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首页 > 热门关键词 > 场效应晶体管
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1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
型号：FDN338P 编号：C5343313
封装：SOT-23
品牌：MSKSEMI(美森科)
P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
数据手册

  • 10+

    ￥0.25092 ￥0.2788

  • 100+

    ￥0.19692 ￥0.2188

  • 300+

    ￥0.16992 ￥0.1888

  • 3000+

    ￥0.14967 ￥0.1663

  • 6000+

    ￥0.13347 ￥0.1483

  • 9000+

    ￥0.12537 ￥0.1393
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：SI2307DS-T1-GE3-VB 编号：C6705306
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

    • 5+

      ￥0.259165 ￥0.3049

    • 50+

      ￥0.252705 ￥0.2973

    • 150+

      ￥0.24837 ￥0.2922

    • 500+

      ￥0.244035 ￥0.2871
  • 有货
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    2个N沟道 耐压:60V 电流:350mA
    型号：2N7002DW-VB 编号：C7463463
    封装：SC70-6
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款双N型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于广泛的电子设备和系统中。SC70-6，2个N—Channel沟道,60V；0.35A；RDS(ON)=1800mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

    • 5+

      ￥0.274465 ￥0.3229

    • 50+

      ￥0.26877 ￥0.3162

    • 150+

      ￥0.26503 ￥0.3118

    • 500+

      ￥0.26129 ￥0.3074
  • 有货
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    带ESD防护，2个N沟道，60V，0.5A，1.5Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：NTJD4001NT1G(ES) 编号：C42412340
    封装：SOT-363
    品牌：ElecSuper(静芯)
    NTJD4001NT1G(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 10+

      ￥0.2979

    • 100+

      ￥0.2355

    • 300+

      ￥0.2043

    • 3000+

      ￥0.1809

    • 6000+

      ￥0.1622

    • 9000+

      ￥0.1528
  • 有货
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    N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：TW4G03L 编号：C42417422
    封装：SOT-23-6L
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    这些N + P双通道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这项先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用

    • 5+

      ￥0.2999

    • 50+

      ￥0.2932

    • 150+

      ￥0.2888
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：AO3410-VB 编号：C7524909
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

    • 5+

      ￥0.31274 ￥0.3292

    • 50+

      ￥0.30552 ￥0.3216

    • 150+

      ￥0.300675 ￥0.3165

    • 500+

      ￥0.29583 ￥0.3114
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：IRLML6346TRPBF-VB 编号：C7429059
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

    • 5+

      ￥0.3162 ￥0.372

    • 50+

      ￥0.309655 ￥0.3643

    • 150+

      ￥0.305405 ￥0.3593

    • 500+

      ￥0.30107 ￥0.3542
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：SI2335DS-T1-E3-VB 编号：C7463638
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

    • 5+

      ￥0.3179 ￥0.374

    • 50+

      ￥0.31144 ￥0.3664

    • 150+

      ￥0.307105 ￥0.3613

    • 500+

      ￥0.30277 ￥0.3562
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：SI2323CDS-T1-GE3-VB 编号：C558256
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
    数据手册

    • 5+

      ￥0.324235 ￥0.3413

    • 50+

      ￥0.317015 ￥0.3337

    • 150+

      ￥0.31217 ￥0.3286

    • 500+

      ￥0.307325 ￥0.3235
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道，-30V,，-5.8A，40mΩ@-10V,-5A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ES9435 编号：C42412242
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ES9435 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 10+

      ￥0.3437

    • 100+

      ￥0.2717

    • 300+

      ￥0.2357

    • 3000+

      ￥0.2087
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
    型号：IRLM2502TRPBF-VB 编号：C6705284
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

    • 10+

      ￥0.35054 ￥0.4124

    • 100+

      ￥0.2771 ￥0.326

    • 300+

      ￥0.24038 ￥0.2828

    • 3000+

      ￥0.21284 ￥0.2504

    • 6000+

      ￥0.190825 ￥0.2245

    • 9000+

      ￥0.179775 ￥0.2115
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道，-30V，-5.8A，40mΩ@-10V,-5A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：FDS9435A(ES) 编号：C42434119
    封装：SOP-8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    FDS9435A(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 10+

      ￥0.3539

    • 100+

      ￥0.2819

    • 300+

      ￥0.2459
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:4.5A
    型号：SL2314 编号：C5122527
    封装：SOT-23-3L
    品牌：Slkor(萨科微)
    SL231 4是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，并且在超小外形的表面贴装封装中需要低线路功率损耗
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3572

    • 100+

      ￥0.2852

    • 300+

      ￥0.2492

    • 3000+

      ￥0.2087

    • 6000+

      ￥0.1871

    • 9000+

      ￥0.1763
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:15V 电流:8.5A
    型号：SDI2085 编号：C962719
    封装：DFN-6L(2x2)
    品牌：SHIKUES(时科)
    P-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.35917 ￥0.5131

    • 50+

      ￥0.28392 ￥0.4056

    • 150+

      ￥0.24626 ￥0.3518

    • 500+

      ￥0.21805 ￥0.3115

    • 3000+

      ￥0.18697 ￥0.2671

    • 6000+

      ￥0.1757 ￥0.251
  • 有货
    • 立即购买
    2个P沟道 耐压:30V 电流:5.5A
    型号：4953-GK 编号：C42457471
    封装：SOP-8
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    这些双P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

    • 10+

      ￥0.360995 ￥0.4247

    • 100+

      ￥0.287555 ￥0.3383

    • 300+

      ￥0.250835 ￥0.2951

    • 3000+

      ￥0.223295 ￥0.2627

    • 6000+

      ￥0.201195 ￥0.2367

    • 9000+

      ￥0.19023 ￥0.2238
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:500mA
    型号：VBZ7001 编号：C699531
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
    数据手册

    • 10+

      ￥0.360995 ￥0.4247

    • 100+

      ￥0.287555 ￥0.3383

    • 300+

      ￥0.250835 ￥0.2951

    • 3000+

      ￥0.20842 ￥0.2452

    • 6000+

      ￥0.186405 ￥0.2193

    • 9000+

      ￥0.175355 ￥0.2063
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：VB1330 编号：C416208
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
    数据手册

    • 5+

      ￥0.361 ￥0.38

    • 50+

      ￥0.35378 ￥0.3724

    • 150+

      ￥0.348935 ￥0.3673

    • 500+

      ￥0.34409 ￥0.3622
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:500mA
    型号：NDS0605-NL-VB 编号：C4355107
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于低功率开关电源、电源管理IC、便携式电子设备中的电池管理模块、传感器节点、医疗器械以及便携式医疗设备等领域SOT23；P—Channel沟道,-60V；-0.5A；RDS(ON)=3000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
    数据手册

    • 10+

      ￥0.36805 ￥0.433

    • 100+

      ￥0.294865 ￥0.3469

    • 300+

      ￥0.25823 ￥0.3038

    • 3000+

      ￥0.221595 ￥0.2607

    • 6000+

      ￥0.199665 ￥0.2349

    • 9000+

      ￥0.188615 ￥0.2219
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:15V 电流:4A
    型号：LPM3401B3F 编号：C324571
    封装：SOT-23
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    LPM3401是采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.370316 ￥0.4306

    • 100+

      ￥0.261592 ￥0.3442

    • 300+

      ￥0.19866 ￥0.301

    • 3000+

      ￥0.177276 ￥0.2686

    • 6000+

      ￥0.160182 ￥0.2427

    • 9000+

      ￥0.151602 ￥0.2297
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:350mA
    型号：NX7002BKMBYL 编号：C478246
    封装：DFN1006B-3
    品牌：Nexperia(安世)
    N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，采用无铅超小 OFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.702

    • 500+

      ￥0.65

    • 1000+

      ￥0.624

    • 5000+

      ￥0.598

    • 10000+

      ￥0.572
    我要订货
    1个P沟道 耐压:50V 电流:180mA
    型号：BSS84AKVL 编号：C549760
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO- 236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4055

    • 100+

      ￥0.3453

    • 300+

      ￥0.3153

    • 1000+

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
    型号：SQ2310ES-T1-GE3-VB 编号：C7568821
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

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    N沟道,电流:4A,耐压:20V
    型号：IRLML2502 编号：C5343305
    封装：SOT-23
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    N-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。该先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：Si2399CDS-T1-GE3-VB 编号：C6705310
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：IRLML2803GTRPBF-VB 编号：C5444636
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：RU20P4C-VB 编号：C558236
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：AP2305AGN-VB 编号：C724974
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：AO3421E-VB 编号：C557945
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
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    P通道,电流:1.8A,耐压:20V
    型号：NXV75UPR 编号：C3280962
    封装：TO-236AB
    品牌：Nexperia(安世)
    P沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT23表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：NTR4171PT1G-VB 编号：C558218
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
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