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价格(含税)

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1个P沟道耐压:60V 电流:500mA

型号：BSS83P-VB 编号：C7463529

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

10+
￥0.375275 ￥0.4415
100+
￥0.301835 ￥0.3551
300+
￥0.265115 ￥0.3119
3000+
￥0.222275 ￥0.2615
6000+
￥0.200175 ￥0.2355
9000+
￥0.18921 ￥0.2226

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：DMG2302U-7-VB 编号：C7494590

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.380035 ￥0.4471
100+
￥0.306595 ￥0.3607
300+
￥0.269875 ￥0.3175
3000+
￥0.222275 ￥0.2615
6000+
￥0.200175 ￥0.2355
9000+
￥0.18921 ￥0.2226

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:500mA

型号：VBZ7001 编号：C699531

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

10+
￥0.387005 ￥0.4553
100+
￥0.313565 ￥0.3689
300+
￥0.276845 ￥0.3257
3000+
￥0.234345 ￥0.2757
6000+
￥0.21233 ￥0.2498
9000+
￥0.20128 ￥0.2368

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:500mA

型号：2SJ210-T1B-A-VB 编号：C18212445

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

10+
￥0.39178 ￥0.4124
100+
￥0.3097 ￥0.326
300+
￥0.26866 ￥0.2828
3000+
￥0.23788 ￥0.2504
6000+
￥0.213275 ￥0.2245
9000+
￥0.200925 ￥0.2115

有货

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N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：SI2302CDS-T1-E3-VB 编号：C45662625

封装：SOT-23-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。

10+
￥0.4066 ￥0.428
100+
￥0.32452 ￥0.3416
300+
￥0.28348 ￥0.2984
3000+
￥0.2527 ￥0.266
6000+
￥0.228 ￥0.24
9000+
￥0.215745 ￥0.2271

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：EMF30N02J-VB 编号：C18212522

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.40888 ￥0.4304
100+
￥0.3268 ￥0.344
300+
￥0.28576 ￥0.3008
3000+
￥0.23788 ￥0.2504
6000+
￥0.213275 ￥0.2245
9000+
￥0.200925 ￥0.2115

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:300mA

型号：2N7002WT1G-VB 编号：C7428938

封装：SC70-3

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用了Trench技术，适用于电压驱动应用。SC70-3，N—Channel沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2000mΩ@10V,20Vgs(±V)；1~2.5Vth(V)

5+
￥0.505665 ￥0.5949
50+
￥0.407745 ￥0.4797
150+
￥0.358785 ￥0.4221
500+
￥0.322065 ￥0.3789
3000+
￥0.2669 ￥0.314
6000+
￥0.25228 ￥0.2968

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：IRLML9301TRPBF-VB 编号：C6705286

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.50694 ￥0.5964
50+
￥0.39882 ￥0.4692
150+
￥0.34476 ￥0.4056
500+
￥0.304215 ￥0.3579
3000+
￥0.275315 ￥0.3239
6000+
￥0.25908 ￥0.3048

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：Si2342DS-T1-GE3-VB 编号：C5878836

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

5+
￥0.520505 ￥0.5479
50+
￥0.406505 ￥0.4279
150+
￥0.349505 ￥0.3679
500+
￥0.306755 ￥0.3229
3000+
￥0.285 ￥0.3
6000+
￥0.2679 ￥0.282

有货

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N沟道+P沟道耐压:30V 电流:4A

型号：TW4G03L 编号：C42417422

封装：SOT-23-6L

品牌：TWGMC(迪嘉)

这些N + P双通道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用

5+
￥0.527
50+
￥0.4166
150+
￥0.3614

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：Si2399CDS-T1-GE3-VB 编号：C6705310

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
150+
￥0.36771 ￥0.4326
500+
￥0.327165 ￥0.3849
3000+
￥0.272255 ￥0.3203
6000+
￥0.25602 ￥0.3012

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：AM2336N-T1-PF-VB 编号：C7463650

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
150+
￥0.36771 ￥0.4326
500+
￥0.327165 ￥0.3849
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SSM3J01F-VB 编号：C7494443

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
150+
￥0.36771 ￥0.4326
500+
￥0.327165 ￥0.3849
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：APM2315AC-TRL-VB 编号：C5456485

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
150+
￥0.36771 ￥0.4326
500+
￥0.327165 ￥0.3849
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：MTN2306AN3-VB 编号：C7494578

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
150+
￥0.36771 ￥0.4326
500+
￥0.327165 ￥0.3849
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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P通道,电流:1.8A,耐压:20V

型号：NXV75UPR 编号：C3280962

封装：TO-236AB

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

5+
￥0.5315
50+
￥0.4252
150+
￥0.372
500+
￥0.3321
3000+
￥0.3002
6000+
￥0.2843

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2307DS-T1-GE3-VB 编号：C6705306

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.534735 ￥0.6291
50+
￥0.426785 ￥0.5021
150+
￥0.37281 ￥0.4386
500+
￥0.332265 ￥0.3909
3000+
￥0.29988 ￥0.3528
6000+
￥0.28373 ￥0.3338

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：HM2305-VB 编号：C20417588

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2307CDS-T1-GE3-VB 编号：C18212592

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：AP2304AGN-HF-VB 编号：C19711207

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.5355 ￥0.63
50+
￥0.42738 ￥0.5028
150+
￥0.37332 ￥0.4392
500+
￥0.332775 ￥0.3915
3000+
￥0.30039 ￥0.3534
6000+
￥0.284155 ￥0.3343

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：RU20P4C-VB 编号：C558236

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.53788 ￥0.6328
50+
￥0.42891 ￥0.5046
150+
￥0.37451 ￥0.4406
500+
￥0.333625 ￥0.3925
3000+
￥0.27727 ￥0.3262
6000+
￥0.26095 ￥0.307

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AP2309AGN-VB 编号：C878855

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.551905 ￥0.6493
50+
￥0.4437 ￥0.522
150+
￥0.389555 ￥0.4583
500+
￥0.348925 ￥0.4105
3000+
￥0.316455 ￥0.3723
6000+
￥0.30022 ￥0.3532

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：NTR4003NT1G-VB 编号：C7463560

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.552415 ￥0.6499
50+
￥0.444295 ￥0.5227
150+
￥0.390235 ￥0.4591
500+
￥0.34969 ￥0.4114
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：SI2318DS-T1-GE3-VB 编号：C558253

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.55947 ￥0.6582
50+
￥0.452455 ￥0.5323
150+
￥0.39899 ￥0.4694
500+
￥0.35887 ￥0.4222
3000+
￥0.29172 ￥0.3432
6000+
￥0.275655 ￥0.3243

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2323DDS-T1-GE3-VB 编号：C558257

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.56202 ￥0.6612
50+
￥0.453815 ￥0.5339
150+
￥0.399755 ￥0.4703
500+
￥0.35921 ￥0.4226
3000+
￥0.28101 ￥0.3306
6000+
￥0.26486 ￥0.3116

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：FDN352AP-NL-VB 编号：C7494537

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.56712 ￥0.6672
50+
￥0.459 ￥0.54
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￥0.40494 ￥0.4764
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￥0.364395 ￥0.4287
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SPP2341S23RG-VB 编号：C7429107

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.576745 ￥0.6071
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￥0.455905 ￥0.4799
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￥0.395485 ￥0.4163
500+
￥0.350265 ￥0.3687
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
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￥0.29583 ￥0.3114

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：IRLML6344TRPBF-VB 编号：C6705285

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.57684 ￥0.6072
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￥0.456 ￥0.48
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￥0.39558 ￥0.4164
500+
￥0.350265 ￥0.3687
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2347DS-T1-GE3-VB 编号：C5878837

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.58767 ￥0.6186
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￥0.46455 ￥0.489
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￥0.40299 ￥0.4242
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￥0.35682 ￥0.3756
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￥0.319865 ￥0.3367
6000+
￥0.301435 ￥0.3173

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：DMP3099L-7-VB 编号：C558116

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.590615 ￥0.6217
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￥0.469775 ￥0.4945
150+
￥0.409355 ￥0.4309
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￥0.36404 ￥0.3832
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
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