场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.59603 ￥0.6274
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￥0.475095 ￥0.5001
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￥0.296115 ￥0.3117

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型号：RTR025N03TL-VB 编号：C693333

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

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￥0.617405 ￥0.6499
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￥0.496565 ￥0.5227
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￥0.436145 ￥0.4591
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￥0.39083 ￥0.4114
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型号：AO3409-VB 编号：C5179537

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.62966 ￥0.6628
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￥0.403085 ￥0.4243
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￥0.313975 ￥0.3305
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￥0.29583 ￥0.3114

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型号：ESE3050K 编号：C42434105

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ESE3050K是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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型号：NX3008NBKV,115 编号：C551599

封装：SOT-666

采用沟槽 MOSFET 技术的双 N 沟道增强型场效应晶体管（FET），采用超小型扁平引脚 SOT666 表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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￥0.773552 ￥1.4876
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型号：4N65M 编号：C5455843

封装：TO-252

品牌：XCH(旭昌辉)

XCH4N65M硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET）采用自对准平面技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 251，符合RoHS标准

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￥0.803022 ￥1.1638
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型号：PMN30XP,115 编号：C552980

封装：TSOP-6

P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT457（SC-74）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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￥0.848364 ￥1.9281
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型号：TW4559A 编号：C42417407

封装：SOP-8

品牌：TWGMC(迪嘉)

这些N+P双通道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用

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￥0.8939
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型号：PMGD780SN,115 编号：C426871

封装：SOT-363(SC-88)

采用TrenchMOS技术的双N沟道增强型场效应晶体管，采用小型SOT363（SC - 88）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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￥1.0043
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￥0.9812
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型号：SI1406DH-T1-GE3-VB 编号：C20626387

封装：SC-70-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于低功率控制和驱动应用，包括传感器接口模块、电池管理模块、LED驱动模块等领域。SC70-6；N—Channel沟道,30V；4.5A；RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~2.5V；

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￥1.041865 ￥1.0967
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型号：PMF63UNEX 编号：C552952

封装：SOT-323

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用非常小的SOT323 (SC-70) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：CN3304 编号：C3034874

封装：SOP-8

品牌：CONSONANCE(上海如韵)

CN3304是一款PFM升压型四节锂电池充电控制集成电路。CN3304输入电压范围2.7V到6.5V，内部集成有基准电压源，电感电流检测单元，电池电压检测电路，输出过压保护电路，电池电压过低保护单元，控制单元和片外场效应晶体管驱动电路等，非常适合5V输入，为四节锂电池的充电控制应用，具有外部元件少，功能多，电路简单等优点。

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型号：IRFL014TRPBF-VB 编号：C5240547

封装：SOT-223-3

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

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￥1.092595 ￥1.1501
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型号：FDC604P-VB 编号：C7428950

封装：TSOP-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.206405 ￥1.4193
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型号：SI3585DV-T1-E3-VB 编号：C5444644

封装：TSOP-6

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

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￥1.212865 ￥1.4269
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型号：NTGS3443T1G-VB 编号：C558216

封装：TSOP-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.225105 ￥1.4413
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型号：SI3457BDV-T1-GE3-VB 编号：C7524971

封装：TSOP-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.225105 ￥1.4413
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型号：P4402FAG-VB 编号：C19626852

封装：TSOP-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.315275 ￥1.3845
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型号：UCC27517DBVT 编号：C2877770

封装：SOT-23-5

品牌：TI(德州仪器)

UCC27516 和UCC27517 单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 电源开关。UCC27516 和UCC27517 采用的设计方案可最大程度减少击穿电流，从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟（典型值为13ns）。当 VDD = 12V 时，UCC27516 和UCC27517 可提供峰值为4A 的灌/拉（对称驱动）电流驱动能力。

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￥1.3259
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型号：ESE01P13K 编号：C42434098

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ESE01P13K 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥1.408
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￥1.1056
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型号：CMD5931 编号：C5203736

封装：TO-252

P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

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￥1.44514 ￥1.5212
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￥1.18617 ￥1.2486
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型号：XP162A12A6PR-VB 编号：C5444654

封装：SOT-89

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中。SOT89-3；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥1.54052 ￥1.6216
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￥1.219705 ￥1.2839
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￥0.863645 ￥0.9091
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￥0.741475 ￥0.7805

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型号：CMSA75N68 编号：C5203870

封装：DFN-8(5x6)

CMSA75N68采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并将功率转换应用的损耗降至最低。该器件适用于开关电源（SMPS）中的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用用途。

数据手册

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￥1.572915 ￥1.6557
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￥1.24355 ￥1.309
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￥0.76152 ￥0.8016

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型号：IPG20N06S4L-26(TOKMAS)) 编号：C19626230

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Tokmas(托克马斯)

这些双N沟道增强型功率场效应晶体管采用了SGT DMOS技术。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用

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￥1.74454 ￥2.0524
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￥1.3804 ￥1.624
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￥0.948005 ￥1.1153
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￥0.861305 ￥1.0133
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￥0.8092 ￥0.952

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型号：PMN52XPX 编号：C552990

封装：SOT-457

P- 沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于小型 SOT457 (SC- 74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

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￥1.8666 ￥3.66
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￥1.2218 ￥2.98
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￥0.62 ￥2

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型号：PHT8N06LT-VB 编号：C7494438

封装：SOT-223

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

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￥1.873825 ￥2.2045
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￥1.492515 ￥1.7559
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￥1.329145 ￥1.5637
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￥0.881365 ￥1.0369

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型号：CMD50P06 编号：C5337966

封装：TO-252

P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻，适用于电源管理电路。典型应用包括PWM DC-DC转换器、便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、电池充电器、电信电源系统和电话电源系统）的电源管理。

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￥1.508315 ￥1.5877
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￥1.34273 ￥1.4134
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￥1.008425 ￥1.0615

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型号：SI1470DH-T1-GE3-VB 编号：C7494632

封装：SC-70-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于低功率控制和驱动应用，包括传感器接口模块、电池管理模块、LED驱动模块等领域。SC70-6；N—Channel沟道,30V；4.5A；RDS(ON)=23mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.5~2.5V；

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￥1.939105 ￥2.2813
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￥1.557795 ￥1.8327
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￥1.190595 ￥1.4007
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￥0.980475 ￥1.1535
6000+
￥0.92599 ￥1.0894

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型号：CMD60P06 编号：C6939705

封装：TO-252