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价格(含税)

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：FDC6420C-NL-VB 编号：C7463645

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

5+
￥1.256555 ￥1.4783
50+
￥1.003765 ￥1.1809
150+
￥0.895475 ￥1.0535
500+
￥0.760325 ￥0.8945
3000+
￥0.649995 ￥0.7647
6000+
￥0.61387 ￥0.7222

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.1A

型号：AO6409-VB 编号：C693415

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.267265 ￥1.4909
50+
￥1.014475 ￥1.1935
150+
￥0.906185 ￥1.0661
500+
￥0.771035 ￥0.9071
3000+
￥0.629935 ￥0.7411
6000+
￥0.59381 ￥0.6986

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:4.5A

型号：IRFL024NTRPBF-VB 编号：C4355057

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

5+
￥1.329825 ￥1.5645
50+
￥1.17062 ￥1.3772
150+
￥1.102365 ￥1.2969
500+
￥1.017195 ￥1.1967
2500+
￥0.979285 ￥1.1521
5000+
￥0.956505 ￥1.1253

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:6.5A

型号：2SJ356-VB 编号：C557924

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于小型功率电路，具有良好的散热性能和安装方便性。 SOT89-3；P—Channel沟道,-60V；-6.5A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；

数据手册

1+
￥1.3775 ￥1.45
10+
￥1.349 ￥1.42
30+
￥1.33 ￥1.4
100+
￥1.311 ￥1.38

有货

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5.5V、2A、低导通电阻负载开关

型号：TPS22914BYFPR 编号：C1848394

封装：DSBGA-4

品牌：TI(德州仪器)

TPS22914/15 是一款小型、低 RON、具有受控压摆率的单通道负载开关。此器件包括一个 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，可在 1.05 V 至 5.5 V 的输入电压范围内运行并可支持 2A 的最大持续电流。此开关由一个开关输入控制，能够直接连接低电压控制信号。

数据手册

5+
￥1.3841
50+
￥1.1078
150+
￥0.973
500+
￥0.8527

有货

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N沟道，60V，55A，7mΩ@10V,20A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AON7264E(ES) 编号：C42434102

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

AON7264E(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.408
50+
￥1.1056
150+
￥0.976
500+
￥0.8143
2500+
￥0.7423
5000+
￥0.699

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:4.5A

型号：VB2610N 编号：C7429136

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种领域和模块，例如电池管理系统、DC-DC转换器和电源开关，便携式电子产品的电源管理和功率控制以及医疗器械模块SOT23；P—Channel沟道,-60V；-4.5A；RDS(ON)=70mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=-1~-3V；

5+
￥1.513085 ￥1.7801
50+
￥1.19612 ￥1.4072
150+
￥1.060205 ￥1.2473
500+
￥0.890715 ￥1.0479
3000+
￥0.815235 ￥0.9591
6000+
￥0.76993 ￥0.9058

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:7.6A

型号：AP9435GG-VB 编号：C693154

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中。SOT89-3；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

5+
￥1.551445 ￥1.6331
50+
￥1.23063 ￥1.2954
150+
￥1.093165 ￥1.1507
1000+
￥0.86374 ￥0.9092
2000+
￥0.78736 ￥0.8288
5000+
￥0.74157 ￥0.7806

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:20A

型号：STN4260 编号：C2682800

封装：SOP-8

品牌：STANSON(司坦森)

STN4260是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度工艺制造。这种高密度工艺专门用于最大限度降低导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路

数据手册

5+
￥1.6011
50+
￥1.2786
150+
￥1.1403
500+
￥0.9679
2500+
￥0.7375
5000+
￥0.6914

有货

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N沟道，60V，58.6A，7mΩ@10V,20A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESE6080A 编号：C42412247

封装：TO-220

品牌：ElecSuper(静芯)

ESE6080A 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.7599
50+
￥1.3819
150+
￥1.2199
500+
￥1.0178
2500+
￥0.9278
5000+
￥0.8738

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：FDS9435A-NL-VB 编号：C725040

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥1.766525 ￥1.8595
50+
￥1.412175 ￥1.4865
150+
￥1.260365 ￥1.3267
500+
￥1.07084 ￥1.1272
2500+
￥0.95133 ￥1.0014
4000+
￥0.900695 ￥0.9481

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:13A

型号：WPM3021-8/TR 编号：C506175

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3021 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥1.7955
50+
￥1.4519
150+
￥1.2028
500+
￥0.9973

有货

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N沟道耐压:40V 电流:145A

型号：HGD032N04A 编号：C21726234

封装：TO-252

品牌：CRMICRO(华润微)

HGD032N04A是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用高密度沟槽技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。此器件适用于作为负载开关和脉冲宽度调制（PWM）应用。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准

1+
￥1.83
10+
￥1.61
30+
￥1.51
100+
￥1.39
500+
￥1.27
1000+
￥1.24

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:9A

型号：SI4435BDY-T1-E3-VB 编号：C6705314

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

1+
￥2.023 ￥2.38
10+
￥1.581 ￥1.86
30+
￥1.3855 ￥1.63
100+
￥1.156 ￥1.36
500+
￥1.0455 ￥1.23
1000+
￥0.986 ￥1.16

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:45A

型号：SI7617DN-VB 编号：C19188122

封装：DFN3x3-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造。适用于多种电路应用，能够提供可靠的功率控制和保护。DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-30V；-45A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.8V；

1+
￥2.071 ￥2.18
10+
￥2.0235 ￥2.13
30+
￥1.9855 ￥2.09
100+
￥1.957 ￥2.06

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:11.6A

型号：AO4407A-VB 编号：C557949

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

5+
￥2.140065 ￥2.2527
50+
￥1.680455 ￥1.7689
150+
￥1.483425 ￥1.5615
500+
￥1.23766 ￥1.3028
2500+
￥1.12822 ￥1.1876
4000+
￥1.062575 ￥1.1185

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:25.8A

型号：DTU09N03-VB 编号：C709952

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

1+
￥2.261 ￥2.66
10+
￥1.7765 ￥2.09
30+
￥1.564 ￥1.84
100+
￥1.3005 ￥1.53
500+
￥1.0965 ￥1.29
1000+
￥1.0285 ￥1.21

有货

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硅 N沟道功率 MOSFET

型号：HGQ024N04A 编号：C1693660

封装：PDFN5x6-8

品牌：CRMICRO(华润微)

HGQ024N04A是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用高密度沟槽技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。此器件适用于作为负载开关和脉宽调制（PWM）应用。其封装形式为PDFN5*6，符合RoHS标准

1+
￥2.4
10+
￥2.13
30+
￥2.02
100+
￥1.88
500+
￥1.49
1000+
￥1.45

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:25V 电流:0.41A

型号：FDG6322C 编号：C112152

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 和 P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。因为无需偏置电阻，所以此类双数字 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

数据手册

1+
￥2.4
10+
￥1.87
30+
￥1.64
100+
￥1.36
500+
￥1.23
1000+
￥1.16

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:9A

型号：CEM4435A-VB 编号：C709930

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.527 ￥2.66
10+
￥2.033 ￥2.14
30+
￥1.8145 ￥1.91
100+
￥1.558 ￥1.64
500+
￥1.349 ￥1.42
1000+
￥1.2825 ￥1.35

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:58A

型号：AOD403-VB 编号：C557964

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.06 ￥3.6
10+
￥2.465 ￥2.9
30+
￥2.1675 ￥2.55
100+
￥1.87 ￥2.2
500+
￥1.6915 ￥1.99
1000+
￥1.598 ￥1.88

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:13.5A

型号：VBZA4425 编号：C700588

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

数据手册

1+
￥3.077 ￥3.62
10+
￥2.4395 ￥2.87
30+
￥2.176 ￥2.56
100+
￥1.836 ￥2.16
500+
￥1.547 ￥1.82
1000+
￥1.462 ￥1.72

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:13.5A

型号：IRF7425TRPBF-VB 编号：C6705273

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

1+
￥3.2775 ￥3.45
10+
￥2.5745 ￥2.71
30+
￥2.28 ￥2.4
100+
￥1.9 ￥2
500+
￥1.729 ￥1.82
1000+
￥1.634 ￥1.72

有货

立即购买

1个N沟道耐压:100V 电流:85A

型号：IRLR3110ZPBF-VB 编号：C558182

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

数据手册

1+
￥3.2775 ￥3.45
10+
￥3.211 ￥3.38
30+
￥3.154 ￥3.32
100+
￥3.1065 ￥3.27

有货

立即购买

2个N沟道耐压:60V 电流:7A

型号：BSO615NG-VB 编号：C693398

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥3.553 ￥4.18
10+
￥2.89 ￥3.4
30+
￥2.5585 ￥3.01
100+
￥2.227 ￥2.62
500+
￥2.0315 ￥2.39
1000+
￥1.9295 ￥2.27

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 电流:5.3A 4.9A

型号：ZXMC6A09DN8TC-VB 编号：C4355082

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

数据手册

1+
￥3.5785 ￥4.21
10+
￥2.9325 ￥3.45
30+
￥2.601 ￥3.06
100+
￥2.2865 ￥2.69
500+
￥1.853 ￥2.18
1000+
￥1.751 ￥2.06

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:2A

型号：SQ2364EES-T1_GE3 编号：C3290054

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽场效应晶体管功率MOSFET。通过AEC-Q101认证。100%进行Rg和UIS测试。典型ESD保护800V

1+
￥3.59
10+
￥2.87
30+
￥2.56

有货

立即购买

1个P沟道耐压:60V 电流:30A

型号：NT2955G-VB 编号：C558206

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.62
10+
￥2.92
30+
￥2.57
100+
￥2.23
500+
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1个N沟道耐压:40V

型号：AOD4184A-VB 编号：C7568791

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

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1个N沟道耐压:200V 电流:10A

型号：FR9N20D-VB 编号：C693241

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，其性能特点使其适用于各种功率开关和驱动应用。TO252；N—Channel沟道,200V；10A；RDS(ON)=245mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=2~4V；

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