场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

5+
￥0.611325 ￥0.6435
50+
￥0.490485 ￥0.5163
150+
￥0.430065 ￥0.4527
500+
￥0.38475 ￥0.405
3000+
￥0.33934 ￥0.3572
6000+
￥0.321195 ￥0.3381

有货

立即购买

型号：BRCS060N04YMQ 编号：C36499033

封装：PDFN5x6-8A

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

AEC-Q101车规场效应晶体管 N沟道

1+
￥1.86
10+
￥1.6
30+
￥1.5
100+
￥1.36
500+
￥1.3
1000+
￥1.26

有货

立即购买

型号：SI9945BDY-T1-E3-VB 编号：C6705322

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

1+
￥2.0995 ￥2.47
10+
￥1.853 ￥2.18
30+
￥1.7255 ￥2.03
100+
￥1.6065 ￥1.89
500+
￥1.598 ￥1.88
1000+
￥1.564 ￥1.84

有货

立即购买

型号：AOD2610-VB 编号：C724968

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型场效应晶体管，采用Trench工艺，具有较低的导通电阻和较高的性能，适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用，为相关领域提供了可靠的解决方案。TO252；N—Channel沟道,60V；58A；RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥2.38 ￥2.8
10+
￥2.125 ￥2.5
30+
￥1.9975 ￥2.35
100+
￥1.87 ￥2.2
500+
￥1.802 ￥2.12
1000+
￥1.7595 ￥2.07

有货

立即购买

型号：IRFR5305TRPBF-VB 编号：C558165

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术制造，具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性，适用于各种功率电路设计。TO252；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

1+
￥3.8855 ￥4.09
10+
￥3.1635 ￥3.33
30+
￥2.8025 ￥2.95
100+
￥2.4415 ￥2.57
500+
￥2.052 ￥2.16
1000+
￥1.938 ￥2.04

有货

立即购买

型号：BSN20BK215 编号：C7091999

封装：SOT-23(TO-236AB)

品牌：Nexperia(安世)

N-沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

1+
￥5.26
10+
￥4.27
30+
￥3.77
100+
￥3.28
500+
￥2.99
1000+
￥2.84

有货

立即购买

型号：ISG3204LA 编号：C46528000

封装：LGA-30(5x6.5)

品牌：Innoscience(英诺赛科)

该产品是一款采用紧凑的5mm x 6.5mm LGA封装的半桥固态氮化镓器件。封装内包含两个高性能氮化镓场效应晶体管、驱动器和驱动器电源电容，提供了紧凑高效的氮化镓电源解决方案。该产品提供两个逻辑输入，用于控制高端和低端氮化镓场效应晶体管，具有最大的灵活性。分离的驱动器输出允许独立调整导通和关断强度，优化电磁干扰和效率

1+
￥29.82
10+
￥25.8
30+
￥23.41
100+
￥19.5
500+
￥18.38
1000+
￥17.88

有货

立即购买

型号：2SK3541-GK 编号：C42402303

封装：SOT-723

品牌：GOODWORK(固得沃克)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

20+
￥0.12582 ￥0.1398
200+
￥0.09909 ￥0.1101
600+
￥0.08424 ￥0.0936
2000+
￥0.07533 ￥0.0837
8000+
￥0.06759 ￥0.0751
16000+
￥0.06336 ￥0.0704

有货

立即购买

型号：FDV303N 编号：C5343310

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

20+
￥0.19629 ￥0.2181
200+
￥0.15309 ￥0.1701
600+
￥0.13149 ￥0.1461
3000+
￥0.12177 ￥0.1353
9000+
￥0.10881 ￥0.1209
21000+
￥0.10233 ￥0.1137

有货

立即购买

型号：AO2312 编号：C49046452

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

N-Channel逻辑增强型功率场效应晶体管采用高单元密度先进沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件适合用作负载开关或其他一般应用。

20+
￥0.2017
200+
￥0.1563
600+
￥0.1311

有货

立即购买

型号：SI2318 编号：C42456347

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

10+
￥0.23832 ￥0.2979
100+
￥0.1884 ￥0.2355
300+
￥0.16344 ￥0.2043
3000+
￥0.14472 ￥0.1809
6000+
￥0.12976 ￥0.1622
9000+
￥0.12224 ￥0.1528

有货

立即购买

型号：AO3422A 编号：C2681222

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。宽栅极驱动电压范围：2.5V-12V。适用于作为负载开关。漏源击穿电压（V(BR)DS）：60V。连续漏极电流（ID）：2.1A。导通电阻（RDS(ON)）: -VGS = 10V时，小于105mΩ。应用：沟槽场效应晶体管功率MOSFET。便携式设备负载开关

数据手册

20+
￥0.2676
200+
￥0.2039
600+
￥0.1685
3000+
￥0.1384
9000+
￥0.12
21000+
￥0.1101

有货

立即购买

型号：PMZB600UNEYL 编号：C547298

封装：SOT-883-3

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无引脚超小型OFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

10+
￥0.3641
100+
￥0.2994
300+
￥0.267
1000+
￥0.2427
5000+
￥0.2233
10000+
￥0.2135

有货

立即购买

型号：CMD30P02 编号：C6939685

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

5+
￥0.396245 ￥0.4171
50+
￥0.348935 ￥0.3673
150+
￥0.32528 ￥0.3424
500+
￥0.307515 ￥0.3237
2500+
￥0.28272 ￥0.2976
5000+
￥0.275595 ￥0.2901

有货

立即购买

型号：NDS7002A 编号：C74715

封装：SOT-23-3L

品牌：onsemi(安森美)

此 N 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。此产品可最大程度地降低导通电阻，同时具备坚固、可靠和快速开关性能。此产品可用于最高要求 400mA DC 的大多数应用，可以提供高达 2 A 的脉冲电流。此产品尤其适合低电压、低电流应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 门极驱动器和其他开关应用。

数据手册

10+
￥0.4475
100+
￥0.3613
300+
￥0.3182
3000+
￥0.2723
6000+
￥0.2465
9000+
￥0.2335

有货

立即购买

型号：NX7002BKXBZ 编号：C551613

封装：DFN-6(1x1)

品牌：Nexperia(安世)

双N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无引脚超小DFN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥0.500715 ￥1.1127
50+
￥0.309925 ￥0.8855
150+
￥0.197025 ￥0.7881
500+
￥0.166625 ￥0.6665
2500+
￥0.1531 ￥0.6124
5000+
￥0.145 ￥0.58

有货

立即购买

型号：NDS0605 编号：C124476

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0605 可用于最高要求 0.18A DC 的大多数应用，可以提供高达 1 A 的脉冲电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。

数据手册

5+
￥0.5052
50+
￥0.3985
150+
￥0.3452
500+
￥0.3051
3000+
￥0.2562
6000+
￥0.2402

有货

立即购买

型号：2N7002NXAKR 编号：C551416

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装为小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

5+
￥0.5601
50+
￥0.4561
150+
￥0.4041
500+
￥0.3651
3000+
￥0.3339
6000+
￥0.3183

有货

立即购买

型号：AON7400A(ES) 编号：C42434123

封装：PDFN3X3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

AON7400A(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.574
50+
￥0.504
150+
￥0.469
500+
￥0.4428
2500+
￥0.4218
5000+
￥0.4113

有货

立即购买

型号：AO3401-VB 编号：C709885

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.62187 ￥0.6546
50+
￥0.50103 ￥0.5274
150+
￥0.44061 ￥0.4638
500+
￥0.395295 ￥0.4161
3000+
￥0.295165 ￥0.3107
6000+
￥0.27702 ￥0.2916

有货

立即购买

型号：NDS8435A(UMW) 编号：C18214388

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

SOP-8 P-Channel增强型功率场效应晶体管采用高单元密度DMOS技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。

5+
￥0.7585
50+
￥0.5966
150+
￥0.5156
500+
￥0.4549
3000+
￥0.4063
6000+
￥0.382

有货

立即购买

型号：WSG02P06 编号：C2880466

封装：SOT-223

品牌：WINSOK(微硕)

这款P沟道增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造，该技术专门用于最小化导通电阻。此器件特别适用于低压应用，如便携式设备、电源管理及其他电池供电电路，且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗。

数据手册

1+
￥0.98
10+
￥0.9401
30+
￥0.8585
100+
￥0.7192
500+
￥0.6572
1000+
￥0.62

有货

立即购买

型号：SK15N10 编号：C2999132

封装：TO-252

品牌：SHIKUES(时科)

SK15N10是一款N沟道增强型功率场效应晶体管，采用了Force - MOS专利的扩展沟槽栅极（ETG）技术。这项先进技术专门用于最小化导通电阻和栅极电荷，并增强雪崩能力。这些器件特别适用于中压应用，如充电器、适配器、笔记本电脑电源管理及其他照明调光供电电路，以及需要极低线路功率损耗的超小外形表面贴装封装应用

数据手册

5+
￥0.98002 ￥1.0316
50+
￥0.780615 ￥0.8217
150+
￥0.695115 ￥0.7317
500+
￥0.588525 ￥0.6195
2500+
￥0.489535 ￥0.5153
5000+
￥0.461035 ￥0.4853

有货

立即购买

型号：ESE6050KA 编号：C42412311

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ESE6050KA 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.056
50+
￥0.8292
150+
￥0.732
500+
￥0.6107

有货

立即购买

型号：CMSA63P04L 编号：C5371901

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA63P04L采用先进技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源（SMPS）中的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用应用。

数据手册

1+
￥1.139905 ￥1.1999
10+
￥1.001585 ￥1.0543
30+
￥0.942305 ￥0.9919
100+
￥0.868395 ￥0.9141
500+
￥0.83543 ￥0.8794
1000+
￥0.76722 ￥0.8076

有货

立即购买

型号：AO8820 编号：C49011246

封装：TSSOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

是双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术，可提供出色的导通电阻。这种高密度工艺特别针对最小化导通状态电阻进行了优化。这些器件特别适合在低压应用中使用，并且在非常小尺寸的表面贴装封装中具有低在线功率损耗。

5+
￥1.1711
50+
￥0.9146
150+
￥0.8047
500+
￥0.6676

有货

立即购买

型号：ESNQ07R086 编号：C42412312

封装：TO-252

品牌：ElecSuper(静芯)

ESNQ07R086 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.4087
50+
￥1.2302
150+
￥1.1537
500+
￥1.0583
2500+
￥1.0158
5000+
￥0.9903

有货

立即购买

型号：NDC7002N 编号：C114648

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。此类器件尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。

数据手册

5+
￥1.4149
50+
￥1.0988
150+
￥0.9633
500+
￥0.7854
3000+
￥0.7102

有货

立即购买

型号：P0903BDG-VB 编号：C2680757

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

1+
￥1.581 ￥1.86
10+
￥1.394 ￥1.64
30+
￥1.3175 ￥1.55
100+
￥1.2155 ￥1.43
500+
￥1.105 ￥1.3
1000+
￥1.0795 ￥1.27

有货

立即购买

型号：AO4832-MS 编号：C3008153

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

N-Channel增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥1.966
50+
￥1.5729
150+
￥1.4044
500+
￥1.1942
3000+
￥1.0697
6000+
￥1.0135

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示