场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

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￥2.108 ￥2.48
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￥1.666 ￥1.96
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￥1.479 ￥1.74
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￥1.241 ￥1.46
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￥1.139 ￥1.34
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￥1.0795 ￥1.27

有货

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型号：CD15RN06M 编号：C52754124

封装：TO-252

品牌：ChipNobo(无边界)

N沟槽场效应晶体管

5+
￥2.1094
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￥1.6709
150+
￥1.483
500+
￥1.2485
2500+
￥1.1441

有货

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型号：MMDF3N04HDR2G-VB 编号：C5878828

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥2.2865 ￥2.69
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￥2.04 ￥2.4
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￥1.921 ￥2.26
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￥1.7935 ￥2.11
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￥1.615 ￥1.9
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￥1.5725 ￥1.85

有货

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型号：AP4435GM-VB 编号：C724977

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

5+
￥2.31154 ￥2.4332
50+
￥1.851835 ￥1.9493
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￥1.6549 ￥1.742
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￥1.23766 ￥1.3028
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￥1.12822 ￥1.1876
4000+
￥1.06248 ￥1.1184

有货

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型号：WSF07N50 编号：C5772682

封装：TO-252

品牌：WINSOK(微硕)

WSF07N50是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。

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￥2.35
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￥1.85
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￥1.63
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￥1.36
2500+
￥1.24
5000+
￥1.17

有货

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型号：STU9916L-VB 编号：C693161

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；

数据手册

1+
￥2.413 ￥2.54
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￥1.919 ￥2.02
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￥1.71 ￥1.8
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￥1.444 ￥1.52
500+
￥1.216 ￥1.28
1000+
￥1.14 ￥1.2

有货

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型号：VBZA4409 编号：C700584

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.414 ￥2.84
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￥2.1505 ￥2.53
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￥2.0315 ￥2.39
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￥1.8955 ￥2.23
500+
￥1.4705 ￥1.73
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￥1.428 ￥1.68

有货

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型号：TPC8119-VB 编号：C18212504

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥2.4735 ￥2.91
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￥1.9635 ￥2.31
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￥1.7425 ￥2.05
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￥1.4705 ￥1.73
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￥1.3515 ￥1.59
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￥1.275 ￥1.5

有货

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型号：2SJ360-VB 编号：C724947

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于小型功率电路，具有良好的散热性能和安装方便性。 SOT89-3；P—Channel沟道,-60V；-6.5A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.489 ￥2.62
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￥1.995 ￥2.1
30+
￥1.7765 ￥1.87
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￥1.52 ￥1.6
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￥1.14 ￥1.2

有货

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型号：FDMC2514SDC-VB 编号：C693293

封装：DFN3x3-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。DFN8(3X3)；N—Channel沟道,30V；60A；RDS(ON)=4mΩ@VGS=4.5V,VGS=20V；Vth=0.5~1.5V；

数据手册

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￥2.584 ￥3.04
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￥2.2865 ￥2.69
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￥2.142 ￥2.52
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￥1.9975 ￥2.35
500+
￥1.7935 ￥2.11
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￥1.751 ￥2.06

有货

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型号：ESE01P30K 编号：C42434097

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ESE01P30K 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

1+
￥2.59
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￥2.03
30+
￥1.79
100+
￥1.5
500+
￥1.37
1000+
￥1.29

有货

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型号：IRLU024NPBF-VB 编号：C558184

封装：TO-251

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较大的电压容忍度，可提供良好的电路灵活性。适用于电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。TO251；N—Channel沟道,60V；35A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

数据手册

1+
￥2.7455 ￥2.89
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￥2.185 ￥2.3
30+
￥1.938 ￥2.04
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￥1.5295 ￥1.61
480+
￥1.387 ￥1.46
800+
￥1.311 ￥1.38

有货

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型号：AO4413-VB 编号：C4355070

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.8985 ￥3.41
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￥2.2695 ￥2.67
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￥1.9975 ￥2.35
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￥1.6575 ￥1.95
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￥1.5045 ￥1.77
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￥1.4195 ￥1.67

有货

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型号：FDS86240-VB 编号：C19188130

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能的单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，适用于多种电子领域和模块。SOP8；N—Channel沟道,150V；7.7A；RDS(ON)=4.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；

1+
￥3.097 ￥3.26
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￥3.0305 ￥3.19
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￥2.983 ￥3.14
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￥2.945 ￥3.1

有货

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型号：FQD11P06TM-VB 编号：C879148

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.179 ￥3.74
10+
￥2.584 ￥3.04
30+
￥2.2865 ￥2.69
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￥1.9975 ￥2.35
500+
￥1.819 ￥2.14
1000+
￥1.7255 ￥2.03

有货

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型号：AOD407-VB 编号：C693407

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.366 ￥3.96
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￥2.771 ￥3.26
30+
￥2.4735 ￥2.91
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￥2.176 ￥2.56
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￥1.9975 ￥2.35
1000+
￥1.904 ￥2.24

有货

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型号：IRF1404PBF(ES) 编号：C42412305

封装：TO-220

品牌：ElecSuper(静芯)

IRF1404PBF(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

1+
￥3.4
10+
￥3
50+
￥2.8
100+
￥2.61

有货

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型号：IRFR4510TRPBF-VB 编号：C5878814

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单晶N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、电动汽车充电模块、太阳能逆变器模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；85A；RDS(ON)=8.5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~4V；

1+
￥3.553 ￥3.74
10+
￥3.477 ￥3.66
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￥3.4295 ￥3.61
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￥3.382 ￥3.56

有货

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型号：VBE1405 编号：C416254

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

数据手册

1+
￥3.587 ￥4.22
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￥2.941 ￥3.46
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￥2.618 ￥3.08
100+
￥2.295 ￥2.7
500+
￥2.0995 ￥2.47
1000+
￥1.9975 ￥2.35

有货

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型号：IRF1404ZPBF(ES) 编号：C42412306

封装：TO-220

品牌：ElecSuper(静芯)

IRF1404ZPBF(ES) 是一款 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。它采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

1+
￥3.99
10+
￥3.22
50+
￥2.83
100+
￥2.44
500+
￥2.21
1000+
￥2.09

有货

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型号：SI4948BEY-T1-E3-VB 编号：C558271

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥4.1565 ￥4.89
10+
￥3.4 ￥4
30+
￥3.026 ￥3.56
100+
￥2.652 ￥3.12
500+
￥2.4225 ￥2.85
1000+
￥2.3035 ￥2.71

有货

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型号：PDC6974X-5 编号：C49318071

封装：DFN-8(5x6)

品牌：luJing(鲁晶)

N-沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

1+
￥4.351 ￥4.58
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￥3.534 ￥3.72
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￥3.1255 ￥3.29
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￥2.717 ￥2.86
500+
￥2.47 ￥2.6
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￥2.3465 ￥2.47

有货

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型号：ESGNU04R02 编号：C42412307

封装：TO-220

品牌：ElecSuper(静芯)

ESGNU04R02是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于直流-直流转换、电源开关和充电电路

1+
￥4.44
10+
￥3.57
50+
￥3.14
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￥2.71
500+
￥2.46
1000+
￥2.32

有货

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型号：SI9948AEY-T1-E3-VB 编号：C558277

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥4.4555 ￥4.69
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￥3.61 ￥3.8
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￥3.1825 ￥3.35
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￥2.7645 ￥2.91
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￥2.4035 ￥2.53
1000+
￥2.2705 ￥2.39

有货

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型号：BUK7227-100B,118 编号：C549807

封装：DPAK

品牌：Nexperia(安世)

标准电平 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 TrenchMOS 技术封装在塑料外壳中。该产品已根据相应的 AEC 标准进行设计和认证，适用于汽车关键应用。

数据手册

1+
￥4.5423 ￥9.27
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￥3.3345 ￥8.55
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￥2.3461 ￥8.09
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￥2.2127 ￥7.63
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￥2.1518 ￥7.42
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￥2.1257 ￥7.33

有货

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型号：IRFR3410TRPBF-VB 编号：C6705280

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

1+
￥4.8355 ￥5.09
10+
￥3.933 ￥4.14
30+
￥3.477 ￥3.66
100+
￥3.0305 ￥3.19
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￥2.7645 ￥2.91
1000+
￥2.622 ￥2.76

有货

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型号：IRFR1010ZTRPBF-VB 编号：C7429041

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥4.998 ￥5.88
10+
￥4.0205 ￥4.73
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￥3.536 ￥4.16
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￥3.0515 ￥3.59
500+
￥2.7625 ￥3.25
1000+
￥2.618 ￥3.08

有货

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型号：CPC3960ZTR 编号：C3280038

封装：SOT-223

品牌：Littelfuse/IXYS

CPC3960是一款600V N沟道耗尽型场效应晶体管（FET），采用专有的垂直双扩散金属氧化物半导体（DMOS）工艺制造。该工艺可生产出具有高输入阻抗的坚固器件，能以经济的硅栅架构实现高压MOSFET性能。与所有MOS器件一样，该FET结构可防止热失控和热致二次击穿，这使得CPC3960非常适合用于高功率应用

1+
￥5.62
10+
￥4.54
30+
￥4
100+
￥3.46
500+
￥3.14
1000+
￥2.98

有货

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型号：TPS92641PWPT/NOPB 编号：C1879929

封装：HTSSOP-16-EP

品牌：TI(德州仪器)

TPS92640 和 TPS92641 器件是用于降压电流稳压器的高电压、同步 N 沟道场效应晶体管(NFET) 控制器。输出电流调节基于采用导通时间受控架构的谷值电流模式操作方式。这种控制方法可简化环路补偿设计，同时使开关频率维持在近似恒定的水平。TPS92640 和 TPS92641 器件包含一个高电压启动稳压器，该稳压器在 7V 至 85V 的宽输入范围内工作。PWM 控制器专为高速性能而设计，振荡器频率范围高达 1MHz。高侧和低侧栅极驱动器之间的死区时间进行了优化，以在宽输入工作电压和输出功率范围内高效运行。TPS92640 和 TPS92641 能够接收模拟和 PWM 输入信号，因此可提供优异的调光控制范围。输入命令和 LED 电流之间的线性响应特性可通过使用低偏移误差放大器和专用 PWM 调光逻辑实现真正的零 LED 电流的方式实现。两种器件还具备为低功耗微控制器提供精密基准电流的能力。保护特性包括：逐周期电流保护、过压保护和热关断。TPS92641 器件包含一个用于高分辨率 PWM 调光的分流 FET 调光输入和 MOSFET 驱动器。

数据手册

1+
￥5.94
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￥5.8
30+
￥5.7
100+
￥5.61

有货

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型号：CS60N20A8R 编号：C38402991

封装：TO-220AB

品牌：CRMICRO(华润微)

CS60N20 A8R是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管可应用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高的效率。其封装形式为TO - 220AB，符合RoHS标准

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￥6.64
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￥5.41
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￥4.79
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￥4.18
500+
￥3.81

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