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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：SPN2302S23RGB-VB 编号：C3040315

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.21403 ￥0.2518
100+
￥0.20961 ￥0.2466
300+
￥0.206635 ￥0.2431
1000+
￥0.203745 ￥0.2397

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：SSM3K301T-VB 编号：C558285

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.21403 ￥0.2518
100+
￥0.20961 ￥0.2466
300+
￥0.206635 ￥0.2431
1000+
￥0.203745 ￥0.2397

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：DMN2004K-7-VB 编号：C18794977

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.214795 ￥0.2527
100+
￥0.210375 ￥0.2475
300+
￥0.2074 ￥0.244
1000+
￥0.20451 ￥0.2406

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：SPN2302AS23RGB-VB 编号：C18212594

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.214795 ￥0.2527
100+
￥0.210375 ￥0.2475
300+
￥0.2074 ￥0.244
1000+
￥0.20451 ￥0.2406

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：FDN339AN-NL-VB 编号：C18212433

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.214795 ￥0.2527
100+
￥0.210375 ￥0.2475
300+
￥0.2074 ￥0.244
1000+
￥0.20451 ￥0.2406

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：AP2312GN-VB 编号：C19188233

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.214795 ￥0.2527
100+
￥0.210375 ￥0.2475
300+
￥0.2074 ￥0.244
1000+
￥0.20451 ￥0.2406

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：XP151A13A0MRN-VB 编号：C18212479

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.214795 ￥0.2527
100+
￥0.210375 ￥0.2475
300+
￥0.2074 ￥0.244
1000+
￥0.20451 ￥0.2406

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：DMN2005K-7-VB 编号：C18212584

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.214795 ￥0.2527
100+
￥0.210375 ￥0.2475
300+
￥0.2074 ￥0.244
1000+
￥0.20451 ￥0.2406

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：CES2308-VB 编号：C18794927

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.214795 ￥0.2527
100+
￥0.210375 ￥0.2475
300+
￥0.2074 ￥0.244
1000+
￥0.20451 ￥0.2406

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：ZXMN2A14FTA-VB 编号：C725235

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.21726 ￥0.2556
100+
￥0.21284 ￥0.2504
300+
￥0.209865 ￥0.2469
1000+
￥0.206975 ￥0.2435

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：SPN3414S23RGB-VB 编号：C725191

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.21726 ￥0.2556
100+
￥0.21284 ￥0.2504
300+
￥0.209865 ￥0.2469
1000+
￥0.206975 ￥0.2435

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：FDV305N-NL-VB 编号：C7494449

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.217345 ￥0.2557
100+
￥0.212925 ￥0.2505
300+
￥0.20995 ￥0.247
1000+
￥0.20706 ￥0.2436

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：BSR202N-VB 编号：C7494439

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.21964 ￥0.2584
100+
￥0.21522 ￥0.2532
300+
￥0.212245 ￥0.2497
1000+
￥0.209355 ￥0.2463

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：IRLML2402GTRPBF-VB 编号：C7494644

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.21964 ￥0.2584
100+
￥0.21522 ￥0.2532
300+
￥0.212245 ￥0.2497
1000+
￥0.209355 ￥0.2463

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：DMN2114SN-7-VB 编号：C7525023

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.22135 ￥0.233
100+
￥0.21641 ￥0.2278
300+
￥0.213085 ￥0.2243
1000+
￥0.209855 ￥0.2209

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：TN0201K-T1-E3-VB 编号：C7525110

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.22135 ￥0.233
100+
￥0.21641 ￥0.2278
300+
￥0.213085 ￥0.2243
1000+
￥0.209855 ￥0.2209

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：TN0200K-T1-E3-VB 编号：C5456611

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.22952 ￥0.2416
100+
￥0.224675 ￥0.2365
300+
￥0.22135 ￥0.233
1000+
￥0.218025 ￥0.2295

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:3.6A

型号：ST2302 编号：C2682901

封装：SOT-23

品牌：STANSON(司坦森)

ST2302是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路，以及需要低线路功率损耗的场合

数据手册

20+
￥0.2328
200+
￥0.1842
600+
￥0.1572
3000+
￥0.1171
9000+
￥0.103
21000+
￥0.0954

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：CES2312-VB 编号：C558106

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.23921 ￥0.2518
100+
￥0.23427 ￥0.2466
300+
￥0.230945 ￥0.2431
1000+
￥0.227715 ￥0.2397

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：SM2300NSAN-VB 编号：C5137390

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.23978 ￥0.2524
100+
￥0.234935 ￥0.2473
300+
￥0.23161 ￥0.2438
1000+
￥0.228285 ￥0.2403

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:300mA

型号：BSS138W-7-F-VB 编号：C19190209

封装：SC-70-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用了Trench技术，适用于电压驱动应用。SC70-3，N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2000mΩ@10V,20Vgs(±V)；1~2.5Vth(V)

5+
￥0.25347 ￥0.2982
50+
￥0.247605 ￥0.2913
150+
￥0.243695 ￥0.2867
500+
￥0.2397 ￥0.282

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:300mA

型号：VBK162K 编号：C416330

封装：SC-70-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用了Trench技术，适用于电压驱动应用。SC70-3，N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2000mΩ@10V,20Vgs(±V)；1~2.5Vth(V)

数据手册

5+
￥0.265965 ￥0.3129
50+
￥0.2601 ￥0.306
150+
￥0.25619 ￥0.3014
500+
￥0.25228 ￥0.2968

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SM2307PSAC-TRG-VB 编号：C7494640

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.276165 ￥0.3249
50+
￥0.26962 ￥0.3172
150+
￥0.265285 ￥0.3121
500+
￥0.261035 ￥0.3071

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：AP2344GN-HF-VB 编号：C7494620

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
50+
￥0.27336 ￥0.3216
150+
￥0.269025 ￥0.3165
500+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：DMG3415U-7-F-VB 编号：C5878786

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
50+
￥0.27336 ￥0.3216
150+
￥0.269025 ￥0.3165
500+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：HM3406B-VB 编号：C19190148

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
50+
￥0.27336 ￥0.3216
150+
￥0.269025 ￥0.3165
500+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：AP2304AGN-HF-VB 编号：C19711207

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
50+
￥0.27336 ￥0.3216
150+
￥0.269025 ￥0.3165
500+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：HM3400D-VB 编号：C19632200

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
50+
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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：FDN358P-NL-VB 编号：C5355717

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：NX3020NAK-VB 编号：C20755258

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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