场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：CMD170P03A 编号：C7501162

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P-Channel增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

5+
￥0.9657
50+
￥0.9435
150+
￥0.9287
500+
￥0.8983

有货

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型号：SSM9435GM-VB 编号：C693169

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.99237 ￥1.0446
50+
￥0.972135 ￥1.0233
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￥0.958645 ￥1.0091
500+
￥0.94506 ￥0.9948

有货

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型号：BRCS850N10SDPQ 编号：C36499023

封装：TO-252

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

AEC-Q101车规场效应晶体管

5+
￥1.0044
50+
￥0.8771
150+
￥0.8226
500+
￥0.7545

有货

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型号：TPS54202DDCT 编号：C2070672

封装：TSOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS54202是一款输入电压范围为4.5V至28V的2A同步降压转换器。该器件包含两个集成式开关场效应晶体管（FET）,具备内部回路补偿和5ms内部软启动功能,可降低组件数。通过集成MOSFET并采用SOT-23封装,TPS54202获得了高功率密度,并且在印刷电路板（PCB）上的占用空间非常小。该器件具有500kHz固定开关频率,扩频频谱可降低EMI,高级Eco-mode脉冲跳跃模式可最大限度地提高轻负载效率并降低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.0447
50+
￥0.8179
250+
￥0.7207
500+
￥0.5995

有货

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型号：NDS8435A-NL-VB 编号：C7442627

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

5+
￥1.05366 ￥1.2396
50+
￥1.0302 ￥1.212
150+
￥1.014475 ￥1.1935
500+
￥0.998835 ￥1.1751

有货

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型号：FDD6690A-VB 编号：C20755618

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

1+
￥1.0795 ￥1.27
10+
￥1.054 ￥1.24
30+
￥1.037 ￥1.22
100+
￥1.02 ￥1.2

有货

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型号：VBTA5220N 编号：C516981

封装：SC-75-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于电源管理模块、光伏逆变器、无线通信设备等领域。SC75-6；N+P—Channel沟道,±20V；0.6/-0.3A；RDS(ON)=270/660mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.7/-0.8V；

数据手册

5+
￥1.13016 ￥1.3296
50+
￥0.87737 ￥1.0322
150+
￥0.76908 ￥0.9048
500+
￥0.63393 ￥0.7458
3000+
￥0.567715 ￥0.6679
6000+
￥0.53159 ￥0.6254

有货

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型号：IRFR3707ZTRPBF-VB 编号：C7463619

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

1+
￥1.1305 ￥1.33
10+
￥1.1135 ￥1.31
30+
￥1.0965 ￥1.29
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￥1.0795 ￥1.27

有货

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型号：SI1424EDH-T1-GE3 编号：C727284

封装：SC-70-6

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。典型ESD保护4000V。 100%进行Rg测试。应用：便携式设备。负载开关

数据手册

1+
￥1.2
10+
￥1.17
30+
￥1.15
100+
￥1.13

有货

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型号：BSL307SP-VB 编号：C709921

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.225105 ￥1.4413
50+
￥0.9724 ￥1.144
150+
￥0.864025 ￥1.0165
500+
￥0.728875 ￥0.8575
3000+
￥0.668695 ￥0.7867
6000+
￥0.63257 ￥0.7442

有货

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型号：AO6604-VB 编号：C709896

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

数据手册

5+
￥1.231055 ￥1.4483
50+
￥0.978945 ￥1.1517
150+
￥0.870825 ￥1.0245
500+
￥0.736015 ￥0.8659
3000+
￥0.611405 ￥0.7193
6000+
￥0.575365 ￥0.6769

有货

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型号：PMK30EP-VB 编号：C5240584

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

5+
￥1.23234 ￥1.2972
50+
￥1.20612 ￥1.2696
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￥1.188545 ￥1.2511
500+
￥1.116345 ￥1.1751

有货

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型号：EG1416 编号：C5346625

封装：SOT23-5

品牌：EG(屹晶微)

低册单通道驱动芯片 EG1416单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小于1uA。

数据手册

5+
￥1.2508
50+
￥0.9786
150+
￥0.862
500+
￥0.7164

有货

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型号：IRLTS2242TRPBF-VB 编号：C5878825

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.315275 ￥1.3845
50+
￥1.032745 ￥1.0871
150+
￥0.911715 ￥0.9597
500+
￥0.760665 ￥0.8007
3000+
￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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型号：BUK6D210-60EX 编号：C549789

封装：DFN-6-MD(2x2)

品牌：Nexperia(安世)

N- 通道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装为中功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

单价：
￥16.2 / 个

我要订货

型号：PMN30XP,115 编号：C552980

封装：TSOP-6

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT457（SC-74）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥1.381845 ￥2.7095
50+
￥0.949437 ￥2.3157
150+
￥0.665539 ￥2.1469
500+
￥0.600253 ￥1.9363
3000+
￥0.571206 ￥1.8426
6000+
￥0.553753 ￥1.7863

有货

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型号：IRF7468TRPBF-VB 编号：C7429015

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，具有优良的电气特性和可靠性，适用于低功率控制和驱动应用，包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,40V；10A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.387 ￥1.46
10+
￥1.3585 ￥1.43
30+
￥1.33 ￥1.4
100+
￥1.311 ￥1.38

有货

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型号：SI3443DVTRPBF-VB 编号：C7568844

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥1.405715 ￥1.4797
50+
￥1.123185 ￥1.1823
150+
￥1.002155 ￥1.0549
500+
￥0.851105 ￥0.8959
3000+
￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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型号：CMD85P03A 编号：C5203758

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P-Channel 增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于负载开关或 PWM 应用。

数据手册

5+
￥1.6422
50+
￥1.3032
150+
￥1.1579
500+
￥0.9129
2500+
￥0.8322
5000+
￥0.7837

有货

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型号：CMB32N20P 编号：C20416968

封装：TO-263

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

N-Channel增强模式功率场效应晶体管采用Cmos专有的平面条纹DMOS技术生产。这种先进技术经过特别定制，可最大限度地降低导通电阻。这些器件适用于高效开关DC/DC转换器、开关电源、不间断电源的DC-AC转换器和电机控制。

1+
￥1.69
10+
￥1.65
30+
￥1.63
100+
￥1.6

有货

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型号：EG27519 编号：C2987450

封装：SOT-23-5

品牌：EG(屹晶微)

EG27519单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，外围器件少。

数据手册

5+
￥1.7004
50+
￥1.3375
150+
￥1.182
500+
￥0.9879

有货

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型号：RQA0009SXAQS-VB 编号：C7568908

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种需要中等功率和较小封装体积的电子设备和模块中。SOT89-3；N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.6~1.5V；

5+
￥1.805665 ￥1.9007
50+
￥1.417875 ￥1.4925
150+
￥1.251625 ￥1.3175
1000+
￥1.04424 ￥1.0992
2000+
￥0.9519 ￥1.002
5000+
￥0.896515 ￥0.9437

有货

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型号：ME4946-VB 编号：C693349

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥1.853 ￥2.18
10+
￥1.819 ￥2.14
30+
￥1.7935 ￥2.11
100+
￥1.7595 ￥2.07

有货

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型号：UT2955G-TN3-R-VB 编号：C7463608

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥1.938 ￥2.28
10+
￥1.8955 ￥2.23
30+
￥1.87 ￥2.2
100+
￥1.8445 ￥2.17

有货

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型号：CMD85P04 编号：C22364953

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于负载开关和电池保护应用。

5+
￥1.9724
50+
￥1.5487
150+
￥1.3672

有货

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型号：TPS54202HDDCT 编号：C134129

封装：SOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS54202H是一款输入电压范围为4.5V至28V的2A同步降压转换器。该器件包含两个集成式开关场效应晶体管(MOSFET),持续输出电流为2A。具有内部回路补偿和5ms内部软启动功能,可降低组件数。采用SOT-23封装。

数据手册

5+
￥1.9887
50+
￥1.5487
250+
￥1.3467
500+
￥1.1114

有货

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型号：IPD50N06S4-09-VB 编号：C7428996

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.04 ￥2.4
10+
￥1.9975 ￥2.35
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￥1.972 ￥2.32
100+
￥1.938 ￥2.28

有货

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型号：VBZE50N04 编号：C700650

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

数据手册

1+
￥2.0655 ￥2.43
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￥2.023 ￥2.38
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￥1.9975 ￥2.35
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￥1.972 ￥2.32

有货

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型号：FDD5614P-VB 编号：C709959

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.109 ￥2.22
10+
￥2.071 ￥2.18
30+
￥2.033 ￥2.14
100+
￥2.0045 ￥2.11

有货

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型号：PMN52XPX 编号：C552990

封装：SOT-457

品牌：Nexperia(安世)

P- 沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于小型 SOT457 (SC- 74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

数据手册

1+
￥2.1228 ￥3.66
10+
￥1.4304 ￥2.98
30+
￥1.0032 ￥2.64
100+
￥0.8778 ￥2.31
500+
￥0.8018 ￥2.11
1000+
￥0.76 ￥2

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