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N沟道,电流:4A,耐压:20V

型号：IRLML2502 编号：C5343305

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

N-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥0.4437 ￥0.522
50+
￥0.35343 ￥0.4158
150+
￥0.308295 ￥0.3627
500+
￥0.274465 ￥0.3229
3000+
￥0.24735 ￥0.291
6000+
￥0.233835 ￥0.2751

有货

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N沟道,电流:3A,耐压:60V

型号：YFW2310A 编号：C22459206

封装：SOT-23

品牌：YFW(佑风微)

特性：沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

5+
￥0.446785 ￥0.4703
50+
￥0.351975 ￥0.3705
150+
￥0.30457 ￥0.3206
500+
￥0.268945 ￥0.2831
3000+
￥0.24643 ￥0.2594
6000+
￥0.23218 ￥0.2444

有货

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P沟道，-30V，-5.8A，37.5mΩ@-10V,-5A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AO4459(ES) 编号：C42412323

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

AO4459(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
300+
￥0.3143

有货

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2个P沟道耐压:30V 电流:5.5A

型号：APM4953 编号：C5449078

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

这些双P沟道增强型功率场效应晶体管采用了沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用

数据手册

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
300+
￥0.3143
3000+
￥0.2783
6000+
￥0.2495
9000+
￥0.235

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:350mA

型号：2N7002DW-VB 编号：C7463463

封装：SC70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于广泛的电子设备和系统中。SC70-6，2个N—Channel沟道,60V；0.35A；RDS(ON)=1800mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

5+
￥0.479485 ￥0.5641
50+
￥0.385645 ￥0.4537
150+
￥0.338725 ￥0.3985
500+
￥0.303535 ￥0.3571
3000+
￥0.25585 ￥0.301
6000+
￥0.24174 ￥0.2844

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:170mA

型号：NX7002AKS,115 编号：C426837

封装：TSSOP-6(SOT-363)

品牌：Nexperia(安世)

双N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，封装在非常小的SOT363（SC-88）表面贴装器件（SMD）塑料封装中。

数据手册

10+
￥0.5072
100+
￥0.4117
300+
￥0.3639
3000+
￥0.3281
6000+
￥0.2994
9000+
￥0.2851

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：SI2306DS-T1-GE3-VB 编号：C6705305

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.531165 ￥0.6249
50+
￥0.423045 ￥0.4977
150+
￥0.368985 ￥0.4341
500+
￥0.32844 ￥0.3864
3000+
￥0.27795 ￥0.327
6000+
￥0.261715 ￥0.3079

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：FDN537N-NL-VB 编号：C7463589

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.53482 ￥0.6292
50+
￥0.42687 ￥0.5022
150+
￥0.372895 ￥0.4387
500+
￥0.33235 ￥0.391
3000+
￥0.299965 ￥0.3529
6000+
￥0.283815 ￥0.3339

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AO3421E-VB 编号：C557945

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.536095 ￥0.6307
50+
￥0.42789 ￥0.5034
150+
￥0.373745 ￥0.4397
500+
￥0.3332 ￥0.392
3000+
￥0.30073 ￥0.3538
6000+
￥0.284495 ￥0.3347

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：AP2305AGN-VB 编号：C724974

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.544425 ￥0.6405
50+
￥0.438175 ￥0.5155
150+
￥0.38505 ￥0.453
500+
￥0.345185 ￥0.4061
3000+
￥0.28968 ￥0.3408
6000+
￥0.2737 ￥0.322

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:6.5A

型号：IRLML6346TRPBF-VB 编号：C7429059

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.552415 ￥0.6499
50+
￥0.444295 ￥0.5227
150+
￥0.390235 ￥0.4591
500+
￥0.34969 ￥0.4114
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：SQ2303ES-T1-GE3-VB 编号：C7463595

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.552415 ￥0.6499
50+
￥0.444295 ￥0.5227
150+
￥0.390235 ￥0.4591
500+
￥0.34969 ￥0.4114
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:5.6A

型号：TSM3401CX RF-VB 编号：C7429132

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.57969 ￥0.6102
50+
￥0.45885 ￥0.483
150+
￥0.39843 ￥0.4194
500+
￥0.353115 ￥0.3717
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:3.4A

型号：SI2307CDS 编号：C5343299

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥0.61578 ￥0.6842
50+
￥0.4905 ￥0.545
150+
￥0.42786 ￥0.4754
500+
￥0.38088 ￥0.4232
3000+
￥0.34326 ￥0.3814
6000+
￥0.32445 ￥0.3605

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:38A

型号：RCQ3632 编号：C5137064

封装：PPAK-8(3x3)

品牌：RealChip(正芯半导体)

这些 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用

数据手册

5+
￥0.708
50+
￥0.5635
150+
￥0.4912
500+
￥0.437

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：PMN50XP-VB 编号：C558228

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.82308 ￥0.8664
50+
￥0.80693 ￥0.8494
150+
￥0.796195 ￥0.8381
500+
￥0.78546 ￥0.8268

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.1A

型号：IRF5805TRPBF-VB 编号：C558145

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.866575 ￥1.0195
50+
￥0.761175 ￥0.8955
150+
￥0.71604 ￥0.8424
500+
￥0.65977 ￥0.7762
3000+
￥0.553775 ￥0.6515
6000+
￥0.53873 ￥0.6338

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：SI3586DV-T1-E3-VB 编号：C7463610

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

5+
￥0.910945 ￥1.0717
50+
￥0.80563 ￥0.9478
150+
￥0.760495 ￥0.8947
500+
￥0.70414 ￥0.8284
3000+
￥0.628915 ￥0.7399
6000+
￥0.61387 ￥0.7222

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:2.5A

型号：PMV75UP,215 编号：C461153

封装：TO-236AB

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥0.931095 ￥0.9801
50+
￥0.688585 ￥0.8101
150+
￥0.54375 ￥0.725
500+
￥0.4959 ￥0.6612
3000+
￥0.45765 ￥0.6102
6000+
￥0.438525 ￥0.5847

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:42A

型号：RC6525Q 编号：C5137063

封装：DFN-8L(3.3x3.3)

品牌：RealChip(正芯半导体)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥1.0366
50+
￥0.8195
150+
￥0.7264
500+
￥0.6104

有货

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PTC热敏电阻

型号：PRF18BG471QB5RB 编号：C17276521

封装：0603

品牌：muRata(村田)

PRF 系列片式 PTC 热敏电阻利用正温度系数（PTC）特性（即电阻在特定温度以上会急剧增大），用于场效应晶体管（FET）、功率 IC 及其他发热区域的过热检测。利用电阻的急剧变化可实现出色的抗噪性能。电阻的急剧变化使得通过一个非常简单的串联 PTC 热敏电阻的电路，就能精确检测多个区域的过热情况

5+
￥1.2375
50+
￥0.9653
150+
￥0.8487
500+
￥0.7031

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:4.5A

型号：NDT3055-VB 编号：C725127

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

5+
￥1.29506 ￥1.5236
50+
￥1.13611 ￥1.3366
150+
￥1.068025 ￥1.2565
500+
￥0.983025 ￥1.1565
2500+
￥0.877965 ￥1.0329
5000+
￥0.85527 ￥1.0062

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：VB5222 编号：C416216

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

数据手册

5+
￥1.361635 ￥1.4333
50+
￥1.079105 ￥1.1359
150+
￥0.958075 ￥1.0085
500+
￥0.807025 ￥0.8495
3000+
￥0.693405 ￥0.7299
6000+
￥0.65303 ￥0.6874

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:350mA

型号：NX3008NBKS,115 编号：C396098

封装：TSSOP-6(SOT-363)

品牌：Nexperia(安世)

双 N 沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

数据手册

5+
￥1.5331
50+
￥1.2217
150+
￥1.0883
500+
￥0.9218
3000+
￥0.8476
6000+
￥0.8032

有货

立即购买

1个P沟道耐压:30V 电流:11.6A

型号：SM4305PSKC-TRG-VB 编号：C5438963

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥1.6915 ￥1.99
10+
￥1.479 ￥1.74
30+
￥1.3855 ￥1.63
100+
￥1.275 ￥1.5
500+
￥1.207 ￥1.42
1000+
￥1.173 ￥1.38

有货

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高速低侧单通道驱动芯片

型号：EG27517 编号：C2987449

封装：SOT-23-5

品牌：EG(屹晶微)

EG27517单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，静态功耗小。

数据手册

5+
￥1.7252
50+
￥1.3333
150+
￥1.1653
500+
￥0.9558

有货

立即购买

1个N沟道耐压:40V 电流:10A

型号：SI4840BDY-T1-E3-VB 编号：C6705318

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，具有优良的电气特性和可靠性，适用于低功率控制和驱动应用，包括LED驱动模块、电池管理模块、家用电器控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,40V；10A；RDS(ON)=14mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥1.7255 ￥2.03
10+
￥1.513 ￥1.78
30+
￥1.428 ￥1.68
100+
￥1.309 ￥1.54
500+
￥1.1645 ￥1.37
1000+
￥1.139 ￥1.34

有货

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N沟道耐压:40V 电流:70A

型号：CJAB3R9SN04C 编号：C19268995

封装：PDFNWB3.3x3.3-8L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N-Channel增强型功率场效应晶体管采用SGT技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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1个P沟道耐压:30V 电流:7A

型号：SI4431CDY-T1-E3-VB 编号：C558266

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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1个N沟道耐压:55V 电流:26A

型号：BUK9Y40-55B,115 编号：C461200

封装：LFPAK56(PowerSO-8)

品牌：Nexperia(安世)

采用高性能汽车级（HPA）TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和鉴定，适用于汽车关键应用。

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