场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.532525 ￥0.6265
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￥0.424405 ￥0.4993
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￥0.370345 ￥0.4357
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￥0.3298 ￥0.388
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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型号：BSS316N-VB 编号：C709924

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.537625 ￥0.6325
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￥0.430695 ￥0.5067
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￥0.37723 ￥0.4438
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￥0.33711 ￥0.3966
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￥0.27234 ￥0.3204
6000+
￥0.256275 ￥0.3015

有货

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型号：RRR040P03TL-VB 编号：C710055

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

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￥0.548505 ￥0.6453
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￥0.4403 ￥0.518
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￥0.38624 ￥0.4544
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￥0.345695 ￥0.4067
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￥0.275485 ￥0.3241
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￥0.25925 ￥0.305

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型号：SI2323DS-T1-GE3-VB 编号：C6705309

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.57912 ￥0.6096
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￥0.45828 ￥0.4824
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型号：2SK3577-T1B-A-VB 编号：C20754980

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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￥0.58767 ￥0.6186
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￥0.46455 ￥0.489
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￥0.40299 ￥0.4242
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￥0.301435 ￥0.3173

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型号：ST2315SRG-VB 编号：C879063

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.58767 ￥0.6186
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￥0.46455 ￥0.489
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￥0.40299 ￥0.4242
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￥0.35682 ￥0.3756
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￥0.319865 ￥0.3367
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￥0.301435 ￥0.3173

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型号：UT3404-VB 编号：C693145

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.58767 ￥0.6186
50+
￥0.46455 ￥0.489
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￥0.40299 ￥0.4242
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￥0.35682 ￥0.3756
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￥0.319865 ￥0.3367
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￥0.301435 ￥0.3173

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型号：PMV40UN-VB 编号：C710048

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.600305 ￥0.6319
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￥0.479085 ￥0.5043
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￥0.418475 ￥0.4405
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￥0.373065 ￥0.3927
3000+
￥0.33668 ￥0.3544
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￥0.318535 ￥0.3353

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型号：IRLML5203TRPBF-VB 编号：C558176

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

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￥0.604865 ￥0.6367
50+
￥0.484025 ￥0.5095
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￥0.423605 ￥0.4459
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￥0.37829 ￥0.3982
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
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￥0.29583 ￥0.3114

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型号：SI2343CDS-T1-GE3-VB 编号：C7429101

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.61332 ￥0.6456
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￥0.4902 ￥0.516
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￥0.42864 ￥0.4512
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￥0.38247 ￥0.4026
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￥0.319865 ￥0.3367
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型号：WNM3003-VB 编号：C693330

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.62149 ￥0.6542
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￥0.50065 ￥0.527
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￥0.394915 ￥0.4157
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￥0.313975 ￥0.3305
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￥0.29583 ￥0.3114

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型号：SSM3K336R-VB 编号：C7568771

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.62909 ￥0.6622
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￥0.50597 ￥0.5326
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￥0.39824 ￥0.4192
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￥0.319865 ￥0.3367
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￥0.301435 ￥0.3173

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型号：AO3409-VB 编号：C5179537

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.62966 ￥0.6628
50+
￥0.50882 ￥0.5356
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￥0.4484 ￥0.472
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￥0.403085 ￥0.4243
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￥0.313975 ￥0.3305
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￥0.29583 ￥0.3114

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型号：2N7002BK,215 编号：C282405

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

2250+
￥0.151246
4500+
￥0.146287
9000+
￥0.143808
18000+
￥0.136369

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型号：DMG6602SVT-VB 编号：C5456493

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

5+
￥0.69065 ￥0.727
50+
￥0.674595 ￥0.7101
150+
￥0.663765 ￥0.6987
500+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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型号：RCQ3632 编号：C5137064

封装：PPAK-8(3x3)

品牌：RealChip(正芯半导体)

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用

数据手册

5+
￥0.708
50+
￥0.5635
150+
￥0.4912
500+
￥0.437

有货

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型号：IRFR220NTRPBF(ES) 编号：C42434103

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRFR220NTRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路

5+
￥0.7394
50+
￥0.7221
150+
￥0.7106

有货

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型号：STC4614 编号：C2682813

封装：SOP-8

品牌：STANSON(司坦森)

STC4614 是采用高单元密度 DMOS 沟槽技术的 N 沟道和 P 沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最大限度地降低导通电阻，并提供卓越的开关性能。该器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些应用需要高端开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力

数据手册

5+
￥0.7463
50+
￥0.7299
150+
￥0.719
500+
￥0.708

有货

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型号：AOD4184A(ES) 编号：C42434099

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

AOD4184A(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.76
50+
￥0.7433
150+
￥0.7321
500+
￥0.721

有货

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型号：4N65M 编号：C5455843

封装：TO-252

品牌：XCH(旭昌辉)

XCH4N65M硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET）采用自对准平面技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 251，符合RoHS标准

5+
￥0.803022 ￥1.1638
50+
￥0.636111 ￥0.9219
150+
￥0.564558 ￥0.8182
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￥0.475272 ￥0.6888
2500+
￥0.435528 ￥0.6312
5000+
￥0.411723 ￥0.5967

有货

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型号：VB2610N 编号：C7429136

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种领域和模块，例如电池管理系统、DC-DC转换器和电源开关，便携式电子产品的电源管理和功率控制以及医疗器械模块SOT23；P—Channel沟道,-60V；-4.5A；RDS(ON)=70mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=-1~-3V；

5+
￥0.812175 ￥0.9555
50+
￥0.79407 ￥0.9342
150+
￥0.782 ￥0.92
500+
￥0.76993 ￥0.9058

有货

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型号：APM9435KC-TRL-VB 编号：C7463693

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

5+
￥0.812175 ￥0.9555
50+
￥0.79407 ￥0.9342
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￥0.782 ￥0.92
500+
￥0.76993 ￥0.9058

有货

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型号：SI3586DV-T1-E3-VB 编号：C7463610

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

5+
￥0.8209
50+
￥0.8039
150+
￥0.7925
500+
￥0.7812

有货

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型号：PMZB390UNEYL 编号：C547296

封装：SOT-883-3

品牌：Nexperia(安世)

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用无铅超小型 OFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用沟槽 MOSFET 技术。

数据手册

5+
￥0.8425
50+
￥0.6908
150+
￥0.615
500+
￥0.5581
2500+
￥0.5126
5000+
￥0.4898

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型号：HKMB3D5N40SA 编号：C42401248

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款N沟道场效应晶体管（MOSFET）具备5A的连续漏极电流能力，支持高达40V的漏源电压。其低至30mΩ的导通电阻有助于减少功率损耗和发热。栅源电压范围为20V，保证了良好的驱动兼容性。适用于要求高效能、紧凑设计的各种电子电路中，如电源管理、负载开关及信号控制等场景，能够满足对空间和效率有较高要求的应用场合。

5+
￥0.85616 ￥1.0702
50+
￥0.67816 ￥0.8477
150+
￥0.60192 ￥0.7524
500+
￥0.5068 ￥0.6335
3000+
￥0.4644 ￥0.5805
6000+
￥0.43896 ￥0.5487

有货

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型号：HM3401PR-VB 编号：C558138

封装：SOT-89-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中。SOT89-3；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

5+
￥0.944395 ￥0.9941
50+
￥0.92606 ￥0.9748
150+
￥0.913805 ￥0.9619
500+
￥0.901645 ￥0.9491

有货

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型号：RQA0009TXDQS-VB 编号：C7568909

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种需要中等功率和较小封装体积的电子设备和模块中。SOT89-3；N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.6~1.5V；

5+
￥0.948195 ￥0.9981
50+
￥0.92606 ￥0.9748
150+
￥0.911335 ￥0.9593
500+
￥0.896515 ￥0.9437

有货

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型号：CMD170P03A 编号：C7501162

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P-Channel增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

5+
￥0.9657
50+
￥0.9435
150+
￥0.9287
500+
￥0.8983

有货

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型号：SSM9435GM-VB 编号：C693169

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.99237 ￥1.0446
50+
￥0.972135 ￥1.0233
150+
￥0.958645 ￥1.0091
500+
￥0.94506 ￥0.9948

有货

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型号：BRCS850N10SDPQ 编号：C36499023

封装：TO-252

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

AEC-Q101车规场效应晶体管

5+
￥1.0044
50+
￥0.8771
150+
￥0.8226
500+
￥0.7545

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