场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

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￥0.60059 ￥0.6322
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型号：SI2305CDS 编号：C5343300

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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￥0.644955 ￥0.6789
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型号：XP162A12A6PR-VB 编号：C5444654

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中。SOT89-3；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥0.831345 ￥0.8751
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型号：CMSC7315 编号：C19724752

封装：DFN-8(3.3x3.3)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

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型号：FDS9435A-NL-VB 编号：C725040

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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￥0.901455 ￥0.9489
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型号：CN3304 编号：C3034874

封装：SOP-8

品牌：CONSONANCE(上海如韵)

CN3304是一款PFM升压型四节锂电池充电控制集成电路。CN3304输入电压范围2.7V到6.5V，内部集成有基准电压源，电感电流检测单元，电池电压检测电路，输出过压保护电路，电池电压过低保护单元，控制单元和片外场效应晶体管驱动电路等，非常适合5V输入，为四节锂电池的充电控制应用，具有外部元件少，功能多，电路简单等优点。

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型号：FDC602P-VB 编号：C709955

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥1.176825 ￥1.3845
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￥0.924035 ￥1.0871
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型号：ZVN2106GTA-VB 编号：C19188225

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

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￥1.178285 ￥1.2403
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￥1.15387 ￥1.2146
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￥1.137625 ￥1.1975
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型号：PMF63UNEX 编号：C552952

封装：SOT-323

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用非常小的SOT323 (SC-70) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：H2SK3078A 编号：C22461936

封装：SOT-89

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款高频场效应晶体管为N沟道类型，漏源电压12V，连续漏极电流0.5A，功率3W。适用于各类小型电子设备，在高频电路中表现出色。可用于信号放大、开关控制等，满足多种日常电子设备的高频电路需求。

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￥1.25838 ￥1.3982
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￥0.88794 ￥0.9866
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￥0.74925 ￥0.8325
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￥0.68751 ￥0.7639
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￥0.65052 ￥0.7228

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型号：AO4425-VB 编号：C5137426

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥1.3205 ￥1.39
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￥1.292 ￥1.36
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型号：SI9435DY-T1-E3-VB 编号：C5878849

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

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￥1.435565 ￥1.6889
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￥1.11877 ￥1.3162
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￥0.710345 ￥0.8357

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型号：AOD484-VB 编号：C558069

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；

数据手册

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￥1.48393 ￥1.7458
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￥1.31019 ￥1.5414
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￥1.23573 ￥1.4538
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￥0.96798 ￥1.1388
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￥0.94316 ￥1.1096

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型号：PMN280ENEAX 编号：C552975

封装：SOT-457

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT457 (SC-74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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￥1.5068
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￥1.4782
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￥1.4591
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￥1.3824 ￥1.44

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型号：SI4840DY-T1-E3-VB 编号：C558269

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，具有优良的电气特性和可靠性，适用于低功率控制和驱动应用，包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,40V；10A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

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￥1.539 ￥1.62
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￥1.5105 ￥1.59
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￥1.482 ￥1.56
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￥1.463 ￥1.54

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型号：CMD100P03 编号：C5203757

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

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￥1.5951
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￥1.2683
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￥0.9536
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￥0.8758
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￥0.7554

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型号：PMCB60XNZ 编号：C3290146

封装：SOT-883

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DSN1006 - 3（SOT8026）表面贴装器件（SMD）封装。

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￥1.65
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￥1.62
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￥1.5168 ￥1.58

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型号：ESE6080A 编号：C42412247

封装：TO-220

品牌：ElecSuper(静芯)

ESE6080A 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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￥1.7599
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￥1.3819
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￥1.2199
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￥1.0178
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￥0.8738

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型号：PMN55ENEAX 编号：C552993

封装：SOT-457

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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￥1.8117
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￥1.4647
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￥1.316
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￥1.08528 ￥1.1305
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￥1.005888 ￥1.0478
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￥0.958368 ￥0.9983

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型号：HGD032N04A 编号：C21726234

封装：TO-252

品牌：CRMICRO(华润微)

HGD032N04A是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用高密度沟槽技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。此器件适用于作为负载开关和脉冲宽度调制（PWM）应用。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准

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￥1.83
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￥1.61
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￥1.51
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￥1.39
500+
￥1.27
1000+
￥1.24

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型号：CMSA012N06 编号：C5203856

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA012N06采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并将电源转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于开关模式电源(SMPS)中的低端场效应晶体管(FET)、负载开关及通用应用。

数据手册

1+
￥1.8993
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￥1.5104
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￥1.3437
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￥1.1358
500+
￥0.8736
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￥0.818

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型号：CD15RN06M 编号：C52754124

封装：TO-252

品牌：ChipNobo(无边界)

N沟槽场效应晶体管

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￥2.1094
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￥1.6709
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￥1.483
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￥1.2485
2500+
￥1.1441

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型号：NIF5002NT1G-VB 编号：C693080

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

5+
￥2.161535 ￥2.2753
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￥1.73546 ￥1.8268
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￥1.552775 ￥1.6345
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￥1.14741 ￥1.2078
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￥1.04595 ￥1.101
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￥0.985055 ￥1.0369

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型号：IRF1404ZPBF(ES) 编号：C42412306

封装：TO-220

品牌：ElecSuper(静芯)

IRF1404ZPBF(ES) 是一款 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。它采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

1+
￥2.21
10+
￥2.16
50+
￥2.13
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￥2.09

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型号：CEM4435A-VB 编号：C709930

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

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￥2.394 ￥2.52
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￥1.9 ￥2
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￥1.6815 ￥1.77
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￥1.425 ￥1.5
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￥1.216 ￥1.28
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￥1.14 ￥1.2

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型号：STU9916L-VB 编号：C693161

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；

数据手册

1+
￥2.413 ￥2.54
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￥1.919 ￥2.02
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￥1.71 ￥1.8
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￥1.444 ￥1.52
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￥1.216 ￥1.28
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￥1.14 ￥1.2

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型号：IRFR48ZTRPBF-VB 编号：C5137371

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.55 ￥3
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￥2.278 ￥2.68
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￥2.142 ￥2.52
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￥2.006 ￥2.36
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￥1.9295 ￥2.27
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￥1.887 ￥2.22

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型号：ESE01P30K 编号：C42434097

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ESE01P30K 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

1+
￥2.59
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￥2.04
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￥1.8
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￥1.51
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￥1.37
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￥1.3

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型号：SI3459BDV-T1-GE3 编号：C727509

封装：TSOP-6

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。 100%进行Rg测试。应用：负载开关。 P沟道MOSFET

数据手册

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￥2.72
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￥2.39
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￥2.23
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￥2.07
500+
￥1.97

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型号：AO4423-VB 编号：C693329

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.8002 ￥3.59
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￥1.938 ￥2.85
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￥1.4732 ￥2.54
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￥1.2412 ￥2.14
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