场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：NX3020NAK,215 编号：C551603

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥0.6778
50+
￥0.5422
150+
￥0.4744
500+
￥0.4236
3000+
￥0.3829
6000+
￥0.3626

有货

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型号：AO4407C(ES) 编号：C42412318

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

AO4407C(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7332
50+
￥0.5796
150+
￥0.5028
500+
￥0.4452

有货

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型号：STN4438(UMW) 编号：C695831

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

N-Channel逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如电源管理和其他需要高端开关的电池供电电路。

数据手册

5+
￥0.781
50+
￥0.608
150+
￥0.5215
500+
￥0.4567
3000+
￥0.3659
6000+
￥0.34

有货

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型号：ESP10N10C 编号：C42412243

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

ESP10N10C 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.8019
50+
￥0.6339
150+
￥0.5499
500+
￥0.4869

有货

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型号：CMD9N40B 编号：C20625154

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Cmos专有的平面条状DMOS技术制造。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的电子灯镇流器。

5+
￥0.874285 ￥0.9203
50+
￥0.85386 ￥0.8988
150+
￥0.84018 ￥0.8844
500+
￥0.826595 ￥0.8701

有货

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型号：FDC642P-VB 编号：C7463485

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.910945 ￥1.0717
50+
￥0.80563 ￥0.9478
150+
￥0.760495 ￥0.8947
500+
￥0.70414 ￥0.8284
3000+
￥0.628915 ￥0.7399
6000+
￥0.61387 ￥0.7222

有货

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型号：FDC654P-VB 编号：C7463550

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.910945 ￥1.0717
50+
￥0.80563 ￥0.9478
150+
￥0.760495 ￥0.8947
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￥0.70414 ￥0.8284
3000+
￥0.628915 ￥0.7399
6000+
￥0.61387 ￥0.7222

有货

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型号：FDC608PZ-VB 编号：C7463496

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.910945 ￥1.0717
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￥0.80563 ￥0.9478
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￥0.760495 ￥0.8947
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￥0.70414 ￥0.8284
3000+
￥0.628915 ￥0.7399
6000+
￥0.61387 ￥0.7222

有货

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型号：IRLR8726TRPBF(ES) 编号：C42434096

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

IRLR8726TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.9698
50+
￥0.7682
150+
￥0.6818
500+
￥0.574
2500+
￥0.526
5000+
￥0.4972

有货

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型号：AO4405-VB 编号：C709887

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.7~-2V；

数据手册

5+
￥1.10262 ￥1.2972
50+
￥0.97053 ￥1.1418
150+
￥0.914005 ￥1.0753
500+
￥0.84337 ￥0.9922
2500+
￥0.81192 ￥0.9552
4000+
￥0.79305 ￥0.933

有货

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型号：H2SK3078A 编号：C22461936

封装：SOT-89

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款高频场效应晶体管为N沟道类型，漏源电压12V，连续漏极电流0.5A，功率3W。适用于各类小型电子设备，在高频电路中表现出色。可用于信号放大、开关控制等，满足多种日常电子设备的高频电路需求。

5+
￥1.19664 ￥1.3296
50+
￥0.93798 ￥1.0422
150+
￥0.82719 ￥0.9191
1000+
￥0.68886 ￥0.7654
2000+
￥0.62721 ￥0.6969
5000+
￥0.59031 ￥0.6559

有货

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型号：DMP6023LE-13(ES) 编号：C42434111

封装：SOT-223

品牌：ElecSuper(静芯)

DMP6023LE - 13(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.2147
50+
￥1.0677
150+
￥1.0047
500+
￥0.9261
3000+
￥0.8911
6000+
￥0.8701

有货

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型号：AO7800-VB 编号：C557962

封装：SC-70-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型+N型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种应用场景。SC70；2个N—Channel沟道,20V；2.6A；RDS(ON)=86mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.5~2V；

数据手册

5+
￥1.29642 ￥1.5252
50+
￥1.04346 ￥1.2276
150+
￥0.935 ￥1.1
500+
￥0.799765 ￥0.9409
3000+
￥0.598315 ￥0.7039
6000+
￥0.56219 ￥0.6614

有货

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型号：AOD407-MS 编号：C3647114

封装：TO-252-2

品牌：MSKSEMI(美森科)

这些 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过特别定制，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥1.3555
50+
￥1.0783
150+
￥0.9595
500+
￥0.8113
2500+
￥0.6794
5000+
￥0.6398

有货

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型号：VB8338 编号：C416218

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.434885 ￥1.6881
50+
￥1.16977 ￥1.3762
150+
￥1.056125 ￥1.2425
500+
￥0.914345 ￥1.0757
3000+
￥0.690625 ￥0.8125
6000+
￥0.652715 ￥0.7679

有货

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型号：IRLR3103TRPBF-VB 编号：C6705293

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

1+
￥1.5045 ￥1.77
10+
￥1.326 ￥1.56
30+
￥1.241 ￥1.46
100+
￥1.1475 ￥1.35
500+
￥1.0115 ￥1.19
1000+
￥0.986 ￥1.16

有货

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型号：WST02N30 编号：C5772628

封装：SOT-23

品牌：WINSOK(微硕)

WST02N30 是硅 N 沟道增强型 VDMOS 场效应晶体管，采用自对准平面技术制造，可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。

5+
￥1.5223
50+
￥1.2199
150+
￥1.0903
500+
￥0.9286
3000+
￥0.7546
6000+
￥0.7113

有货

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型号：QM3004D-VB 编号：C725141

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

1+
￥1.547 ￥1.82
10+
￥1.36 ￥1.6
30+
￥1.2835 ￥1.51
100+
￥1.1815 ￥1.39
500+
￥1.139 ￥1.34
1000+
￥1.1135 ￥1.31

有货

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型号：EG27519 编号：C2987450

封装：SOT-23-5

品牌：EG(屹晶微)

EG27519单通道高速低侧栅极驱动器，可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管，绝缘栅双极型晶体管电源开关。为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲，同时提供轨到轨驱动能力以及短的传播延迟。电源电压范围宽4V~20V，外围器件少。

数据手册

5+
￥1.7003
50+
￥1.3375
150+
￥1.1819
500+
￥0.9879

有货

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型号：CEA6861-VB 编号：C19626813

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于小型功率电路，具有良好的散热性能和安装方便性。 SOT89-3；P—Channel沟道,-60V；-6.5A；RDS(ON)=58mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.2~-2.5V；

1+
￥2.47 ￥2.6
10+
￥1.976 ￥2.08
30+
￥1.7575 ￥1.85
100+
￥1.501 ￥1.58
500+
￥1.235 ￥1.3
1000+
￥1.159 ￥1.22

有货

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型号：PMN50EPEX 编号：C552989

封装：SOT-457

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT457（SC - 74）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

1+
￥2.772 ￥3.85
10+
￥2.046 ￥3.3
30+
￥1.5964 ￥3.07
100+
￥1.4404 ￥2.77
500+
￥1.3728 ￥2.64
1000+
￥1.3312 ￥2.56

有货

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型号：WPM3033-8/TR 编号：C2931333

封装：PDFN3x3-8L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3033 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

1+
￥3.18
10+
￥2.53
30+
￥2.25
100+
￥1.9
500+
￥1.74
1000+
￥1.65

有货

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型号：VBE2309 编号：C416261

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.349 ￥3.94
10+
￥2.754 ￥3.24
30+
￥2.4565 ￥2.89
100+
￥2.159 ￥2.54
500+
￥1.9805 ￥2.33
1000+
￥1.887 ￥2.22

有货

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型号：TL071CDT 编号：C107648

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

TL071是一种高速结型场效应晶体管输入单运算放大器。该结型场效应晶体管输入运算放大器在一个单片集成电路中集成了良好匹配的高压结型场效应晶体管和双极型晶体管。该器件具有高摆率、低输入偏置电流和失调电流以及低失调电压温度系数。

数据手册

1+
￥3.44
10+
￥2.74
30+
￥2.43
100+
￥2.05
500+
￥1.88
1000+
￥1.78

有货

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型号：IPD50N06S4L-12-VB 编号：C7428997

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥3.9425 ￥4.15
10+
￥3.2205 ￥3.39
30+
￥2.8595 ￥3.01
100+
￥2.4985 ￥2.63
500+
￥2.071 ￥2.18
1000+
￥1.957 ￥2.06

有货

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型号：IRFR4104TRPBF-VB 编号：C558163

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

数据手册