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首页 > 热门关键词 > 场效应晶体管
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1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
型号：IRFR540ZPBF-VB 编号：C692974
封装：TO-252
品牌：VBsemi(微碧半导体)
台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
数据手册

  • 1+

    ￥5.073 ￥5.34

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    ￥4.1705 ￥4.39

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    ￥3.7145 ￥3.91

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    ￥2.5365 ￥2.67

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    ￥2.394 ￥2.52
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
    型号：IRFR540ZTRPBF-VB 编号：C558166
    封装：TO-252
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；
    数据手册

    • 1+

      ￥5.1205 ￥5.39

    • 10+

      ￥4.2085 ￥4.43

    • 30+

      ￥3.762 ￥3.96

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      ￥3.306 ￥3.48

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      ￥2.6885 ￥2.83
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.2A
    型号：PMV15ENEAR 编号：C553080
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装为小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册

    • 1+

      ￥5.95

    • 10+

      ￥4.98

    • 30+

      ￥4.5

    • 100+

      ￥4.02

    • 500+

      ￥3.73

    • 1000+

      ￥3.58
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:180A
    型号：IRFB4110PBF-VB 编号：C7568843
    封装：TO-220AB
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一款单N型场效应晶体管，采用Trench技术技术，适用于各种高功率电源管理和功率控制应用。TO220；N—Channel沟道,100V；180A；RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2.5~3.5V；

    • 1+

      ￥10.234 ￥12.04

    • 10+

      ￥8.7295 ￥10.27

    • 50+

      ￥7.786 ￥9.16

    • 100+

      ￥6.8255 ￥8.03

    • 500+

      ￥6.3835 ￥7.51

    • 1000+

      ￥6.1965 ￥7.29
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    SiC功率MOSFET N沟道增强模式
    型号：NTH4L013N120M3S-HXY 编号：C50346536
    封装：TO-247-4L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大连续漏极电流ID可达165A，漏源导通电阻RDON低至13mΩ，有效降低导通损耗，提高系统效率。采用碳化硅材料，具备高耐压、高热导率和低开关损耗特性，适用于高功率密度和高频开关场景。可广泛用于高效电源转换系统、可再生能源设备及智能电网相关电路中，提供稳定可靠的电力控制与传输解决方案。

    • 1+

      ￥131.9835 ￥138.93

    • 30+

      ￥125.6565 ￥132.27
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    耐压:30V 电流:300mA
    型号：2SK3018W(MS) 编号：C22399558
    封装：SOT-323
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    此款N沟道场效应晶体管采用SOT-323封装，具备漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：300mA，RDS:10V@0.3A=1R,适用于电池供电设备、便携式电子产品、逻辑电平转换、信号放大以及需要高效能和空间节省的电路设计中。

    • 50+

      ￥0.121315 ￥0.1277

    • 500+

      ￥0.095665 ￥0.1007

    • 1500+

      ￥0.081415 ￥0.0857

    • 5000+

      ￥0.072865 ￥0.0767

    • 25000+

      ￥0.065455 ￥0.0689

    • 50000+

      ￥0.061465 ￥0.0647
  • 有货
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    N沟道 耐压:20V 电流:3.3A
    型号：ES2302 S2 编号：C42412316
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ES2302 S2是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于直流-直流转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.1588

    • 200+

      ￥0.1237

    • 600+

      ￥0.1042
  • 有货
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    N沟道 耐压:20V 电流:3.3A
    型号：ES2302S 编号：C42412317
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ES2302S 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.1588

    • 200+

      ￥0.1237

    • 600+

      ￥0.1042

    • 3000+

      ￥0.0925

    • 9000+

      ￥0.0824

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      ￥0.0769
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    P沟道，-20V，-2.3A，82mΩ@-4.5V,-2.0A；应用领域：应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    型号：ES2301 S1 编号：C42412314
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ES2301 S1 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.1588

    • 200+

      ￥0.1237

    • 600+

      ￥0.1042
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    P沟道 耐压:30V 电流:3.8A
    型号：IRLML5203TRPBF(ES) 编号：C42412324
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    IRLML5203TRPBF(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.2077

    • 200+

      ￥0.1618

    • 600+

      ￥0.1363
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:500mA
    型号：NTR4003NT1G-MS 编号：C5343309
    封装：SOT-23
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    N-沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.214285 ￥0.2521

    • 100+

      ￥0.169405 ￥0.1993

    • 300+

      ￥0.146965 ￥0.1729

    • 3000+

      ￥0.130135 ￥0.1531

    • 6000+

      ￥0.11662 ￥0.1372

    • 9000+

      ￥0.109905 ￥0.1293
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    P沟道 耐压:20V 电流:3.5A
    型号：SI2301CDS-T1-E3-VB 编号：C45662604
    封装：SOT-23-3
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；SOT23；P—Channel沟道,-20V；-3.5A；RDS(ON)=71mΩ@VGS=10V,VGS=12V；Vth=-0.7~-2V；是一款单路P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造。具有优异的性能参数，适用于多种电路应用例如移动设备模块、LED照明驱动模块、电源管理模块。

    • 10+

      ￥0.219545 ￥0.2311

    • 100+

      ￥0.2147 ￥0.226

    • 300+

      ￥0.211375 ￥0.2225

    • 1000+

      ￥0.208145 ￥0.2191
  • 有货
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    N沟道 耐压:60V 电流:360mA
    型号：SI1304BDL(ES) 编号：C42412341
    封装：SOT-323
    品牌：ElecSuper(静芯)
    SI1304BDL(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.2225

    • 200+

      ￥0.1745

    • 600+

      ￥0.1505

    • 3000+

      ￥0.1325

    • 9000+

      ￥0.1181

    • 21000+

      ￥0.1109
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
    型号：VB1240 编号：C416207
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；
    数据手册

    • 10+

      ￥0.22724 ￥0.2392

    • 100+

      ￥0.2223 ￥0.234

    • 300+

      ￥0.21907 ￥0.2306

    • 1000+

      ￥0.215745 ￥0.2271
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：SI2304DDS-T1-GE3(ES) 编号：C42412336
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    SI2304DDS-T1-GE3(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.2292

    • 200+

      ￥0.1812

    • 600+

      ￥0.1572
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道，30V，4.3A，34mΩ@10V,3.6A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO3406(ES) 编号：C42434120
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO3406(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.2292

    • 200+

      ￥0.1812

    • 600+

      ￥0.1572
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道,电流:900mA,耐压:20V
    型号：WNM2030A-3/TR 编号：C2931325
    封装：SOT-723
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。使用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。是无铅产品。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2302

    • 200+

      ￥0.1908

    • 600+

      ￥0.1689

    • 2000+

      ￥0.1558

    • 8000+

      ￥0.14
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:20V 电流:0.71A
    型号：WNM2046-3/TR 编号：C239671
    封装：DFN1006-3L
    品牌：WILLSEMI(韦尔)
    WNM2046 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2313

    • 100+

      ￥0.1834

    • 300+

      ￥0.1595

    • 1000+

      ￥0.1415

    • 5000+

      ￥0.1271

    • 10000+

      ￥0.1199
  • 有货
    • 立即购买
    带ESD防护，2个N沟道，60V，0.5A，1.5Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：BSS138PS,115(ES) 编号：C42412330
    封装：SOT-363
    品牌：ElecSuper(静芯)
    BSS138PS,115(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 20+

      ￥0.2321

    • 200+

      ￥0.1808

    • 600+

      ￥0.1523

    • 3000+

      ￥0.1352
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：SI2304DDS-T1-BE3(ES) 编号：C42412337
    封装：SOT-23-3L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    SI2304DDS-T1-BE3(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 10+

      ￥0.2521

    • 100+

      ￥0.1993

    • 300+

      ￥0.1729

    • 3000+

      ￥0.1531

    • 6000+

      ￥0.1372

    • 9000+

      ￥0.1293
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道，30V，4.3A，34mΩ@10V,3.6A，1.6V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO3406A(ES) 编号：C42434121
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO3406A(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

    • 10+

      ￥0.275

    • 100+

      ￥0.2174

    • 300+

      ￥0.1886
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道，-30V,，-4.7A，46mΩ@-10V,-4.5A，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：AO6401A(ES) 编号：C42412248
    封装：SOT-23-6L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    AO6401A(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 10+

      ￥0.275

    • 100+

      ￥0.2174

    • 300+

      ￥0.1886
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道，60V，3A，75mΩ@10V,3A，1.4V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：IRLML0060TRPBF(ES) 编号：C42412353
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    IRLML0060TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

    • 10+

      ￥0.275

    • 100+

      ￥0.2174

    • 300+

      ￥0.1886
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    P沟道 耐压:30V 电流:3.8A
    型号：SI2347DS-T1-GE3(ES) 编号：C42412338
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    SI2347DS-T1-GE3(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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      ￥0.275

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    带ESD防护，2个N沟道，60V，0.5A，1.5Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    型号：NTJD4001NT1G(ES) 编号：C42412340
    封装：SOT-363
    品牌：ElecSuper(静芯)
    NTJD4001NT1G(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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      ￥0.2892

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    1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
    型号：IRLML6402 编号：C5343301
    封装：SOT-23
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    P-沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。
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      ￥0.292145 ￥0.3437

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    2个N沟道 耐压:60V 电流:170mA
    型号：NX138AKSX 编号：C478179
    封装：TSSOP-6
    品牌：Nexperia(安世)
    双N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用非常小的SOT363（SC-88）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:5.6A
    型号：SI2323CDS-T1-GE3-VB 编号：C558256
    封装：SOT-23(TO-236)
    品牌：VBsemi(微碧半导体)
    台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；
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    1个P沟道 耐压:15V 电流:4A
    型号：LPM3401B3F 编号：C324571
    封装：SOT-23
    品牌：LOWPOWER(微源半导体)
    LPM3401是采用高单元密度DMOS沟槽技术制造的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。
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    P沟道，-30V，-4.2A，42mΩ@-10V，-0.8V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    型号：ESPM3401-3/TR 编号：C42412343
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    ESPM3401 - 3/TR是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

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