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N沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽MOSFET技术,采用小型SOT457 (SC-74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：PMX700ENZ 编号：C6148313

封装：DFN0603-3

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用无铅超小 DFN0603-3 (SOT8013) 表面贴装器件 (SMD)，使用沟槽 MOSFET 技术。

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型号：AO4413-VB 编号：C4355070

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

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型号：HGQ024N04A 编号：C1693660

封装：PDFN5x6-8

品牌：CRMICRO(华润微)

HGQ024N04A是硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用高密度沟槽技术制造，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。此器件适用于作为负载开关和脉宽调制（PWM）应用。其封装形式为PDFN5*6，符合RoHS标准

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型号：IRFR3518TRPBF-VB 编号：C7429043

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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型号：CMSA055N06 编号：C7427445

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA055N06采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适合用作低端通用场效应晶体管（FET）。

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型号：IRF7416TRPBF-VB 编号：C558152

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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型号：IRF7478TRPBF-VB 编号：C5878808

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，具有较高的工作稳定性和可靠性，适用于需要中小功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、智能家居控制模块和电动工具模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；7.6A；RDS(ON)=25mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.5V；

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型号：IRLR2908TRPBF-VB 编号：C3040313

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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型号：AOD407-VB 编号：C693407

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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型号：STD35NF06LT4&15-VB 编号：C6705326

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

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型号：WPM3033-8/TR 编号：C2931333

封装：PDFN3x3-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3033 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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型号：STD90N4F3-VB 编号：C725209

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

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型号：ESGNU04R02 编号：C42412307

封装：TO-220

ESGNU04R02是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于直流-直流转换、电源开关和充电电路

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型号：PDC6974X-5 编号：C49318071

封装：DFN-8(5x6)

品牌：luJing(鲁晶)

N-沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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型号：PMV250EPEA215 编号：C3275832

封装：SOT-23(TO-236AB)

P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：PXP8R3-20QXJ 编号：C7266541

封装：-

P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，封装为 MLPAK33 (SOT8002) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：BUK9Y14-40B,115 编号：C550037

封装：SOT-669

逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用塑料封装，使用高性能汽车（HPA）TrenchMOS技术。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证，可用于汽车关键应用。

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型号：CS70N30ANR 编号：C18906008

封装：TO-3P

品牌：CRMICRO(华润微)

CS70N30 ANR是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P (N)，符合RoHS标准

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型号：BUK9640-100A,118 编号：C549977

封装：D2PAK

逻辑电平 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 TrenchMOS 技术封装在塑料外壳中。该产品已设计并符合相应的 AEC 标准，适用于汽车关键应用。

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型号：DMWS120H100SM4-HXY 编号：C48972196

封装：TO-247-4L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有优异的导电能力和高效的开关特性。其额定漏极电流ID为32A，导通电阻RDON低至75mΩ，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。碳化硅材料赋予器件高击穿电压与良好的高温工作性能，适用于高频、高压电源转换场合，如新能源发电、储能设备及智能电力系统中的关键开关单元。

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型号：ES2302 S2 编号：C42412316

封装：SOT-23

ES2302 S2是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于直流-直流转换、电源开关和充电电路

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型号：ES2302S 编号：C42412317

封装：SOT-23

ES2302S 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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型号：IRLML2402TRPBF(ES) 编号：C42412329

封装：SOT-23

IRLML2402TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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型号：SI2305CDS(ES) 编号：C42434109

封装：SOT-23

SI2305CDS(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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型号：WNM2020-3/TR-VB 编号：C7463694

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

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型号：NX138AKR 编号：C551585

封装：SOT-23

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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型号：AO3406(ES) 编号：C42434120

封装：SOT-23

AO3406(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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型号：SI2302ADS-T1-GE3-VB 编号：C6705304

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

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￥0.218025 ￥0.2295

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型号：BSS138PS,115(ES) 编号：C42412330

封装：SOT-363