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SI2304DDS-T1-GE3(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.2292
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型号：SI1304BDL(ES) 编号：C42412341

封装：SOT-323

SI1304BDL(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

20+
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型号：AO6401A(ES) 编号：C42412248

封装：SOT-23-6L

AO6401A(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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￥0.275
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￥0.2174
300+
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型号：SI2347DS-T1-GE3(ES) 编号：C42412338

封装：SOT-23

SI2347DS-T1-GE3(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

10+
￥0.275
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型号：DMP1045U-7(ES) 编号：C42412352

封装：SOT-23

DMP1045U-7(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

10+
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型号：IRLML0060TRPBF(ES) 编号：C42412353

封装：SOT-23

IRLML0060TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

10+
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型号：IRLML2502TRPBF 编号：C5449149

封装：SOT-23

品牌：KUU

特性：沟槽场效应晶体管功率MOSFET。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

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￥0.275
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￥0.2173
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￥0.1885
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￥0.1621
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￥0.1448
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型号：NX138BKWX 编号：C551593

封装：SOT-323

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装在非常小的SOT323 (SC-70) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

数据手册

10+
￥0.2899
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￥0.1998
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型号：NX138AKSX 编号：C478179

封装：TSSOP-6

双N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用非常小的SOT363（SC-88）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥0.3553
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￥0.3483
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￥0.3436
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型号：APM4953 编号：C5449078

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

这些双P沟道增强型功率场效应晶体管采用了沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用

数据手册

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￥0.36664 ￥0.4583
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￥0.28984 ￥0.3623
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￥0.25144 ￥0.3143
3000+
￥0.22264 ￥0.2783
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￥0.1996 ￥0.2495
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￥0.188 ￥0.235

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型号：NTR2101PT1G-MS 编号：C5343312

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

10+
￥0.389555 ￥0.4583
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￥0.307955 ￥0.3623
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￥0.267155 ￥0.3143
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￥0.236555 ￥0.2783
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￥0.212075 ￥0.2495
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型号：NX7002BKSX 编号：C478153

封装：TSSOP-6-1.3mm

双 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

数据手册

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￥0.4532
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￥0.3716
300+
￥0.3308
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￥0.3002
6000+
￥0.2757
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型号：PMZ290UNE2YL 编号：C478155

封装：DFN1006-3L

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装于无引脚超小型OFN1006-3 (SOT883) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

数据手册

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￥0.5537
50+
￥0.4316
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￥0.3705
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￥0.3247
2500+
￥0.2881
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型号：AO3402-VB 编号：C557940

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

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￥0.617405 ￥0.6499
50+
￥0.49647 ￥0.5226
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￥0.43605 ￥0.459
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￥0.390735 ￥0.4113
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￥0.31388 ￥0.3304
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￥0.295735 ￥0.3113

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型号：BSH111BKR 编号：C88712

封装：SOT-23

N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

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￥0.6309
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￥0.5147
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￥0.4566
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￥0.4131
3000+
￥0.3662
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型号：FDC642P-VB 编号：C7463485

封装：TSOP-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.697765 ￥0.8209
50+
￥0.683315 ￥0.8039
150+
￥0.673625 ￥0.7925
500+
￥0.66402 ￥0.7812

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型号：FDC654P-VB 编号：C7463550

封装：TSOP-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.697765 ￥0.8209
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￥0.683315 ￥0.8039
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￥0.673625 ￥0.7925
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￥0.66402 ￥0.7812

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型号：AO4407A(ES) 编号：C42412319

封装：SOP-8

P沟道增强型MOS场效应晶体管，采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品为无铅产品。

5+
￥0.7561
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￥0.5977
150+
￥0.5185
500+
￥0.4591
3000+
￥0.4116
6000+
￥0.3878

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型号：STN4438(UMW) 编号：C695831

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

N-Channel逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如电源管理和其他需要高端开关的电池供电电路。

数据手册

5+
￥0.7993
50+
￥0.6172
150+
￥0.5262
500+
￥0.4579
3000+
￥0.3624
6000+
￥0.3351

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型号：CMD9N40B 编号：C20625154

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Cmos专有的平面条状DMOS技术制造。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。

5+
￥0.8774
50+
￥0.8569
150+
￥0.8432

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型号：SI3457CDV-T1-GE3-VB 编号：C7463623

封装：TSOP-6

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.910945 ￥1.0717
50+
￥0.80563 ￥0.9478
150+
￥0.760495 ￥0.8947
500+
￥0.70414 ￥0.8284
3000+
￥0.628915 ￥0.7399
6000+
￥0.61387 ￥0.7222

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型号：AO7800-VB 编号：C557962

封装：SC-70-6

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。SC70；2个N—Channel沟道,20V；2.6A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；

数据手册

5+
￥0.95047 ￥1.1182
50+
￥0.84507 ￥0.9942
150+
￥0.799935 ￥0.9411
500+
￥0.74358 ￥0.8748
3000+
￥0.577235 ￥0.6791
6000+
￥0.56219 ￥0.6614

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型号：AO4405-VB 编号：C709887

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥0.98311 ￥1.1566
50+
￥0.851105 ￥1.0013
150+
￥0.794495 ￥0.9347
500+
￥0.723945 ￥0.8517
2500+
￥0.723095 ￥0.8507
4000+
￥0.704225 ￥0.8285

有货

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型号：PMV37EN2R 编号：C478164

封装：SOT-23

N沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,封装于小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

数据手册

10+
￥5.4
100+
￥5.2
200+
￥4.8
1000+
￥4.6
2000+
￥4.4

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型号：PMXB360ENEAZ 编号：C458205

封装：DFN1010D-3

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，采用无铅超小 DFN1010D-3 (SOT1215) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

10+
￥3.375
100+
￥3.25
200+
￥3
1000+
￥2.875
2000+
￥2.75

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型号：AO8814 编号：C49011978

封装：TSSOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

是双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术，提供出色的导通电阻。这种高密度工艺特别适合将导通状态电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用，并且在非常小的外形表面贴装封装中需要低在线功率损耗。

5+
￥1.4166
50+
￥1.1091
150+
￥0.9773
500+
￥0.8128

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型号：AO4419-VB 编号：C693203

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

5+
￥1.423835 ￥1.6751
50+
￥1.25426 ￥1.4756
150+
￥1.181585 ￥1.3901
500+
￥0.993055 ￥1.1683
2500+
￥0.95268 ￥1.1208
4000+
￥0.928455 ￥1.0923

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型号：AP9435GG-VB 编号：C693154

封装：SOT-89