场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PMV100EPAR 编号：C3290636

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

5+
￥2.2969
50+
￥1.8605
150+
￥1.6734
500+
￥1.44
3000+
￥1.3361
6000+
￥1.2738

有货

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型号：PMPB15XP,115 编号：C513107

封装：DFN2020MD-6

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽式MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚中功率DFN2020MD - 6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥2.3048
50+
￥1.8459
150+
￥1.6493
500+
￥1.4039
3000+
￥1.2947
6000+
￥1.2291

有货

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型号：VBZA9945 编号：C700609

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥2.329 ￥2.74
10+
￥2.0825 ￥2.45
30+
￥1.955 ￥2.3
100+
￥1.836 ￥2.16
500+
￥1.7595 ￥2.07
1000+
￥1.7255 ￥2.03

有货

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型号：SI4559ADY-T1-E3-VB 编号：C5878842

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N型和P型场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电力电子领域、工业电源模块、电动车辆、太阳能逆变器、通信设备等领域。SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；5.3/-4.9A；RDS(ON)=26/55mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1~±3；

1+
￥2.4395 ￥2.87
10+
￥2.1675 ￥2.55
30+
￥2.0315 ￥2.39
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￥1.904 ￥2.24
500+
￥1.7425 ￥2.05
1000+
￥1.7 ￥2

有货

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型号：FDC6303N 编号：C236887

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适合在低压应用中替代负载开关应用中的数字晶体管。因为无需偏置电阻，所以此类 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻的数字晶体管，如 IMHxA 系列。

数据手册

1+
￥2.61
10+
￥2.09
30+
￥1.86
100+
￥1.58
500+
￥1.45
1000+
￥1.37

有货

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型号：IRF7416TRPBF-VB 编号：C558152

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道功率场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理、驱动和汽车电子等多种领域的模块中，其高性能特性和可靠性使其成为各种功率应用的理想选择。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-9A；RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

1+
￥2.6125 ￥2.75
10+
￥2.0805 ￥2.19
30+
￥1.8525 ￥1.95
100+
￥1.5675 ￥1.65
500+
￥1.4345 ￥1.51
1000+
￥1.3585 ￥1.43

有货

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型号：CMD25P15 编号：C18198747

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

1+
￥2.8405 ￥2.99
10+
￥2.2515 ￥2.37
30+
￥1.995 ￥2.1
100+
￥1.6815 ￥1.77
500+
￥1.425 ￥1.5
1000+
￥1.3395 ￥1.41

有货

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型号：AOD464-VB 编号：C709906

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥4.8165 ￥5.07
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￥3.9045 ￥4.11
30+
￥3.458 ￥3.64
100+
￥3.002 ￥3.16
500+
￥2.5175 ￥2.65
1000+
￥2.375 ￥2.5

有货

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型号：ISP752R 编号：C538455

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入和诊断反馈功能，采用智能SIPMOS技术进行单片集成。提供嵌入式保护功能。

数据手册

1+
￥7.14
10+
￥6.51
30+
￥6.12
100+
￥5.72
500+
￥5.53
1000+
￥5.45

有货

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型号：CS25N50ANR 编号：C2900748

封装：TO-3P

品牌：CRMICRO(华润微)

CS25N50 ANR是一款硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），采用自对准平面技术制造，可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P（N），符合RoHS标准

数据手册

1+
￥9.1
10+
￥7.61
25+
￥5.66
100+
￥4.73
500+
￥4.32
1000+
￥4.14

有货

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型号：SI7852DP-T1-GE3 编号：C467914

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。新型低热阻。低1.07mm外形的PowerPAK@封装。 PWM针对快速开关进行了优化。 100%进行Rg测试。应用：DC/DC应用的初级侧开关

数据手册

1+
￥9.24
10+
￥8.43
30+
￥7.92
100+
￥7.41
500+
￥7.17
1000+
￥7.07

有货

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型号：BTS3046SDL 编号：C534754

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

BTS3046SDL是一款采用PG-TO252-3-11封装的单通道低端MOSFET功率开关，具备内置保护功能。该器件将N沟道垂直功率场效应晶体管与内置保护功能进行了单片集成。

数据手册

1+
￥11.52
10+
￥9.47
30+
￥8.34
100+
￥7.07
500+
￥6.5
1000+
￥6.25

有货

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型号：IMZA120R014M1HXKSA1-HXY 编号：C50346532

封装：TO-247-4L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品为1200V高压碳化硅N沟道场效应晶体管（MOSFET），具备优异的导通与开关性能。其最大漏极电流ID可达165A，导通电阻RDON低至13毫欧，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。碳化硅材料的使用使其具备更高的击穿电场强度和热导率，适用于高电压、高频率和高功率密度的电源转换系统。该器件可广泛应用于高效能电力电子设备中，如智能电网、可再生能源系统及高精度电机控制模块，为系统提供稳定、可靠的电力支持。

1+
￥119.4435 ￥125.73
10+
￥114.2755 ￥120.29
30+
￥105.3265 ￥110.87
90+
￥97.508 ￥102.64

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型号：2SK3018(MS) 编号：C22399560

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款N沟道场效应晶体管采用SOT-23封装，具备漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：300mA，RDS:10V@0.3A=1R,适用于电池供电设备、便携式电子产品、逻辑电平转换、信号放大以及需要高效能和强劲的性能满足你的电路设计需求

50+
￥0.087115 ￥0.0917
500+
￥0.067545 ￥0.0711
1500+
￥0.056715 ￥0.0597
5000+
￥0.050255 ￥0.0529
25000+
￥0.04465 ￥0.047
50000+
￥0.04161 ￥0.0438

有货

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型号：BSS138W 编号：C42414251

封装：SOT-323

品牌：GOODWORK(固得沃克)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

50+
￥0.11016 ￥0.1296
500+
￥0.08721 ￥0.1026
3000+
￥0.07446 ￥0.0876
6000+
￥0.06681 ￥0.0786
24000+
￥0.06018 ￥0.0708
51000+
￥0.056525 ￥0.0665

有货

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型号：2SK3018W 编号：C42412326

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

2SK3018W是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

50+
￥0.1222
500+
￥0.0952
3000+
￥0.0802
6000+
￥0.0712
24000+
￥0.0634
51000+
￥0.0592

有货

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型号：SI2302CDS-T1-GE3-MS 编号：C5343292

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

N-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术专门用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

20+
￥0.14301 ￥0.1589
200+
￥0.11142 ￥0.1238
600+
￥0.09387 ￥0.1043
3000+
￥0.08334 ￥0.0926
9000+
￥0.07416 ￥0.0824
21000+
￥0.0693 ￥0.077

有货

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型号：AO3416 编号：C49012073

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

3416 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造，可提供出色的导通电阻 RDS(ON)。这种高密度工艺专门用于最小化导通状态电阻。这些器件特别适用于低压应用，并且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗

10+
￥0.2514
100+
￥0.1977
300+
￥0.1708

有货

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型号：IRLML6401 编号：C5343302

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术专门用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

10+
￥0.270655 ￥0.2849
100+
￥0.211755 ￥0.2229
300+
￥0.182305 ￥0.1919
3000+
￥0.160265 ￥0.1687
6000+
￥0.142595 ￥0.1501
9000+
￥0.13376 ￥0.1408

有货

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型号：4953-GK 编号：C42457471

封装：SOP-8

品牌：GOODWORK(固得沃克)

这些双P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

10+
￥0.360995 ￥0.4247
100+
￥0.287555 ￥0.3383
300+
￥0.250835 ￥0.2951
3000+
￥0.223295 ￥0.2627
6000+
￥0.201195 ￥0.2367
9000+
￥0.19023 ￥0.2238

有货

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型号：AO3011A 编号：C49046454

封装：SOT-23-3L

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度先进沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,并且在非常小的外形表面贴装封装中需要低在线功率损耗。

10+
￥0.3791
100+
￥0.2984
300+
￥0.2581

有货

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型号：SI2302DS-T1-GE3-VB 编号：C558245

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.38437 ￥0.4046
100+
￥0.30229 ￥0.3182
300+
￥0.26125 ￥0.275
3000+
￥0.218215 ￥0.2297
6000+
￥0.19361 ￥0.2038
9000+
￥0.18126 ￥0.1908

有货

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型号：SI2300DS-T1-GE3-VB 编号：C558241

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.397765 ￥0.4187
100+
￥0.315685 ￥0.3323
300+
￥0.274645 ￥0.2891
3000+
￥0.235315 ￥0.2477
6000+
￥0.21071 ￥0.2218
9000+
￥0.19836 ￥0.2088

有货

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型号：IRLML2502TRPBF-VB 编号：C558174

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

5+
￥0.443555 ￥0.4669
50+
￥0.347795 ￥0.3661
150+
￥0.299915 ￥0.3157
500+
￥0.264005 ￥0.2779
3000+
￥0.240065 ￥0.2527
6000+
￥0.225625 ￥0.2375

有货

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型号：IRF7204TR(UMW) 编号：C7394008

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

是单P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻。高达 -30V 的工作电压非常适合用于开关模式电源、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。

5+
￥0.5516
50+
￥0.4348
150+
￥0.3764
500+
￥0.3325
3000+
￥0.2975
6000+
￥0.28

有货

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型号：BSS308PE-VB 编号：C878854

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.58938 ￥0.6204
50+
￥0.46854 ￥0.4932
150+
￥0.40812 ￥0.4296
500+
￥0.362805 ￥0.3819
3000+
￥0.301435 ￥0.3173
6000+
￥0.28329 ￥0.2982

有货

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型号：AO8822 编号：C49020865

封装：TSSOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

是双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造，可提供出色的RDS(ON)。这种高密度工艺特别适合最小化导通状态电阻。这些器件特别适用于低电压应用，并且在非常小的外形表面贴装封装中需要低在线功率损耗。

5+
￥0.6317
50+
￥0.4973
150+
￥0.4301
500+
￥0.3797

有货

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型号：2N7002PV,115 编号：C551422

封装：SOT-666

品牌：Nexperia(安世)

双N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，封装为超小型SOT666表面贴装器件 (SMD)。

数据手册

5+
￥0.7163
50+
￥0.6274
150+
￥0.5893
500+
￥0.5418
2500+
￥0.5206
4000+
￥0.5079

有货

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型号：NTGS3136PT1G-VB 编号：C693359

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.878305 ￥1.0333
50+
￥0.77316 ￥0.9096
150+
￥0.728025 ￥0.8565
500+
￥0.67184 ￥0.7904
3000+
￥0.646765 ￥0.7609
6000+
￥0.63172 ￥0.7432

有货

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型号：SI3457CDV-T1-GE3-VB 编号：C7463623

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.910945 ￥1.0717
50+
￥0.80563 ￥0.9478
150+
￥0.760495 ￥0.8947
500+
￥0.70414 ￥0.8284
3000+
￥0.628915 ￥0.7399
6000+
￥0.61387 ￥0.7222

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