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首页 > 热门关键词 > 场效应晶体管
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1个P沟道 耐压:20V 电流:3A
型号：SI2301CDS-T1-GE3-MS 编号：C5343291
封装：SOT-23
品牌：MSKSEMI(美森科)
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
数据手册

  • 10+

    ￥0.22689 ￥0.2521

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    ￥0.17937 ￥0.1993

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  • 3000+

    ￥0.13779 ￥0.1531

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    1个P沟道 耐压:60V 电流:500mA
    型号：BSS84LT1G-VB 编号：C7428944
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

    • 10+

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      ￥0.218025 ￥0.2295
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
    型号：SI2312CDS-T1-GE3-VB 编号：C558251
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；
    数据手册

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      ￥0.229805 ￥0.2419

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      ￥0.224865 ￥0.2367

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    • 1000+

      ￥0.21831 ￥0.2298
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
    型号：SSC8022GS6-VB 编号：C693324
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；
    数据手册

    • 10+

      ￥0.256405 ￥0.2699

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      ￥0.24491 ￥0.2578
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：IRLML9301TRPBF-VB 编号：C6705286
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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      ￥0.27234 ￥0.3204

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      ￥0.257125 ￥0.3025
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：SI2319DS-T1-GE3-VB 编号：C558255
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
    数据手册

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      ￥0.32148 ￥0.3384

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:0.95A
    型号：WNM2030-3/TR 编号：C239769
    封装：SOT-723
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM2030是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路
    数据手册

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    P沟道 耐压:20V 电流:0.91A
    型号：WPM2093-3/TR 编号：C2931332
    封装：SOT-723
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WPM2093是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路
    数据手册

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      ￥0.3482

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:3A
    型号：IRLML5203 编号：C5343306
    封装：SOT-23
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    P-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
    数据手册

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    1个P沟道 耐压:60V 电流:500mA
    型号：2SJ210-T1B-A-VB 编号：C18212445
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

    • 10+

      ￥0.39178 ￥0.4124

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      ￥0.200925 ￥0.2115
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:4.7A
    型号：WNM2016A-3/TR 编号：C601105
    封装：SOT-23
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM2016A 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4217

    • 100+

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      ￥0.2918

    • 1000+

      ￥0.2468
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
    型号：Si2342DS-T1-GE3-VB 编号：C5878836
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

    • 5+

      ￥0.475915 ￥0.5599

    • 50+

      ￥0.373915 ￥0.4399

    • 150+

      ￥0.322915 ￥0.3799

    • 500+

      ￥0.28458 ￥0.3348

    • 3000+

      ￥0.265115 ￥0.3119

    • 6000+

      ￥0.249815 ￥0.2939
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：IRLML6344TRPBF-VB 编号：C6705285
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

    • 5+

      ￥0.514675 ￥0.6055

    • 50+

      ￥0.40562 ￥0.4772

    • 150+

      ￥0.351135 ￥0.4131

    • 500+

      ￥0.31025 ￥0.365

    • 3000+

      ￥0.277525 ￥0.3265

    • 6000+

      ￥0.261205 ￥0.3073
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：NDS351AN-NL-VB 编号：C7429078
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

    • 5+

      ￥0.538645 ￥0.6337

    • 50+

      ￥0.430525 ￥0.5065

    • 150+

      ￥0.376465 ￥0.4429

    • 500+

      ￥0.33592 ￥0.3952

    • 3000+

      ￥0.280925 ￥0.3305

    • 6000+

      ￥0.26469 ￥0.3114
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.4A
    型号：CES2331-VB 编号：C692950
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
    数据手册

    • 5+

      ￥0.548335 ￥0.6451

    • 50+

      ￥0.439705 ￥0.5173

    • 150+

      ￥0.385475 ￥0.4535

    • 500+

      ￥0.344675 ￥0.4055

    • 3000+

      ￥0.276505 ￥0.3253

    • 6000+

      ￥0.260185 ￥0.3061
  • 有货
    • 立即购买
    P通道,电流:1.8A,耐压:20V
    型号：NXV75UPR 编号：C3280962
    封装：TO-236AB
    品牌：Nexperia(安世)
    P沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

    • 5+

      ￥0.564

    • 50+

      ￥0.4577

    • 150+

      ￥0.4045

    • 500+

      ￥0.3646

    • 3000+

      ￥0.3327

    • 6000+

      ￥0.3168
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：SSM3J328R-VB 编号：C7494583
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

    • 5+

      ￥0.57684 ￥0.6072

    • 50+

      ￥0.456 ￥0.48

    • 150+

      ￥0.39558 ￥0.4164

    • 500+

      ￥0.350265 ￥0.3687

    • 3000+

      ￥0.313975 ￥0.3305

    • 6000+

      ￥0.29583 ￥0.3114
  • 有货
    • 立即购买
    四路二输入或非门，高性能硅栅CMOS
    型号：74HC02MT/TR 编号：C41415965
    封装：TSSOP-14
    品牌：HGSEMI(华冠)
    特性：输出驱动能力：10个低功耗肖特基TTL负载。 输出可直接与CMOS、NMOS和TTL接口。 工作电压范围：2.0至6.0V。 低输入电流：1.0A。 具有CMOS器件的高抗噪特性。 符合JEDEC标准7A的要求。 ESD性能：人体模型2000V；机器模型200V。 芯片复杂度：40个场效应晶体管或10个等效门。 这些是无铅器件

    • 5+

      ￥0.5788

    • 50+

      ￥0.454

    • 150+

      ￥0.3916

    • 500+

      ￥0.3448

    • 2500+

      ￥0.3074

    • 5000+

      ￥0.2886
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:2.5A
    型号：NXV40UNR 编号：C3280963
    封装：TO-236AB
    品牌：Nexperia(安世)
    采用沟槽 MOSFET 技术的 N 沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型 SOT23 表面贴装器件（SMD）塑料封装。

    • 5+

      ￥0.5926

    • 50+

      ￥0.4654

    • 150+

      ￥0.4018

    • 500+

      ￥0.3541

    • 3000+

      ￥0.3159

    • 6000+

      ￥0.2968
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：SI2318CDS-T1-GE3-VB 编号：C558252
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
    数据手册

    • 5+

      ￥0.617405 ￥0.6499

    • 50+

      ￥0.496565 ￥0.5227

    • 150+

      ￥0.436145 ￥0.4591

    • 500+

      ￥0.39083 ￥0.4114

    • 3000+

      ￥0.313975 ￥0.3305

    • 6000+

      ￥0.29583 ￥0.3114
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：AP2306AGN-VB 编号：C558072
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.8A
    型号：FDC604P-VB 编号：C7428950
    封装：TSOP-6
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.8A
    型号：PMN50XP-VB 编号：C558228
    封装：TSOP-6
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.8A
    型号：NTGS3455T1G-VB 编号：C5137394
    封装：TSOP-6
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:16A
    型号：ST16N10 编号：C2682821
    封装：TO-252
    品牌：STANSON(司坦森)
    ST16N10是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。ST16N10专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低RDS(ON)和快速开关速度进行了优化
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:5A
    型号：ST2317S23RG 编号：C2682896
    封装：SOT-23-3L
    品牌：STANSON(司坦森)
    ST2317S23RG是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他电池供电电路，这些应用需要在非常小尺寸的表面贴装封装中实现高端开关和低在线功率损耗
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    1个P沟道 耐压:150V 电流:9A
    型号：CMSC7315 编号：C19724752
    封装：DFN-8(3.3x3.3)
    品牌：Cmos(广东场效应半导体)
    P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

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    耐压:30V 电流:80A
    型号：D3R6N30 编号：C5156807
    封装：TO-252W
    品牌：晶导微电子
    D3R6N30是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。先进的技术和单元结构使该产品具有低导通电阻、出色的开关性能和高雪崩击穿电压。该产品广泛应用于不间断电源和逆变系统的电源管理领域。
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:15.4A
    型号：SK15N10 编号：C2999132
    封装：TO-252
    品牌：SHIKUES(时科)
    SK15N10是一款N沟道增强型功率场效应晶体管，采用了Force - MOS专利的扩展沟槽栅极（ETG）技术。这项先进技术专门用于最小化导通电阻和栅极电荷，并增强雪崩能力。这些器件特别适用于中压应用，如充电器、适配器、笔记本电脑电源管理及其他照明调光供电电路，以及需要极低线路功率损耗的超小外形表面贴装封装应用
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：CMU60P06 编号：C5371910
    封装：TO-251
    品牌：Cmos(广东场效应半导体)
    这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于电源管理电路。典型应用包括PWM DC-DC转换器、便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、电池充电器、电信电源系统和电话电源系统）的电源管理
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