场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.293675 ￥0.3455
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￥0.28713 ￥0.3378
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￥0.28288 ￥0.3328
500+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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型号：CN3302 编号：C559039

封装：SOP-8

品牌：CONSONANCE(上海如韵)

是一款升压型两节锂电池充电控制集成电路。输入电压范围到 6.5V，内部集成有基准电压源，电感电流检测单元，电池电压检测电路，输出过压保护电路，过温保护单元，电池电压过低保护单元，控制单元和片外场效应晶体管驱动电路等，非常适合输入，为两节锂电池的充电控制应用，具有外部元件少，功能多，电路简单等优点。除了适配器供电以外，还可以使用太阳能板供电。

数据手册

10+
￥0.3121
100+
￥0.2488
300+
￥0.2171
1000+
￥0.1934
4000+
￥0.1744
8000+
￥0.1649

有货

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型号：APM2307AC-TRL-VB 编号：C19626806

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.31274 ￥0.3292
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￥0.30552 ￥0.3216
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￥0.300675 ￥0.3165
500+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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型号：NTR4003NT1G-VB 编号：C7463560

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
50+
￥0.309655 ￥0.3643
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￥0.305405 ￥0.3593
500+
￥0.30107 ￥0.3542

有货

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型号：SI2347DS-T1-GE3-VB 编号：C5878837

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.31863 ￥0.3354
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￥0.311315 ￥0.3277
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￥0.306375 ￥0.3225
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￥0.301435 ￥0.3173

有货

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型号：WNM3003-3/TR-VB 编号：C7524985

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.32414 ￥0.3412
50+
￥0.31692 ￥0.3336
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￥0.312075 ￥0.3285
500+
￥0.30723 ￥0.3234

有货

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型号：SI2323DDS-T1-GE3-VB 编号：C558257

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.32555 ￥0.383
50+
￥0.31909 ￥0.3754
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￥0.314755 ￥0.3703
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￥0.31042 ￥0.3652

有货

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型号：SI2318DS-T1-GE3-VB 编号：C558253

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.325635 ￥0.3831
50+
￥0.31926 ￥0.3756
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￥0.314925 ￥0.3705
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￥0.310675 ￥0.3655

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型号：AP2305N-VB 编号：C7494610

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.32585 ￥0.343
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￥0.31863 ￥0.3354
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￥0.313785 ￥0.3303
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￥0.30894 ￥0.3252

有货

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型号：DMP3099L-7-VB 编号：C558116

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.326515 ￥0.3437
50+
￥0.319295 ￥0.3361
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￥0.31445 ￥0.331
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￥0.309605 ￥0.3259

有货

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型号：AM2308NE-T1-PF-VB 编号：C4355050

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.327845 ￥0.3451
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￥0.320625 ￥0.3375
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￥0.31578 ￥0.3324
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￥0.310935 ￥0.3273

有货

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型号：SSM3K01T-VB 编号：C19190107

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.337915 ￥0.3557
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￥0.330695 ￥0.3481
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￥0.32585 ￥0.343
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有货

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型号：SM2309PSAC-TRG-VB 编号：C7525099

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.337915 ￥0.3557
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￥0.321005 ￥0.3379

有货

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型号：AM3401E3VR-VB 编号：C709883

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.35245 ￥0.371
50+
￥0.34523 ￥0.3634
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￥0.340385 ￥0.3583
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有货

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型号：RTR025N03TL-VB 编号：C693333

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

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￥0.3534 ￥0.372
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￥0.341335 ￥0.3593
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￥0.33649 ￥0.3542

有货

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型号：SI2312BDS-T1-GE3-VB 编号：C5441239

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.36057 ￥0.4242
100+
￥0.287045 ￥0.3377
300+
￥0.25024 ￥0.2944
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￥0.20944 ￥0.2464
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￥0.18734 ￥0.2204
9000+
￥0.17629 ￥0.2074

有货

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型号：AO3416-VB 编号：C557943

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.36081 ￥0.3798
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￥0.348745 ￥0.3671
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￥0.3439 ￥0.362

有货

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型号：ME2306A-G 编号：C3647148

封装：SOT-23

品牌：MATSUKI(松木)

ME2306A 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路，并且能够以极小外形尺寸的表面贴装封装实现低线路功率损耗

数据手册

10+
￥0.3636
100+
￥0.2852
300+
￥0.246
3000+
￥0.2068

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型号：BSS84-7-F-VB 编号：C5179545

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

10+
￥0.369155 ￥0.4343
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￥0.295715 ￥0.3479
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￥0.258995 ￥0.3047
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￥0.206975 ￥0.2435
6000+
￥0.184875 ￥0.2175
9000+
￥0.17391 ￥0.2046

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型号：MGSF2N02ELT1G-VB 编号：C4355119

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.36992 ￥0.4352
100+
￥0.29648 ￥0.3488
300+
￥0.25976 ￥0.3056
3000+
￥0.209015 ￥0.2459
6000+
￥0.187 ￥0.22
9000+
￥0.17595 ￥0.207

有货

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型号：NTR4502PT1G-VB 编号：C558219

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.370975 ￥0.3905
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￥0.36366 ￥0.3828
150+
￥0.358815 ￥0.3777
500+
￥0.35397 ￥0.3726

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型号：ESE3050K 编号：C42434105

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ESE3050K是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.3727
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￥0.3641
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￥0.3583
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￥0.3525

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型号：PMZB200UNEYL 编号：C547292

封装：SOT-883-3

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用无引脚超小型OFN1006B-3（SOT883B）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥0.3826
50+
￥0.375
150+
￥0.37
500+
￥0.365

有货

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型号：PMZB350UPE,315 编号：C478140

封装：X1-DFN1006-3

品牌：Nexperia(安世)

P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装在无引脚超小型 DFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

数据手册

10+
￥0.39
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￥0.312
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￥0.273
1000+
￥0.2438
5000+
￥0.2204
10000+
￥0.2087

有货

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型号：AO3414-VB 编号：C557941

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

100+
￥0.243
1000+
￥0.234
3000+
￥0.225
6000+
￥0.207
10000+
￥0.2016

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型号：TP0610T-T1-E3-VB 编号：C7525112

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

10+
￥0.40888 ￥0.4304
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￥0.3268 ￥0.344
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￥0.213275 ￥0.2245
9000+
￥0.200925 ￥0.2115

有货

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型号：STS2306-VB 编号：C878841

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册