场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-252

CS4N80 A4HD - G是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低传导损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准

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￥2.83
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￥2.19
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￥1.92
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￥1.34

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型号：PMV27UPER 编号：C5311569

封装：SOT-23-3

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：CMF11N60 编号：C6939713

封装：TO-220F

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用先进技术生产。这项最新技术经过专门设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

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￥1.95
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型号：AOD4184-VB 编号：C879026

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

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￥3.383 ￥3.98
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￥1.683 ￥1.98

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型号：NT2955G-VB 编号：C558206

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥3.439 ￥3.62
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￥1.672 ￥1.76

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型号：IRF1404PBF(ES) 编号：C42412305

封装：TO-220

品牌：ElecSuper(静芯)

IRF1404PBF(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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￥3.53
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￥3.13
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￥2.74

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型号：BSO615NG-VB 编号：C693398

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥3.689 ￥4.34
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￥2.6945 ￥3.17
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￥1.632 ￥1.92

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型号：IRFB7440PBF(ES) 编号：C42412304

封装：TO-220

品牌：ElecSuper(静芯)

IRFB7440PBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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￥3.77
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￥1.98

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型号：RU30L30M-VB 编号：C725148

封装：DFN3x3-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造。适用于多种电路应用，能够提供可靠的功率控制和保护。DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-30V；-45A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-2.8V；

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￥3.781 ￥3.98
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￥1.957 ￥2.06

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型号：IRFR540ZTRPBF-VB 编号：C558166

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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￥4.864 ￥5.12
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￥3.9615 ￥4.17
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￥3.5055 ￥3.69
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￥2.4415 ￥2.57

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型号：PBSM5240PFH,115 编号：C551819

封装：SOT-1118

品牌：Nexperia(安世)

组合了 PNP 低 VCEsat 小信号突破 (BISS) 晶体管和 N 沟道沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。该器件采用无引脚中功率 DFN2020-6 (SOT1118) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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￥5.15
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￥5.06
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￥4.99
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￥4.7328 ￥4.93

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型号：IRF3205ZPBF-VB 编号：C7429007

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于电动汽车电源模块、工业电力系统、太阳能逆变器、高性能电源模块、工业自动化控制系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；120A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

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￥5.542 ￥6.52
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￥4.4625 ￥5.25
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￥2.907 ￥3.42

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型号：CMSA006N12 编号：C5337958

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA006N12采用先进技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适合用作低端通用场效应晶体管（FET）。

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￥3.08

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型号：PMPB95ENEAX 编号：C458195

封装：SOT1220

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无铅中功率OFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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￥5.87
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￥3.696 ￥3.85
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型号：PMPB10XNEZ 编号：C478013

封装：DFN2020MD-6

品牌：Nexperia(安世)

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，采用无铅中功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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￥6.04
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￥4.48
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￥3.3504 ￥3.49

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型号：IRFR3607TRPBF-VB 编号：C5137441

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于广泛的电子设备和系统，包括电源管理、汽车电子、工业自动化和电动工具等模块。TO252；N—Channel沟道,80V；75A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~4V；

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￥6.365 ￥6.7
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￥5.1585 ￥5.43
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￥4.5505 ￥4.79
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￥3.952 ￥4.16
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￥3.249 ￥3.42

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型号：IRFB4110PBF-VB 编号：C7568843

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术技术，适用于各种高功率电源管理和功率控制应用。TO220；N—Channel沟道,100V；180A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；

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￥6.528 ￥7.68
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￥6.3835 ￥7.51
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￥5.5845 ￥6.57
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￥5.491 ￥6.46

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型号：PHP20N06T,127 编号：C552645

封装：TO-220AB

品牌：Nexperia(安世)

采用TrenchMOS技术、塑料封装的标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。

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￥7.2051 ￥15.33
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￥4.7989 ￥12.97
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￥2.6973 ￥9.99
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￥2.511 ￥9.3
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￥2.4327 ￥9.01

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型号：CS25N50ANR 编号：C2900748

封装：TO-3P

品牌：CRMICRO(华润微)

CS25N50 ANR是一款硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P（N），符合RoHS标准

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1+
￥8.66
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￥7.16
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￥5.19
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￥4.26
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￥3.85
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￥3.67

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型号：IRL1404ZSPBF-VB 编号：C20417517

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。TO263；N—Channel沟道,40V；150A；RDS(ON)=1.7mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

1+
￥8.721 ￥9.18
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￥7.2105 ￥7.59
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￥6.384 ￥6.72
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￥5.4435 ￥5.73
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￥5.0255 ￥5.29
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￥4.845 ￥5.1

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型号：IRF4905PBF-VB 编号：C558142

封装：TO-220AB

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于直流-直流转换器、功率因数校正模块等领域。TO220；P—Channel沟道,-60V；-50A；RDS(ON)=19mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥8.778 ￥9.24
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￥7.4765 ￥7.87
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￥6.1655 ￥6.49
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￥5.358 ￥5.64
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￥4.997 ￥5.26
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￥4.8355 ￥5.09

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型号：STB24NM60N-VB 编号：C7569064

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的单N沟道功率场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术，具有优异的性能和可靠性，广泛应用于需要高性能功率控制和开关功能的各种电子应用，包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。TO263；N—Channel沟道,650V；20A；RDS(ON)=190mΩ@VGS=10V,VGS=30V；Vth=2~4V；

1+
￥8.7805 ￥10.33
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￥8.5765 ￥10.09
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￥8.432 ￥9.92
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￥8.296 ￥9.76

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型号：FDB3632-VB 编号：C7569120

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种需要中等电压、大电流和低导通电阻的应用领域，为不同领域的模块提供了可靠的功率开关解决方案。TO263；N—Channel沟道,100V；140A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥9.5855 ￥10.09
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￥8.113 ￥8.54
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￥7.1915 ￥7.57
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￥6.2415 ￥6.57
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￥5.6335 ￥5.93

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型号：TPS92641PWPT/NOPB 编号：C1879929

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

TPS92640 和 TPS92641 器件是用于降压电流稳压器的高电压、同步 N 沟道场效应晶体管(NFET) 控制器。输出电流调节基于采用导通时间受控架构的谷值电流模式操作方式。这种控制方法可简化环路补偿设计，同时使开关频率维持在近似恒定的水平。TPS92640 和 TPS92641 器件包含一个高电压启动稳压器，该稳压器在 7V 至 85V 的宽输入范围内工作。PWM 控制器专为高速性能而设计，振荡器频率范围高达 1MHz。高侧和低侧栅极驱动器之间的死区时间进行了优化，以在宽输入工作电压和输出功率范围内高效运行。TPS92640 和 TPS92641 能够接收模拟和 PWM 输入信号，因此可提供优异的调光控制范围。输入命令和 LED 电流之间的线性响应特性可通过使用低偏移误差放大器和专用 PWM 调光逻辑实现真正的零 LED 电流的方式实现。两种器件还具备为低功耗微控制器提供精密基准电流的能力。保护特性包括：逐周期电流保护、过压保护和热关断。TPS92641 器件包含一个用于高分辨率 PWM 调光的分流 FET 调光输入和 MOSFET 驱动器。

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1+
￥10.91
10+
￥8.92
30+
￥7.68
250+
￥6.41
500+
￥5.84
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￥5.59

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型号：PXP6R1-30QLJ 编号：C6953790

封装：MLPAK-33

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽MOSFET技术、MLPAK33（SOT8002）表面贴装器件（SMD）塑料封装的P沟道增强型场效应晶体管（FET）。

1+
￥12.32
10+
￥12.09
30+
￥11.93
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￥11.3088 ￥11.78

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型号：ACPL-W349-500E 编号：C691969

封装：SO-6-6.8mm

品牌：Broadcom(博通)

ACPL - P349/W349包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管（LED），该LED与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动功率转换应用中使用的碳化硅（SiC）/氮化镓（GaN）金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）。输出级的高工作电压范围可提供栅极控制器件所需的驱动电压

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1+
￥14.03
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￥10.58
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￥8.4672 ￥8.64
500+
￥7.8596 ￥8.02
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￥7.6048 ￥7.76

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型号：BUK9214-30A,118 编号：C549936

封装：DPAK

品牌：Nexperia(安世)

逻辑电平 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 TrenchMOS 技术封装在塑料外壳中。该产品已根据相应的 AEC 标准进行设计和认证，适用于汽车关键应用。

数据手册

1+
￥15.66
10+
￥15.34
30+
￥15.13
100+
￥14.4627 ￥14.91

有货

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型号：AIMW120R035M1HXKSA1-HXY 编号：C52043408

封装：TO-247

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的电气性能和稳定性。在25℃环境下，连续漏极电流为63A，导通电阻低至32毫欧，有助于降低导通损耗，提升整体系统效率。碳化硅材料的采用提升了器件的耐高温能力与开关速度，适用于高频电源转换、高效整流、智能电网接口设备及高性能电力电子系统等应用场景。

1+
￥156.9495 ￥165.21
30+
￥149.4255 ￥157.29

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型号：SM2306NSAC-TRG-VB 编号：C7494582

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

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￥0.19006 ￥0.2236
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￥0.185725 ￥0.2185
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￥0.18275 ￥0.215
1000+
￥0.179775 ￥0.2115

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型号：IRFML8244TRPBF-VB 编号：C7429038

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.214795 ￥0.2527
100+
￥0.210375 ￥0.2475
300+
￥0.2074 ￥0.244
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