场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥2.66 ￥2.8
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￥2.0995 ￥2.21
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￥1.8525 ￥1.95
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￥1.5485 ￥1.63
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￥1.387 ￥1.46
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￥1.311 ￥1.38

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型号：TPC8107&9-VB 编号：C6705332

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

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￥3.54
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￥2.8
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￥2.48
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￥2.09
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￥1.66

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型号：BUK9Y40-55B,115 编号：C461200

封装：LFPAK56(PowerSO-8)

品牌：Nexperia(安世)

采用高性能汽车级（HPA）TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和鉴定，适用于汽车关键应用。

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￥4.08
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￥3.35
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￥3.04
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￥2.5344 ￥2.64
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￥2.1312 ￥2.22
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￥2.0352 ￥2.12

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型号：SIA414DJ-T1-GE3 编号：C727574

封装：PowerPAK-SC-70-6L

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟道式场效应晶体管功率MOSFET。新型热增强型PowerPAK SC-70封装。小封装面积。应用：便携式应用的负载开关

数据手册

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￥4.39
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￥3.68
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型号：SI9948AEY-T1-E3-VB 编号：C558277

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥4.4555 ￥4.69
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￥2.4035 ￥2.53
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￥2.2705 ￥2.39

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型号：STD30N10F7-VB 编号：C20626326

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

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￥5.21
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￥2.88

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型号：SQJ418EP-T1_GE3 编号：C727722

封装：PowerPAKSO-8L

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽场效应晶体管功率MOSFET。 AEC-Q101认证。 100% Rg和UIS测试。材料分类：有关合规性定义，请参阅相关文档

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￥6.97
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￥3.9298 ￥4.01

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型号：ISP752R 编号：C538455

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

采用电荷泵的N沟道垂直功率场效应晶体管（FET），具有接地参考的CMOS兼容输入和诊断反馈功能，采用智能SIPMOS技术进行单片集成。提供嵌入式保护功能。

数据手册

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￥7.29
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￥5.6

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型号：PSMN015-100P,127 编号：C547347

封装：TO-220AB

品牌：Nexperia(安世)

采用TrenchMOS技术、塑料封装的SiliconMAX标准电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品专为计算、通信、消费和工业应用而设计并通过相关认证。

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￥15.51
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￥13.2672 ￥13.82
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￥12.2112 ￥12.72

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型号：2SK3018W(MS) 编号：C22399558

封装：SOT-323

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款N沟道场效应晶体管采用SOT-323封装，具备漏源电压(Vdss)：30V，连续漏极电流(Id)：300mA，RDS:10V@0.3A=1R,适用于电池供电设备、便携式电子产品、逻辑电平转换、信号放大以及需要高效能和空间节省的电路设计中。

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￥0.121315 ￥0.1277
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￥0.095665 ￥0.1007
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25000+
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型号：SI2302CDS-T1-GE3-MS 编号：C5343292

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

N-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术专门用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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￥0.14301 ￥0.1589
200+
￥0.11142 ￥0.1238
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￥0.09387 ￥0.1043
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￥0.08334 ￥0.0926
9000+
￥0.07416 ￥0.0824
21000+
￥0.0693 ￥0.077

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型号：FDV302P 编号：C5343311

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供出色的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效率快速开关应用。

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10+
￥0.24339 ￥0.2562
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￥0.19323 ￥0.2034
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￥0.16815 ￥0.177
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￥0.14877 ￥0.1566
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￥0.13376 ￥0.1408
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￥0.126255 ￥0.1329

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型号：IRLML6401 编号：C5343302

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

P-Channel增强模式功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术专门用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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￥0.270655 ￥0.2849
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￥0.211755 ￥0.2229
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￥0.182305 ￥0.1919
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￥0.160265 ￥0.1687
6000+
￥0.142595 ￥0.1501
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￥0.13376 ￥0.1408

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型号：AO3011A 编号：C49046454

封装：SOT-23-3L

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度先进沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,并且在非常小的外形表面贴装封装中需要低在线功率损耗。

10+
￥0.3791
100+
￥0.2984
300+
￥0.2581

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型号：SI2300DS-T1-GE3-VB 编号：C558241

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

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￥0.394155 ￥0.4149
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￥0.312075 ￥0.3285
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￥0.271035 ￥0.2853
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￥0.231705 ￥0.2439
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￥0.207005 ￥0.2179
9000+
￥0.19475 ￥0.205

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型号：SI2343DS-T1-E3-MS 编号：C5343296

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

P-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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￥0.48688 ￥0.5728
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￥0.38488 ￥0.4528
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￥0.33388 ￥0.3928
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￥0.29563 ￥0.3478
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￥0.26503 ￥0.3118
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￥0.24973 ￥0.2938

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型号：NTR4101PT1G-MS 编号：C5343303

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。该先进技术经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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￥0.54397 ￥0.5726
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￥0.430065 ￥0.4527
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￥0.373065 ￥0.3927
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￥0.296115 ￥0.3117
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型号：PMV40UN2R 编号：C179442

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装

数据手册

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￥0.349885 ￥0.3683
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￥0.30628 ￥0.3224
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型号：NDS8435A(UMW) 编号：C18214388

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

SOP-8 P-Channel增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。

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￥0.5545
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￥0.2991
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￥0.2814

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型号：AO8822 编号：C49020865

封装：TSSOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

是双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造，可提供出色的RDS(ON)。这种高密度工艺特别适合最小化导通状态电阻。这些器件特别适用于低电压应用，并且在非常小的外形表面贴装封装中需要低在线功率损耗。

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￥0.6317
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￥0.4301
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￥0.3797

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型号：AO4407C(ES) 编号：C42412318

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

AO4407C(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7231
50+
￥0.5647
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￥0.4855
500+
￥0.4261

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型号：ESE6050KA 编号：C42412311

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ESE6050KA 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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￥0.7458
50+
￥0.6513
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￥0.6108
500+
￥0.5603

有货

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型号：ESP10N10C 编号：C42412243

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

ESP10N10C 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.8019
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￥0.6339
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￥0.5499
500+
￥0.4869

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型号：NTGS3136PT1G-VB 编号：C693359

封装：TSOP-6

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOT23-6；P—Channel沟道,-30V；-4.8A；RDS(ON)=49mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.885275 ￥1.0415
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￥0.78013 ￥0.9178
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￥0.73508 ￥0.8648
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￥0.67881 ￥0.7986
3000+
￥0.58055 ￥0.683
6000+
￥0.565505 ￥0.6653

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型号：7N65M 编号：C5455845

封装：TO-252

品牌：XCH(旭昌辉)

XCH4N65M是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管可应用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和提高效率。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准

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￥1.153725 ￥1.5383
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￥0.908025 ￥1.2107
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￥0.802725 ￥1.0703
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￥0.671325 ￥0.8951
2500+
￥0.603075 ￥0.8041
5000+
￥0.567975 ￥0.7573

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型号：IRFL024NTRPBF-VB 编号：C4355057

封装：SOT-223

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要小功率场效应管的应用场景，例如电源管理模块、传感器模块、LED驱动模块和便携式电子产品等领域。SOT223；N—Channel沟道,60V；4.5A；RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

5+
￥1.329825 ￥1.5645
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￥1.17062 ￥1.3772
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￥1.102365 ￥1.2969
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￥1.017195 ￥1.1967
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￥0.979285 ￥1.1521
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￥0.956505 ￥1.1253

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型号：FH1604D 编号：C2929037

封装：TO-252

品牌：鑫飞宏

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥1.3443
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￥1.0672
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￥0.9484
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￥0.744186 ￥0.8002
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￥0.640398 ￥0.6886
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￥0.60357 ￥0.649

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型号：IRF9328TRPBF-VB 编号：C4355085

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册