场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：SI2333DDS-T1-GE3-MS 编号：C5343298

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥0.644955 ￥0.6789
50+
￥0.512715 ￥0.5397
150+
￥0.446595 ￥0.4701
500+
￥0.397005 ￥0.4179
3000+
￥0.343615 ￥0.3617
6000+
￥0.32376 ￥0.3408

有货

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型号：AO6405(ES) 编号：C42434118

封装：SOT-23-6L

品牌：ElecSuper(静芯)

AO6405(ES)是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.6606
50+
￥0.5262
150+
￥0.459
500+
￥0.4086

有货

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型号：NX3008NBKV,115 编号：C551599

封装：SOT-666

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽 MOSFET 技术的双 N 沟道增强型场效应晶体管（FET），采用超小型扁平引脚 SOT666 表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥0.829304 ￥1.4056
50+
￥0.539882 ￥1.1018
150+
￥0.378924 ￥0.9716
500+
￥0.315549 ￥0.8091
2500+
￥0.287352 ￥0.7368
4000+
￥0.270387 ￥0.6933

有货

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型号：AO4446A 编号：C49046455

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。适用于作为负载开关或用于大多数同步降压转换器应用中的PWM和栅极电荷。

5+
￥0.9444
50+
￥0.7394
150+
￥0.6515
500+
￥0.5419
3000+
￥0.4931

有货

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型号：RCQ5409 编号：C5334466

封装：PDFN5x6-8

品牌：RealChip(正芯半导体)

P- 沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

5+
￥0.9674
50+
￥0.8414
150+
￥0.7874
500+
￥0.72
2500+
￥0.654

有货

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型号：PMV75UP,215 编号：C461153

封装：TO-236AB

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥0.9801
50+
￥0.745292 ￥0.8101
150+
￥0.5945 ￥0.725
500+
￥0.542184 ￥0.6612
3000+
￥0.500364 ￥0.6102
6000+
￥0.479454 ￥0.5847

有货

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型号：VB8338 编号：C416218

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥1.00878 ￥1.1868
50+
￥0.89828 ￥1.0568
150+
￥0.850935 ￥1.0011
500+
￥0.79186 ￥0.9316
3000+
￥0.604945 ￥0.7117
6000+
￥0.58922 ￥0.6932

有货

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型号：VBI2338 编号：C416321

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中。SOT89-3；P—Channel沟道,-30V；-7.6A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

5+
￥1.496725 ￥1.5755
50+
￥1.17591 ￥1.2378
150+
￥1.038445 ￥1.0931
1000+
￥0.86374 ￥0.9092
2000+
￥0.78736 ￥0.8288
5000+
￥0.74157 ￥0.7806

有货

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型号：QM3004D-VB 编号：C725141

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

1+
￥1.5215 ￥1.79
10+
￥1.3345 ￥1.57
30+
￥1.258 ￥1.48
100+
￥1.156 ￥1.36
500+
￥1.02 ￥1.2
1000+
￥0.9945 ￥1.17

有货

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型号：AP9435GH-VB 编号：C709915

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，是一种多功能、高性能的电子器件，适用于许多不同的应用领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-38A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥1.5385 ￥1.81
10+
￥1.3515 ￥1.59
30+
￥1.275 ￥1.5
100+
￥1.173 ￥1.38
500+
￥1.02 ￥1.2
1000+
￥0.9945 ￥1.17

有货

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型号：NX3008PBKV,115 编号：C551602

封装：SOT-666

品牌：Nexperia(安世)

双P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装于超小扁平引脚SOT666表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

数据手册

5+
￥1.5807 ￥2.1076
50+
￥1.21368 ￥1.8672
150+
￥0.970255 ￥1.7641
500+
￥0.899525 ￥1.6355
2500+
￥0.868065 ￥1.5783
4000+
￥0.849145 ￥1.5439

有货

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型号：2SJ355-VB 编号：C557923

封装：SOT-89

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、LED驱动和医疗设备等多种领域的模块中。SOT89-3；P—Channel沟道,-30V；-5.8A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

5+
￥1.605785 ￥1.6903
50+
￥1.285065 ￥1.3527
150+
￥1.147505 ￥1.2079
1000+
￥0.85424 ￥0.8992
2000+
￥0.77786 ￥0.8188
5000+
￥0.731975 ￥0.7705

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型号：CJAC2R5SN04C 编号：C19268977

封装：PDFNWB5x6-8L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N-Channel增强模式功率场效应晶体管采用SGT技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

5+
￥1.76
50+
￥1.55
150+
￥1.46
500+
￥1.35

有货

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型号：WPM3021-8/TR 编号：C506175

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3021 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥1.7955
50+
￥1.4519
150+
￥1.2028
500+
￥0.9973
2500+
￥0.9623

有货

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型号：NDS332P 编号：C258217

封装：SOT-23-3

品牌：onsemi(安森美)

此类 P 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑电源管理、便携式电子设备和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速高压侧开关和线路内低功率损耗。

数据手册

5+
￥1.8179
50+
￥1.447
150+
￥1.288
500+
￥1.0897
3000+
￥1.0014
6000+
￥0.9484

有货

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型号：SI9945BDY-T1-E3-VB 编号：C6705322

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥2.47
10+
￥2.18
30+
￥2.03
100+
￥1.89
500+
￥1.88
1000+
￥1.84

有货

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型号：CN5815 编号：C840503

封装：SSOP-10-150mil

品牌：CONSONANCE(上海如韵)

CN5815是一款固定频率电流模式PWM控制器，用于升压型高亮度LED驱动。CN5815输入电压范围为4.5V到32V，驱动外部N沟道场效应晶体管(MOSFET)，LED电流通过外部电流检测电阻设置。 CN5815内部集成有基准电压源单元，误差放大器，330KHz振荡器，斜坡补偿发生器，电流模式PWM控制单元，电感过流保护电路，LED亮度调整单元，芯片关断单元，软启动电路和栅极驱动电路等模块。

数据手册

1+
￥2.58
10+
￥2.3
30+
￥2.16
100+
￥2.03
500+
￥1.79
1000+
￥1.75

有货

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型号：NDT3055 编号：C3289937

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用）专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺经过特别设计，可将导通电阻降至最低，并提供卓越的开关性能。这些器件特别适用于低压应用，如直流电机控制和直流-直流转换，这些应用需要快速开关、低线路功率损耗和抗瞬态能力

数据手册

1+
￥2.61
10+
￥2.06
30+
￥1.83
100+
￥1.53
500+
￥1.4
1000+
￥1.32

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型号：SQD19P06-60L-GE3-VB 编号：C5878855

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术制造，具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性，适用于各种功率电路设计。TO252；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

1+
￥2.68
10+
￥2.36
30+
￥2.2
100+
￥2.04
1000+
￥1.99

有货

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型号：SQ2364EES-T1_GE3 编号：C3290054

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽场效应晶体管功率MOSFET。通过AEC-Q101认证。100%进行Rg和UIS测试。典型ESD保护800V

1+
￥2.76
10+
￥2.18
30+
￥1.93
100+
￥1.5876 ￥1.62
500+
￥1.4504 ￥1.48
1000+
￥1.372 ￥1.4

有货

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型号：VBE2309 编号：C416261

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于多种领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-30V；-60A；RDS(ON)=9mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.1365 ￥3.69
10+
￥2.5415 ￥2.99
30+
￥2.244 ￥2.64
100+
￥1.9465 ￥2.29
500+
￥1.6235 ￥1.91
1000+
￥1.53 ￥1.8

有货

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型号：IRF7341TRPBF-VB 编号：C558149

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥3.3155 ￥3.49
10+
￥2.6505 ￥2.79
30+
￥2.318 ￥2.44
100+
￥1.9855 ￥2.09
500+
￥1.7385 ￥1.83
1000+
￥1.634 ￥1.72

有货

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型号：VBE1405 编号：C416254

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

数据手册

1+
￥3.553 ￥4.18
10+
￥2.907 ￥3.42
30+
￥2.584 ￥3.04
100+
￥2.261 ￥2.66
500+
￥1.785 ￥2.1
1000+
￥1.6915 ￥1.99

有货

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型号：AOD240-VB 编号：C557963

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench技术，设计用于中等功率控制和驱动应用。适用于中等功率控制和驱动应用，包括电源转换模块、电动工具控制模块、工业自动化控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,40V；85A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=25V；Vth=1.2~2.5V；

数据手册

1+
￥4.1895 ￥4.41
10+
￥3.458 ￥3.64
30+
￥3.097 ￥3.26
100+
￥2.736 ￥2.88
500+
￥2.071 ￥2.18
1000+
￥1.957 ￥2.06

有货

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型号：VBA4658 编号：C416242

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥4.446 ￥4.68
10+
￥3.6005 ￥3.79
30+
￥3.1825 ￥3.35
100+
￥2.7645 ￥2.91
500+
￥2.413 ￥2.54
1000+
￥2.28 ￥2.4

有货

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型号：FQD8P10TM-F085 编号：C903743

封装：TO-252AA

品牌：onsemi(安森美)

此类 P 沟道增强型电场效应晶体管使用平面条纹 DMOS 专属工艺生产。此先进工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。此类器件非常适用于低压应用，如音频放大器、高效开关 DC/DC 转换器和直流电机控制。

数据手册

1+
￥5.53
10+
￥4.97
30+
￥4.66
100+
￥4.31
500+
￥4.15

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型号：ADR434BRZ-REEL7 编号：C659559

封装：SOIC-8

品牌：ADI(亚德诺)

ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列是一组采用XFET技术的电压基准源，具有低噪声、高精度和低温度漂移特性。通过采用温度漂移曲率校正和额外注入结型场效应晶体管（XFET）技术，ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435的电压随温度变化的非线性被降至最低。与掩埋齐纳基准源相比，XFET基准源的工作电流更低（800μA），所需的电源电压裕量也更低（2V）

数据手册