场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

WNM3013 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于小信号开关

数据手册

20+
￥0.2344
200+
￥0.1871
600+
￥0.1608
2000+
￥0.145
8000+
￥0.1211

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型号：DMP1045U-7(ES) 编号：C42412352

封装：SOT-23

DMP1045U-7(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.275
100+
￥0.2174
300+
￥0.1886

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型号：IRLML9301TRPBF(ES) 编号：C42412345

封装：SOT-23

IRLML9301TRPBF(ES)是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.275
100+
￥0.2174
300+
￥0.1886

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型号：IRLML2502TRPBF 编号：C5449149

封装：SOT-23

品牌：KUU

特性：沟槽场效应晶体管功率MOSFET。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

10+
￥0.28
100+
￥0.2223
300+
￥0.1935
3000+
￥0.1671
6000+
￥0.1498
9000+
￥0.1411

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型号：NX138BKWX 编号：C551593

封装：SOT-323

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装在非常小的SOT323 (SC-70) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

数据手册

10+
￥0.3295
100+
￥0.265
300+
￥0.2328
3000+
￥0.2005
6000+
￥0.1812
9000+
￥0.1715

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型号：WNM2020-3/TR 编号：C239545

封装：SOT-23

WNM2020 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

20+
￥0.3362
200+
￥0.2762
600+
￥0.2327
2000+
￥0.1968

有货

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型号：ES9435 编号：C42412242

封装：SOP-8

ES9435 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.3437
100+
￥0.2717
300+
￥0.2357

有货

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型号：SI2312DS-T1-GE3-VB 编号：C6705308

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.35054 ￥0.4124
100+
￥0.2771 ￥0.326
300+
￥0.24038 ￥0.2828
3000+
￥0.21284 ￥0.2504
6000+
￥0.190825 ￥0.2245
9000+
￥0.179775 ￥0.2115

有货

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型号：WNM2020-3/TR-VB 编号：C7463694

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.3638 ￥0.428
100+
￥0.29036 ￥0.3416
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￥0.25364 ￥0.2984
3000+
￥0.2261 ￥0.266
6000+
￥0.204 ￥0.24
9000+
￥0.193035 ￥0.2271

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型号：NX138AKMYL 编号：C3290147

封装：SOT-883

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽式MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚、超小型DFN1006 - 3（SOT883）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

10+
￥0.4083
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￥0.3307
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￥0.2919
1000+
￥0.2531
5000+
￥0.2298
10000+
￥0.2182

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型号：NTR2101PT1G-MS 编号：C5343312

封装：SOT-23

P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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10+
￥0.411485 ￥0.4841
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￥0.329885 ￥0.3881
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￥0.289085 ￥0.3401
3000+
￥0.258485 ￥0.3041
6000+
￥0.234005 ￥0.2753
9000+
￥0.22168 ￥0.2608

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型号：WNM2016A-3/TR 编号：C601105

封装：SOT-23

WNM2016A 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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10+
￥0.4217
100+
￥0.3464
300+
￥0.2918
1000+
￥0.2468
5000+
￥0.2391

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型号：ES3N06G-AB3-R 编号：C42412322

封装：SOT-89

ES3N06G-AB3-R 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
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￥0.3143
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￥0.2783
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￥0.2495
9000+
￥0.235

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型号：FDV301N 编号：C5343307

封装：SOT-23

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

10+
￥0.4683
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￥0.3723
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￥0.3243
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￥0.2783
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￥0.235

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型号：ES50N03D 编号：C42434100

封装：TO-252

ES50N03D 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.5041
50+
￥0.3985
150+
￥0.3457
500+
￥0.3061
2500+
￥0.2744
5000+
￥0.2585

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型号：WPM3401-3/TR 编号：C506235

封装：SOT-23-3L

WPM3401 是 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路

数据手册

5+
￥0.5181
50+
￥0.4044
150+
￥0.3475
500+
￥0.3048
3000+
￥0.2707

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型号：WNM2046C-3/TR 编号：C506106

封装：DFN1006-3L

WPM2046C 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

10+
￥0.5238
100+
￥0.4345
300+
￥0.3899
1000+
￥0.3564
5000+
￥0.3296

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型号：JSM2321A 编号：C18193120

封装：SOT-23-3L

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM2321A是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造，可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于作为负载开关，或用于大多数同步降压转换器应用的脉宽调制（PWM）和栅极电荷电路。

5+
￥0.527
50+
￥0.4166
150+
￥0.3614
500+
￥0.32

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型号：DMG6968U-7-F-VB 编号：C7463687

封装：SOT-23

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.552415 ￥0.6499
50+
￥0.444295 ￥0.5227
150+
￥0.390235 ￥0.4591
500+
￥0.34969 ￥0.4114
3000+
￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

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型号：SI2356DS-T1-GE3-VB 编号：C7463637

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

5+
￥0.552415 ￥0.6499
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￥0.444295 ￥0.5227
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￥0.390235 ￥0.4591
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￥0.34969 ￥0.4114
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￥0.29478 ￥0.3468
6000+
￥0.278545 ￥0.3277

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型号：AO9926A 编号：C49012088

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术，提供出色的导通电阻。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，并且在非常小的外形表面贴装封装中需要低在线功率损耗。

5+
￥0.5641
50+
￥0.4441
150+
￥0.3841
500+
￥0.3391

有货

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型号：AO3401A-VB 编号：C693260

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.574275 ￥0.6045
50+
￥0.46246 ￥0.4868
150+
￥0.406505 ￥0.4279
500+
￥0.36461 ￥0.3838
3000+
￥0.290605 ￥0.3059
6000+
￥0.273885 ￥0.2883

有货

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型号：NTR4101PT1G-MS 编号：C5343303

封装：SOT-23

P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。该先进技术经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥0.5806
50+
￥0.4606
150+
￥0.4006
500+
￥0.3556
3000+
￥0.3196
6000+
￥0.3016

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型号：NX7002BKSX 编号：C478153

封装：TSSOP-6-1.3mm

品牌：Nexperia(安世)

双 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

数据手册

5+
￥0.597
50+
￥0.4945
150+
￥0.4433
500+
￥0.4049
3000+
￥0.3741
6000+
￥0.3587

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型号：SI2305CDS 编号：C5343300

封装：SOT-23

P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥0.644955 ￥0.6789
50+
￥0.512715 ￥0.5397
150+
￥0.446595 ￥0.4701
500+
￥0.397005 ￥0.4179
3000+
￥0.343615 ￥0.3617
6000+
￥0.32376 ￥0.3408

有货

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型号：ESS2022A 编号：C42412309

封装：SOP-8

ESS2022A 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.6874
50+
￥0.5434
150+
￥0.4714
500+
￥0.4174
3000+
￥0.3742
6000+
￥0.3525

有货

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型号：AO4407A(ES) 编号：C42412319

封装：SOP-8

P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

5+
￥0.6874
50+
￥0.5434
150+
￥0.4714
500+
￥0.4174
3000+
￥0.3742
6000+
￥0.3525

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型号：STN4438(UMW) 编号：C695831

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

N-Channel逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如电源管理和其他需要高端开关的电池供电电路。

数据手册

5+
￥0.781
50+
￥0.608
150+
￥0.5215
500+
￥0.4567
3000+
￥0.3659
6000+
￥0.34

有货

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型号：FDC658P-VB 编号：C7463523

封装：TSOP-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.910945 ￥1.0717
50+
￥0.80563 ￥0.9478
150+
￥0.760495 ￥0.8947
500+
￥0.70414 ￥0.8284
3000+
￥0.628915 ￥0.7399
6000+
￥0.61387 ￥0.7222

有货

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型号：IRLR8726TRPBF(ES) 编号：C42434096

封装：TO-252