场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFB7440PBF(ES) 编号：C42412304

封装：TO-220

品牌：ElecSuper(静芯)

IRFB7440PBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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￥3.77
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￥3.04
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￥2.67
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￥2.31
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￥2.09
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￥1.98

有货

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型号：SPD30P06PG-VB 编号：C558281

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术制造，具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性，适用于各种功率电路设计。TO252；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥3.895 ￥4.1
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￥3.1635 ￥3.33
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￥2.8025 ￥2.95
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￥2.4415 ￥2.57
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￥2.071 ￥2.18
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￥1.957 ￥2.06

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型号：RU30L30M-VB 编号：C725148

封装：DFN3x3-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造。适用于多种电路应用，能够提供可靠的功率控制和保护。DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-30V；-45A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.8V；

数据手册

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￥3.952 ￥4.16
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￥3.23 ￥3.4
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￥2.869 ￥3.02
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型号：AOD240-VB 编号：C557963

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

数据手册

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￥4.1895 ￥4.41
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￥3.458 ￥3.64
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￥3.097 ￥3.26
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￥2.736 ￥2.88
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￥1.957 ￥2.06

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型号：IRFR3518TRPBF-VB 编号：C7429043

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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￥4.335 ￥5.1
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￥2.3545 ￥2.77

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型号：SIA414DJ-T1-GE3 编号：C727574

封装：PowerPAK-SC-70-6L

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟道式场效应晶体管功率MOSFET。新型热增强型PowerPAK SC-70封装。小封装面积。应用：便携式应用的负载开关

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￥4.39
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￥3.68
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型号：OR-341W-TA1 编号：C3031118

封装：SOP-6

品牌：Orient(奥伦德)

OR - 341包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，该二极管与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）。输出级较宽的工作电压范围可为栅控器件提供所需的驱动电压

数据手册

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￥4.7
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￥3.83
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￥3.4
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￥2.97
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￥2.61

有货

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型号：IRLR2908TRPBF-VB 编号：C3040313

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥5.1015 ￥5.37
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￥4.1895 ￥4.41
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￥3.743 ￥3.94
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￥3.287 ￥3.46
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￥2.4415 ￥2.57

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型号：IRFR3607TRPBF-VB 编号：C5137441

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于广泛的电子设备和系统，包括电源管理、汽车电子、工业自动化和电动工具等模块。TO252；N—Channel沟道,80V；75A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4V；

数据手册

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￥6.365 ￥6.7
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￥5.1585 ￥5.43
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￥4.5505 ￥4.79
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￥3.249 ￥3.42

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型号：FQP47P06-VB 编号：C7428978

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于直流-直流转换器、功率因数校正模块等领域。TO220；P—Channel沟道,-60V；-50A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥7.5525 ￥7.95
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￥6.2415 ￥6.57
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￥5.529 ￥5.82
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型号：CMH20N50 编号：C5203945

封装：TO-247

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造，该技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源和有源功率因数校正。

数据手册

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￥7.6 ￥8
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￥4.826 ￥5.08

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型号：VBE2104N 编号：C480954

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于多个领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-100V；-40A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

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￥7.6855 ￥8.09
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型号：IRF4905PBF-VB 编号：C558142

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于直流-直流转换器、功率因数校正模块等领域。TO220；P—Channel沟道,-60V；-50A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥8.778 ￥9.24
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￥7.4765 ￥7.87
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￥6.1655 ￥6.49
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￥5.358 ￥5.64
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￥4.997 ￥5.26
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￥4.8355 ￥5.09

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型号：BSP752R 编号：C112644

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

PG-DSO-8封装的N沟道垂直功率场效应晶体管，具备电荷泵、接地参考CMOS兼容输入和诊断反馈功能，采用Smart SIPMOs°技术进行单片集成。

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￥9.57
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￥8.02
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￥7.05
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￥6.06

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型号：STB24NM60N-VB 编号：C7569064

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的单N沟道功率场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术，具有优异的性能和可靠性，广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用，包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。TO263；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

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￥11.3645 ￥13.37
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￥10.455 ￥12.3
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￥9.894 ￥11.64
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￥9.316 ￥10.96
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￥9.0525 ￥10.65
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￥8.9335 ￥10.51

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型号：BTS441TG 编号：C534782

封装：TO-263-5

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考、CMOS兼容输入，采用智能SIPMOS技术进行单片集成，具备嵌入式保护功能

数据手册

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￥31.18
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￥26.76
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￥24.13
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￥21.47

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型号：ADR434BRZ-REEL7 编号：C659559

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列是一组采用XFET技术的电压基准源，具有低噪声、高精度和低温度漂移特性。通过采用温度漂移曲率校正和额外注入结型场效应晶体管（XFET）技术，ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435的电压随温度变化的非线性被降至最低。与掩埋齐纳基准源相比，XFET基准源的工作电流更低（800μA），所需的电源电压裕量也更低（2V）

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￥75.8
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￥65.5
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￥59.22

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型号：C3M0016120K-HXY 编号：C52043407

封装：TO-247H-4L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。在25℃条件下，导通电阻（RDON）低至16mΩ，支持高达120A的连续漏极电流（ID），适用于高效率、高频电力电子系统。器件基于碳化硅材料，具备更高的热稳定性和更低的开关损耗，可广泛用于新能源、智能电网、精密电源及高密度功率转换装置中，满足复杂工况下的性能需求。

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￥133.171 ￥140.18
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￥126.787 ￥133.46

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型号：BSS84LT1G-VB 编号：C7428944

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

10+
￥0.22952 ￥0.2416
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￥0.224675 ￥0.2365
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￥0.22135 ￥0.233
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￥0.218025 ￥0.2295

有货

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型号：BS250FTA-VB 编号：C558099

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

10+
￥0.35054 ￥0.4124
100+
￥0.2771 ￥0.326
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￥0.24038 ￥0.2828
3000+
￥0.21284 ￥0.2504
6000+
￥0.190825 ￥0.2245
9000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

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型号：SI2318CDS-T1-GE3-VB 编号：C558252

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.3534 ￥0.372
50+
￥0.346085 ￥0.3643
150+
￥0.341335 ￥0.3593
500+
￥0.33649 ￥0.3542

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型号：AP2309GN-VB 编号：C558075

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.357485 ￥0.3763
50+
￥0.35017 ￥0.3686
150+
￥0.345325 ￥0.3635
500+
￥0.34048 ￥0.3584

有货

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型号：AP2300GN-HF-VB 编号：C6705252

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.359975 ￥0.4235
100+
￥0.286535 ￥0.3371
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￥0.249815 ￥0.2939
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￥0.206975 ￥0.2435
6000+
￥0.184875 ￥0.2175
9000+
￥0.17391 ￥0.2046

有货

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型号：QM2414K-VB 编号：C7429096

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.359975 ￥0.4235
100+
￥0.286535 ￥0.3371
300+
￥0.249815 ￥0.2939
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￥0.222275 ￥0.2615
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￥0.200175 ￥0.2355
9000+
￥0.18921 ￥0.2226

有货

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型号：TSM2314CX RF-VB 编号：C6705333

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.3638 ￥0.428
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￥0.29036 ￥0.3416
300+
￥0.25364 ￥0.2984
3000+
￥0.2261 ￥0.266
6000+
￥0.204 ￥0.24
9000+
￥0.193035 ￥0.2271

有货

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型号：SM2306NSAC-TRG-VB 编号：C7494582

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.3638 ￥0.428
100+
￥0.29036 ￥0.3416
300+
￥0.25364 ￥0.2984
3000+
￥0.2261 ￥0.266
6000+
￥0.204 ￥0.24
9000+
￥0.193035 ￥0.2271

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型号：TP0610K-T1-E3-VB 编号：C6705331

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

10+
￥0.3638 ￥0.428
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￥0.29036 ￥0.3416
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￥0.2261 ￥0.266
6000+
￥0.204 ￥0.24
9000+
￥0.193035 ￥0.2271

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型号：SI2312BDS-T1-GE3-VB 编号：C5441239

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.364395 ￥0.4287
100+
￥0.29087 ￥0.3422
300+
￥0.254065 ￥0.2989
3000+
￥0.22644 ￥0.2664
6000+
￥0.204425 ￥0.2405
9000+
￥0.193375 ￥0.2275

有货

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型号：BSS84Q-7-F-VB 编号：C4355116

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

10+
￥0.371195 ￥0.4367
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￥0.297755 ￥0.3503
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￥0.261035 ￥0.3071
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￥0.22763 ￥0.2678
6000+
￥0.20553 ￥0.2418
9000+
￥0.194565 ￥0.2289

有货

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型号：WPM2093-3/TR 编号：C2931332

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM2093是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.3724
100+
￥0.2956
300+
￥0.2572
1000+
￥0.2284
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