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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SMC3407S-TRG-VB 编号：C5878851

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
150+
￥0.36771 ￥0.4326
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￥0.327165 ￥0.3849
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￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：IRLML5103TRPBF-VB 编号：C7429057

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
150+
￥0.36771 ￥0.4326
500+
￥0.327165 ￥0.3849
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SSM3J14T-VB 编号：C725198

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
150+
￥0.36771 ￥0.4326
500+
￥0.327165 ￥0.3849
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：SSM3K335R-VB 编号：C5456607

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
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￥0.36771 ￥0.4326
500+
￥0.327165 ￥0.3849
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：AP2344GN-HF-VB 编号：C7494620

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
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￥0.37332 ￥0.4392
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￥0.332775 ￥0.3915
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￥0.30039 ￥0.3534
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￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：CES2314-VB 编号：C878847

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
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￥0.37332 ￥0.4392
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￥0.332775 ￥0.3915
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￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：GT3401-VB 编号：C7568799

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
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￥0.37332 ￥0.4392
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￥0.332775 ￥0.3915
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￥0.30039 ￥0.3534
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￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SM2307PSAC-TRG-VB 编号：C7494640

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
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￥0.37332 ￥0.4392
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￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:6A

型号：VB2140 编号：C516877

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管；采用Trench工艺，可以用于电池管理模块、充电电路和功率开关，车载电子系统中的驱动电路和电源管理单元还可用于家用电器中的电源开关和电动马达控制。SOT23；P—Channel沟道,-20V；-6A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=0.5~1.5V；

数据手册

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.29087 ￥0.3422
6000+
￥0.27472 ￥0.3232

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：HM2305B-VB 编号：C19626769

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：HM3400B-VB 编号：C19626827

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
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￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：DMN3200U-7-VB 编号：C20417533

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
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￥0.37332 ￥0.4392
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￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：HM3406B-VB 编号：C19190148

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
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￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：FDN358P-NL-VB 编号：C5355717

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
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￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：DMN100-7-F-VB 编号：C20755351

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2315BDS-T1-GE3-VB 编号：C19190166

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

100+
￥0.35775
1000+
￥0.3445
3000+
￥0.33125
6000+
￥0.30475
10000+
￥0.2968

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N沟道30V,电流:6.5A,耐压:30V

型号：VBZ3400 编号：C3040192

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.54349 ￥0.6394
50+
￥0.43537 ￥0.5122
150+
￥0.38131 ￥0.4486
500+
￥0.340765 ￥0.4009
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：WNM3003-VB 编号：C693330

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.545275 ￥0.6415
50+
￥0.437155 ￥0.5143
150+
￥0.383095 ￥0.4507
500+
￥0.34255 ￥0.403
3000+
￥0.27013 ￥0.3178
6000+
￥0.253895 ￥0.2987

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：CES2331-VB 编号：C692950

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.548335 ￥0.6451
50+
￥0.439705 ￥0.5173
150+
￥0.385475 ￥0.4535
500+
￥0.344675 ￥0.4055
3000+
￥0.276505 ￥0.3253
6000+
￥0.260185 ￥0.3061

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：RRR040P03TL-VB 编号：C710055

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.548505 ￥0.6453
50+
￥0.4403 ￥0.518
150+
￥0.38624 ￥0.4544
500+
￥0.345695 ￥0.4067
3000+
￥0.275485 ￥0.3241
6000+
￥0.25925 ￥0.305

有货

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P沟道,电流:5.4A,耐压:30V

型号：VBZ3401X 编号：C3040221

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.549015 ￥0.6459
50+
￥0.440895 ￥0.5187
150+
￥0.386835 ￥0.4551
500+
￥0.34629 ￥0.4074
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：DMG2307L-7-F-VB 编号：C7463646

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.552415 ￥0.6499
50+
￥0.444295 ￥0.5227
150+
￥0.390235 ￥0.4591
500+
￥0.34969 ￥0.4114
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：FDN360P-NL-VB 编号：C7428966

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.55505 ￥0.653
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￥0.44693 ￥0.5258
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￥0.39287 ￥0.4622
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￥0.352325 ￥0.4145
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￥0.29478 ￥0.3468
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￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：SSM3K329R-VB 编号：C7494451

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.56372 ￥0.6632
50+
￥0.4556 ￥0.536
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￥0.40154 ￥0.4724
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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2303ADS-T1-GE3-VB 编号：C7494553

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SM2303PSA-VB 编号：C7494539

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：PMV50UPE-VB 编号：C7494631

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：HM3401B-VB 编号：C19190274

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：XP202A0003MR-G-VB 编号：C20755615

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：NDS352AP-NL-VB 编号：C6705296

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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