场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > 场效应晶体管

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共4038件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：SPN2302AS23RGB-VB 编号：C18212594

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.3638 ￥0.428
100+
￥0.29036 ￥0.3416
300+
￥0.25364 ￥0.2984
3000+
￥0.2261 ￥0.266
6000+
￥0.204 ￥0.24
9000+
￥0.193035 ￥0.2271

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：ZXMN2B01FTA-VB 编号：C20417501

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.3638 ￥0.428
100+
￥0.29036 ￥0.3416
300+
￥0.25364 ￥0.2984
3000+
￥0.2261 ￥0.266
6000+
￥0.204 ￥0.24
9000+
￥0.193035 ￥0.2271

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：MVGSF1N03LT1G-VB 编号：C19190284

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.3638 ￥0.428
100+
￥0.29036 ￥0.3416
300+
￥0.25364 ￥0.2984
3000+
￥0.2261 ￥0.266
6000+
￥0.204 ￥0.24
9000+
￥0.193035 ￥0.2271

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：AM2300N-T1-PF-VB 编号：C19190127

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.3638 ￥0.428
100+
￥0.29036 ￥0.3416
300+
￥0.25364 ￥0.2984
3000+
￥0.2261 ￥0.266
6000+
￥0.204 ￥0.24
9000+
￥0.193035 ￥0.2271

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：LN4501LT1G-VB 编号：C20755195

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.3638 ￥0.428
100+
￥0.29036 ￥0.3416
300+
￥0.25364 ￥0.2984
3000+
￥0.2261 ￥0.266
6000+
￥0.204 ￥0.24
9000+
￥0.193035 ￥0.2271

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：SI2314EDS-T1-E3-VB 编号：C7463639

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.37094 ￥0.4364
100+
￥0.2975 ￥0.35
300+
￥0.26078 ￥0.3068
3000+
￥0.222275 ￥0.2615
6000+
￥0.200175 ￥0.2355
9000+
￥0.18921 ￥0.2226

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：SM2300NSAC-TRG-VB 编号：C7463898

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.375275 ￥0.4415
100+
￥0.301835 ￥0.3551
300+
￥0.265115 ￥0.3119
3000+
￥0.222275 ￥0.2615
6000+
￥0.200175 ￥0.2355
9000+
￥0.18921 ￥0.2226

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：FDV305N-NL-VB 编号：C7494449

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.37774 ￥0.4444
100+
￥0.3043 ￥0.358
300+
￥0.26758 ￥0.3148
3000+
￥0.222275 ￥0.2615
6000+
￥0.200175 ￥0.2355
9000+
￥0.18921 ￥0.2226

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：BSR202N-VB 编号：C7494439

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.380035 ￥0.4471
100+
￥0.306595 ￥0.3607
300+
￥0.269875 ￥0.3175
3000+
￥0.222275 ￥0.2615
6000+
￥0.200175 ￥0.2355
9000+
￥0.18921 ￥0.2226

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：SM2304NSA-VB 编号：C7494562

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.380035 ￥0.4471
100+
￥0.306595 ￥0.3607
300+
￥0.269875 ￥0.3175
3000+
￥0.222275 ￥0.2615
6000+
￥0.200175 ￥0.2355
9000+
￥0.18921 ￥0.2226

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：IRLML2402GTRPBF-VB 编号：C7494644

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.380035 ￥0.4471
100+
￥0.306595 ￥0.3607
300+
￥0.269875 ￥0.3175
3000+
￥0.222275 ￥0.2615
6000+
￥0.200175 ￥0.2355
9000+
￥0.18921 ￥0.2226

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：AP2306N-VB 编号：C709911

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.388265 ￥0.4087
100+
￥0.306185 ￥0.3223
300+
￥0.265145 ￥0.2791
3000+
￥0.216505 ￥0.2279
6000+
￥0.1919 ￥0.202
9000+
￥0.17955 ￥0.189

有货

立即购买

60V N沟道沟槽MOSFET, 电流:270mA, 耐压:60V

型号：NX6008NBKR 编号：C3280960

封装：TO-236AB

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23表面贴装器件（SMD）塑料封装。

10+
￥0.3889
100+
￥0.3314
300+
￥0.3027
3000+
￥0.2811
6000+
￥0.2639
9000+
￥0.2552

订货

我要订货

1个P沟道耐压:20V

型号：PMZB350UPE,315 编号：C478140

封装：X1-DFN1006-3

品牌：Nexperia(安世)

P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装在无引脚超小型 DFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

数据手册

10+
￥0.3899
100+
￥0.3119
300+
￥0.2729
1000+
￥0.2437
5000+
￥0.2203
10000+
￥0.2086

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：HM2300B-VB 编号：C18212588

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.390575 ￥0.4595
100+
￥0.317135 ￥0.3731
300+
￥0.280415 ￥0.3299
3000+
￥0.21284 ￥0.2504
6000+
￥0.190825 ￥0.2245
9000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:1.4A

型号：PMZB200UNEYL 编号：C547292

封装：SOT-883-3

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用无引脚超小型OFN1006B-3（SOT883B）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥0.3916
50+
￥0.3841
150+
￥0.3791
500+
￥0.374

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：AO3414-VB 编号：C557941

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.40546 ￥0.4268
100+
￥0.32338 ￥0.3404
300+
￥0.28234 ￥0.2972
3000+
￥0.23788 ￥0.2504
6000+
￥0.213275 ￥0.2245
9000+
￥0.200925 ￥0.2115

有货

立即购买

N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：NVR4501NT1G-VB 编号：C45662630

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。

10+
￥0.4066 ￥0.428
100+
￥0.32452 ￥0.3416
300+
￥0.28348 ￥0.2984
3000+
￥0.2527 ￥0.266
6000+
￥0.228 ￥0.24
9000+
￥0.215745 ￥0.2271

有货

立即购买

N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：SI2302DDS-T1-GE3-VB 编号：C45662628

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。

10+
￥0.4066 ￥0.428
100+
￥0.32452 ￥0.3416
300+
￥0.28348 ￥0.2984
3000+
￥0.2527 ￥0.266
6000+
￥0.228 ￥0.24
9000+
￥0.215745 ￥0.2271

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：SI2302CDS-T1-GE3-VB 编号：C558244

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.406695 ￥0.4281
100+
￥0.324615 ￥0.3417
300+
￥0.283575 ￥0.2985
3000+
￥0.237975 ￥0.2505
6000+
￥0.21337 ￥0.2246
9000+
￥0.20102 ￥0.2116

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：MT2300ACTR-VB 编号：C558196

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.418665 ￥0.4407
100+
￥0.336585 ￥0.3543
300+
￥0.295545 ￥0.3111
3000+
￥0.23788 ￥0.2504
6000+
￥0.213275 ￥0.2245
9000+
￥0.200925 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：DMG3414U-7-VB 编号：C18212474

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.419425 ￥0.4415
100+
￥0.337345 ￥0.3551
300+
￥0.296305 ￥0.3119
3000+
￥0.23788 ￥0.2504
6000+
￥0.213275 ￥0.2245
9000+
￥0.200925 ￥0.2115

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：TSM2302CX RF-VB 编号：C19188187

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.419425 ￥0.4415
100+
￥0.337345 ￥0.3551
300+
￥0.296305 ￥0.3119
3000+
￥0.23788 ￥0.2504
6000+
￥0.213275 ￥0.2245
9000+
￥0.200925 ￥0.2115

有货

立即购买

2个N沟道耐压:60V 电流:350mA

型号：TSM2N7002KDCU6 RF-VB 编号：C7494637

封装：SC70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于广泛的电子设备和系统中。SC70-6，2个N—Channel沟道,60V；0.35A；RDS(ON)=1800mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

5+
￥0.490535 ￥0.5771
50+
￥0.396695 ￥0.4667
150+
￥0.349775 ￥0.4115
500+
￥0.314585 ￥0.3701
3000+
￥0.25585 ￥0.301
6000+
￥0.24174 ￥0.2844

有货

立即购买

1个N沟道耐压:60V 电流:300mA

型号：RSU002N06T106-VB 编号：C7494445

封装：SC-70-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用了Trench技术，适用于电压驱动应用。SC70-3，N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2000mΩ@10V,20Vgs(±V)；1~2.5Vth(V)

5+
￥0.51374 ￥0.6044
50+
￥0.41582 ￥0.4892
150+
￥0.36686 ￥0.4316
500+
￥0.33014 ￥0.3884
3000+
￥0.2669 ￥0.314
6000+
￥0.25228 ￥0.2968

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：HM3400D-VB 编号：C19632200

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.51612 ￥0.6072
50+
￥0.408 ￥0.48
150+
￥0.35394 ￥0.4164
500+
￥0.313395 ￥0.3687
3000+
￥0.280925 ￥0.3305
6000+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：NX3020NAK-VB 编号：C20755258

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.51612 ￥0.6072
50+
￥0.408 ￥0.48
150+
￥0.35394 ￥0.4164
500+
￥0.313395 ￥0.3687
3000+
￥0.280925 ￥0.3305
6000+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：NTR4503NT1G-VB 编号：C558220

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.52275 ￥0.615
50+
￥0.413185 ￥0.4861
150+
￥0.358445 ￥0.4217
500+
￥0.31739 ￥0.3734
3000+
￥0.28458 ￥0.3348
6000+
￥0.26809 ￥0.3154

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：G2309-VB 编号：C693385

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.525895 ￥0.6187
50+
￥0.41854 ￥0.4924
150+
￥0.364905 ￥0.4293
500+
￥0.3247 ￥0.382
3000+
￥0.292485 ￥0.3441
6000+
￥0.27642 ￥0.3252

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：SQ2348ES-T1-GE3-VB 编号：C7463653

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
150+
￥0.36771 ￥0.4326
500+
￥0.327165 ￥0.3849
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

立即购买

共135页，4038条记录到页

<上一页
1
...
30
31
32
33
34
...
135
下一页

立创商城为您提供场效应晶体管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买场效应晶体管提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content