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N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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￥1.3154
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￥1.0787
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￥0.9773
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￥0.7606

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型号：AO8814 编号：C49011978

封装：TSSOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

是双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术，提供出色的导通电阻。这种高密度工艺特别适合将导通状态电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用，并且在非常小的外形表面贴装封装中需要低在线功率损耗。

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￥1.4044
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￥1.0969
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￥0.9651
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￥0.8006

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型号：BSS138AKAR 编号：C549756

封装：SOT-23

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,封装为小型 SOT23 (TO 236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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￥1.595
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￥1.2472
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￥1.0982
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￥0.9122
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￥0.8294
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￥0.7797

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型号：IRF7103TRPBF-VB 编号：C6705269

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

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￥2.329 ￥2.74
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￥2.0825 ￥2.45
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￥1.9635 ￥2.31
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￥1.836 ￥2.16
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￥1.768 ￥2.08
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￥1.7255 ￥2.03

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型号：IRFR5505TRPBF-VB 编号：C5878815

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术制造，具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性，适用于各种功率电路设计。TO252；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥2.55 ￥3
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￥2.278 ￥2.68
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￥2.006 ￥2.36
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￥1.9295 ￥2.27
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￥1.887 ￥2.22

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型号：CMSA80P06 编号：C5337962

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA08P06采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于作为开关电源（SMPS）中的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用用途。

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￥2.565 ￥2.7
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￥2.0235 ￥2.13
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￥1.7955 ￥1.89
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￥1.463 ￥1.54
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￥1.387 ￥1.46

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型号：CMD90P04B 编号：C5203748

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P-Channel增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或PWM应用。

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￥2.622 ￥2.76
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￥2.09 ￥2.2
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￥1.862 ￥1.96
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￥1.577 ￥1.66
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￥1.444 ￥1.52
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￥1.368 ￥1.44

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型号：FDMC2523P 编号：C890927

封装：Power33-8

品牌：onsemi(安森美)

这些P沟道MOSFET增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合音频放大器、高效开关式DC/DC转换器和直流电机控制等低电压应用

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￥4.87
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￥3.88
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￥3.38
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￥2.89
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￥2.59
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￥2.44

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型号：STD30N10F7-VB 编号：C20626326

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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￥4.9495 ￥5.21
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￥4.047 ￥4.26
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￥3.591 ￥3.78
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￥3.1445 ￥3.31
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￥2.869 ￥3.02
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￥2.736 ￥2.88

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型号：ZXMS6005DN8-13 编号：C2150232

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

ZXMS6005DN8是一款双路自保护低侧智能场效应晶体管（IntelliFET）MOSFET，具有逻辑电平输入。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和静电放电（ESD）保护的逻辑电平功能。ZXMS6005DN8非常适合作为由3驱动的通用开关

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￥4.96
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￥4.44
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￥4.15
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￥3.82
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￥3.68
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￥3.61

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型号：SVF18N50PN 编号：C2761790

封装：TO-3P

品牌：SILAN(士兰微)

SVF18N50F/T/PN/FJ 是一款 N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管，采用专有的 F - Cell 高压平面 VDMOS 技术制造。经过改进的工艺和单元结构经过特殊设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件广泛应用于 AC - DC 电源、DC - DC 转换器和 H 桥 PWM 电机驱动器

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￥6.93
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￥5.57
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￥5.05
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￥4.38
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￥3.98
1200+
￥3.77

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型号：DN2470K4-G 编号：C618541

封装：TO-252(D-PAK)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这是一款低阈值、耗尽型、常开型晶体管，采用先进的垂直扩散金属氧化物半导体 (DMOS) 结构和经过验证的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体 (MOS) 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特点是，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。垂直 DMOS 场效应晶体管 (FET) 非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

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￥13.25
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￥11.38
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￥10.21
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￥9.01
500+
￥8.47

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型号：TMC5240ATJ+T 编号：C7494373

封装：TQFN-32

品牌：TRINAMIC

TMC5240是一款智能高性能步进电机控制器和驱动IC，具备串行通信接口（SPI、UART）和强大的诊断功能。它将用于自动目标定位的灵活、加加速度优化的斜坡发生器，与基于256细分、内置分度器和完全集成的36V、3.0A MAX H桥以及非耗散集成电流感应（ICS）的行业最先进步进电机驱动器相结合。 ADI-Trinamic先进的StealthChop2斩波器可确保在实现最高效率和最佳电机转矩的同时，实现绝对无噪音运行。高度集成、高能效和小尺寸设计，使系统能够实现小型化和可扩展性，从而提供经济高效的解决方案。该完整解决方案将学习成本降至最低，同时提供一流的性能。 H桥场效应晶体管（FET）的阻抗极低，从而实现高驱动效率并将产生的热量降至最低。典型的总R o N（高端 + 低端）为0.23Ω。假设使用四层PCB，每个H桥在室温下的最大RMS电流为I RMS = 2.1A RMS。每个H桥的最大输出电流为I MAX = 5.0A MAX，受过流保护（OCP）限制。由于该电流受散热因素限制，实际的最大RMS电流将取决于应用的散热特性（PCB接地层、散热器、通风等）。每个H桥的最大满量程电流为1 FS = 3.0A，可通过连接到IREF的外部电阻进行设置。此电流定义为嵌入式电流驱动调节电路的最大电流设置。非耗散ICS消除了笨重的外部功率电阻，与基于外部检测电阻的主流应用相比，可显著节省空间和功率，同时保持相同的整体精度。 TMC5240具备丰富的诊断和保护功能，如短路保护/OCP、热关断和欠压锁定（UVLO）。在热关断和UVLO事件期间，驱动器将被禁用。此外，TMC5240还提供测量驱动器温度、估算电机温度和测量一个外部模拟输入的功能。 TMC5240采用小型TQFN32 5mm x 5mm封装和具有散热优化的带裸露焊盘的TSSOP38 9.7mm x 4.4mm封装。

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￥61.93
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￥53.85
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￥48.93
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￥44.8

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型号：DMWS120H100SM4-HXY 编号：C48972196

封装：TO-247-4L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为1200V碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有优异的导电能力和高效的开关特性。其额定漏极电流ID为32A，导通电阻RDON低至75mΩ，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。碳化硅材料赋予器件高击穿电压与良好的高温工作性能，适用于高频、高压电源转换场合，如新能源发电、储能设备及智能电力系统中的关键开关单元。

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￥74.0335 ￥77.93
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￥70.6705 ￥74.39
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￥64.8565 ￥68.27
90+
￥59.774 ￥62.92

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型号：2N7002,215(ES) 编号：C42412315

封装：SOT-23

2N7002,215(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷条件下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

50+
￥0.0789
500+
￥0.0611
3000+
￥0.0512
6000+
￥0.0453
24000+
￥0.0401
51000+
￥0.0373

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型号：DMG1012T-7(ES) 编号：C42412320

封装：SOT-523

DMG1012T - 7(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.1588
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￥0.1237
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3000+
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9000+
￥0.0824
21000+
￥0.0769

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型号：IRLML2402TRPBF(ES) 编号：C42412329

封装：SOT-23

IRLML2402TRPBF(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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￥0.1588
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￥0.1237
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￥0.1042
3000+
￥0.0925
9000+
￥0.0824
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￥0.0769

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型号：2SK3018T106(MS) 编号：C22399559

封装：SOT-323

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款N沟道场效应晶体管采用SOT-323封装，具备漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：300mA，RDS:10V@0.3A=1R,适用于电池供电设备、便携式电子产品、逻辑电平转换、信号放大以及需要高效能和空间节省的电路设计中。

20+
￥0.1685
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￥0.1307
600+
￥0.1097
2000+
￥0.0971
10000+
￥0.0862
20000+
￥0.0803

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型号：DMG1012UW-7(ES) 编号：C42412344

封装：SOT-323

DMG1012Uw - 7(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.1711
200+
￥0.1333
600+
￥0.1123

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型号：ESP2301LT1G(ES) 编号：C42412342

封装：SOT-23

ESP2301LT1G(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于直流 - 直流转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.1955
200+
￥0.1523
600+
￥0.1283

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型号：SI2305CDS(ES) 编号：C42434109

封装：SOT-23

SI2305CDS(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.1955
200+
￥0.1523
600+
￥0.1283

有货

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型号：2N7002/HAMR 编号：C551411

封装：SOT-23

采用沟槽式MOSFET技术、塑料封装的N沟道增强型场效应晶体管（FET）。

数据手册

20+
￥0.2069
200+
￥0.1587
600+
￥0.132
3000+
￥0.1159
9000+
￥0.102
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￥0.0945

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型号：SI2303CDS-T1-GE3-MS 编号：C5343297

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

P-Channel 增强模式功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

10+
￥0.28872 ￥0.3208
100+
￥0.22824 ￥0.2536
300+
￥0.198 ￥0.22
3000+
￥0.17532 ￥0.1948
6000+
￥0.15714 ￥0.1746
9000+
￥0.14805 ￥0.1645

有货

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型号：NDS331N-JSM 编号：C39846922

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。

10+
￥0.36664 ￥0.4583
100+
￥0.28984 ￥0.3623
300+
￥0.25144 ￥0.3143
3000+
￥0.22264 ￥0.2783
6000+
￥0.1996 ￥0.2495
9000+
￥0.188 ￥0.235

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型号：DMP4065SQ-7(ES) 编号：C42412924

封装：SOT-23

P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。产品为无铅产品。

10+
￥0.4583
100+
￥0.3623
300+
￥0.3143

有货

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型号：SI2343DS-T1-E3-MS 编号：C5343296

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

P-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥0.5844
50+
￥0.4644
150+
￥0.4044
500+
￥0.3594
3000+
￥0.3234
6000+
￥0.3053

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型号：PMDXB950UPEZ 编号：C552765

封装：DFN1010-6

双P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用无铅超小DFN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用沟槽MOSFET技术。

数据手册

5+
￥0.590612 ￥1.3423
50+
￥0.402492 ￥1.1838
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￥0.267816 ￥1.1159
500+
￥0.247464 ￥1.0311
2500+
￥0.238416 ￥0.9934
5000+
￥0.232992 ￥0.9708

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型号：VB1330 编号：C416208

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.6251 ￥0.658
50+
￥0.50426 ￥0.5308
150+
￥0.44384 ￥0.4672
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￥0.398525 ￥0.4195
3000+
￥0.313975 ￥0.3305
6000+
￥0.29583 ￥0.3114

有货

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型号：NX7002BKWX 编号：C551612

封装：SOT-323