场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术制造，具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性，适用于各种功率电路设计。TO252；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.9045 ￥4.11
10+
￥3.173 ￥3.34
30+
￥2.812 ￥2.96
100+
￥2.451 ￥2.58
500+
￥2.071 ￥2.18
1000+
￥1.957 ￥2.06

有货

立即购买

型号：IPD50N06S2-14-VB 编号：C725062

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥4.009 ￥4.22
10+
￥3.287 ￥3.46
30+
￥2.926 ￥3.08
100+
￥2.565 ￥2.7
500+
￥2.071 ￥2.18
1000+
￥1.957 ￥2.06

有货

立即购买

型号：SSF6014D-VB 编号：C18212606

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥4.123 ￥4.34
10+
￥3.3915 ￥3.57
30+
￥3.0305 ￥3.19
100+
￥2.6695 ￥2.81
500+
￥2.071 ￥2.18
1000+
￥1.957 ￥2.06

有货

立即购买

型号：ZXMC4559DN8TA-VB 编号：C879006

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

数据手册

1+
￥4.1515 ￥4.37
10+
￥3.4295 ￥3.61
30+
￥3.059 ￥3.22
100+
￥2.698 ￥2.84
500+
￥2.071 ￥2.18
1000+
￥1.957 ￥2.06

有货

立即购买

型号：HAT1126R-VB 编号：C5137428

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥4.4555 ￥4.69
10+
￥3.61 ￥3.8
30+
￥3.192 ￥3.36
100+
￥2.774 ￥2.92
500+
￥2.4035 ￥2.53
1000+
￥2.2705 ￥2.39

有货

立即购买

型号：SUD50P10-43L-E3-VB 编号：C5456609

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于多个领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-100V；-40A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥4.6075 ￥4.85
10+
￥4.503 ￥4.74
30+
￥4.427 ￥4.66
100+
￥4.3605 ￥4.59

有货

立即购买

型号：IRF3410-VB 编号：C879029

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥4.7405 ￥4.99
10+
￥3.838 ￥4.04
30+
￥3.382 ￥3.56
100+
￥2.9355 ￥3.09
500+
￥2.5745 ￥2.71
1000+
￥2.4415 ￥2.57

有货

立即购买

型号：IRFR3411TRPBF-VB 编号：C7429042

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

1+
￥4.9305 ￥5.19
10+
￥4.028 ￥4.24
30+
￥3.572 ￥3.76
100+
￥3.1255 ￥3.29
500+
￥2.5745 ￥2.71
1000+
￥2.4415 ￥2.57

有货

立即购买

型号：IRFR4510TRPBF-VB 编号：C5878814

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥5.134 ￥6.04
10+
￥4.1565 ￥4.89
30+
￥3.672 ￥4.32
100+
￥3.1875 ￥3.75
500+
￥2.6775 ￥3.15
1000+
￥2.5245 ￥2.97

有货

立即购买

型号：IPD048N06L3 G-VB 编号：C7494549

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,60V；97A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥5.219 ￥6.14
10+
￥4.25 ￥5
30+
￥3.7655 ￥4.43
100+
￥3.281 ￥3.86
500+
￥2.7625 ￥3.25
1000+
￥2.618 ￥3.08

有货

立即购买

型号：IRLR3636TRPBF-VB 编号：C558183

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,60V；97A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

1+
￥5.3125 ￥6.25
10+
￥4.335 ￥5.1
30+
￥3.842 ￥4.52
100+
￥3.3575 ￥3.95
500+
￥2.7625 ￥3.25
1000+
￥2.6095 ￥3.07

有货

立即购买

型号：NTMFS015N10MCLT1G-VB 编号：C45662520

封装：DFN-8(5x6)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；65A；RDS(ON)=8.7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域，为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。

1+
￥5.5005 ￥5.79
10+
￥5.377 ￥5.66
30+
￥5.301 ￥5.58
100+
￥5.2155 ￥5.49

有货

立即购买

型号：BUK7509-55A-VB 编号：C878788

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

1+
￥5.7715 ￥6.79
10+
￥4.692 ￥5.52
50+
￥3.808 ￥4.48
100+
￥3.2725 ￥3.85
500+
￥2.9495 ￥3.47
1000+
￥2.788 ￥3.28

有货

立即购买

型号：VOD3120AB-T 编号：C5236672

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

VOD3120A由一个砷铝化镓（AlGaAs）发光二极管（LED）与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。输出级较宽的工作电压范围可提供栅极控制型器件所需的驱动电压

数据手册

1+
￥5.92
10+
￥5.36
30+
￥5.05
100+
￥4.71
500+
￥4.03

有货

立即购买

型号：IRF3205PBF-VB 编号：C5355755

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

1+
￥5.928 ￥6.24
10+
￥4.7215 ￥4.97
50+
￥4.123 ￥4.34
100+
￥3.5245 ￥3.71
500+
￥3.1635 ￥3.33
1000+
￥2.983 ￥3.14

有货

立即购买

型号：CSD17303Q5-VB 编号：C20755092

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于高功率和高电压应用场景。其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；160A；RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥6.194 ￥6.52
10+
￥4.9875 ￥5.25
30+
￥4.389 ￥4.62
100+
￥3.7905 ￥3.99
500+
￥3.4295 ￥3.61
1000+
￥3.249 ￥3.42

有货

立即购买

型号：K4145-VB 编号：C878790

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

1+
￥6.555 ￥6.9
10+
￥5.3485 ￥5.63
50+
￥4.389 ￥4.62
100+
￥3.7905 ￥3.99
500+
￥3.4295 ￥3.61
1000+
￥3.249 ￥3.42

有货

立即购买

型号：IPD135N08N3G-VB 编号：C19188207

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于广泛的电子设备和系统，包括电源管理、汽车电子、工业自动化和电动工具等模块。TO252；N—Channel沟道,80V；75A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4V；

1+
￥6.6025 ￥6.95
10+
￥5.396 ￥5.68
30+
￥4.788 ￥5.04
100+
￥4.1895 ￥4.41
500+
￥3.4295 ￥3.61
1000+
￥3.249 ￥3.42

有货

立即购买

型号：SI7172DP-T1-GE3-VB 编号：C20417555

封装：DFN-8L(5x6)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于电源模块、LED照明模块和汽车电子模块等领域。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥6.8115 ￥7.17
10+
￥6.65 ￥7
30+
￥6.536 ￥6.88
100+
￥6.4315 ￥6.77

有货

立即购买

型号：AUIRFR3607TRPBF-VB 编号：C19626771

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于广泛的电子设备和系统，包括电源管理、汽车电子、工业自动化和电动工具等模块。TO252；N—Channel沟道,80V；75A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4V；

1+
￥7.277 ￥7.66
10+
￥6.0135 ￥6.33
30+
￥5.3295 ￥5.61
100+
￥4.541 ￥4.78
500+
￥4.199 ￥4.42
1000+
￥4.0375 ￥4.25

有货

立即购买

型号：SI7812DN-VB 编号：C19711377

封装：QFN-8L(3x3)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种应用场景。QFN8(3X3)；N—Channel沟道,100V；35.3A；RDS(ON)=17.4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥7.277 ￥7.66
10+
￥6.0135 ￥6.33
30+
￥5.3295 ￥5.61
100+
￥4.541 ￥4.78
500+
￥4.199 ￥4.42
1000+
￥4.0375 ￥4.25

有货

立即购买

型号：IRF4905STRPBF-VB 编号：C7525045

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于DC-DC转换器、电源开关模块等领域。TO263；P—Channel沟道,-60V；-110A；RDS(ON)=6.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥7.334 ￥7.72
10+
￥6.08 ￥6.4
50+
￥5.3295 ￥5.61
100+
￥4.541 ￥4.78
500+
￥4.199 ￥4.42
1000+
￥4.0375 ￥4.25

有货

立即购买

型号：FQP47P06-VB 编号：C7428978

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于直流-直流转换器、功率因数校正模块等领域。TO220；P—Channel沟道,-60V；-50A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥7.5525 ￥7.95
10+
￥6.2415 ￥6.57
50+
￥5.529 ￥5.82
100+
￥4.712 ￥4.96
500+
￥4.3605 ￥4.59
1000+
￥4.1895 ￥4.41

有货

立即购买

型号：IPP076N12N3G-VB 编号：C20755313

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管，适用于中功率的应用场合，可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。TO220；N—Channel沟道,100V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4V；

1+
￥8.925 ￥10.5
10+
￥7.6075 ￥8.95
50+
￥6.4345 ￥7.57
100+
￥5.5845 ￥6.57
500+
￥5.202 ￥6.12
1000+
￥5.0405 ￥5.93

有货

立即购买

型号：CSD19505KCS-VB 编号：C45662527

封装：TO-220

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；TO220；N—Channel沟道,80V；195A；RDS(ON)=2.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于高功率应用。

1+
￥9.0915 ￥9.57
10+
￥7.5905 ￥7.99
50+
￥6.764 ￥7.12
100+
￥5.8235 ￥6.13
500+
￥5.4055 ￥5.69
1000+
￥5.2155 ￥5.49

有货

立即购买

型号：IPB60R190C6-VB 编号：C18795000

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的单N沟道功率场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术，具有优异的性能和可靠性，广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用，包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。TO263；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥9.7835 ￥11.51
10+
￥9.5795 ￥11.27
50+
￥8.432 ￥9.92
100+
￥8.296 ￥9.76

有货

立即购买

型号：DN1509K1-G 编号：C616264

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这款低阈值、耗尽型、常开晶体管采用先进的垂直扩散金属氧化物半导体 (DMOS) 结构和成熟的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体 (MOS) 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特点是，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。垂直 DMOS 场效应晶体管 (FET) 非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要非常低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

数据手册

1+
￥10.15
10+
￥8.44
30+
￥7.5
100+
￥6.44

有货

立即购买

型号：IRLB4030PBF-VB 编号：C19626843

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术技术，适用于各种高功率电源管理和功率控制应用。TO220；N—Channel沟道,100V；180A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；

1+
￥10.489 ￥12.34
10+
￥8.9845 ￥10.57
50+
￥7.99 ￥9.4
100+
￥7.021 ￥8.26
500+
￥6.5875 ￥7.75
1000+
￥6.4005 ￥7.53

有货

立即购买

型号：IRFP044NPBF-VB 编号：C7569023

封装：TO-247

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种领域的功率电子应用。TO247；N—Channel沟道,60V；150A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；

1+
￥11.286 ￥11.88
10+
￥11.039 ￥11.62
30+
￥9.804 ￥10.32
90+
￥9.6425 ￥10.15

有货

立即购买

型号：ADR443ARZ-REEL7 编号：C659571

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR440/ADR441/ADR443/ADR444/ADR445系列是一组电压基准源，具有超低噪声、高精度和低温度漂移特性。通过采用温度漂移曲率校正和额外注入结型场效应晶体管（XFET）技术，该系列产品在电压随温度变化时的非线性得到了极大改善。相比掩埋齐纳基准源，XFET基准源具有更好的噪声性能，并且可在低电源电压裕量（500 mV）下工作

数据手册

1+
￥35.44
10+
￥34.57
30+
￥33.99
100+
￥33.0759 ￥33.41

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示