场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PMZ320UPEYL 编号：C547283

封装：SOT-883

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无铅超小OFN1006-3 (SOT883) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

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￥1.1609
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￥0.9896
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￥0.9039
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2500+
￥0.7883
5000+
￥0.7626

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型号：NTGS3443T1G-VB 编号：C558216

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.205045 ￥1.4177
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￥0.952255 ￥1.1203
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￥0.843965 ￥0.9929
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￥0.708815 ￥0.8339
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￥0.567715 ￥0.6679
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￥0.53159 ￥0.6254

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型号：SI3585DV-T1-E3-VB 编号：C5444644

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

数据手册

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￥1.212865 ￥1.4269
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￥0.965685 ￥1.1361
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￥0.85969 ￥1.0114
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￥0.727515 ￥0.8559
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￥0.58429 ￥0.6874

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型号：APM2701ACC-TRG-VB 编号：C558090

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

数据手册

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￥1.22689 ￥1.4434
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￥0.973335 ￥1.1451
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￥0.864705 ￥1.0173
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￥0.72913 ￥0.8578
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￥0.614805 ￥0.7233
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型号：PRF18BG471QB5RB 编号：C17276521

封装：0603

品牌：muRata(村田)

PRF 系列片式 PTC 热敏电阻利用正温度系数（PTC）特性（即电阻在特定温度以上会急剧增大），用于场效应晶体管（FET）、功率 IC 及其他发热区域的过热检测。利用电阻的急剧变化可实现出色的抗噪性能。电阻的急剧变化使得通过一个非常简单的串联 PTC 热敏电阻的电路，就能精确检测多个区域的过热情况

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￥1.2375
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￥0.9653
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￥0.8487
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￥0.7031

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型号：IRLMS6802TRPBF-VB 编号：C558181

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.24066 ￥1.4596
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￥0.98804 ￥1.1624
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￥0.879835 ￥1.0351
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￥0.74477 ￥0.8762
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￥0.61251 ￥0.7206
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￥0.576385 ￥0.6781

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型号：CMD90P03 编号：C5337968

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的封装技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

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￥1.2531
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￥0.6222

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型号：DMC2038LVT-7-F-VB 编号：C558111

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

数据手册

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￥1.28027 ￥1.5062
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￥1.022805 ￥1.2033
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￥0.912475 ￥1.0735
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￥0.58752 ￥0.6912

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型号：AP4435GM-VB 编号：C724977

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

50+
￥1.296
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￥1.2
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￥1.104
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型号：FDC638P-VB 编号：C878863

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.315275 ￥1.3845
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￥1.032745 ￥1.0871
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型号：WNM2020A-3/TR 编号：C2941859

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2020A 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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5+
￥1.3225
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￥1.0252
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￥0.7387

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型号：SI3447DV-T1-E3-VB 编号：C7524970

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.339215 ￥1.4097
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￥1.056685 ￥1.1123
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￥0.784605 ￥0.8259
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￥0.65303 ￥0.6874

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型号：2SJ356-VB 编号：C557924

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于小型功率电路，具有良好的散热性能和安装方便性。 SOT89-3；P—Channel沟道,-60V；-6.5A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；

数据手册

1+
￥1.3775 ￥1.45
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￥1.349 ￥1.42
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￥1.33 ￥1.4
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￥1.311 ￥1.38

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型号：AON7264E(ES) 编号：C42434102

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

AON7264E(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥1.408
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￥1.1056
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￥0.976
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2500+
￥0.7423
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￥0.699

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型号：VB5222 编号：C416216

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

数据手册

5+
￥1.4333
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￥1.1359
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￥1.0085
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3000+
￥0.7299
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型号：2P50G-TN3-R 编号：C484516

封装：TO-252

品牌：UTC(友顺)

UTC 2P50 是一款 P 沟道 MOS 场效应晶体管。它采用 UTC 的先进技术，为客户提供高开关速度和最小导通电阻。UTC 2P50 适用于高压开关应用

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5+
￥1.5188
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￥1.1962
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￥1.058
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￥0.8855

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型号：SI4840DY-T1-E3-VB 编号：C558269

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，具有优良的电气特性和可靠性，适用于低功率控制和驱动应用，包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,40V；10A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥1.539 ￥1.62
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￥1.5105 ￥1.59
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￥1.482 ￥1.56
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￥1.463 ￥1.54

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型号：SI4435BDY-T1-E3-VB 编号：C6705314

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥1.67
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￥1.45
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￥1.36
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￥1.24
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￥1.19
1000+
￥1.16

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型号：CR7N65A4K 编号：C2925581

封装：TO-252

品牌：CRMICRO(华润微)

CR7N65 A4K是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管。该技术可降低传导损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率

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￥1.7348
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￥1.3395
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￥1.1701
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￥0.9587
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￥0.8646
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￥0.8375

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型号：CMD150P03 编号：C5203755

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于脉宽调制（PWM）应用。

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1+
￥1.75
10+
￥1.71
30+
￥1.68
100+
￥1.66

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型号：PMV100ENEAR 编号：C461182

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装于小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中。

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5+
￥1.7682
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￥1.4091
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￥1.2552
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￥1.0632
3000+
￥0.9777
6000+
￥0.9264

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型号：CMSA100P04 编号：C22364962

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关和电池保护应用。-40V、典型值5.8mΩ、-100A的P沟道MOSFET

5+
￥1.9038
50+
￥1.486
150+
￥1.307

有货

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型号：SI4835BDY-T1-E3-VB 编号：C2680903

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

5+
￥1.914795 ￥2.2527
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￥1.503565 ￥1.7689
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￥1.327275 ￥1.5615
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￥1.10738 ￥1.3028
2500+
￥1.00946 ￥1.1876
4000+
￥0.95064 ￥1.1184

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型号：PMZ370UNEYL 编号：C478208

封装：DFN-3(1x0.6)

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无铅超小OFN1006-3 (SOT883) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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1+
￥2.04
10+
￥2
30+
￥1.98
100+
￥1.872 ￥1.95

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型号：SVF7N65F 编号：C467752

封装：TO-220F-3

品牌：SILAN(士兰微)

SVF7N65T/F/S 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构专门设计用于最小化导通电阻、提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器

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5+
￥2.0463
50+
￥1.6698
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￥1.4685
500+
￥1.2174

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型号：RCQ5402 编号：C5137062

封装：DFN5x6-8

品牌：RealChip(正芯半导体)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别调整，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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5+
￥2.0996
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￥1.6484
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￥1.4551

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型号：SQD50N06-09L-GE3-VB 编号：C7463652

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.1335 ￥2.51
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￥2.091 ￥2.46
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￥2.057 ￥2.42
100+
￥2.0315 ￥2.39

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型号：HAT2028RJ-VB 编号：C709981

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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