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P沟道，-20V，-11A，11mΩ@4.5V,-10A，-0.65V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：ESS2022A 编号：C42412309

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

ESS2022A 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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￥0.6874
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￥0.5434
150+
￥0.4714
500+
￥0.4174
3000+
￥0.3742
6000+
￥0.3525

有货

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P沟道，-30V，-12A，9.5mΩ@10V,-12A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

型号：AO4407A(ES) 编号：C42412319

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

5+
￥0.6874
50+
￥0.5434
150+
￥0.4714
500+
￥0.4174
3000+
￥0.3742
6000+
￥0.3525

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:400mA

型号：NX3008NBKV,115 编号：C551599

封装：SOT-666

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽 MOSFET 技术的双 N 沟道增强型场效应晶体管（FET），采用超小型扁平引脚 SOT666 表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥0.773552 ￥1.4876
50+
￥0.497196 ￥1.1838
150+
￥0.337152 ￥1.0536
500+
￥0.285152 ￥0.8911
2500+
￥0.262016 ￥0.8188
4000+
￥0.248096 ￥0.7753

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：FDC658P-VB 编号：C7463523

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.910945 ￥1.0717
50+
￥0.80563 ￥0.9478
150+
￥0.760495 ￥0.8947
500+
￥0.70414 ￥0.8284
3000+
￥0.628915 ￥0.7399
6000+
￥0.61387 ￥0.7222

有货

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硅 N沟道功率 MOSFET

型号：7N65M 编号：C5455845

封装：TO-252

品牌：XCH(旭昌辉)

XCH4N65M是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管可应用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和提高效率。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准

5+
￥1.143975 ￥1.5253
50+
￥0.898275 ￥1.1977
150+
￥0.792975 ￥1.0573
500+
￥0.661575 ￥0.8821
2500+
￥0.603075 ￥0.8041
5000+
￥0.567975 ￥0.7573

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.8A

型号：BSL307SP-VB 编号：C709921

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.225105 ￥1.4413
50+
￥0.9724 ￥1.144
150+
￥0.864025 ￥1.0165
500+
￥0.728875 ￥0.8575
3000+
￥0.668695 ￥0.7867
6000+
￥0.63257 ￥0.7442

有货

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1个N沟道+1个P沟道耐压:20V 电流:5.5A

型号：FDC6420C-NL-VB 编号：C7463645

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款DualN+P型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、信号开关、电动车电路保护等领域。SOT23-6；N+P—Channel沟道,±20V；5.5 /-3.4A；RDS(ON)=22 / 55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±0.5 ~±1.5V；

5+
￥1.256555 ￥1.4783
50+
￥1.003765 ￥1.1809
150+
￥0.895475 ￥1.0535
500+
￥0.760325 ￥0.8945
3000+
￥0.649995 ￥0.7647
6000+
￥0.61387 ￥0.7222

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:52A

型号：FH1604D 编号：C2929037

封装：TO-252

品牌：鑫飞宏

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥1.318554 ￥1.4178
50+
￥1.060851 ￥1.1407
150+
￥0.950367 ￥1.0219
500+
￥0.812541 ￥0.8737
2500+
￥0.708753 ￥0.7621
5000+
￥0.671832 ￥0.7224

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:4.5A

型号：IRFL024NTRPBF-VB 编号：C4355057

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

5+
￥1.329825 ￥1.5645
50+
￥1.17062 ￥1.3772
150+
￥1.102365 ￥1.2969
500+
￥1.017195 ￥1.1967
2500+
￥0.979285 ￥1.1521
5000+
￥0.956505 ￥1.1253

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:9A

型号：AO4419-VB 编号：C693203

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

5+
￥1.41576 ￥1.6656
50+
￥1.246185 ￥1.4661
150+
￥1.17351 ￥1.3806
500+
￥1.0829 ￥1.274
2500+
￥1.042525 ￥1.2265
4000+
￥1.0183 ￥1.198

有货

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2个P沟道耐压:30V 电流:220mA

型号：NX3008PBKV,115 编号：C551602

封装：SOT-666

品牌：Nexperia(安世)

双P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装于超小扁平引脚SOT666表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

数据手册

5+
￥1.433168 ￥2.1076
50+
￥1.082976 ￥1.8672
150+
￥0.846768 ￥1.7641
500+
￥0.78504 ￥1.6355
2500+
￥0.757584 ￥1.5783
4000+
￥0.741072 ￥1.5439

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:7.6A

型号：VBI2338 编号：C416321

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中。SOT89-3；P—Channel沟道,-30V；-7.6A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

5+
￥1.496725 ￥1.5755
50+
￥1.17591 ￥1.2378
150+
￥1.038445 ￥1.0931
1000+
￥0.86374 ￥0.9092
2000+
￥0.78736 ￥0.8288
5000+
￥0.74157 ￥0.7806

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:7.6A

型号：2SJ355-VB 编号：C557923

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中。SOT89-3；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

5+
￥1.502805 ￥1.5819
50+
￥1.20251 ￥1.2658
150+
￥1.07388 ￥1.1304
1000+
￥0.799425 ￥0.8415
2000+
￥0.727985 ￥0.7663
5000+
￥0.685045 ￥0.7211

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:38A

型号：AP9435GH-VB 编号：C709915

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，是一种多功能、高性能的电子器件，适用于许多不同的应用领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-38A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥1.5385 ￥1.81
10+
￥1.3515 ￥1.59
30+
￥1.275 ￥1.5
100+
￥1.173 ￥1.38
500+
￥1.02 ￥1.2
1000+
￥0.9945 ￥1.17

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:37A

型号：BRCS250N10SDPQ 编号：C36499019

封装：TO-252

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

AEC-Q101车规场效应晶体管

5+
￥1.5794
50+
￥1.3793
150+
￥1.2935
500+
￥1.1865

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:4.5A

型号：NIF5002NT1G-VB 编号：C693080

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

5+
￥1.854615 ￥2.1819
50+
￥1.473305 ￥1.7333
150+
￥1.309935 ￥1.5411
500+
￥0.947155 ￥1.1143
2500+
￥0.856375 ￥1.0075
5000+
￥0.80189 ￥0.9434

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:21.8A

型号：AOD484-VB 编号：C558069

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,30V；70A；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2V；

数据手册

5+
￥2.054025 ￥2.4165
50+
￥1.6371 ￥1.926
150+
￥1.45843 ￥1.7158
500+
￥1.102025 ￥1.2965
2500+
￥1.002745 ￥1.1797
5000+
￥0.94316 ￥1.1096

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:4.5A

型号：VBE165R04 编号：C480951

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于电源逆变器、电动汽车充电桩、UPS系统、风能和太阳能逆变器、工业自动化设备等领域。TO252；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~5V；

数据手册

1+
￥2.125 ￥2.5
10+
￥1.87 ￥2.2
30+
￥1.7595 ￥2.07
100+
￥1.6235 ￥1.91
500+
￥1.564 ￥1.84
1000+
￥1.53 ￥1.8

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:13.5A

型号：Si4463CDY-T1-GE3-VB 编号：C6705315

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

1+
￥2.1505 ￥2.53
10+
￥1.887 ￥2.22
30+
￥1.7765 ￥2.09
100+
￥1.632 ￥1.92
500+
￥1.4535 ￥1.71
1000+
￥1.4195 ￥1.67

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:6.5A

型号：2SJ518-VB 编号：C724948

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于小型功率电路，具有良好的散热性能和安装方便性。 SOT89-3；P—Channel沟道,-60V；-6.5A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.432 ￥2.56
10+
￥1.938 ￥2.04
30+
￥1.729 ￥1.82
100+
￥1.463 ￥1.54
500+
￥1.216 ￥1.28
1000+
￥1.14 ￥1.2

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:35A

型号：IRLR9343TRPBF-VB 编号：C6705295

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术制造，具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性，适用于各种功率电路设计。TO252；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.499 ￥2.94
10+
￥2.227 ￥2.62
30+
￥2.0995 ￥2.47
100+
￥1.9635 ￥2.31
500+
￥1.734 ￥2.04
1000+
￥1.6915 ￥1.99

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:9A

型号：CEM4435A-VB 编号：C709930

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.527 ￥2.66
10+
￥2.033 ￥2.14
30+
￥1.8145 ￥1.91
100+
￥1.558 ￥1.64
500+
￥1.349 ￥1.42
1000+
￥1.2825 ￥1.35

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:90A

型号：CMSA055N06 编号：C7427445

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA055N06采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适合用作低端通用场效应晶体管（FET）。

1+
￥2.698 ￥2.84
10+
￥2.1185 ￥2.23
30+
￥1.8715 ￥1.97
100+
￥1.5675 ￥1.65
500+
￥1.3585 ￥1.43
1000+
￥1.2825 ￥1.35

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:50A

型号：CMSA012N10A 编号：C5203902

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA012N10A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并将功率转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于开关电源（SMPS）、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管（FET）。

数据手册

1+
￥2.9925 ￥3.15
10+
￥2.394 ￥2.52
30+
￥2.1375 ￥2.25
100+
￥1.8145 ￥1.91
500+
￥1.6055 ￥1.69
1000+
￥1.52 ￥1.6

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:7A

型号：IRF7341TRPBF-VB 编号：C558149

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥3.4675 ￥3.65
10+
￥2.8025 ￥2.95
30+
￥2.47 ￥2.6
100+
￥2.1375 ￥2.25
500+
￥1.8905 ￥1.99
1000+
￥1.786 ￥1.88

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:30A

型号：NTD2955T4G-VB 编号：C558209

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.496 ￥3.68
10+
￥2.831 ￥2.98
30+
￥2.4985 ￥2.63
100+
￥2.166 ￥2.28
500+
￥1.8905 ￥1.99
1000+
￥1.786 ￥1.88

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:140A

型号：CMB020N06 编号：C19724734

封装：TO-263

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

020N06采用先进技术，可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并将功率转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于开关电源（SMPS）、负载开关及通用电路中的低端场效应晶体管（FET）。

1+
￥3.591 ￥3.78
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1个N沟道+1个P沟道耐压:30V 电流:410mA 电流:590mA

型号：PMCXB1000UEZ 编号：C552748

封装：DFN1010-6

品牌：Nexperia(安世)

互补N/P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无引脚超小DFN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

1+
￥3.84
10+
￥3.16
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￥2.83
100+
￥2.49
500+
￥2.29
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￥2.19

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1个N沟道耐压:55V 电流:7A

型号：BUK7880-55A/CUX 编号：C461208

封装：SOT-223-3

品牌：Nexperia(安世)

标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用塑料封装，使用恩智浦通用汽车（GPA）TrenchMOS技术。该产品已根据相应的AEC标准进行设计和认证，适用于汽车关键应用。

数据手册

1+
￥3.96
10+
￥3.24
30+
￥2.87
100+
￥2.51
500+
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1个N沟道耐压:40V 电流:100A

型号：IPB80N04S2-H4-VB 编号：C7494458

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于中功率和中电压的场合，可广泛应用于各种电子设备和模块中。TO263；N—Channel沟道,40V；100A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥4.063 ￥4.78
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￥3.247 ￥3.82
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￥2.839 ￥3.34
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