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双N沟道、12V、13.7A功率MOSFET

型号：WNMD2188-10/TR 编号：C5290311

封装：CSP-10L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNMD2188 是双 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管，由于 MOSFET1 和 MOSFET2 的漏极在内部已连接，因此无需在电路板上连接漏极。该产品采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RSS(ON)）。此器件专为锂离子电池保护电路而设计

数据手册

1+
￥2.24
10+
￥1.96
30+
￥1.84
100+
￥1.69
500+
￥1.62
1000+
￥1.58

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:9A

型号：AO4435-VB 编号：C557953

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

5+
￥2.276295 ￥2.3961
50+
￥1.816685 ￥1.9123
150+
￥1.619655 ￥1.7049
500+
￥1.37389 ￥1.4462
2500+
￥1.26445 ￥1.331
4000+
￥1.19871 ￥1.2618

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1个N沟道耐压:500V 电流:7A

型号：WSF07N50 编号：C5772682

封装：TO-252

品牌：WINSOK(微硕)

WSF07N50是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。

5+
￥2.35
50+
￥1.85
150+
￥1.63
500+
￥1.36
2500+
￥1.24
5000+
￥1.17

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1个P沟道耐压:60V 电流:6.5A

型号：2SJ360-VB 编号：C724947

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于小型功率电路，具有良好的散热性能和安装方便性。 SOT89-3；P—Channel沟道,-60V；-6.5A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.489 ￥2.62
10+
￥1.995 ￥2.1
30+
￥1.7765 ￥1.87
100+
￥1.52 ￥1.6
500+
￥1.216 ￥1.28
1000+
￥1.14 ￥1.2

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:10A

型号：FDS8447-NL-VB 编号：C6705263

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，具有优良的电气特性和可靠性，适用于低功率控制和驱动应用，包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,40V；10A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.5175 ￥2.65
10+
￥1.957 ￥2.06
30+
￥1.71 ￥1.8
100+
￥1.406 ￥1.48
500+
￥1.3775 ￥1.45
1000+
￥1.292 ￥1.36

有货

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降压型 4A 4.5V~18V

型号：TPS54428DDAR 编号：C138717

封装：HSOP-8-EP

品牌：TI(德州仪器)

TPS54428是一款4.5V至18V输入电压范围的4A同步降压转换器,采用D-CAP2TM模式控制,支持快速瞬态响应和低输出纹波。集成高效率场效应晶体管,支持陶瓷输出电容器,具有Eco-modeTM功能,可在轻负载下实现高效率。

数据手册

1+
￥2.52
10+
￥1.96
30+
￥1.72
100+
￥1.42
500+
￥1.29

有货

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1个N沟道耐压:400V 电流:10A

型号：IRF740UZ 编号：C5371911

封装：TO-263

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术制造，该技术专门用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子镇流器。

数据手册

1+
￥2.52
10+
￥1.98
30+
￥1.75
100+
￥1.46
500+
￥1.33
800+
￥1.26

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:25.8A

型号：DTU09N03-VB 编号：C709952

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

1+
￥2.6505 ￥2.79
10+
￥2.109 ￥2.22
30+
￥1.8715 ￥1.97
100+
￥1.577 ￥1.66
500+
￥1.349 ￥1.42
1000+
￥1.273 ￥1.34

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:40A

型号：AP4435GJ-VB 编号：C724976

封装：TO-251

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P功率场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种领域和模块。TO251；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2V；

数据手册

1+
￥2.7645 ￥2.91
10+
￥2.166 ￥2.28
30+
￥1.9095 ￥2.01
80+
￥1.52 ￥1.6
480+
￥1.3775 ￥1.45
800+
￥1.292 ￥1.36

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:58A

型号：IRFR1010ZTRPBF-VB 编号：C7429041

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.771 ￥3.26
10+
￥2.703 ￥3.18
30+
￥2.6605 ￥3.13
100+
￥2.618 ￥3.08

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:40A

型号：FDD6685-VB 编号：C725028

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。TO252；P—Channel沟道,-30V；-40A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥3.0345 ￥3.57
10+
￥2.4055 ￥2.83
30+
￥2.142 ￥2.52
100+
￥1.802 ￥2.12
500+
￥1.6575 ￥1.95
1000+
￥1.564 ￥1.84

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1个N沟道耐压:150V 电流:20.8A

型号：ME20N15-G 编号：C709774

封装：TO-252-3

品牌：MATSUKI(松木)

ME20N15是采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造的N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门为最大限度降低导通电阻而设计。这些器件特别适用于低压应用，如手机、笔记本电脑电源管理，以及其他需要高端开关且采用极小外形尺寸表面贴装封装以实现低在线功率损耗的电池供电电路

数据手册

1+
￥3.13
10+
￥2.48
30+
￥2.2
100+
￥1.85
500+
￥1.69
1000+
￥1.6

有货

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低噪声JFET单运算放大器

型号：TL071CDT 编号：C107648

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

TL071是一种高速结型场效应晶体管输入单运算放大器。该结型场效应晶体管输入运算放大器在一个单片集成电路中集成了良好匹配的高压结型场效应晶体管和双极型晶体管。该器件具有高摆率、低输入偏置电流和失调电流以及低失调电压温度系数。

数据手册

1+
￥3.34
10+
￥2.6
30+
￥2.29
100+
￥1.89
500+
￥1.72
1000+
￥1.61

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:58A

型号：SUD50N06-09L-E3-VB 编号：C5878861

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥3.3405 ￥3.93
10+
￥2.686 ￥3.16
30+
￥2.363 ￥2.78
100+
￥2.04 ￥2.4
500+
￥1.785 ￥2.1
1000+
￥1.6915 ￥1.99

有货

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N沟道，60V，190A，1.9mΩ@10V,30A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：BSC0702LS(ES) 编号：C42434106

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

BSC0702LS(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

1+
￥3.37
10+
￥2.72
30+
￥2.4
100+
￥2.08
500+
￥1.89
1000+
￥1.79

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:30A

型号：NTD20P06LG-VB 编号：C879021

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.4485 ￥3.63
10+
￥2.7835 ￥2.93
30+
￥2.451 ￥2.58
100+
￥2.1185 ￥2.23
500+
￥1.8905 ￥1.99
1000+
￥1.786 ￥1.88

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:30A

型号：VBE2610N 编号：C480956

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.572 ￥3.76
10+
￥2.907 ￥3.06
30+
￥2.5745 ￥2.71
100+
￥2.242 ￥2.36
500+
￥1.8905 ￥1.99
1000+
￥1.786 ￥1.88

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:5.3A 4.9A

型号：ZXMC6A09DN8TC-VB 编号：C4355082

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

数据手册

1+
￥3.5785 ￥4.21
10+
￥2.9325 ￥3.45
30+
￥2.601 ￥3.06
100+
￥2.2865 ￥2.69
500+
￥1.853 ￥2.18
1000+
￥1.751 ￥2.06

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:4.5A

型号：FQD5N60CTM-VB 编号：C19190241

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于电源逆变器、电动汽车充电桩、UPS系统、风能和太阳能逆变器、工业自动化设备等领域。TO252；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~5V；

1+
￥3.66
10+
￥2.95
30+
￥2.64
100+
￥2.26
500+
￥1.73
1000+
￥1.63

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:5.3A

型号：VBA5638 编号：C416206

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

数据手册

1+
￥3.672 ￥4.32
10+
￥3.0175 ￥3.55
30+
￥2.6945 ￥3.17
100+
￥2.3715 ￥2.79
500+
￥1.802 ￥2.12
1000+
￥1.7085 ￥2.01

有货

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2个P沟道耐压:30V 电流:410mA

型号：PMDXB1200UPEZ 编号：C552762

封装：SOT1216

品牌：Nexperia(安世)

双P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装于无引脚超小型DFN1010B-6（SOT1216）表面贴装塑料封装中。

数据手册

1+
￥3.79
10+
￥3.13
30+
￥2.81
100+
￥2.3904 ￥2.49
500+
￥2.1984 ￥2.29
1000+
￥2.1024 ￥2.19

有货

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N沟道MOSFET,电流:8.3A,耐压:100V

型号：SI4056ADY-T1-GE3 编号：C3289800

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽场效应晶体管第四代功率MOSFET。极低的RDS×Qg品质因数（FOM）。针对最低的RDS×Qoss FOM进行了优化。逻辑电平栅极驱动。 100%进行Rg和UIs测试

1+
￥4.13
10+
￥3.29
30+
￥2.87
100+
￥2.45

有货

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1个P沟道耐压:30V

型号：AON7409-VB 编号：C7568863

封装：DFN3x3-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造。适用于多种电路应用，能够提供可靠的功率控制和保护。DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-30V；-45A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.8V；

1+
￥4.1515 ￥4.37
10+
￥3.4295 ￥3.61
30+
￥3.059 ￥3.22
100+
￥2.698 ￥2.84
500+
￥2.071 ￥2.18
1000+
￥1.957 ￥2.06

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:25A

型号：CMSA5020 编号：C7427450

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA5020采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为开关电源（SMPS）中的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用用途。

1+
￥4.28
10+
￥3.45
30+
￥3.03
100+
￥2.62
500+
￥2.37
1000+
￥2.24

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:40A

型号：AOD464-VB 编号：C709906

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥4.3095 ￥5.07
10+
￥3.502 ￥4.12
30+
￥3.094 ￥3.64
100+
￥2.6945 ￥3.17
500+
￥2.2525 ￥2.65
1000+
￥2.125 ￥2.5

有货

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耐压:150V 电流:3A

型号：FDMC2523P 编号：C890927

封装：Power33-8

品牌：onsemi(安森美)

这些P沟道MOSFET增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合音频放大器、高效开关式DC/DC转换器和直流电机控制等低电压应用

数据手册

1+
￥4.36
10+
￥3.53
30+
￥3.11
100+
￥2.7
500+
￥2.46

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:45A

型号：FQP27P06-VB 编号：C7463430

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于不同电子应用领域。TO220；P—Channel沟道,-60V；-45A；RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥4.9685 ￥5.23
10+
￥4.066 ￥4.28
50+
￥3.2965 ￥3.47
100+
￥2.85 ￥3
500+
￥2.5745 ￥2.71
1000+
￥2.4415 ￥2.57

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:40A

型号：AP40T10GH-VB 编号：C693118

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥4.978 ￥5.24
10+
￥4.066 ￥4.28
30+
￥3.61 ￥3.8
100+
￥3.1635 ￥3.33
500+
￥2.5745 ￥2.71
1000+
￥2.4415 ￥2.57

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:34A

型号：PHB32N06LT,118 编号：C552626

封装：D2PAK

品牌：Nexperia(安世)

采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。

数据手册

1+
￥5.7526 ￥11.74
10+
￥3.9 ￥10
30+
￥2.6216 ￥9.04
100+
￥2.3084 ￥7.96
500+
￥2.1692 ￥7.48
800+
￥2.1054 ￥7.26

有货

立即购买

1个N沟道耐压:100V 电流:85A

型号：IRLR3110ZPBF-VB 编号：C558182

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

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