场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：ESPM3401-3/TR 编号：C42412343

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

ESPM3401 - 3/TR是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.3437
100+
￥0.2717
300+
￥0.2357

有货

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型号：CMN2308MS 编号：C5203843

封装：SOT-23-3L

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMN2308MS是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。

数据手册

10+
￥0.3665
100+
￥0.2923
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￥0.2552
3000+
￥0.215
6000+
￥0.1928
9000+
￥0.1816

有货

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型号：SI2371EDS-T1-GE3-VB 编号：C3040216

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.378575 ￥0.3985
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￥0.371355 ￥0.3909
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￥0.36651 ￥0.3858
500+
￥0.361665 ￥0.3807

有货

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型号：4953 编号：C5449079

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

这些双P沟道增强型功率场效应晶体管采用了沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用

数据手册

10+
￥0.4221 ￥0.469
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￥0.3357 ￥0.373
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￥0.2925 ￥0.325
3000+
￥0.2601 ￥0.289
6000+
￥0.23418 ￥0.2602
9000+
￥0.22113 ￥0.2457

有货

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型号：YFW2310A 编号：C22459206

封装：SOT-23

品牌：YFW(佑风微)

特性：沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

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￥0.446785 ￥0.4703
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￥0.351975 ￥0.3705
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￥0.30457 ￥0.3206
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￥0.268945 ￥0.2831
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￥0.24643 ￥0.2594
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￥0.23218 ￥0.2444

有货

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型号：DMP4065SQ-7(ES) 编号：C42412924

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品为无铅产品。

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￥0.4583
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￥0.3623
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￥0.3143
3000+
￥0.2783

有货

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型号：ES3N06G-AB3-R 编号：C42412322

封装：SOT-89

品牌：ElecSuper(静芯)

ES3N06G-AB3-R 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥0.4583
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￥0.3623
300+
￥0.3143
3000+
￥0.2783
6000+
￥0.2495
9000+
￥0.235

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型号：AO4459(ES) 编号：C42412323

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

AO4459(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.4718
100+
￥0.3758
300+
￥0.3278

有货

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型号：ST2341S23RG 编号：C2682894

封装：SOT-23-3L

品牌：STANSON(司坦森)

ST2341S23RG 是一款 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路，以及需要低在线功率损耗的场合

数据手册

5+
￥0.4933
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￥0.3925
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￥0.3421
500+
￥0.3043
3000+
￥0.2556

有货

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型号：ES50N03D 编号：C42434100

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ES50N03D 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.5041
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￥0.3985
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￥0.3457
500+
￥0.3061
2500+
￥0.2744
5000+
￥0.2585

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型号：AO3400A-VB 编号：C5240534

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.547485 ￥0.6441
50+
￥0.4386 ￥0.516
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￥0.384115 ￥0.4519
500+
￥0.34323 ￥0.4038
3000+
￥0.29699 ￥0.3494
6000+
￥0.280585 ￥0.3301

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型号：IRLML2803TRPBF-VB 编号：C558175

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.569525 ￥0.5995
50+
￥0.448685 ￥0.4723
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￥0.388265 ￥0.4087
500+
￥0.34295 ￥0.361
3000+
￥0.2888 ￥0.304
6000+
￥0.270655 ￥0.2849

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型号：NDS331N-NL-VB 编号：C558202

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

5+
￥0.582445 ￥0.6131
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￥0.461225 ￥0.4855
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￥0.400615 ￥0.4217
500+
￥0.355205 ￥0.3739
3000+
￥0.30856 ￥0.3248
6000+
￥0.290415 ￥0.3057

有货

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型号：WPM3401-3/TR-VB 编号：C7494596

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.58596 ￥0.6168
50+
￥0.46512 ￥0.4896
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￥0.4047 ￥0.426
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￥0.359385 ￥0.3783
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

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型号：BSS308PE-VB 编号：C878854

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.58938 ￥0.6204
50+
￥0.46854 ￥0.4932
150+
￥0.40812 ￥0.4296
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￥0.362805 ￥0.3819
3000+
￥0.301435 ￥0.3173
6000+
￥0.28329 ￥0.2982

有货

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型号：SI2306DS-T1-GE3-VB 编号：C6705305

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.59698 ￥0.6284
50+
￥0.47614 ￥0.5012
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￥0.41572 ￥0.4376
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￥0.370405 ￥0.3899
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￥0.313975 ￥0.3305
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￥0.29583 ￥0.3114

有货

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型号：MI3407-VB 编号：C3040332

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.611325 ￥0.6435
50+
￥0.490485 ￥0.5163
150+
￥0.430065 ￥0.4527
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￥0.38475 ￥0.405
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

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型号：NX6008NBKSX 编号：C3291378

封装：TSSOP-6

品牌：Nexperia(安世)

双N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用非常小的SOT363（SC-88）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

5+
￥0.6142
50+
￥0.5076
150+
￥0.4543
500+
￥0.4144
3000+
￥0.3824
6000+
￥0.3664

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型号：NTR4170NT1G-VB 编号：C710038

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.622345 ￥0.6551
50+
￥0.499225 ￥0.5255
150+
￥0.437665 ￥0.4607
500+
￥0.391495 ￥0.4121
3000+
￥0.3154 ￥0.332
6000+
￥0.296875 ￥0.3125

有货

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型号：ESS2022A 编号：C42412309

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

ESS2022A 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.6874
50+
￥0.5434
150+
￥0.4714
500+
￥0.4174
3000+
￥0.3742
6000+
￥0.3525

有货

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型号：CMD30P03 编号：C17702027

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P- Channel 增强模式功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

5+
￥0.815
50+
￥0.6435
150+
￥0.5578
500+
￥0.4935
2500+
￥0.442
5000+
￥0.4163

有货

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型号：FH1604G 编号：C2929036

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：鑫飞宏

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效率快速开关应用

数据手册

5+
￥0.8179
50+
￥0.7116
150+
￥0.6661
500+
￥0.6092
2500+
￥0.5465
5000+
￥0.5313

有货

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型号：IRF5805TRPBF-VB 编号：C558145

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.866575 ￥1.0195
50+
￥0.761175 ￥0.8955
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￥0.71604 ￥0.8424
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￥0.65977 ￥0.7762
3000+
￥0.553775 ￥0.6515
6000+
￥0.53873 ￥0.6338

有货

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型号：RC6525Q 编号：C5137063

封装：DFN-8L(3.3x3.3)

品牌：RealChip(正芯半导体)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥1.0366
50+
￥0.8195
150+
￥0.7264
500+
￥0.6104

有货

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型号：PMV41XPAR 编号：C22421911

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

5+
￥1.2074
50+
￥1.1845
150+
￥1.1692
500+
￥1.10784 ￥1.154

有货

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型号：CJAB3R9SN04C 编号：C19268995

封装：PDFNWB3.3x3.3-8L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N-Channel增强型功率场效应晶体管采用SGT技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

5+
￥1.2725
50+
￥1.0993
150+
￥1.025
500+
￥0.9324

有货

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型号：BRCS250N10SDPQ 编号：C36499019

封装：TO-252

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

AEC-Q101车规场效应晶体管

5+
￥1.5794
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￥1.3793
150+
￥1.2935
500+
￥1.1865

有货

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型号：PRF21BD471QB5RA 编号：C2655272

封装：0805

品牌：muRata(村田)

PRF 系列片式 PTC 热敏电阻利用正温度系数（PTC）特性（即电阻在特定温度以上会急剧增大），用于场效应晶体管（FET）、功率 IC 及其他发热区域的过热检测。利用电阻的急剧变化可实现出色的抗噪性能。电阻的急剧变化使得通过一个非常简单的串联 PTC 热敏电阻的电路，就能精确检测多个区域的过热情况