106-VB 编号：C7494445

封装：SC-70-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用了Trench技术，适用于电压驱动应用。SC70-3，N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2000mΩ@10V,20Vgs(±V)；1~2.5Vth(V)

5+
￥0.299795 ￥0.3527
50+
￥0.29393 ￥0.3458
150+
￥0.29002 ￥0.3412
500+
￥0.286025 ￥0.3365

有货

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N沟道30V,电流:6.5A,耐压:30V

型号：VBZ3400 编号：C3040192

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.307275 ￥0.3615
50+
￥0.30073 ￥0.3538
150+
￥0.296395 ￥0.3487
500+
￥0.292145 ￥0.3437

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：DMG2305UX-VB 编号：C18212434

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.31274 ￥0.3292
50+
￥0.30552 ￥0.3216
150+
￥0.300675 ￥0.3165
500+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：XP202A0003MR-G-VB 编号：C20755615

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：VBZ3400B 编号：C3040189

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.5A

型号：VB2360 编号：C5179575

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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