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1个N沟道耐压:30V 电流:9A

型号：AO4446-VB 编号：C878867

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于低功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于低功率控制和驱动应用，包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,30V；13A；RDS(ON)=8mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

5+
￥2.124675 ￥2.2365
50+
￥1.6986 ￥1.788
150+
￥1.515915 ￥1.5957
500+
￥1.288105 ￥1.3559
2500+
￥1.04595 ￥1.101
4000+
￥0.985055 ￥1.0369

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:30A

型号：TJ8S06M3L-VB 编号：C19188120

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.128 ￥2.24
10+
￥2.0805 ￥2.19
30+
￥2.052 ￥2.16
100+
￥2.0235 ￥2.13

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:58A

型号：IPD50N06S2L-13-VB 编号：C7463580

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.1335 ￥2.51
10+
￥2.091 ￥2.46
30+
￥2.057 ￥2.42
100+
￥2.0315 ￥2.39

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:9A

型号：SPP4435WS8RGB-VB 编号：C20755308

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

5+
￥2.140065 ￥2.2527
50+
￥1.680455 ￥1.7689
150+
￥1.483425 ￥1.5615
500+
￥1.23766 ￥1.3028
2500+
￥1.12822 ￥1.1876
4000+
￥1.06248 ￥1.1184

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:7A

型号：FDS9945-NL-VB 编号：C558131

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥2.159 ￥2.54
10+
￥1.904 ￥2.24
30+
￥1.785 ￥2.1
100+
￥1.6575 ￥1.95
500+
￥1.581 ￥1.86
1000+
￥1.547 ￥1.82

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:70A

型号：AOD422-VB 编号：C709904

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；

数据手册

1+
￥2.299 ￥2.42
10+
￥1.805 ￥1.9
30+
￥1.596 ￥1.68
100+
￥1.33 ￥1.4
500+
￥1.216 ￥1.28
1000+
￥1.14 ￥1.2

有货

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N沟道，30V，80A，147W，6.6mΩ@10V,30A，2.9V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESNU07R086 编号：C42412313

封装：TO-220

品牌：ElecSuper(静芯)

ESNU07R086 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥2.35
50+
￥1.85
150+
￥1.63
500+
￥1.36
2500+
￥1.24
5000+
￥1.17

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:21.8A

型号：20N03-VB 编号：C693186

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；

数据手册

1+
￥2.3545 ￥2.77
10+
￥1.8445 ￥2.17
30+
￥1.632 ￥1.92
100+
￥1.36 ￥1.6
500+
￥1.2325 ￥1.45
1000+
￥1.156 ￥1.36

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:80A

型号：VBE1307 编号：C416252

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

1+
￥2.394 ￥2.52
10+
￥1.9 ￥2
30+
￥1.691 ￥1.78
100+
￥1.425 ￥1.5
500+
￥1.311 ￥1.38
1000+
￥1.2445 ￥1.31

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:85A

型号：IPD036N04LG-VB 编号：C878999

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

数据手册

1+
￥2.4225 ￥2.55
10+
￥2.375 ￥2.5
30+
￥2.337 ￥2.46
100+
￥2.3085 ￥2.43

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:9A

型号：AO4407-VB 编号：C557948

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.4565 ￥2.89
10+
￥1.9465 ￥2.29
30+
￥1.7255 ￥2.03
100+
￥1.445 ￥1.7
500+
￥1.258 ￥1.48
1000+
￥1.1815 ￥1.39

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:20A

型号：IRF531-VB 编号：C19711247

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电动工具和家用电器、汽车电子系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；20A；RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.601 ￥3.06
10+
￥2.0655 ￥2.43
50+
￥1.734 ￥2.04
100+
￥1.445 ￥1.7
500+
￥1.3175 ￥1.55
1000+
￥1.241 ￥1.46

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:25A

型号：IRFU024NPBF-VB 编号：C7429047

封装：TO-251

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较大的电压容忍度，可提供良好的电路灵活性。适用于电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。TO251；N—Channel沟道,60V；35A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

1+
￥2.6315 ￥2.77
10+
￥2.071 ￥2.18
30+
￥1.824 ￥1.92
80+
￥1.5295 ￥1.61
480+
￥1.387 ￥1.46
960+
￥1.311 ￥1.38

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:4.5A

型号：PHT6N06LT-VB 编号：C19626854

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

1+
￥2.6315 ￥2.77
10+
￥2.071 ￥2.18
30+
￥1.824 ￥1.92
100+
￥1.5295 ￥1.61
500+
￥1.387 ￥1.46
1000+
￥1.311 ￥1.38

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:40A

型号：IPD30N10S3L-34-VB 编号：C5179528

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.7075 ￥2.85
10+
￥2.6505 ￥2.79
30+
￥2.603 ￥2.74
100+
￥2.565 ￥2.7

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:13.5A

型号：AO4409-VB 编号：C557950

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.8645 ￥3.37
10+
￥2.261 ￥2.66
30+
￥2.006 ￥2.36
100+
￥1.683 ￥1.98
500+
￥1.428 ￥1.68
1000+
￥1.343 ￥1.58

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:13.5A

型号：FDS6679AZ-NL-VB 编号：C6705261

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

1+
￥2.9325 ￥3.45
10+
￥2.3035 ￥2.71
30+
￥2.0315 ￥2.39
100+
￥1.6915 ￥1.99
500+
￥1.4195 ￥1.67
1000+
￥1.326 ￥1.56

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:12A

型号：IRLZ14PBF-VB 编号：C5240581

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电动工具和家用电器、汽车电子系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；20A；RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.9545 ￥3.11
10+
￥2.356 ￥2.48
50+
￥1.938 ￥2.04
100+
￥1.615 ￥1.7
500+
￥1.4725 ￥1.55
1000+
￥1.387 ￥1.46

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:32A

型号：CMP32N20P 编号：C19077055

封装：TO-220

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Cmos专有的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源、不间断电源用DC-AC转换器以及电机控制

1+
￥3.02
10+
￥2.36
50+
￥2.08
100+
￥1.73
500+
￥1.57
1000+
￥1.48

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:58A

型号：AOD403-VB 编号：C557964

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.128 ￥3.68
10+
￥2.533 ￥2.98
30+
￥2.2355 ￥2.63
100+
￥1.9465 ￥2.29
500+
￥1.6915 ￥1.99
1000+
￥1.598 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:70A

型号：BUK7L11-34ARC-VB 编号：C19190210

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于电源模块、电动汽车控制器、工业自动化等领域。TO220；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

1+
￥3.173 ￥3.34
10+
￥2.5365 ￥2.67
50+
￥2.0615 ￥2.17
100+
￥1.7195 ￥1.81
500+
￥1.5675 ￥1.65
1000+
￥1.4725 ￥1.55

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:85A

型号：STD70N10F4-VB 编号：C7463503

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥3.1875 ￥3.75
10+
￥3.128 ￥3.68
30+
￥3.0855 ￥3.63
100+
￥3.0345 ￥3.57

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:35A

型号：AOD603A-VB 编号：C878963

封装：TO-252-4L

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款N+P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于多种电子应用。具有双通道设计，可在电路中提供灵活的功率控制。TO252-4；N+P—Channel沟道,±60V；35/-19A；RDS(ON)=30/50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；

数据手册

1+
￥3.2015 ￥3.37
10+
￥3.135 ￥3.3
30+
￥3.0875 ￥3.25
100+
￥3.04 ￥3.2

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:140A

型号：CMSA028N06 编号：C7501166

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA028N06采用先进技术，可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并将功率转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于开关电源（SMPS）中的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用用途。

1+
￥3.37
10+
￥2.65
30+
￥2.34
100+
￥1.96
500+
￥1.78
1000+
￥1.68

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:10A

型号：AON2409-VB 编号：C709907

封装：QFN-6(2x2)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型功率场效应晶体管，采用Trench技术，提高了器件的性能和稳定性，适用于手机、移动设备、消费电子产品、工业自动化和LED照明等领域。QFN6(2X2)；P—Channel沟道,-20V；-10A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.4~-1V；

数据手册

1+
￥3.4765 ￥4.09
10+
￥2.822 ￥3.32
30+
￥2.499 ￥2.94
100+
￥2.176 ￥2.56
500+
￥1.9805 ￥2.33
1000+
￥1.887 ￥2.22

有货

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1个N沟道耐压:30V

型号：BSC022N03S G-VB 编号：C7569125

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于高功率和高电压应用场景。其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；160A；RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥3.496 ￥3.68
10+
￥3.4105 ￥3.59
30+
￥3.363 ￥3.54
100+
￥3.306 ￥3.48

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:58A

型号：FDD6637-VB 编号：C693157

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.572 ￥3.76
10+
￥2.907 ￥3.06
30+
￥2.5745 ￥2.71
100+
￥2.242 ￥2.36
500+
￥1.8905 ￥1.99
1000+
￥1.786 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:10A

型号：FR9N20D-VB 编号：C693241

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。TO252；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=245mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=2~4V；

数据手册

1+
￥3.723 ￥4.38
10+
￥3.0175 ￥3.55
30+
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1个P沟道耐压:30V 电流:45A

型号：BSZ120P03NS3 G-VB 编号：C20755294

封装：DFN3x3-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造。适用于多种电路应用，能够提供可靠的功率控制和保护。DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-30V；-45A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.8V；

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1个N沟道耐压:60V 电流:60A

型号：VBZE50N06 编号：C700651

封装：TO-252-2

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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