场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > 场效应晶体管

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共4040件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

碳化硅（SiC）功率N沟道增强型MOSFET

型号：MSC080SMA120B4-HXY 编号：C48972195

封装：TO-247-4L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大漏极电流ID为32A，导通电阻RDON低至75mΩ，可实现高效、低损耗的功率转换。器件采用宽禁带半导体材料，具有高击穿电压和良好的热稳定性，适用于高频率、高效率电源系统设计，如光伏逆变器、储能系统及智能电网相关设备中的功率开关应用。

1+
￥40.356 ￥42.48
10+
￥34.8745 ￥36.71
30+
￥31.54 ￥33.2
90+
￥28.7375 ￥30.25

有货

立即购买

4V~18V 串联 600uA 10ppm/℃

型号：ADR420ARZ-REEL7 编号：C659527

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR42x 系列是第二代超精密、额外注入结型场效应晶体管（XFET）电压基准源，采用 SOIC 和 MSOP 封装，具有低噪声、高精度和出色的长期稳定性。专利温度漂移曲率校正技术和 XFET 技术可最大程度减小电压随温度变化的非线性。与带隙基准源相比，XFET 架构具有更高的精度和更低的热滞

数据手册

1+
￥63.98
10+
￥54.81
30+
￥49.22
100+
￥43.1941 ￥44.53

有货

立即购买

SCT3040KLGC11-HXY

型号：SCT3040KLGC11-HXY 编号：C49256943

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款N沟道场效应晶体管（MOSFET）具备1200V的漏源击穿电压（VDSS）和68A的最大漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至40毫欧，展现出优异的导电能力与低损耗特性。器件基于高性能半导体工艺，支持高效能开关应用，适用于高功率密度电源系统、新能源发电设备中的功率变换模块以及高效率适配器等场景，助力实现小型化与高效能并重的电路设计。

1+
￥70.3095 ￥74.01
10+
￥67.0795 ￥70.61
30+
￥61.484 ￥64.72
90+
￥56.601 ￥59.58

有货

立即购买

650V, 97mOhm 氮化镓 (GaN) FET，TO-247 封装

型号：GAN111-650WSBQ 编号：C40759637

封装：TO-247-3L

品牌：Nexperia(安世)

是一款采用TO-247封装的650 V、97 mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管。它是一款常开型器件，结合了最新的高压GaN HEMT H2技术和低压硅MOSFET技术，具有卓越的可靠性和性能。

1+
￥86.34
10+
￥84.11
14+
￥80.7456 ￥84.11

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：KD2306A-VB 编号：C878844

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.125612 ￥0.4052
50+
￥0.083265 ￥0.3965
150+
￥0.042966 ￥0.3906
500+
￥0.042317 ￥0.3847

有货

立即购买

N沟道耐压:20V 电流:800mA

型号：WNM2046E-3/TR 编号：C2939849

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2046E 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

20+
￥0.1709
200+
￥0.1331
600+
￥0.1121
2000+
￥0.0996

有货

立即购买

1个P沟道耐压:60V 电流:500mA

型号：TP0610K-T1-E3-VB 编号：C6705331

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

10+
￥0.17561 ￥0.2066
100+
￥0.17119 ￥0.2014
300+
￥0.1683 ￥0.198
1000+
￥0.165325 ￥0.1945

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：FDV303N-NL-VB 编号：C6705265

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：BSS205N-VB 编号：C7494486

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：QM2416K-VB 编号：C710051

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：ACE2302BM+H-VB 编号：C19190184

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：MGSF1N02ELT1G-VB 编号：C19626847

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：APM2302AAC-TRL-VB 编号：C19190099

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：MGSF1P02LT1G-VB 编号：C19632139

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：AM2324N-T1-PF-VB 编号：C20626255

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：MVGSF1N03LT1G-VB 编号：C19190284

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：ZXMN2B01FTA-VB 编号：C20417501

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：2SK3576-T1B-A-VB 编号：C19190125

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：AM2300N-T1-PF-VB 编号：C19190127

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：AO3420-VB 编号：C20417717

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：ZXM61N02FTC-VB 编号：C19632264

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：NDS335N-NL-VB 编号：C7494504

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：AP2304N-VB 编号：C20755059

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：HM3420-VB 编号：C20755121

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：AFN3414AS23RG-VB 编号：C20755337

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：ZXMN2F30FHTA-VB 编号：C20754970

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：LN2302ALT1G-VB 编号：C20754979

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：IM2603G-VB 编号：C20755516

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：LN4501LT1G-VB 编号：C20755195

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：RUR020N02TL-VB 编号：C20754931

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

共135页，4040条记录到页

<上一页
1
...
31
32
33
34
35
...
135
下一页

立创商城为您提供场效应晶体管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买场效应晶体管提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB
立创ERP

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content