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输出电流2.5A的IGBT和MOSFET驱动器

型号：VOD3120AB-T 编号：C5236672

封装：SMD-8P

品牌：VISHAY(威世)

VOD3120A由一个砷铝化镓（AlGaAs）发光二极管（LED）与一个带功率输出级的集成电路光耦合而成。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。输出级较宽的工作电压范围可提供栅极控制型器件所需的驱动电压

数据手册

1+
￥5.92
10+
￥5.36
30+
￥5.05
100+
￥4.71
500+
￥4.03

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:120A

型号：STP80NF70-VB 编号：C7463568

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥6.194 ￥6.52
10+
￥4.9875 ￥5.25
50+
￥4.389 ￥4.62
100+
￥3.7905 ￥3.99
500+
￥3.4295 ￥3.61
1000+
￥3.249 ￥3.42

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:7A

型号：FCD5N60TM-VB 编号：C19190264

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单极性N型功率场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术，具有优异的热稳定性和可靠性。适用于高压应用场景，中等功率需求。TO252；N—Channel沟道,650V；7A；RDS(ON)=700mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥6.41
10+
￥5.19
30+
￥4.57
100+
￥3.97
500+
￥3.19
1000+
￥3.01

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降压型 3A 4.5V~28V

型号：TPS54336ADDAR 编号：C97668

封装：HSOP-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

TPS5433xA系列器件为同步转换器,输入电压范围介于4.5V和28V之间。该系列器件集成有低侧开关场效应晶体管(FET),免除了对外部二极管的需求,从而减少了组件数。通过使能引脚可以将关断电源电流减小至2uA。该降压转换器的基准电压在整个温度范围内保持1.5%的精度,可为各类负载提供精确稳压。

数据手册

1+
￥6.48
10+
￥5.38
30+
￥4.78
100+
￥4.09

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:120A

型号：RU7088R-VB 编号：C878832

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

数据手册

1+
￥6.498 ￥6.84
10+
￥5.2915 ￥5.57
50+
￥4.389 ￥4.62
100+
￥3.7905 ￥3.99
500+
￥3.4295 ￥3.61
1000+
￥3.249 ￥3.42

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:9.4A

型号：IRFS9N60APBF-VB 编号：C7494552

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道功率场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于高性能功率电子应用。TO263；N—Channel沟道,650V；12A；RDS(ON)=650mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=3~5V；

1+
￥6.681 ￥7.86
10+
￥5.6015 ￥6.59
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￥4.5815 ￥5.39
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￥3.91 ￥4.6
500+
￥3.6125 ￥4.25
1000+
￥3.4765 ￥4.09

有货

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1个N沟道耐压:500V 电流:20A

型号：WSR22N50F 编号：C5772695

封装：TO-220F

品牌：WINSOK(微硕)

WSR22N50F 是硅 N 沟道增强型 VDMOS 场效应晶体管，采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为 TO - 220F，符合 RoHS 标准

1+
￥7.866 ￥8.74
10+
￥6.507 ￥7.23
50+
￥5.76 ￥6.4
100+
￥4.914 ￥5.46
500+
￥4.536 ￥5.04
1000+
￥4.365 ￥4.85

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1个P沟道耐压:30V 电流:31.6A

型号：AON6403-VB 编号：C7524994

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于DC-DC转换器、电源开关和逆变器、高效率和高功率密度的应用中。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-100A；RDS(ON)=3.2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥8.1415 ￥8.57
10+
￥6.7355 ￥7.09
30+
￥5.9565 ￥6.27
100+
￥5.0825 ￥5.35
500+
￥4.7025 ￥4.95
1000+
￥4.522 ￥4.76

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:100A

型号：IRFH9310TRPBF-VB 编号：C7463908

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于DC-DC转换器、电源开关和逆变器、高效率和高功率密度的应用中。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-100A；RDS(ON)=3.2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥8.7305 ￥9.19
10+
￥7.3245 ￥7.71
30+
￥6.5455 ￥6.89
100+
￥5.6715 ￥5.97
500+
￥4.7025 ￥4.95
1000+
￥4.522 ￥4.76

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:28A

型号：PHB27NQ10T,118 编号：C552624

封装：D2PAK

品牌：Nexperia(安世)

标准电平N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用TrenchMOS技术封装在塑料外壳中。该产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计。

数据手册

1+
￥11.3031 ￥19.83
10+
￥7.9665 ￥16.95
30+
￥5.6055 ￥15.15
100+
￥4.921 ￥13.3
500+
￥4.6102 ￥12.46
800+
￥4.477 ￥12.1

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:150A

型号：IXFH140N10P-VB 编号：C19626844

封装：TO-247

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电动车辆电力系统、工业电源模块、电焊设备模块等领域。TO247；N—Channel沟道,100V；150A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥16.8555 ￥19.83
10+
￥14.5095 ￥17.07
30+
￥12.4185 ￥14.61
90+
￥11.0075 ￥12.95
600+
￥10.3615 ￥12.19
900+
￥10.064 ￥11.84

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:150A

型号：IRFP4410ZPBF-VB 编号：C7494551

封装：TO-247AC

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电动车辆电力系统、工业电源模块、电焊设备模块等领域。TO247；N—Channel沟道,100V；150A；RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥20.064 ￥21.12
10+
￥17.442 ￥18.36
30+
￥13.8795 ￥14.61
90+
￥12.3025 ￥12.95
510+
￥11.5805 ￥12.19
990+
￥11.248 ￥11.84

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1个N沟道耐压:650V 电流:17A

型号：GAN140-650FBEZ 编号：C20235669

封装：DFN5060-5

品牌：Nexperia(安世)

GAN140 - 650FBE是一款通用型650 V、140 mΩ的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），采用5 mm x 6 mm DFN表面贴装封装。它是一款常关型增强模式器件，性能卓越。

1+
￥37.77
10+
￥36.91
30+
￥36.34
100+
￥34.6969 ￥35.77

有货

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降压型 4V~100V

型号：LTC7891RUFDM#PBF 编号：C3167618

封装：-

品牌：ADI(亚德诺)

是一款高性能降压型直流-直流开关稳压器控制器，可驱动所有 N 沟道同步氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 功率级，输入电压高达 100V。解决了使用 GaN FET 时传统上面临的许多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 解决方案相比，简化了应用设计，无需保护二极管和其他额外的外部组件。内部智能自举开关可防止在死区时间内 BOOST 引脚到 Sw 引脚的高端驱动器电源过充电，保护顶部 GaN FET 的栅极

1+
￥39.92
10+
￥34.27
30+
￥30.82
100+
￥27.93

有货

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NTH4L013N120M3S-HXY

型号：NTH4L013N120M3S-HXY 编号：C50346536

封装：TO-247-4L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大连续漏极电流ID可达165A，漏源导通电阻RDON低至13mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。采用碳化硅材料，具备高耐压、高热导率和低开关损耗特性，适用于高功率密度和高频开关场景。可广泛用于高效电源转换系统、可再生能源设备及智能电网相关电路中，提供稳定可靠的电力控制与传输解决方案。

1+
￥131.9835 ￥138.93
30+
￥125.6565 ￥132.27

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C3M0016120K-HXY

型号：C3M0016120K-HXY 编号：C52043407

封装：TO-247H-4L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。在25℃条件下，导通电阻（RDON）低至16mΩ，支持高达120A的连续漏极电流（ID），适用于高效率、高频电力电子系统。器件基于碳化硅材料，具备更高的热稳定性和更低的开关损耗，可广泛用于新能源、智能电网、精密电源及高密度功率转换装置中，满足复杂工况下的性能需求。

1+
￥133.171 ￥140.18
30+
￥126.787 ￥133.46

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:2.6A

型号：RC2308A 编号：C5137091

封装：SOT-23

品牌：RealChip(正芯半导体)

SS2308 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中实现高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路

数据手册

20+
￥0.0896
200+
￥0.0877
600+
￥0.0863

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1个N沟道耐压:60V 电流:1.8A

型号：SL2308 编号：C2918940

封装：SOT-23

品牌：Slkor(萨科微)

SL2308是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，并且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗

数据手册

2975+
￥0.141702
3000+
￥0.132255
10000+
￥0.129894

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：SI2312DS-T1-GE3-VB 编号：C6705308

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.19006 ￥0.2236
100+
￥0.185725 ￥0.2185
300+
￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：CES2324-VB 编号：C725003

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.19567 ￥0.2302
100+
￥0.19125 ￥0.225
300+
￥0.188275 ￥0.2215
1000+
￥0.185385 ￥0.2181

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：AP2306N-VB 编号：C709911

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.208905 ￥0.2199
100+
￥0.203965 ￥0.2147
300+
￥0.200735 ￥0.2113
1000+
￥0.19741 ￥0.2078

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：WNM2306-3/TR-VB 编号：C7494569

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.21242 ￥0.2236
100+
￥0.207575 ￥0.2185
300+
￥0.20425 ￥0.215
1000+
￥0.200925 ￥0.2115

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:500mA

型号：BSS83P-VB 编号：C7463529

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

10+
￥0.214795 ￥0.2527
100+
￥0.210375 ￥0.2475
300+
￥0.2074 ￥0.244
1000+
￥0.20451 ￥0.2406

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：SM2304NSA-VB 编号：C7494562

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.21964 ￥0.2584
100+
￥0.21522 ￥0.2532
300+
￥0.212245 ￥0.2497
1000+
￥0.209355 ￥0.2463

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：DMG2302U-7-VB 编号：C7494590

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.21964 ￥0.2584
100+
￥0.21522 ￥0.2532
300+
￥0.212245 ￥0.2497
1000+
￥0.209355 ￥0.2463

有货

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小信号MOSFET 1个N沟道耐压:50V 电流:0.25A

型号：WNM3013-3/TR 编号：C239659

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM3013 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于小信号开关

数据手册

20+
￥0.222
200+
￥0.175
600+
￥0.1489

有货

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P沟道耐压:30V 电流:0.57A

型号：WPM3027-3/TR 编号：C240195

封装：DFN1006-3L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3027 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.2365
200+
￥0.1842
600+
￥0.1552
2000+
￥0.1378

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:500mA

型号：BSS84AK-VB 编号：C18212582

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

10+
￥0.257165 ￥0.2707
100+
￥0.252225 ￥0.2655
300+
￥0.2489 ￥0.262
1000+
￥0.24567 ￥0.2586

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：SI2304DS-T1-E3-VB 编号：C7494616

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.27982 ￥0.3292
50+
￥0.27336 ￥0.3216
150+
￥0.269025 ￥0.3165
500+
￥0.26469 ￥0.3114

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:300mA

型号：2N7002WT1G-VB 编号：C7428938

封装：SC70-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用了Trench技术，适用于电压驱动应用。SC70-3，N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2000mΩ@10V,20Vgs(±V)；1~2.5Vth(V)

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