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首页 > 热门关键词 > 场效应晶体管
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1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
型号：IRFH3702TRPBF-VB 编号：C5137381
封装：DFN3x3-8
品牌：VBsemi(微碧半导体)
台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。DFN8(3X3)；N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；
数据手册

  • 1+

    ￥3.7485 ￥4.41

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    ￥3.0515 ￥3.59

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:85A
    型号：IPD036N04LG-VB 编号：C878999
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；
    数据手册

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      ￥4.085 ￥4.3

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:58A
    型号：SSF6014D-VB 编号：C18212606
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

    • 1+

      ￥4.123 ￥4.34

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      ￥2.071 ￥2.18

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    1个N沟道 耐压:1200V 电流:3A
    型号：CS3N120FA9R 编号：C2982572
    封装：TO-220F
    品牌：CRMICRO(华润微)
    CS3N120F A9R是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高的效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准
    数据手册

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      ￥4.23

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:34A
    型号：PHB32N06LT,118 编号：C552626
    封装：D2PAK
    品牌：Nexperia(安世)
    采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。
    数据手册

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      ￥4.4646 ￥10.63

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
    型号：AP40T10GH-VB 编号：C693118
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
    数据手册

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      ￥4.7975 ￥5.05

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:97A
    型号：IPD038N06N3G-VB 编号：C7463497
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,60V；97A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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      ￥5.372 ￥6.32

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:85A
    型号：STD70N10F4-VB 编号：C7463503
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

    • 1+

      ￥5.4145 ￥6.37

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      ￥2.754 ￥3.24
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
    型号：R5005CNJTL-VB 编号：C7569131
    封装：TO-263(D2PAK)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于需要高性能、高可靠性的功率开关元件来实现功率控制和转换功能的领域。TO263；N—Channel沟道,650V；10A；RDS(ON)=770mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

    • 1+

      ￥5.4995 ￥6.47

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
    型号：IRF3205ZPBF-VB 编号：C7429007
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

    • 1+

      ￥5.542 ￥6.52

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      ￥3.3915 ￥3.99

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      ￥3.0685 ￥3.61

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      ￥2.907 ￥3.42
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:35A
    型号：AOD603A-VB 编号：C878963
    封装：TO-252-4L
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款N+P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于多种电子应用。具有双通道设计，可在电路中提供灵活的功率控制。TO252-4；N+P—Channel沟道,±60V；35/-19A；RDS(ON)=30/50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；
    数据手册

    • 1+

      ￥5.5575 ￥5.85

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      ￥4.5315 ￥4.77

    • 30+

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    • 500+

      ￥2.9165 ￥3.07

    • 1000+

      ￥2.755 ￥2.9
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    1个N沟道 耐压:55V 电流:12A
    型号：BUK9832-55A/CUX 编号：C458151
    封装：SOT-223
    品牌：Nexperia(安世)
    逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用TrenchMOS技术封装在塑料外壳中。该产品已设计并通过了适用于汽车关键应用的AEC标准认证。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.63

    • 10+

      ￥4.92

    • 30+

      ￥4.56

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      ￥4.21

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      ￥4

    • 1000+

      ￥3.89
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    1个N沟道 耐压:120V 电流:120A
    型号：CMSA006N12 编号：C5337958
    封装：DFN-8(5x6)
    品牌：Cmos(广东场效应半导体)
    CMSA006N12采用先进技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适合用作低端通用场效应晶体管（FET）。

    • 1+

      ￥5.814 ￥6.12

    • 10+

      ￥4.7595 ￥5.01

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      ￥4.2275 ￥4.45

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      ￥3.705 ￥3.9

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      ￥3.3155 ￥3.49

    • 1000+

      ￥3.154 ￥3.32
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:100A
    型号：IPD068N10N3G-VB 编号：C7463438
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；单N型场效应晶体管，采用了Trench技术，适用于需要中功率转换和可靠功率控制的领域。TO252；N—Channel沟道,100V；100A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

    • 1+

      ￥5.909 ￥6.22

    • 10+

      ￥5.776 ￥6.08

    • 30+

      ￥5.6905 ￥5.99

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      ￥5.605 ￥5.9
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:33A
    型号：FDMS8018-VB 编号：C7494536
    封装：DFN5x6-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于高功率和高电压应用场景。其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；160A；RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

    • 1+

      ￥5.9585 ￥7.01

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      ￥4.879 ￥5.74

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      ￥4.3435 ￥5.11

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      ￥3.808 ￥4.48

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      ￥3.2215 ￥3.79

    • 1000+

      ￥3.0515 ￥3.59
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:160A
    型号：CSD17303Q5-VB 编号：C20755092
    封装：DFN5x6-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于高功率和高电压应用场景。其特点包括高漏极-源极电压、低阈值电压和低导通电阻。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,30V；160A；RDS(ON)=1.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

    • 1+

      ￥6.194 ￥6.52

    • 10+

      ￥4.9875 ￥5.25

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      ￥3.249 ￥3.42
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    1个P沟道 耐压:40V
    型号：IPP80P04P4L-04-VB 编号：C7568885
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，为不同领域的电子设备提供稳定可靠的性能支持。TO220；N—Channel沟道,-40V；-110A；RDS(ON)=4.1mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2~-4V；

    • 1+

      ￥6.1965 ￥7.29

    • 10+

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      ￥3.689 ￥4.34

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      ￥3.5615 ￥4.19
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    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:55V 电流:20.3A
    型号：PHP20N06T,127 编号：C552645
    封装：TO-220AB
    品牌：Nexperia(安世)
    采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。
    数据手册

    • 1+

      ￥6.488 ￥16.22

    • 10+

      ￥4.158 ￥13.86

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      ￥2.478 ￥12.39

    • 100+

      ￥2.176 ￥10.88

    • 500+

      ￥2.04 ￥10.2

    • 1000+

      ￥1.98 ￥9.9
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
    型号：VBM1606 编号：C481016
    封装：ITO-220AB-3
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
    数据手册

    • 1+

      ￥6.6215 ￥7.79

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      ￥5.6185 ￥6.61

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      ￥4.42 ￥5.2

    • 100+

      ￥3.7995 ￥4.47

    • 500+

      ￥3.519 ￥4.14

    • 1000+

      ￥3.4 ￥4
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:97A
    型号：VBE1606 编号：C416256
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,60V；97A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
    数据手册

    • 1+

      ￥6.6405 ￥6.99

    • 10+

      ￥5.434 ￥5.72

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      ￥4.8355 ￥5.09

    • 100+

      ￥4.237 ￥4.46

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    1个P沟道 耐压:100V 电流:40A
    型号：SUD50P10-43L-E3-VB 编号：C5456609
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于多个领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-100V；-40A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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      ￥7.847 ￥8.26

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    1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
    型号：WSR22N50F 编号：C5772695
    封装：TO-220F
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSR22N50F 是硅 N 沟道增强型 VDMOS 场效应晶体管，采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为 TO - 220F，符合 RoHS 标准

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      ￥7.866 ￥8.74

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
    型号：IPD90N04S4-02-VB 编号：C7463525
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于中等功率控制和驱动应用，包括电机驱动模块、电源转换模块、电动工具控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；120A；RDS(ON)=1.6mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

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      ￥8.024 ￥9.44

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:31.6A
    型号：AON6403-VB 编号：C7524994
    封装：DFN5x6-8
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于DC-DC转换器、电源开关和逆变器、高效率和高功率密度的应用中。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-100A；RDS(ON)=3.2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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    智能功率高端开关，适用于工业应用
    型号：ISP752RFUMA1 编号：C454923
    封装：SOIC-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    带电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入和诊断反馈功能，单片集成嵌入式保护功能。

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      ￥8.61

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    1个N沟道 耐压:40V 电流:150A
    型号：IRL1404ZSPBF-VB 编号：C20417517
    封装：TO-263(D2PAK)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。TO263；N—Channel沟道,40V；150A；RDS(ON)=1.7mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:270A
    型号：IRLB3036PBF-VB 编号：C20755366
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于高功率控制和驱动应用。TO220；N—Channel沟道,60V；270A；RDS(ON)=1.6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:140A
    型号：IRFS4310PBF-VB 编号：C20626296
    封装：TO-263
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域，为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。TO263；N—Channel沟道,100V；140A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:140A
    型号：FDB3632-VB 编号：C7569120
    封装：TO-263(D2PAK)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域，为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。TO263；N—Channel沟道,100V；140A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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    1个N沟道 耐压:200V 电流:30A
    型号：SI7172DP-T1-GE3-VB 编号：C20417555
    封装：DFN-8L(5x6)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于电源模块、LED照明模块和汽车电子模块等领域。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,200V；30A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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