场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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5+
￥0.622345 ￥0.6551
50+
￥0.50141 ￥0.5278
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￥0.44099 ￥0.4642
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￥0.39558 ￥0.4164
3000+
￥0.295355 ￥0.3109
6000+
￥0.27721 ￥0.2918

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型号：CMSA80P06A 编号：C22364965

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻。该器件适用于负载开关或PWM应用。

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￥2.1354
50+
￥1.6591
150+
￥1.455

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型号：DMN6070SSD-13 编号：C461040

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

此MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）旨在最小化导通电阻（RDS(on)），同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。

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5+
￥2.1899
50+
￥1.7662
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￥1.5847
500+
￥1.3581
2500+
￥1.2572

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型号：BUK9880-55A/CUX 编号：C461186

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用TrenchMOS技术封装在塑料外壳中。该产品已设计并符合相应的AEC标准，适用于汽车关键应用。

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￥2.2144
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￥1.7982
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￥1.6198
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￥1.327435 ￥1.3973
2000+
￥1.23329 ￥1.2982
5000+
￥1.176765 ￥1.2387

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型号：SI3459BDV-T1-E3 编号：C727548

封装：TSOP-6

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。 100%进行Rg测试。应用：负载开关。 P沟道MOSFET

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￥2.42
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￥2.13
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￥1.98
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￥1.8032 ￥1.84
500+
￥1.715 ￥1.75
1000+
￥1.6758 ￥1.71

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型号：PMT200EPEX 编号：C553076

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用中功率SOT223（SC - 73）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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￥3.19
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￥2.54
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￥2.26
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￥1.8336 ￥1.91
500+
￥1.68 ￥1.75
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￥1.5936 ￥1.66

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型号：NTD2955T4G-VB 编号：C558209

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。TO252；P—Channel沟道,-60V；-30A；RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥3.496 ￥3.68
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￥2.831 ￥2.98
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￥2.4985 ￥2.63
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￥2.166 ￥2.28
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￥1.8905 ￥1.99
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￥1.786 ￥1.88

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型号：CMB020N06 编号：C19724734

封装：TO-263

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

020N06采用先进技术，可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并将功率转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于开关电源（SMPS）、负载开关及通用电路中的低端场效应晶体管（FET）。

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￥3.6
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￥2.88
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￥2.53
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￥2.17
500+
￥1.96
800+
￥1.85

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型号：IRFR5305TRPBF-VB 编号：C558165

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术制造，具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性，适用于各种功率电路设计。TO252；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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1+
￥3.8855 ￥4.09
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￥3.1635 ￥3.33
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￥2.8025 ￥2.95
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￥2.4415 ￥2.57
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￥2.052 ￥2.16
1000+
￥1.938 ￥2.04

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型号：VBE2104N 编号：C480954

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术，适用于多个领域和模块。TO252；P—Channel沟道,-100V；-40A；RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

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1+
￥4.446 ￥4.68
10+
￥4.3415 ￥4.57
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￥4.2655 ￥4.49
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￥4.199 ￥4.42

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型号：ZXMS6005DN8-13 编号：C2150232

封装：SOIC-8

品牌：DIODES(美台)

ZXMS6005DN8是一款双路自保护低侧智能场效应晶体管（IntelliFET）MOSFET，具有逻辑电平输入。它集成了过温、过流、过压（有源钳位）和静电放电（ESD）保护的逻辑电平功能。ZXMS6005DN8非常适合作为由3驱动的通用开关

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￥4.89
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￥4.37
30+
￥4.09
100+
￥3.77
500+
￥3.62
1000+
￥3.56

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型号：CS3N150AHR 编号：C2758477

封装：TO-3PH

品牌：CRMICRO(华润微)

CS3N150 AHR是采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P(H)，符合RoHS标准

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￥7.51
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￥6.38
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￥4.8
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￥4.09
500+
￥3.78
1200+
￥3.64

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型号：SVGP159R3NL5ATR 编号：C42459735

封装：DFN-8(5x6)

品牌：SILAN(士兰微)

SVGP159R3NL5A(L5) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS工艺技术制造。先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。

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￥7.99
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￥6.61
30+
￥5.86
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￥5.01
500+
￥4.63
1000+
￥4.46

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型号：ISP752RFUMA1 编号：C454923

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

带电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入和诊断反馈功能，单片集成嵌入式保护功能。

1+
￥8.61
10+
￥7.97
30+
￥7.57
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￥5.73
500+
￥5.55

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型号：LMG2100R044RARR 编号：C22453052

封装：VQFN-FCRLF-16(4.5x5.5)

品牌：TI(德州仪器)

LMG2100R044器件是一款90V连续、100V脉冲、35A半桥功率级器件，集成了栅极驱动器和增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。该器件由两个100V GaN FET组成，采用半桥配置，由一个高频90V GaN FET驱动器驱动。GaN FET在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有零反向恢复特性，且输入电容Ciss和输出电容Coss非常小

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1+
￥34.41
10+
￥30.79
30+
￥28.48

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型号：2N7002BK,215(ES) 编号：C42412328

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

2N7002BK,215(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

50+
￥0.0563
500+
￥0.055
3000+
￥0.0541

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型号：BSS84 编号：C347485

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

P沟道增强型场效应晶体管采用专有、高单元密度的DMOS技术生产。这种高密度工艺可将导通电阻降至最低，以提供坚固可靠的性能和快速开关。可轻松用于大多数需要高达0.13A直流电流的应用。

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50+
￥0.1195
500+
￥0.0934
3000+
￥0.0759
6000+
￥0.0672
24000+
￥0.0597
51000+
￥0.0556

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型号：RC2310A 编号：C5137075

封装：SOT-23

品牌：RealChip(正芯半导体)

RC2310A 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理，以及其他需要在极小外形尺寸的表面贴装封装中进行高端开关和低在线功率损耗的电池供电电路

数据手册

20+
￥0.1567
200+
￥0.1215
600+
￥0.102
3000+
￥0.0863

有货

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型号：DMG1012T-7(ES) 编号：C42412320

封装：SOT-523

品牌：ElecSuper(静芯)

DMG1012T - 7(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.1588
200+
￥0.1237
600+
￥0.1042
3000+
￥0.0925
9000+
￥0.0824
21000+
￥0.0769

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型号：DMG1012UW-7(ES) 编号：C42412344

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

DMG1012Uw - 7(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.1783
200+
￥0.1405
600+
￥0.1195

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型号：WNM6001-3/TR 编号：C239589

封装：SOT-23

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WNM6001是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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20+
￥0.1823
200+
￥0.1497
600+
￥0.1262
2000+
￥0.1067
10000+
￥0.1034

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型号：AO2312 编号：C49046452

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

N-Channel逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度先进沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件适合用作负载开关或其他一般应用。

20+
￥0.2017
200+
￥0.1563
600+
￥0.1311

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型号：PMZB670UPE,315 编号：C547300

封装：SOT-883-3

品牌：Nexperia(安世)

P- 沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用无铅超小型 DFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用沟槽 MOSFET 技术。

数据手册

5+
￥0.21594 ￥0.7198
50+
￥0.12696 ￥0.6348
150+
￥0.05984 ￥0.5984
500+
￥0.05529 ￥0.5529
2500+
￥0.05327 ￥0.5327
5000+
￥0.05206 ￥0.5206

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型号：SI2303CDS-T1-GE3-MS 编号：C5343297

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

P-Channel 增强模式功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

10+
￥0.28872 ￥0.3208
100+
￥0.22824 ￥0.2536
300+
￥0.198 ￥0.22
3000+
￥0.17532 ￥0.1948
6000+
￥0.15714 ￥0.1746
9000+
￥0.14805 ￥0.1645

有货

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型号：CN3303 编号：C3034873

封装：SOP-8

品牌：CONSONANCE(上海如韵)

CN3303是一款PFM升压型三节锂电池充电控制集成电路。输入电压范围2.7V到6.5V，内部集成有基准电压源，电感电流检测单元，电池电压检测电路，输出过压保护电路，电池电压过低保护单元，控制单元和片外场效应晶体管驱动电路等，非常适合5V输入，为三节锂电池的充电控制应用，具有外部元件少，功能多，电路简单等优点。当接通输入电源后，CN3303进入充电状态，STAT管脚输出高电平，片外N沟道场效应晶体管导通，电感电流上升，输出电容中的能量转移到电池中。

数据手册

10+
￥0.4057
100+
￥0.3224
300+
￥0.2807
1000+
￥0.2494
4000+
￥0.2244
8000+
￥0.2119

有货

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型号：FDV301N 编号：C5343307

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

10+
￥0.444885 ￥0.4683
100+
￥0.353685 ￥0.3723
300+
￥0.308085 ￥0.3243
3000+
￥0.264385 ￥0.2783
6000+
￥0.237025 ￥0.2495
9000+
￥0.22325 ￥0.235

有货

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型号：IRLML2502TRPBF-VB 编号：C558174

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

5+
￥0.452295 ￥0.4761
50+
￥0.356535 ￥0.3753
150+
￥0.308655 ￥0.3249
500+
￥0.272745 ￥0.2871
3000+
￥0.248805 ￥0.2619
6000+
￥0.23446 ￥0.2468

有货

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型号：AO9926A 编号：C49012088

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术，提供出色的导通电阻。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，并且在非常小的外形表面贴装封装中需要低在线功率损耗。

5+
￥0.5589
50+
￥0.4389
150+
￥0.3789
500+
￥0.3339

有货

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型号：SI2307CDS 编号：C5343299

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥0.61578 ￥0.6842
50+
￥0.4905 ￥0.545
150+
￥0.42786 ￥0.4754
500+
￥0.38088 ￥0.4232
3000+
￥0.34326 ￥0.3814
6000+
￥0.32445 ￥0.3605

有货

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型号：SI2319CDS-T1-GE3-VB 编号：C558254

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.631275 ￥0.6645
50+
￥0.510435 ￥0.5373
150+
￥0.450015 ￥0.4737
500+
￥0.4047 ￥0.426
3000+
￥0.324425 ￥0.3415
6000+
￥0.30628 ￥0.3224

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