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首页 > 热门关键词 > 场效应晶体管
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1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:5.5A
型号：AP2530GY-VB 编号：C5179534
封装：TSOP-6
品牌：VBsemi(微碧半导体)
台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；
数据手册

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    ￥1.249075 ￥1.4695

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    ￥0.996285 ￥1.1721

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    1个N沟道 耐压:80V 电流:1.1A
    型号：PMXB360ENEAZ 编号：C458205
    封装：DFN1010D-3
    品牌：Nexperia(安世)
    N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，采用无铅超小 DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册

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      ￥1.2571

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:5.5A
    型号：DMC2038LVT-7-F-VB 编号：C558111
    封装：TSOP-6
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；
    数据手册

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      ￥1.28027 ￥1.5062

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:520mA
    型号：PMH1200UPEH 编号：C552954
    封装：DFN0606-3
    品牌：Nexperia(安世)
    采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN0606 - 3（SOT8001）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.8A
    型号：IRLTS2242TRPBF-VB 编号：C5878825
    封装：TSOP-6
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.8A
    型号：SM2605PSC-VB 编号：C20755591
    封装：TSOP-6
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:5.5A
    型号：DMG6602SVT-VB 编号：C5456493
    封装：TSOP-6
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.8A
    型号：SI3477DV-T1-GE3-VB 编号：C558263
    封装：TSOP-6
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.8A
    型号：SI3447DV-T1-E3-VB 编号：C7524970
    封装：TSOP-6
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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      ￥0.65303 ￥0.6874
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.8A
    型号：NTGS3455T1G-VB 编号：C5137394
    封装：TSOP-6
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
    数据手册

    • 5+

      ￥1.348905 ￥1.4199

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    2个N沟道 耐压:25V 电流:0.5A
    型号：FDG6303N 编号：C512895
    封装：SC-70-6
    品牌：onsemi(安森美)
    这些双N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高电池密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计，以替代双极数字晶体管和小信号MOSFETS。
    数据手册

    • 710+

      ￥0.8814

    • 1420+

      ￥0.85202

    • 2840+

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    • 5680+

      ￥0.80795
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    1个P沟道 耐压:30V
    型号：SI3443DVTRPBF-VB 编号：C7568844
    封装：TSOP-6
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

    • 5+

      ￥1.405715 ￥1.4797

    • 50+

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      ￥0.693405 ￥0.7299

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      ￥0.65303 ￥0.6874
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：SPP9435AS8RG-VB 编号：C878964
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；
    数据手册

    • 5+

      ￥1.502375 ￥1.7675

    • 50+

      ￥1.18541 ￥1.3946

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      ￥1.049495 ￥1.2347

    • 500+

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    • 2500+

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    • 4000+

      ￥0.732785 ￥0.8621
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    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:150V 电流:9A
    型号：CMSC7315 编号：C19724752
    封装：DFN-8(3.3x3.3)
    品牌：Cmos(广东场效应半导体)
    P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

    • 5+

      ￥1.574245 ￥1.6571

    • 50+

      ￥1.244975 ￥1.3105

    • 150+

      ￥1.1039 ￥1.162

    • 500+

      ￥0.92777 ￥0.9766

    • 2500+

      ￥0.80826 ￥0.8508

    • 5000+

      ￥0.761235 ￥0.8013
  • 订货
    • 我要订货
    PFM升压型多节镍氢电池充电控制集成电路
    型号：CN3387 编号：C2961778
    封装：SSOP-10
    品牌：CONSONANCE(上海如韵)
    CN3387是一款PFM升压型镍氢电池充电控制集成电路，可以对4节到12节镍氢电池进行充电管理。CN3387输入电压范围2.7V到6.5V，内部集成有基准电压源，电感电流检测单元，电池电压检测电路，输出过压保护电路，电池电压过低保护单元，控制单元和片外场效应晶体管驱动电路等，非常适合5V输入，为多节镍氢电池的充电控制应用，具有外部元件少，功能多，电路简单等优点。 当接入输入电源后，CN3387进入恒流充电状态，STAT管脚输出高电平，片外N沟道场效应晶体管导通，电感电流上升，输出电容中的能量转移到电池中。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6054

    • 50+

      ￥1.2576

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      ￥1.1085

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      ￥0.819

    • 4000+

      ￥0.7693
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:90A
    型号：CMD100P03 编号：C5203757
    封装：TO-252
    品牌：Cmos(广东场效应半导体)
    P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.62165 ￥1.707

    • 10+

      ￥1.289435 ￥1.3573

    • 30+

      ￥1.14703 ￥1.2074

    • 100+

      ￥0.96938 ￥1.0204

    • 500+

      ￥0.89034 ￥0.9372

    • 1000+

      ￥0.767885 ￥0.8083
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:3.6A
    型号：PMN55ENEAX 编号：C552993
    封装：SOT-457
    品牌：Nexperia(安世)
    采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6441

    • 50+

      ￥1.2971

    • 150+

      ￥1.1484

    • 500+

      ￥0.9629

    • 3000+

      ￥0.8803

    • 6000+

      ￥0.8307
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：WPM9435-8/TR-VB 编号：C19190181
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

    • 5+

      ￥1.649675 ￥1.7365

    • 50+

      ￥1.295325 ￥1.3635

    • 150+

      ￥1.143515 ￥1.2037

    • 500+

      ￥0.95399 ￥1.0042

    • 2500+

      ￥0.86963 ￥0.9154

    • 4000+

      ￥0.818995 ￥0.8621
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    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：CMSA085N06 编号：C7501167
    封装：DFN-8(5x6)
    品牌：Cmos(广东场效应半导体)
    CMSA085N06采用先进技术，可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并将电源转换应用的损耗降至最低。该器件适用于作为开关电源（SMPS）、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管（FET）。

    • 1+

      ￥1.665255 ￥1.7529

    • 10+

      ￥1.30758 ￥1.3764

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    1个N沟道 耐压:200V 电流:32A
    型号：CMB32N20P 编号：C20416968
    封装：TO-263
    品牌：Cmos(广东场效应半导体)
    N-Channel增强模式功率场效应晶体管采用Cmos专有的平面条纹DMOS技术生产。这种先进技术经过特别定制，可最大限度地降低导通电阻。这些器件适用于高效开关DC/DC转换器、开关电源、不间断电源的DC-AC转换器和电机控制。

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      ￥1.691 ￥1.78

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO4401-VB 编号：C5137437
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
    型号：VBA2333 编号：C416234
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.8A
    型号：RQA0009TXDQS-VB 编号：C7568909
    封装：SOT-89
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种需要中等功率和较小封装体积的电子设备和模块中。SOT89-3；N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.6~1.5V；

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:120A
    型号：CMD170P03A 编号：C7501162
    封装：TO-252
    品牌：Cmos(广东场效应半导体)
    P-Channel增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

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      ￥1.814595 ￥1.9101

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      ￥0.89319 ￥0.9402
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:4.5A
    型号：ZVN4306V-VB 编号：C19632186
    封装：SOT-223
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

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    1个P沟道 耐压:40V 电流:85A
    型号：CMD85P04 编号：C22364953
    封装：TO-252
    品牌：Cmos(广东场效应半导体)
    这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于负载开关和电池保护应用。

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      ￥1.87378 ￥1.9724

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    1个P沟道 耐压:40V 电流:100A
    型号：CMSA100P04 编号：C22364962
    封装：DFN-8(5x6)
    品牌：Cmos(广东场效应半导体)
    这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关和电池保护应用。-40V、典型值5.8mΩ、-100A的P沟道MOSFET

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    P沟道 耐压:30V 电流:9A
    型号：SI4835BDY-T1-E3-VB 编号：C2680903
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:9A
    型号：P2003EVG-VB 编号：C20754946
    封装：SO-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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    1个N沟道 耐压:800V 电流:4A
    型号：CS4N80A4HD-G 编号：C442408
    封装：TO-252
    品牌：华润华晶
    CS4N80 A4HD - G是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低传导损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准
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