场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：WNM2016-3/TR-VB 编号：C6705334

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

10+
￥0.372115 ￥0.3917
100+
￥0.290035 ￥0.3053
300+
￥0.248995 ￥0.2621
3000+
￥0.226765 ￥0.2387
6000+
￥0.20216 ￥0.2128
9000+
￥0.18981 ￥0.1998

有货

立即购买

型号：HFD4N50-VB 编号：C3040280

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于电源逆变器、电动汽车充电桩、UPS系统、风能和太阳能逆变器、工业自动化设备等领域。TO252；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~5V；

数据手册

1+
￥2.3375 ￥2.75
10+
￥2.0825 ￥2.45
30+
￥1.972 ￥2.32
100+
￥1.8445 ￥2.17
500+
￥1.4195 ￥1.67
1000+
￥1.3855 ￥1.63

有货

立即购买

型号：FDC6303N 编号：C236887

封装：TSOT-23-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适合在低压应用中替代负载开关应用中的数字晶体管。因为无需偏置电阻，所以此类 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻的数字晶体管，如 IMHxA 系列。

数据手册

1+
￥2.56
10+
￥2.03
30+
￥1.81
100+
￥1.52
500+
￥1.4
1000+
￥1.32

有货

立即购买

型号：CMSA012N10A 编号：C5203902

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA012N10A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并将功率转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于开关电源（SMPS）、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管（FET）。

数据手册

1+
￥2.85
10+
￥2.25
30+
￥1.99
100+
￥1.67
500+
￥1.46
1000+
￥1.37

有货

立即购买

型号：VBZA9945 编号：C700609

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双N+P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源管理模块、汽车电子系统、工业机器人、变频器和PLC等控制系统模块、家用电器控制器、LED驱动器等领域。SOP8；2个N—Channel沟道,60V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.5~2.5V；

数据手册

1+
￥3.196 ￥3.76
10+
￥2.601 ￥3.06
30+
￥2.3035 ￥2.71
100+
￥2.006 ￥2.36
500+
￥1.564 ￥1.84
1000+
￥1.479 ￥1.74

有货

立即购买

型号：CJAC1R3SN04C 编号：C19269023

封装：PDFNWB5x6-8L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N-沟道增强型功率场效应晶体管采用SGT技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

1+
￥4.04
10+
￥3.22
30+
￥2.81
100+
￥2.4
500+
￥2.16
1000+
￥2.03

有货

立即购买

型号：NDT3055L 编号：C274612

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这些逻辑电平 N 沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度 DMOS 技术制造。这种超高密度工艺经过专门设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件特别适用于低压应用，如直流电机控制和 DC/DC 转换，在这些应用中需要快速开关、低线路功耗和抗瞬态能力

数据手册

1+
￥4.21
10+
￥3.41
30+
￥3.01
100+
￥2.61
500+
￥2.38
1000+
￥2.25

有货

立即购买

型号：IRFR540ZPBF-VB 编号：C692974

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单路N型场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于汽车电子模块、工业控制模块等领域。TO252；N—Channel沟道,100V；40A；RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~3V；

数据手册

1+
￥5.073 ￥5.34
10+
￥4.1705 ￥4.39
30+
￥3.7145 ￥3.91
100+
￥3.268 ￥3.44
500+
￥2.5365 ￥2.67
1000+
￥2.394 ￥2.52

有货

立即购买

型号：BUK7227-100B,118 编号：C549807

封装：DPAK

品牌：Nexperia(安世)

标准电平 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 TrenchMOS 技术封装在塑料外壳中。该产品已根据相应的 AEC 标准进行设计和认证，适用于汽车关键应用。

数据手册

1+
￥9.27
10+
￥8.55
30+
￥8.09
100+
￥7.63
500+
￥7.42
1000+
￥7.33

有货

立即购买

型号：2SK3018W 编号：C42412326

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

2SK3018W是N沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

50+
￥0.0626
500+
￥0.0611
3000+
￥0.0602
6000+
￥0.0592

有货

立即购买

型号：BSS138W 编号：C42414251

封装：SOT-323

品牌：GOODWORK(固得沃克)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

50+
￥0.10642 ￥0.1252
500+
￥0.08347 ￥0.0982
3000+
￥0.07072 ￥0.0832
6000+
￥0.06307 ￥0.0742
24000+
￥0.05644 ￥0.0664
51000+
￥0.05287 ￥0.0622

有货

立即购买

型号：RUM001L02T2CL(ES) 编号：C42412321

封装：SOT-723

品牌：ElecSuper(静芯)

RUM001L02T2CL(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

20+
￥0.1557
200+
￥0.1233
600+
￥0.1053
2000+
￥0.0945

有货

立即购买

型号：FDV303N 编号：C5343310

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

20+
￥0.19629 ￥0.2181
200+
￥0.15309 ￥0.1701
600+
￥0.13149 ￥0.1461
3000+
￥0.12177 ￥0.1353
9000+
￥0.10881 ￥0.1209
21000+
￥0.10233 ￥0.1137

有货

立即购买

型号：SI2318 编号：C42456347

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可最大程度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

10+
￥0.23912 ￥0.2989
100+
￥0.1892 ￥0.2365
300+
￥0.16424 ￥0.2053
3000+
￥0.14552 ￥0.1819
6000+
￥0.13056 ￥0.1632
9000+
￥0.12304 ￥0.1538

有货

立即购买

型号：AO3416 编号：C49012073

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

3416 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造，可提供出色的导通电阻 RDS(ON)。这种高密度工艺专门用于最小化导通状态电阻。这些器件特别适用于低压应用，并且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗

10+
￥0.2527
100+
￥0.199
300+
￥0.1721
3000+
￥0.1519

有货

立即购买

型号：FDV304P 编号：C10884

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专为电池电源应用而设计，如笔记本电脑和手机。此器件具有卓越的导通电阻性能，即使在低至 2.5V 的门极驱动电压中亦是如此。

数据手册

10+
￥0.3715
100+
￥0.2971
300+
￥0.2599
3000+
￥0.2196
6000+
￥0.1972

有货

立即购买

型号：SI2302DS-T1-GE3-VB 编号：C558245

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应晶体管，适用于多种应用场景。采用Trench工艺制造；可用作开关电源的关键部件，驱动汽车电子系统中的各种负载，控制和驱动各种工业设备和机器人系统。SOT23；N—Channel沟道,20V；6A；RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=0.45~1V；

数据手册

10+
￥0.38437 ￥0.4046
100+
￥0.30229 ￥0.3182
300+
￥0.26125 ￥0.275
3000+
￥0.218215 ￥0.2297
6000+
￥0.19361 ￥0.2038
9000+
￥0.18126 ￥0.1908

有货

立即购买

型号：CMD30P02 编号：C6939685

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。

5+
￥0.397
50+
￥0.3496
150+
￥0.3259
500+
￥0.3081
2500+
￥0.2833
5000+
￥0.2762

有货

立即购买

型号：VB2355 编号：C416212

封装：SOT-23(TO-236)

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

数据手册