场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220

SVDZ24NT是一款采用矽力杰新型平面VDMOS工艺制造的N沟道增强型功率MOS场效应晶体管。经过改进的平面条形单元和改进的保护环终端经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。该器件广泛应用于电子镇流器、低功率开关电源

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￥1.5237
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型号：TPS563200DDCR 编号：C97253

封装：TSOT-23-6

品牌：TI(德州仪器)

TPS563200是一款采用SOT-23封装的4.5V至17V输入,2A/3A同步降压转换器。它采用D-CAP2TM模式控制,具有650kHz开关频率,集成68mΩ和39mΩ场效应晶体管（FET）,并支持低待机电流。

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型号：SI4431CDY-T1-E3-VB 编号：C558266

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥2.003365 ￥2.3569
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型号：FQD11P06TM-VB 编号：C879148

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥2.0825 ￥2.45
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型号：NTD25P03LG-VB 编号：C725129

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，是一种多功能、高性能的电子器件，适用于许多不同的应用领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-38A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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￥2.108 ￥2.48
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型号：AO4407A-VB 编号：C557949

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥2.140065 ￥2.2527
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型号：CMD50P06 编号：C5337966

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻，适用于电源管理电路。典型应用包括PWM DC-DC转换器、便携式和电池供电产品（如计算机、打印机、电池充电器、电信电源系统和电话电源系统）的电源管理。

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￥2.2757
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型号：IRFR5505TRPBF-VB 编号：C5878815

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术制造，具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性，适用于各种功率电路设计。TO252；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥2.3035 ￥2.71
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￥2.0315 ￥2.39
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型号：VBE165R04 编号：C480951

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于电源逆变器、电动汽车充电桩、UPS系统、风能和太阳能逆变器、工业自动化设备等领域。TO252；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~5V；

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￥2.3205 ￥2.73
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￥2.0655 ￥2.43
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型号：FDG6322C 编号：C112152

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 和 P 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。因为无需偏置电阻，所以此类双数字 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。

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￥2.52
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￥1.99
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￥1.76
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￥1.48
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型号：SI4405DY-T1-GE3-VB 编号：C6705313

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

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￥2.53
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￥2.22
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￥2.09
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￥1.92
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型号：IRLU024NPBF-VB 编号：C558184

封装：TO-251

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较大的电压容忍度，可提供良好的电路灵活性。适用于电源模块、电机驱动模块、工业控制模块和电源管理模块等领域。TO251；N—Channel沟道,60V；35A；RDS(ON)=32mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~3.5V；

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￥2.641 ￥2.78
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￥2.0805 ￥2.19
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￥1.8335 ￥1.93
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￥1.4155 ￥1.49
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￥1.2825 ￥1.35
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￥1.2065 ￥1.27

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型号：PMN50EPEX 编号：C552989

封装：SOT-457

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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￥3.0415 ￥3.85
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￥2.277 ￥3.3
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￥1.8113 ￥3.07
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￥1.6343 ￥2.77
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￥1.5576 ￥2.64
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￥1.5104 ￥2.56

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型号：SQ2361AEES-T1_BE3 编号：C6818614

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。典型ESD保护：800V。通过AEC-Q101认证。100%进行Rg和UIS测试

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￥3.15
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￥2.47
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￥2.18
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￥1.81
500+
￥1.65

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型号：IRF7425TRPBF-VB 编号：C6705273

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

1+
￥3.2775 ￥3.45
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￥2.5745 ￥2.71
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￥2.28 ￥2.4
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￥1.9 ￥2
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￥1.729 ￥1.82
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￥1.634 ￥1.72

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型号：IRFR4104TRPBF-VB 编号：C558163

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

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￥4.047 ￥4.26
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￥3.325 ￥3.5
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￥2.9545 ￥3.11
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￥2.5935 ￥2.73
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￥2.071 ￥2.18
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￥1.957 ￥2.06

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型号：IPB80N04S2-H4-VB 编号：C7494458

封装：TO-263(D2PAK)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于中功率和中电压的场合，可广泛应用于各种电子设备和模块中。TO263；N—Channel沟道,40V；100A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥4.4115 ￥5.19
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￥3.604 ￥4.24
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￥2.9495 ￥3.47
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￥2.55 ￥3
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￥2.3035 ￥2.71
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￥2.1845 ￥2.57

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型号：OR-341W-TA1 编号：C3031118

封装：SOP-6

品牌：Orient(奥伦德)

OR - 341包含一个铝镓砷（AlGaAs）发光二极管，该二极管与带有功率输出级的集成电路进行光耦合。这款光耦合器非常适合驱动电机控制逆变器应用中使用的功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）。输出级较宽的工作电压范围可为栅控器件提供所需的驱动电压

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1+
￥4.44
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￥3.57
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￥3.14
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￥2.71
500+
￥2.44
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￥2.3

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型号：FDMS6681Z-VB 编号：C7494600

封装：DFN5x6-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于DC-DC转换器、电源开关和逆变器、高效率和高功率密度的应用中。DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-30V；-100A；RDS(ON)=3.2mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥7.828 ￥8.24
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￥6.422 ￥6.76
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￥5.6525 ￥5.95
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￥4.7785 ￥5.03
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￥4.7025 ￥4.95
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￥4.522 ￥4.76

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型号：BTS443P 编号：C69856

封装：TO-252-4

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵、电流控制输入和带负载电流检测的诊断反馈的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），集成于Smart SIPMOS®芯片堆叠技术中。具备嵌入式保护功能。

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1+
￥17.87
10+
￥15.01
30+
￥13.22
100+
￥11.39

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型号：ES2301 S1 编号：C42412314

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

ES2301 S1 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.0813
200+
￥0.0794
600+
￥0.0782

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型号：2N7002/HAMR 编号：C551411

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽式MOSFET技术、塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。

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20+
￥0.1385
200+
￥0.1354
600+
￥0.1332
3000+
￥0.1311

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型号：ESP2301LT1G(ES) 编号：C42412342

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

ESP2301LT1G(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于直流 - 直流转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.1955
200+
￥0.1523
600+
￥0.1283

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型号：DMP3056L-7(ES) 编号：C42412332

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

DMP3056L - 7(ES)是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关以及充电电路

20+
￥0.1955
200+
￥0.1523
600+
￥0.1283
3000+
￥0.1139
9000+
￥0.1014
21000+
￥0.0947

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型号：IRLML5203TRPBF(ES) 编号：C42412324

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

IRLML5203TRPBF(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.2077
200+
￥0.1618
600+
￥0.1363

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型号：SI2304DDS-T1-BE3(ES) 编号：C42412337

封装：SOT-23-3L

品牌：ElecSuper(静芯)

SI2304DDS-T1-BE3(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.2521
100+
￥0.1993
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￥0.1729
3000+
￥0.1531
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￥0.1372
9000+
￥0.1293

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型号：JSM2321A 编号：C18193120

封装：SOT-23-3L

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM2321A是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造，可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于作为负载开关，或用于大多数同步降压转换器应用的脉宽调制（PWM）和栅极电荷电路。

5+
￥0.2662
50+
￥0.2596
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￥0.2552
500+
￥0.2507

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型号：IRLML9301TRPBF(ES) 编号：C42412345

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

IRLML9301TRPBF(ES)是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.275
100+
￥0.2174
300+
￥0.1886

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型号：2N7002NXBKR 编号：C551417

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用纤巧的 SOT23 (TO- 236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，运用沟槽 MOSFET 技术。

数据手册

10+
￥0.3037
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￥0.2427
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￥0.2122
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￥0.1817
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￥0.1634
9000+
￥0.1543

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型号：DMG6968U-7-F-VB 编号：C7463687

封装：SOT-23

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.3162 ￥0.372
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￥0.309655 ￥0.3643
150+
￥0.305405 ￥0.3593
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￥0.30107 ￥0.3542

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