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首页 > 热门关键词 > 场效应晶体管
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1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
型号：NDS352AP-NL-VB 编号：C6705296
封装：SOT-23(TO-236)
品牌：VBsemi(微碧半导体)
台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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    ￥0.58368 ￥0.6144

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    ￥0.35283 ￥0.3714

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    ￥0.314355 ￥0.3309

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：P5103EMG-VB 编号：C879132
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：AP2305N-VB 编号：C7494610
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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      ￥0.59033 ￥0.6214

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      ￥0.296305 ￥0.3119
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.4A
    型号：SI2307BDS-T1-GE3-VB 编号：C5179520
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：SSC8034GS6-VB 编号：C4355113
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
    数据手册

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      ￥0.591945 ￥0.6231

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：AP2303GN-VB 编号：C558071
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
    数据手册

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    5.5V、2A、低导通电阻负载开关
    型号：TPS22915CYFPR 编号：C1849498
    封装：DSBGA-4
    品牌：TI(德州仪器)
    TPS22914/15 是一款小型、低 RON、具有受控压摆率的单通道负载开关。此器件包括一个 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，可在 1.05 V 至 5.5 V 的输入电压范围内运行并可支持 2A 的最大持续电流。此开关由一个开关输入控制，能够直接连接低电压控制信号。
    数据手册

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      ￥0.5964

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      ￥0.3726
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：AO3418-VB 编号：C7525019
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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      ￥0.599355 ￥0.6309

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：SSM3K01T-VB 编号：C19190107
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

    • 5+

      ￥0.602015 ￥0.6337

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      ￥0.481175 ￥0.5065

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      ￥0.420755 ￥0.4429

    • 500+

      ￥0.37544 ￥0.3952

    • 3000+

      ￥0.313975 ￥0.3305

    • 6000+

      ￥0.29583 ￥0.3114
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：ZXM61N03FTA-VB 编号：C5179568
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
    数据手册

    • 5+

      ￥0.613605 ￥0.6459

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      ￥0.492765 ￥0.5187

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      ￥0.38703 ￥0.4074

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      ￥0.33573 ￥0.3534

    • 6000+

      ￥0.317585 ￥0.3343
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：AP2306AGN-VB 编号：C558072
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
    数据手册

    • 5+

      ￥0.621585 ￥0.6543

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      ￥0.295925 ￥0.3115
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：EMB50P03J-VB 编号：C7568776
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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      ￥0.625005 ￥0.6579

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      ￥0.319865 ￥0.3367

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      ￥0.301435 ￥0.3173
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：AO3416-VB 编号：C557943
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
    数据手册

    • 5+

      ￥0.625195 ￥0.6581

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      ￥0.50426 ￥0.5308

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      ￥0.443745 ￥0.4671

    • 500+

      ￥0.398335 ￥0.4193

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      ￥0.314355 ￥0.3309

    • 6000+

      ￥0.29621 ￥0.3118
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：RTR040N03TL-VB 编号：C693312
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
    数据手册

    • 5+

      ￥0.632985 ￥0.6663

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      ￥0.509865 ￥0.5367

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      ￥0.448305 ￥0.4719

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      ￥0.402135 ￥0.4233

    • 3000+

      ￥0.319865 ￥0.3367

    • 6000+

      ￥0.301435 ￥0.3173
  • 有货
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    P通道,电流:-10A,耐压:-60V
    型号：STP4441 编号：C2682817
    封装：SOP-8
    品牌：STANSON(司坦森)
    STP4441是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7907

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      ￥0.6227

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      ￥0.5387

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      ￥0.4757

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      ￥0.4015

    • 5000+

      ￥0.3763
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:5A
    型号：HKMB3D5N40SA 编号：C42401248
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款N沟道场效应晶体管（MOSFET）具备5A的连续漏极电流能力，支持高达40V的漏源电压。其低至30mΩ的导通电阻有助于减少功率损耗和发热。栅源电压范围为20V，保证了良好的驱动兼容性。适用于要求高效能、紧凑设计的各种电子电路中，如电源管理、负载开关及信号控制等场景，能够满足对空间和效率有较高要求的应用场合。

    • 5+

      ￥0.82864 ￥1.0358

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      ￥0.65064 ￥0.8133

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      ￥0.5744 ￥0.718

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      ￥0.4792 ￥0.599

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      ￥0.43688 ￥0.5461

    • 6000+

      ￥0.41144 ￥0.5143
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    XBL1410DTR
    型号：XBL1410DTR 编号：C54525155
    封装：SOP-8
    品牌：XBLW(芯伯乐)
    XBL1410是一款300kHz固定频率单片式降压开关模式调节器，内置有功率场效应晶体管。它能够在广泛的输入电源范围内实现2A的持续输出电流，同时具备出色的负载和线路调节性能。

    • 5+

      ￥0.8356

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      ￥0.8168

    • 150+

      ￥0.8044

    • 500+

      ￥0.7919
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    N和P通道,电流:10.0A/-10.0A,耐压:40V/-40V
    型号：STC4614 编号：C2682813
    封装：SOP-8
    品牌：STANSON(司坦森)
    STC4614 是采用高单元密度 DMOS 沟槽技术的 N 沟道和 P 沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最大限度地降低导通电阻，并提供卓越的开关性能。该器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些应用需要高端开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9496

    • 50+

      ￥0.8302

    • 150+

      ￥0.779

    • 500+

      ￥0.7151

    • 2500+

      ￥0.62

    • 5000+

      ￥0.603
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:90A
    型号：CMSA3006 编号：C7427448
    封装：DFN-8(5x6)
    品牌：Cmos(广东场效应半导体)
    CMSA3006采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并将电源转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于作为开关电源（SMPS）中的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用用途。

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      ￥0.97869 ￥1.0302

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      ￥0.768455 ￥0.8089

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      ￥0.485925 ￥0.5115
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    2个N沟道 耐压:60V 电流:0.49A
    型号：PMGD780SN,115 编号：C426871
    封装：SOT-363(SC-88)
    品牌：Nexperia(安世)
    采用TrenchMOS技术的双N沟道增强型场效应晶体管，采用小型SOT363（SC - 88）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
    数据手册

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      ￥1.0043

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
    型号：CMD4010 编号：C6939689
    封装：TO-252
    品牌：Cmos(广东场效应半导体)
    4010是N沟道MOS场效应晶体管。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要高端开关的电池供电电路。

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      ￥1.01384 ￥1.0672

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      ￥0.601255 ￥0.6329

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      ￥0.485735 ￥0.5113
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:30A
    型号：CMD40P03 编号：C6939692
    封装：TO-252
    品牌：Cmos(广东场效应半导体)
    P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的导通电阻。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。

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      ￥1.150355 ￥1.2109

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      ￥0.912 ￥0.96

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      ￥0.80978 ￥0.8524

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      ￥0.68229 ￥0.7182

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      ￥0.55119 ￥0.5802
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:80A
    型号：CMD80P02B 编号：C6939707
    封装：TO-252
    品牌：Cmos(广东场效应半导体)
    P-Channel增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于负载开关或PWM应用。

    • 1+

      ￥1.150355 ￥1.2109

    • 10+

      ￥0.911905 ￥0.9599

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      ￥0.80978 ￥0.8524

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      ￥0.68229 ￥0.7182

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      ￥0.55119 ￥0.5802
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:5.5A
    型号：FDC6333C-NL-VB 编号：C20626294
    封装：TSOP-6
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

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      ￥1.176825 ￥1.3845

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      ￥0.620415 ￥0.7299

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      ￥0.58429 ￥0.6874
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:4.5A
    型号：PMV37EN2R 编号：C478164
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    N沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,封装于小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。
    数据手册

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      ￥1.1937

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      ￥1.0155

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      ￥0.7795
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.8A
    型号：NTGS4111PT1G-VB 编号：C5878832
    封装：TSOP-6
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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      ￥1.206405 ￥1.4193

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      ￥0.61387 ￥0.7222
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.8A
    型号：AP2615GY-HF-VB 编号：C18212524
    封装：TSOP-6
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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      ￥1.225105 ￥1.4413

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      ￥0.972315 ￥1.1439

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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:0.6A
    型号：VBTA5220N 编号：C516981
    封装：SC-75-6
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、光伏逆变器、无线通信设备等领域。SC75-6；N+P—Channel沟道,±20V；0.6/-0.3A；RDS(ON)=270/660mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.7/-0.8V；
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      ￥1.225105 ￥1.4413

    • 50+

      ￥0.972315 ￥1.1439

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      ￥0.864025 ￥1.0165

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      ￥0.63257 ￥0.7442
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:5.5A
    型号：APM2701ACC-TRG-VB 编号：C558090
    封装：TSOP-6
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；
    数据手册

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      ￥1.22689 ￥1.4434

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      ￥0.614805 ￥0.7233

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      ￥0.57851 ￥0.6806
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:5.5A
    型号：AO6604-VB 编号：C709896
    封装：TSOP-6
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；
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