场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：DFN5x6-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于DC-DC转换器、电源开关和逆变器、高效率和高功率密度的应用中。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-100A；RDS(ON)=3.2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥7.828 ￥8.24
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￥6.422 ￥6.76
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￥5.6525 ￥5.95
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￥4.7785 ￥5.03
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￥4.7025 ￥4.95
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￥4.522 ￥4.76

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型号：IPP045N10N3G-VB 编号：C20417748

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款采用Trench技术的单N沟道场效应晶体管，适用于中功率的应用场合，可用于多种功率电子设备和电源管理模块中。TO220；N—Channel沟道,100V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4V；

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￥8.2025 ￥9.65
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￥6.885 ￥8.1
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￥6.0605 ￥7.13
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￥5.2105 ￥6.13
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￥4.828 ￥5.68
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￥4.6665 ￥5.49

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型号：IRL540NSTRLPBF 编号：C513158

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代 HEXFET 功率场效应晶体管采用先进的工艺技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合 HEXFET 功率 MOSFET 闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，适用于各种应用场景。D2Pak 是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达 HEX - 4 的芯片

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￥8.3
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￥6.89
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￥6.12
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￥5.25
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￥4.86

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型号：NTMFS015N10MCLT1G-VB 编号：C45662520

封装：DFN-8(5x6)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；DFN8(5X6)；N—Channel沟道,100V；65A；RDS(ON)=8.7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域，为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。

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￥9.0915 ￥9.57
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￥7.5905 ￥7.99
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￥6.764 ￥7.12
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￥5.8235 ￥6.13
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￥5.2155 ￥5.49

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型号：SS6951A-ET-TP 编号：C3345073

封装：ETSSOP-28

品牌：LEADPOWER(率能)

双通道 H 桥电流控制电机驱动器：单个或两个有刷直流电机、一个步进电机。固定频率下电流控制可选择：2 bits 电流控制，提供 4 个电流台阶。低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)：24V，Ta = 25°C 时可实现 4.0A 最大驱动电流；24V，Ta= 25°C 时 RDS(on)为 300mΩ（典型值 HS + LS）。最大工作耐压 50V。睡眠模式低电流。内置 3.3V 基准电压。带散热片的表面贴装封装。保护特性：过流保护 (OCP)；热关断 (TSD)；欠压闭锁(UVLO)；故障显示 Pin（nFAULT）。

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￥9.35
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￥7.85
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￥7.03
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￥5.4
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￥4.98
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￥4.8

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型号：HMC219BMS8GE 编号：C1526031

封装：MSOP-8-EP

品牌：ADI(亚德诺)

HMC219B 是一种超小型通用双平衡混频器，采用8引脚塑料表面贴装小型轮廓封装（MINI_SO_EP），带有外露焊盘。该无源单片微波集成电路（MMIC）混频器采用砷化镓（GaAs）金属半导体场效应晶体管（MESFET）工艺制造，无需外部元件或匹配电路。该器件可用作上变频器、下变频器、双相解调器或相位比较器，频率范围为2.5 GHz至7.0 GHz。

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1+
￥91.06
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￥86.98
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型号：AIMW120R035M1HXKSA1-HXY 编号：C52043408

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的电气性能和稳定性。在25℃环境下，连续漏极电流为63A，导通电阻低至32毫欧，有助于降低导通损耗，提升整体系统效率。碳化硅材料的采用提升了器件的耐高温能力与开关速度，适用于高频电源转换、高效整流、智能电网接口设备及高性能电力电子系统等应用场景。

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￥156.9495 ￥165.21
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￥149.4255 ￥157.29

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型号：SL2308 编号：C2918940

封装：SOT-23

品牌：Slkor(萨科微)

SL2308是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，并且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗

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35+
￥0.220139
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￥0.198835
500+
￥0.163876
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￥0.154698
2000+
￥0.138267

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型号：SI2301CDS-T1-GE3-MS 编号：C5343291

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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280+
￥0.248952
600+
￥0.212796
2000+
￥0.176585
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￥0.158884
20000+
￥0.144463

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型号：SI2312CDS-T1-GE3-VB 编号：C558251

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

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10+
￥0.229805 ￥0.2419
100+
￥0.224865 ￥0.2367
300+
￥0.221635 ￥0.2333
1000+
￥0.21831 ￥0.2298

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型号：RC3422 编号：C5443952

封装：SOT-23-3

品牌：RealChip(正芯半导体)

RC3422是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低。这些器件特别适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要采用小外形表面贴装封装进行高端开关且降低在线功率损耗的电池供电电路

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20+
￥0.2346
200+
￥0.1827
600+
￥0.1539

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型号：FDN338P 编号：C5343313

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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10+
￥0.25092 ￥0.2788
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￥0.19692 ￥0.2188
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￥0.16992 ￥0.1888
3000+
￥0.14967 ￥0.1663
6000+
￥0.13347 ￥0.1483
9000+
￥0.12537 ￥0.1393

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型号：IRLM2502TRPBF-VB 编号：C6705284

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.35054 ￥0.4124
100+
￥0.2771 ￥0.326
300+
￥0.24038 ￥0.2828
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￥0.21284 ￥0.2504
6000+
￥0.190825 ￥0.2245
9000+
￥0.179775 ￥0.2115

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型号：WNM2077-3/TR 编号：C239779

封装：SOT-723

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM2077是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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20+
￥0.3563
200+
￥0.2927
600+
￥0.2466
2000+
￥0.2085

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型号：SDI2085 编号：C962719

封装：DFN-6L(2x2)

品牌：SHIKUES(时科)

P-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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5+
￥0.35917 ￥0.5131
50+
￥0.28392 ￥0.4056
150+
￥0.24626 ￥0.3518
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￥0.21805 ￥0.3115
3000+
￥0.18697 ￥0.2671
6000+
￥0.1757 ￥0.251

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型号：TSM2312CX RF-VB 编号：C7463683

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.359975 ￥0.4235
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￥0.286535 ￥0.3371
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￥0.249815 ￥0.2939
3000+
￥0.222275 ￥0.2615
6000+
￥0.200175 ￥0.2355
9000+
￥0.18921 ￥0.2226

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型号：IRLML5203 编号：C5343306

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

P-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

10+
￥0.360995 ￥0.4247
100+
￥0.287555 ￥0.3383
300+
￥0.250835 ￥0.2951
3000+
￥0.223295 ￥0.2627
6000+
￥0.201195 ￥0.2367
9000+
￥0.19023 ￥0.2238

有货

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型号：AM2302N-T1-PF-VB 编号：C6705248

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.3638 ￥0.428
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￥0.29036 ￥0.3416
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￥0.25364 ￥0.2984
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￥0.2261 ￥0.266
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￥0.204 ￥0.24
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￥0.193035 ￥0.2271

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型号：MGSF2N02ELT1G-VB 编号：C4355119

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.3638 ￥0.428
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￥0.29036 ￥0.3416
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￥0.25364 ￥0.2984
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￥0.2261 ￥0.266
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￥0.204 ￥0.24
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￥0.193035 ￥0.2271

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型号：NDS0605-NL-VB 编号：C4355107

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

10+
￥0.36805 ￥0.433
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￥0.294865 ￥0.3469
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￥0.25823 ￥0.3038
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￥0.221595 ￥0.2607
6000+
￥0.199665 ￥0.2349
9000+
￥0.188615 ￥0.2219

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型号：IRLML6246TRPBF-VB 编号：C7463555

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.372385 ￥0.4381
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￥0.298945 ￥0.3517
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￥0.262225 ￥0.3085
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￥0.214625 ￥0.2525
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￥0.192525 ￥0.2265
9000+
￥0.18156 ￥0.2136

有货

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型号：IRFML8244TRPBF-VB 编号：C7429038

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.375275 ￥0.4415
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￥0.301835 ￥0.3551
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￥0.265115 ￥0.3119
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￥0.222275 ￥0.2615
6000+
￥0.200175 ￥0.2355
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￥0.18921 ￥0.2226

有货

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型号：NTR4501NT1G-VB 编号：C7429090

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.39178 ￥0.4124
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￥0.23788 ￥0.2504
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￥0.200925 ￥0.2115

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型号：TN0200TS-T1-E3-VB 编号：C5878863

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.39178 ￥0.4124
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￥0.3097 ￥0.326
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￥0.23788 ￥0.2504
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￥0.200925 ￥0.2115

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型号：SI2302ADS-T1-GE3-VB 编号：C6705304

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.40888 ￥0.4304
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￥0.3268 ￥0.344
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￥0.23788 ￥0.2504
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￥0.213275 ￥0.2245
9000+
￥0.200925 ￥0.2115

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型号：STS2306-VB 编号：C878841

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.40888 ￥0.4304
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￥0.3268 ￥0.344
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￥0.28576 ￥0.3008
3000+
￥0.23788 ￥0.2504
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￥0.213275 ￥0.2245
9000+
￥0.200925 ￥0.2115

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型号：2N7002HWX 编号：C3280967

封装：SOT-323

品牌：Nexperia(安世)

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于非常小的 SOT323 (SC-70) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

10+
￥0.4177
100+
￥0.3341
300+
￥0.2924
3000+
￥0.261
6000+
￥0.236
9000+
￥0.2234

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型号：SQ2310ES-T1-GE3-VB 编号：C7568821

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.419425 ￥0.4415
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￥0.337345 ￥0.3551
300+
￥0.296305 ￥0.3119
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￥0.23788 ￥0.2504
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￥0.213275 ￥0.2245
9000+
￥0.200925 ￥0.2115

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型号：NDS351AN-NL-VB 编号：C7429078

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.51612 ￥0.6072
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￥0.408 ￥0.48
150+
￥0.35394 ￥0.4164
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￥0.313395 ￥0.3687
3000+
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型号：ST2306S23RG-VB 编号：C879105

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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