场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存_参数-立创商城

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确，当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式，请检查后重新上传

BOM正在分析中...

首页 > 热门关键词 > 场效应晶体管

综合排序价格销量

-

现货商品

折扣

符合条件商品：共4038件

图片

关键参数

描述

价格(含税)

库存

操作

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：GV3407-VB 编号：C5179547

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.52921 ￥0.6226
50+
￥0.422365 ￥0.4969
150+
￥0.3689 ￥0.434
500+
￥0.328865 ￥0.3869
3000+
￥0.29682 ￥0.3492
6000+
￥0.280755 ￥0.3303

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：Si2377EDS-T1-GE3-VB 编号：C7463624

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
150+
￥0.36771 ￥0.4326
500+
￥0.327165 ￥0.3849
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：MGSF1N03LT1G-VB 编号：C7429065

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.52989 ￥0.6234
50+
￥0.42177 ￥0.4962
150+
￥0.36771 ￥0.4326
500+
￥0.327165 ￥0.3849
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：IRLML2803GTRPBF-VB 编号：C5444636

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.53465 ￥0.629
50+
￥0.4267 ￥0.502
150+
￥0.372725 ￥0.4385
500+
￥0.332265 ￥0.3909
3000+
￥0.29988 ￥0.3528
6000+
￥0.283645 ￥0.3337

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：AO3400A-VB 编号：C5240534

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.547485 ￥0.6441
50+
￥0.4386 ￥0.516
150+
￥0.384115 ￥0.4519
500+
￥0.34323 ￥0.4038
3000+
￥0.29699 ￥0.3494
6000+
￥0.280585 ￥0.3301

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：FDN371N-NL-VB 编号：C7463613

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.552415 ￥0.6499
50+
￥0.444295 ￥0.5227
150+
￥0.390235 ￥0.4591
500+
￥0.34969 ￥0.4114
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：IRLML9303TRPBF-VB 编号：C7463614

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.552415 ￥0.6499
50+
￥0.444295 ￥0.5227
150+
￥0.390235 ￥0.4591
500+
￥0.34969 ￥0.4114
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2335DS-T1-E3-VB 编号：C7463638

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.55352 ￥0.6512
50+
￥0.445655 ￥0.5243
150+
￥0.391765 ￥0.4609
500+
￥0.351305 ￥0.4133
3000+
￥0.29393 ￥0.3458
6000+
￥0.27778 ￥0.3268

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SSM3J328R-VB 编号：C7494583

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.57684 ￥0.6072
50+
￥0.456 ￥0.48
150+
￥0.39558 ￥0.4164
500+
￥0.350265 ￥0.3687
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：WPM3407-3/TR-VB 编号：C7494480

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.57684 ￥0.6072
50+
￥0.456 ￥0.48
150+
￥0.39558 ￥0.4164
500+
￥0.350265 ￥0.3687
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：APM2307AC-TRL-VB 编号：C19626806

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.57684 ￥0.6072
50+
￥0.456 ￥0.48
150+
￥0.39558 ￥0.4164
500+
￥0.350265 ￥0.3687
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

立即购买

1个N沟道耐压:20V 电流:6A

型号：NDS331N-NL-VB 编号：C558202

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

5+
￥0.58748 ￥0.6184
50+
￥0.46645 ￥0.491
150+
￥0.405935 ￥0.4273
500+
￥0.36062 ￥0.3796
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SI2319DS-T1-GE3-VB 编号：C558255

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.59223 ￥0.6234
50+
￥0.47139 ￥0.4962
150+
￥0.41097 ￥0.4326
500+
￥0.365655 ￥0.3849
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：IRLML2803TRPBF-VB 编号：C558175

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.5947 ￥0.626
50+
￥0.47386 ￥0.4988
150+
￥0.41344 ￥0.4352
500+
￥0.368125 ￥0.3875
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

立即购买

四路二输入或非门，高性能硅栅CMOS

型号：74HC02MT/TR 编号：C41415965

封装：TSSOP-14

品牌：HGSEMI(华冠)

特性：输出驱动能力：10个低功耗肖特基TTL负载。输出可直接与CMOS、NMOS和TTL接口。工作电压范围：2.0至6.0V。低输入电流：1.0A。具有CMOS器件的高抗噪特性。符合JEDEC标准7A的要求。 ESD性能：人体模型2000V；机器模型200V。芯片复杂度：40个场效应晶体管或10个等效门。这些是无铅器件

5+
￥0.5957
50+
￥0.4709
150+
￥0.4085
500+
￥0.3617
2500+
￥0.3243
5000+
￥0.3055

有货

立即购买

N沟道,电流:6.5A,耐压:30V

型号：DMN3404L-7-F-VB 编号：C3040307

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.5985 ￥0.63
50+
￥0.47766 ￥0.5028
150+
￥0.41724 ￥0.4392
500+
￥0.371925 ￥0.3915
3000+
￥0.33573 ￥0.3534
6000+
￥0.317585 ￥0.3343

有货

立即购买

1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：AO3400-VB 编号：C693097

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.600685 ￥0.6323
50+
￥0.479845 ￥0.5051
150+
￥0.419425 ￥0.4415
500+
￥0.37411 ￥0.3938
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:5.4A

型号：IRLML5203TRPBF-VB 编号：C558176

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.604865 ￥0.6367
50+
￥0.484025 ￥0.5095
150+
￥0.423605 ￥0.4459
500+
￥0.37829 ￥0.3982
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

立即购买

P沟道MOSFET,电流:-5.6A,耐压:-30V

型号：MI3407-VB 编号：C3040332

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.611325 ￥0.6435
50+
￥0.490485 ￥0.5163
150+
￥0.430065 ￥0.4527
500+
￥0.38475 ￥0.405
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

立即购买

1个P沟道耐压:12V 电流:5.5A

型号：SI2333DDS-T1-GE3-MS 编号：C5343298

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥0.6789
50+
￥0.5397
150+
￥0.4701
500+
￥0.4179
3000+
￥0.3617
6000+
￥0.3408

有货

立即购买

1个N沟道耐压:40V 电流:80A

型号：FH1604G 编号：C2929036

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：鑫飞宏

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效率快速开关应用

数据手册

5+
￥0.8179
50+
￥0.7116
150+
￥0.6661
500+
￥0.6092
2500+
￥0.5465
5000+
￥0.5313

有货

立即购买

耐压:30V 电流:80A

型号：D3R6N30 编号：C5156807

封装：TO-252W

品牌：晶导微电子

D3R6N30是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。先进的技术和单元结构使该产品具有低导通电阻、出色的开关性能和高雪崩击穿电压。该产品广泛应用于不间断电源和逆变系统的电源管理领域。

数据手册

5+
￥0.8464
50+
￥0.6736
150+
￥0.5872
500+
￥0.5224

有货

立即购买

P沟道，30V（D-S）MOSFET

型号：CMD30P03 编号：C17702027

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P- Channel 增强模式功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

5+
￥0.8987 ￥0.946
50+
￥0.70566 ￥0.7428
150+
￥0.62301 ￥0.6558
500+
￥0.519745 ￥0.5471
2500+
￥0.473765 ￥0.4987
5000+
￥0.446215 ￥0.4697

有货

立即购买

1个N沟道耐压:100V 电流:12A

型号：BRCS850N10SDPQ 编号：C36499023

封装：TO-252

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

AEC-Q101车规场效应晶体管

5+
￥1.0044
50+
￥0.8771
150+
￥0.8226
500+
￥0.7545

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:9A

型号：FDS4435BZ-NL-VB 编号：C6705260

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

5+
￥1.00555 ￥1.183
50+
￥0.982005 ￥1.1553
150+
￥0.966365 ￥1.1369
500+
￥0.95064 ￥1.1184

有货

立即购买

N沟道，40V，60A，5.9mΩ@10V,20A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AOD4184A(ES) 编号：C42434099

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

AOD4184A(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.0915
50+
￥0.8646
150+
￥0.7674
500+
￥0.646

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:38A

型号：NTD25P03LG-VB 编号：C725129

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，是一种多功能、高性能的电子器件，适用于许多不同的应用领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-38A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥1.139 ￥1.34
10+
￥1.1135 ￥1.31
30+
￥1.0965 ￥1.29
100+
￥1.0795 ￥1.27

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：FDC602P-VB 编号：C709955

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.176825 ￥1.3845
50+
￥0.924035 ￥1.0871
150+
￥0.815745 ￥0.9597
500+
￥0.680595 ￥0.8007
3000+
￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：FDC638P-VB 编号：C878863

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.176825 ￥1.3845
50+
￥0.924035 ￥1.0871
150+
￥0.815745 ￥0.9597
500+
￥0.680595 ￥0.8007
3000+
￥0.620415 ￥0.7299
6000+
￥0.58429 ￥0.6874

有货

立即购买

2个N沟道耐压:20V 电流:2.6A

型号：NTJD4001NT1G-VB 编号：C3040316

封装：SOT-363

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。SC70；2个N—Channel沟道,20V；2.6A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；

数据手册

5+
￥1.23981 ￥1.4586
50+
￥0.98396 ￥1.1576
150+
￥0.874395 ￥1.0287
500+
￥0.73763 ￥0.8678
3000+
￥0.676685 ￥0.7961
6000+
￥0.640135 ￥0.7531

有货

立即购买

共135页，4038条记录到页

<上一页
1
...
22
23
24
25
26
...
135
下一页

立创商城为您提供场效应晶体管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息，为您购买场效应晶体管提供详细信息

您的浏览器版本过低（IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式），存在严重安全漏洞，请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
推荐您下载并使用立创商城APP 或者最新版谷歌浏览器、火狐浏览器、360浏览器、搜狗浏览器、QQ浏览器的极（高）速模式进行访问。

海量现货

70万种现货SKU

品类不断扩充中
闪电发货

科技智能大仓储

最快4小时发货
严控渠道

正品有保障

物料可追溯
降低成本

明码标价节省时间

一站式采购元器件

成员网站：

立创芯应用
面板定制
立创工业品
嘉立创社区
3D打印
嘉立创FPC
嘉立创PCB
嘉立创FA
立创电子设计大赛
立创开源硬件
Global Website LCSC
中信华PCB

© 深圳市立创电子商务有限公司版权所有

粤公网安备 44030402002194号

粤ICP备13005967号

|

提示

您确定要删除此收货地址的吗？

请填写订单取消原因

提示

您确定删除此收货地址吗？

成功提示

content

失败提示

content

提示

content