场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：ETSSOP-28

单通道 H 桥电流控制电机驱动器：单个直流有刷电机；一个步进电机单相；固定频率下电流控制可选择：2 bits 电流控制，提供 4 个电流台阶。低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)：24V，Ta = 25°C时可实现 7.0A 最大驱动电流（在保证散热良好条件下）；24V，Ta= 25°C 时 RDS(HS+LS)为150mΩ（典型值 HS + LS）。最大供电耐压 50V。睡眠模式低电流。内置 3.3V 基准电压。带散热片的表面贴装封。保护特性：过流保护 (OCP)；热关断 (TSD)；欠压闭锁 (UVLO)；故障显示 Pin（nFAULT）。

数据手册

1+
￥10.08
10+
￥8.38
30+
￥7.45
100+
￥6.4
500+
￥5.68
1000+
￥5.47

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型号：UCC27611DRVT 编号：C139645

封装：WSON-6-EP(2x2)

品牌：TI(德州仪器)

UCC27611是一款单通道高速栅极驱动器，针对5V驱动进行了优化，尤其适用于增强型氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）。驱动电压VREF由内部线性稳压器精确控制在5V。UCC27611具备非对称轨到轨峰值电流驱动能力，源电流为4A，灌电流为6A

数据手册

1+
￥12.07
10+
￥10.8
30+
￥9.91
250+
￥9.09
500+
￥8.71

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型号：BSS84 编号：C347485

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

P沟道增强型场效应晶体管采用专有、高单元密度的DMOS技术生产。这种高密度工艺可将导通电阻降至最低，以提供坚固可靠的性能和快速开关。可轻松用于大多数需要高达0.13A直流电流的应用。

数据手册

50+
￥0.1088
500+
￥0.0849
3000+
￥0.0688
6000+
￥0.0608
24000+
￥0.0539
51000+
￥0.0502

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型号：2N7002P,215(ES) 编号：C42412339

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

2N7002P,215(ES)是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

50+
￥0.1222
500+
￥0.0952
3000+
￥0.0802
6000+
￥0.0712
24000+
￥0.0634
51000+
￥0.0592

有货

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型号：RUM001L02T2CL(ES) 编号：C42412321

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

RUM001L02T2CL(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.1424
200+
￥0.11
600+
￥0.092
2000+
￥0.0812

有货

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型号：BSS138DW 编号：C42415543

封装：SOT-363

品牌：GOODWORK(固得沃克)

N-Channel增强模式功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别调整，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

20+
￥0.18252 ￥0.2028
200+
￥0.14364 ￥0.1596
600+
￥0.12204 ￥0.1356
3000+
￥0.10908 ￥0.1212
9000+
￥0.09783 ￥0.1087
21000+
￥0.09171 ￥0.1019

有货

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型号：BSS138PW,115(ES) 编号：C42412327

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

BSS138PW,115(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.1858
200+
￥0.1469
600+
￥0.1253
3000+
￥0.1123

有货

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型号：FDV302P 编号：C5343311

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供出色的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效率快速开关应用。

数据手册

10+
￥0.2546 ￥0.268
100+
￥0.20444 ￥0.2152
300+
￥0.17936 ￥0.1888
3000+
￥0.15998 ￥0.1684
6000+
￥0.14497 ￥0.1526
9000+
￥0.13737 ￥0.1446

有货

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型号：ME2306A-G 编号：C3647148

封装：SOT-23

品牌：MATSUKI(松木)

ME2306A 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路，并且能够以极小外形尺寸的表面贴装封装实现低线路功率损耗

数据手册

10+
￥0.4806
100+
￥0.4069
300+
￥0.37
3000+
￥0.3331
6000+
￥0.311
9000+
￥0.3

有货

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型号：NDS0610 编号：C83570

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。NDS0610 可用于最高要求 120mA DC 的大多数应用，可以提供高达 1 A 的电流，且工作量极小。此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。

数据手册

5+
￥0.5612
50+
￥0.4572
150+
￥0.4053
500+
￥0.3663
3000+
￥0.2971
6000+
￥0.2816

有货

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型号：VB2355 编号：C416212

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.574655 ￥0.6049
50+
￥0.453815 ￥0.4777
150+
￥0.393395 ￥0.4141
500+
￥0.34808 ￥0.3664
3000+
￥0.286235 ￥0.3013
6000+
￥0.26809 ￥0.2822

有货

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型号：MS30N06DF 编号：C22399563

封装：DFN3X3-8L

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款N沟道场效应晶体管采用紧凑的DFN3x3，具备漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，RDS:10V@10A=28MR,广泛应用于电池管理、负载开关、电机控制、LED驱动、便携式设备、嵌入式系统及众多消费电子产品的电源管理

5+
￥0.5967 ￥0.663
50+
￥0.5211 ￥0.579
150+
￥0.4887 ￥0.543
500+
￥0.4482 ￥0.498
2500+
￥0.4302 ￥0.478
5000+
￥0.4194 ￥0.466

有货

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型号：SI2371EDS-T1-GE3-VB 编号：C3040216

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册

5+
￥0.641725 ￥0.6755
50+
￥0.52098 ￥0.5484
150+
￥0.46056 ￥0.4848
500+
￥0.41534 ￥0.4372
3000+
￥0.31369 ￥0.3302
6000+
￥0.29564 ￥0.3112

有货

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型号：NTR4170NT1G-VB 编号：C710038

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.647235 ￥0.6813
50+
￥0.526395 ￥0.5541
150+
￥0.465975 ￥0.4905
500+
￥0.42066 ￥0.4428
3000+
￥0.34599 ￥0.3642
6000+
￥0.327845 ￥0.3451

有货

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型号：AO3402-VB 编号：C557940

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单通道N沟道场效应晶体管（单N），采用Trench工艺制造。适用于需要高性能、高可靠性的电子系统，如电源管理、电动工具和汽车电子等领域的模块中。SOT23；N—Channel沟道,30V；6.5A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=0.7~2V；

数据手册

5+
￥0.651035 ￥0.6853
50+
￥0.530195 ￥0.5581
150+
￥0.469775 ￥0.4945
500+
￥0.42446 ￥0.4468
3000+
￥0.347605 ￥0.3659
6000+
￥0.32946 ￥0.3468

有货

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型号：FDV304P 编号：C5343304

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥0.6541
50+
￥0.5245
150+
￥0.4597
500+
￥0.4111
3000+
￥0.3722
6000+
￥0.3527

有货

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型号：AON7466(ES) 编号：C42412303

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

AON7466(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.7458
50+
￥0.6513
150+
￥0.6108
500+
￥0.5603
2500+
￥0.5378

有货

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型号：TX15N10B 编号：C448634

封装：TO-252

品牌：XDS(芯鼎盛)

TX15N10B 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路，并且适用于需要极小外形尺寸表面贴装封装的低在线功率损耗应用

数据手册

5+
￥0.8436
50+
￥0.7386
150+
￥0.6936
500+
￥0.6374
2500+
￥0.5751
5000+
￥0.5601

有货

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型号：RCQ5409 编号：C5334466

封装：PDFN5x6-8

品牌：RealChip(正芯半导体)

P- 沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽 DMOS 技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

5+
￥0.9674
50+
￥0.8414
150+
￥0.7874
500+
￥0.72
2500+
￥0.654

有货

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型号：AO4838(ES) 编号：C42412249

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

AO4838(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.9944
50+
￥0.8684
150+
￥0.8144
500+
￥0.747

有货

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型号：AO4447A 编号：C49011589

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

P- Channel逻辑增强模式功率场效应晶体管采用高单元密度先进沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于大多数同步降压转换器应用中的PWM和栅极电荷。

5+
￥1.0312
50+
￥0.8044
150+
￥0.7072
500+
￥0.586

有货

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型号：WPM1481-6/TR 编号：C239798

封装：DFN2x2-6L

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM1481 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥1.1966
50+
￥0.983
150+
￥0.8281
500+
￥0.7003
2500+
￥0.6785

有货

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型号：NTMFS5C670NLT1G(ES) 编号：C42434112

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

NTMFS5C670NLT1G(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.2888
50+
￥1.1208
150+
￥1.0488
500+
￥0.959
2500+
￥0.919
5000+
￥0.895

有货

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型号：AO4826 编号：C49012423

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。

5+
￥1.369
50+
￥1.0666
150+
￥0.937
500+
￥0.7753

有货

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型号：BSS84AKS,115 编号：C179346

封装：TSSOP-6(SOT-363)

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽MOSFET技术的双P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用超小型SOT363（SC - 88）封装。

数据手册

5+
￥1.3725
50+
￥1.1841
150+
￥1.0898
500+
￥1.0192
3000+
￥0.9626
6000+
￥0.9344

有货

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型号：ESPM3021-8/TR 编号：C42412331

封装：SOP-8

品牌：ElecSuper(静芯)

ESPM3021 - 8/TR是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

5+
￥1.5253
50+
￥1.1977
150+
￥1.0573
500+
￥0.8821
3000+
￥0.8041

有货

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型号：FDN357N 编号：C241807

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

SuperSOT-3 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMCIA 卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。

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