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2个N沟道耐压:60V 电流:3.3A

型号：DMN6070SSD-13 编号：C461040

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥1.9974
50+
￥1.5737
150+
￥1.3922

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:30A

型号：CMSA012N06 编号：C5203856

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA012N06采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并将电源转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于开关模式电源(SMPS)中的低端场效应晶体管(FET)、负载开关及通用应用。

数据手册

1+
￥2.042405 ￥2.1499
10+
￥1.624215 ￥1.7097
30+
￥1.44495 ￥1.521
100+
￥1.22132 ￥1.2856
500+
￥0.939455 ￥0.9889
1000+
￥0.8797 ￥0.926

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:80A

型号：FDD6690A-VB 编号：C20755618

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

1+
￥2.057 ￥2.42
10+
￥1.615 ￥1.9
30+
￥1.428 ￥1.68
100+
￥1.19 ￥1.4
500+
￥1.088 ￥1.28
1000+
￥1.02 ￥1.2

有货

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N沟道MOSFET

型号：CMB20N15 编号：C7545151

封装：TO-263

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻、高开关性能和出色的品质。这些器件非常适合用于高效开关DC/DC转换器、开关模式电源、不间断电源的DC-AC转换器和电机控制。

5+
￥2.08677 ￥2.1966
50+
￥1.666395 ￥1.7541
150+
￥1.486275 ￥1.5645
800+
￥1.131925 ￥1.1915
2400+
￥1.031795 ￥1.0861
4800+
￥0.971755 ￥1.0229

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:70A

型号：IPD30N03S4L-14-VB 编号：C7463442

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；

1+
￥2.108 ￥2.48
10+
￥1.666 ￥1.96
30+
￥1.479 ￥1.74
100+
￥1.241 ￥1.46
500+
￥1.139 ￥1.34
1000+
￥1.0795 ￥1.27

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:9A

型号：SPP4435WS8RGB-VB 编号：C20755308

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

5+
￥2.140065 ￥2.2527
50+
￥1.680455 ￥1.7689
150+
￥1.483425 ￥1.5615
500+
￥1.23766 ￥1.3028
2500+
￥1.12822 ￥1.1876
4000+
￥1.06248 ￥1.1184

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:0.51A

型号：NDC7001C 编号：C274602

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 和 P 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。此类器件尤其适用于低电压、低电流、开关和电源应用。

数据手册

5+
￥2.1621
50+
￥1.7141
150+
￥1.5221
500+
￥1.2825

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:85A

型号：AOD4184-VB 编号：C879026

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

数据手册

1+
￥2.185 ￥2.3
10+
￥2.1375 ￥2.25
30+
￥2.0995 ￥2.21
100+
￥2.071 ￥2.18

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:70A

型号：FDD8778-VB 编号：C7463576

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；

1+
￥2.2355 ￥2.63
10+
￥1.7935 ￥2.11
30+
￥1.6065 ￥1.89
100+
￥1.3685 ￥1.61
500+
￥1.139 ￥1.34
1000+
￥1.0795 ￥1.27

有货

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双N沟道、12V、13.7A功率MOSFET

型号：WNMD2188-10/TR 编号：C5290311

封装：CSP-10L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNMD2188 是双 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管，由于 MOSFET1 和 MOSFET2 的漏极在内部已连接，因此无需在电路板上连接漏极。该产品采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RSS(ON)）。此器件专为锂离子电池保护电路而设计

数据手册

1+
￥2.24
10+
￥1.96
30+
￥1.84
100+
￥1.69
500+
￥1.62
1000+
￥1.58

有货

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降压型 2A 4.5V~28V

型号：TPS54202DDCT 编号：C2070672

封装：TSOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS54202是一款输入电压范围为4.5V至28V的2A同步降压转换器。该器件包含两个集成式开关场效应晶体管（FET）,具备内部回路补偿和5ms内部软启动功能,可降低组件数。通过集成MOSFET并采用SOT-23封装,TPS54202获得了高功率密度,并且在印刷电路板（PCB）上的占用空间非常小。该器件具有500kHz固定开关频率,扩频频谱可降低EMI,高级Eco-mode脉冲跳跃模式可最大限度地提高轻负载效率并降低功率损耗。

数据手册

5+
￥2.3128
50+
￥1.8213
250+
￥1.6107

有货

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N沟道，30V，80A，147W，6.6mΩ@10V,30A，2.9V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESNU07R086 编号：C42412313

封装：TO-220

品牌：ElecSuper(静芯)

ESNU07R086 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥2.35
50+
￥1.85
150+
￥1.63
500+
￥1.36
2500+
￥1.24
5000+
￥1.17

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:11.6A

型号：HAT1047RJ-VB 编号：C878993

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.482 ￥2.92
10+
￥1.972 ￥2.32
30+
￥1.7595 ￥2.07
100+
￥1.4875 ￥1.75
500+
￥1.3515 ￥1.59
1000+
￥1.275 ￥1.5

有货

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低噪声JFET单运算放大器

型号：TL071IDT 编号：C2652251

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

TL071是一种高速结型场效应晶体管输入单运算放大器。该结型场效应晶体管输入运算放大器在一个单片集成电路中集成了良好匹配的高压结型场效应晶体管和双极型晶体管。该器件具有高摆率、低输入偏置电流和失调电流以及低失调电压温度系数。

数据手册

1+
￥2.5
10+
￥1.95
30+
￥1.72
100+
￥1.43
500+
￥1.3

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:9A

型号：AO4407-VB 编号：C557948

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥2.5075 ￥2.95
10+
￥1.989 ￥2.34
30+
￥1.768 ￥2.08
100+
￥1.496 ￥1.76
500+
￥1.3685 ￥1.61
1000+
￥1.3005 ￥1.53

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:58A

型号：IRFR48ZTRPBF-VB 编号：C5137371

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.55 ￥3
10+
￥2.278 ￥2.68
30+
￥2.142 ￥2.52
100+
￥2.006 ￥2.36
500+
￥1.9295 ￥2.27
1000+
￥1.887 ￥2.22

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:11.6A

型号：SI4441EY-T1-E3-VB 编号：C7463618

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.55 ￥3
10+
￥2.04 ￥2.4
30+
￥1.8275 ￥2.15
100+
￥1.5555 ￥1.83
500+
￥1.3005 ￥1.53
1000+
￥1.2325 ￥1.45

有货

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1个P沟道耐压:70V 电流:2.4A

型号：PMT200EPEX 编号：C553076

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用中功率SOT223（SC - 73）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

1+
￥2.79
10+
￥2.22
30+
￥1.97
100+
￥1.67
500+
￥1.53
1000+
￥1.45

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:13.5A

型号：AO4409-VB 编号：C557950

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.8645 ￥3.37
10+
￥2.261 ￥2.66
30+
￥2.006 ￥2.36
100+
￥1.683 ￥1.98
500+
￥1.428 ￥1.68
1000+
￥1.343 ￥1.58

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:13.5A

型号：SI4477DY-T1-E3-VB 编号：C7463655

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

1+
￥3.111 ￥3.66
10+
￥2.482 ￥2.92
30+
￥2.21 ￥2.6
100+
￥1.87 ￥2.2
500+
￥1.6235 ￥1.91
1000+
￥1.53 ￥1.8

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:30A

型号：2SJ598-Z-E1-AZ-VB 编号：C7463695

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥3.145 ￥3.7
10+
￥2.55 ￥3
30+
￥2.2525 ￥2.65
100+
￥1.955 ￥2.3
500+
￥1.7765 ￥2.09
1000+
￥1.683 ￥1.98

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:120A

型号：CMD150P03 编号：C5203755

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于脉宽调制（PWM）应用。

数据手册

1+
￥3.192 ￥3.36
10+
￥2.5365 ￥2.67
30+
￥2.2515 ￥2.37
100+
￥1.9 ￥2
500+
￥1.6245 ￥1.71
1000+
￥1.5295 ￥1.61

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:30A

型号：IRFR9024NTRPBF-VB 编号：C558167

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.264 ￥3.84
10+
￥2.6435 ￥3.11
30+
￥2.3375 ￥2.75
100+
￥2.0315 ￥2.39
500+
￥1.7425 ￥2.05
1000+
￥1.649 ￥1.94

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:30A

型号：FQD7P06TM-VB 编号：C7463452

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥3.332 ￥3.92
10+
￥2.72 ￥3.2
30+
￥2.414 ￥2.84
100+
￥2.108 ￥2.48
500+
￥1.7425 ￥2.05
1000+
￥1.649 ￥1.94

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:5.3A

型号：FDS4897AC-NL-VB 编号：C7463686

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

1+
￥3.4255 ￥4.03
10+
￥2.7795 ￥3.27
30+
￥2.4565 ￥2.89
100+
￥2.1335 ￥2.51
500+
￥1.938 ￥2.28
1000+
￥1.836 ￥2.16

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:30A

型号：NTD20P06LG-VB 编号：C879021

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.4485 ￥3.63
10+
￥2.7835 ￥2.93
30+
￥2.451 ￥2.58
100+
￥2.1185 ￥2.23
500+
￥1.8905 ￥1.99
1000+
￥1.786 ￥1.88

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:30A

型号：RFD15P05SM-VB 编号：C710052

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.515 ￥3.7
10+
￥2.85 ￥3
30+
￥2.5175 ￥2.65
100+
￥2.1945 ￥2.31
500+
￥1.8905 ￥1.99
1000+
￥1.786 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:85A

型号：FDD8647L-VB 编号：C693253

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

数据手册

1+
￥3.5615 ￥4.19
10+
￥2.9155 ￥3.43
30+
￥2.5925 ￥3.05
100+
￥2.2695 ￥2.67
500+
￥1.853 ￥2.18
1000+
￥1.751 ￥2.06

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:58A

型号：FDD6637-VB 编号：C693157

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.572 ￥3.76
10+
￥2.907 ￥3.06
30+
￥2.5745 ￥2.71
100+
￥2.242 ￥2.36
500+
￥1.8905 ￥1.99
1000+
￥1.786 ￥1.88

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:35A

型号：AP4578GH-HF-VB 编号：C19626714

封装：TO-252-4L

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款N+P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于多种电子应用。具有双通道设计，可在电路中提供灵活的功率控制。TO252-4；N+P—Channel沟道,±60V；35/-19A；RDS(ON)=30/50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~3V；

1+
￥3.7485 ￥4.41
10+
￥3.0515 ￥3.59
30+
￥2.6945 ￥3.17
100+
￥2.346 ￥2.76
500+
￥2.142 ￥2.52
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