场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

台积电流片，长电科技封装；是一款单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于电源管理模块、电动车辆（EV）、混合动力车辆（HEV）和电动自行车（e-bike）中的电动汽车驱动模块等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-13.5A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.4~-2.5V；

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￥2.193 ￥2.58
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￥1.9295 ￥2.27
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￥1.819 ￥2.14
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￥1.6745 ￥1.97
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￥1.615 ￥1.9
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￥1.581 ￥1.86

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型号：PMCM4401VPEZ 编号：C179419

封装：WLCSP-4(0.8x0.8)

P- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用 4 凸点晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP)。

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￥2.49
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￥1.98
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￥1.76
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￥1.49
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￥1.36
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￥1.29

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型号：AOD409-MS 编号：C3647113

封装：TO-252-2

品牌：MSKSEMI(美森科)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进的技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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￥2.546 ￥2.68
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￥2.0425 ￥2.15
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￥1.824 ￥1.92
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￥1.5485 ￥1.63
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￥1.3015 ￥1.37
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￥1.2255 ￥1.29

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型号：CJAC1R3SN04C 编号：C19269023

封装：PDFNWB5x6-8L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N-沟道增强型功率场效应晶体管采用SGT技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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￥2.87
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￥2.53
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￥2.36
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￥2.19
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￥2.08
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￥2.03

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型号：PMV100XPEAR 编号：C553079

封装：SOT-23

P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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￥3.48
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￥2.72
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￥2.4
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￥2
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￥1.82
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￥1.71

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型号：NX7002BKMBYL 编号：C478246

封装：DFN1006B-3

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，采用无铅超小 OFN1006B-3 (SOT883B) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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￥4.007
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￥3.4001
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￥3.1401
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￥2.8156
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￥2.6711
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￥2.5844

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型号：MS30N06NF 编号：C22399564

封装：DFN5X6-8L

品牌：MSKSEMI(美森科)

此款N沟道场效应晶体管采用紧凑的DFN5X6，具备漏源电压(Vdss)：60V，连续漏极电流(Id)：30A，RDS:10V@10A=24MR,广泛应用于电池管理、负载开关、电机控制、LED驱动、便携式设备、嵌入式系统及众多消费电子产品的电源管理

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￥0.58786 ￥0.6188
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￥0.50806 ￥0.5348
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￥0.47386 ￥0.4988
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￥0.43111 ￥0.4538
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￥0.41211 ￥0.4338
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￥0.40071 ￥0.4218

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型号：AO6405(ES) 编号：C42434118

封装：SOT-23-6L

AO6405(ES)是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路

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￥0.6238
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￥0.4894
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￥0.4222
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￥0.3718
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￥0.3315

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型号：SI2319CDS-T1-GE3-VB 编号：C558254

封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；是一种单路P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于各种不同的领域和模块，例如电池管理模块、充电电路和功率开关、家用电器中的电源开关和电动马达控制SOT23；P—Channel沟道,-30V；-5.6A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-0.5~-2V；

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￥0.655975 ￥0.6905
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￥0.535135 ￥0.5633
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￥0.474715 ￥0.4997
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￥0.4294 ￥0.452
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￥0.34903 ￥0.3674
6000+
￥0.33098 ￥0.3484

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型号：AON7403(ES) 编号：C42412244

封装：PDFN-8L(3x3)

AON7403(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥0.7208
50+
￥0.6263
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￥0.5858
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￥0.5352
2500+
￥0.5127
5000+
￥0.4992

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型号：AON6204(ES) 编号：C42412241

封装：PDFN-8L(5x6)

AON6204(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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￥0.7458
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￥0.6513
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￥0.6108
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￥0.5603
2500+
￥0.5378
5000+
￥0.5243

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型号：SKQ90N03AD 编号：C5160057

封装：PDFN5060-8L

品牌：SHIKUES(时科)

SK Q90N03AD 是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。

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5+
￥0.80507 ￥1.1501
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￥0.70805 ￥1.0115
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￥0.66647 ￥0.9521
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￥0.6146 ￥0.878
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￥0.5313 ￥0.759
5000+
￥0.51744 ￥0.7392

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型号：BSS138BKW,115 编号：C2908822

封装：SC-70

采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT323（SC - 70）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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5+
￥0.8663
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￥0.7073
150+
￥0.6277
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￥0.5681
3000+
￥0.5204
6000+
￥0.4965

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型号：AONR21321(ES) 编号：C42412347

封装：PDFN-8L(3x3)

AONR21321(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥0.9387
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￥0.7371
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￥0.6507
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￥0.5429
2500+
￥0.4949
5000+
￥0.466

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型号：FDG6301N 编号：C236893

封装：SC-70-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用专属的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件专用于在低压应用中替代双极数字晶体管和小信号 MOSFET。

数据手册

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￥1.0263
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￥0.8071
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￥0.7131
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￥0.5959
3000+
￥0.4925
6000+
￥0.4611

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型号：PMDXB600UNEZ 编号：C552764

封装：DFN1010-6

双N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用无铅超小DEN1010B-6 (SOT1216) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，使用沟槽MOSFET技术。

数据手册

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￥1.2373
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￥1.0549
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￥0.9637
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￥0.8953
2500+
￥0.8406
5000+
￥0.8132

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型号：AO4813 编号：C20609406

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

这些采用沟槽 DMOS 技术的 -30V 双 P 沟道增强型功率场效应晶体管封装在一个管壳内。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用

5+
￥1.496
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￥1.1684
150+
￥1.028
500+
￥0.8529

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型号：2N7002HR 编号：C3290631

封装：TO-236AB

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装为小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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￥1.5299
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￥1.2158
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￥1.0811
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￥0.9131
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￥0.8009
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￥0.7561

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型号：IRF9328TRPBF-VB 编号：C4355085

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单P沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，采用Trench工艺制造，适用于对功耗要求较低、信号稳定性要求较高的各种模块和领域，包括但不限于低功耗电源管理、信号放大、逆变器控制和数字电路控制等领域。SOP8；P—Channel沟道,-30V；-11.6A；RDS(ON)=11mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

数据手册

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￥1.6575 ￥1.95
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￥1.4535 ￥1.71
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￥1.36 ￥1.6
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￥1.2495 ￥1.47
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￥1.1645 ￥1.37
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￥1.139 ￥1.34

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型号：PMV230ENEAR 编号：C553087

封装：SOT-23

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装为小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD)。

数据手册

5+
￥1.7679
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￥1.4908
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￥1.372
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￥1.2239
3000+
￥1.1249
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￥1.0853

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型号：WPM3021-8/TR 编号：C506175

封装：SOP-8

品牌：WILLSEMI(韦尔)

WPM3021 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

数据手册

5+
￥1.7955
50+
￥1.4519
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￥1.2028
500+
￥0.9973

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型号：FDS5670-NL-VB 编号：C5878792

封装：SO-8

台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺制造，适用于需要中等功率场效应管的应用场景，例如电源模块、驱动模块、家电控制模块和照明控制模块等领域。SOP8；N—Channel沟道,60V；12A；RDS(ON)=12mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；

1+
￥2.0145 ￥2.37
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￥1.751 ￥2.06
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￥1.6405 ￥1.93
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￥1.496 ￥1.76
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￥1.4365 ￥1.69
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￥1.394 ￥1.64

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型号：HFD4N50-VB 编号：C3040280

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，适用于电源逆变器、电动汽车充电桩、UPS系统、风能和太阳能逆变器、工业自动化设备等领域。TO252；N—Channel沟道,650V；4.5A；RDS(ON)=2100mΩ@VGS=10V,VGS=±30V；Vth=2.5~5V；

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￥2.125 ￥2.5
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￥1.87 ￥2.2
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￥1.7595 ￥2.07
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￥1.6235 ￥1.91
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￥1.564 ￥1.84
1000+
￥1.53 ￥1.8

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型号：CMD80P06A 编号：C22364952

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P-Channel增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于负载开关或PWM应用。

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￥2.243995 ￥2.3621
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￥1.795405 ￥1.8899
150+
￥1.603125 ￥1.6875
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￥1.243075 ￥1.3085
2500+
￥1.136295 ￥1.1961
5000+
￥1.07217 ￥1.1286

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型号：CJAC2R0SN04C 编号：C19269076

封装：PDFNWB5x6-8L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N 沟道增强型功率场效应晶体管采用 SGT 技术。这种先进技术经过特别设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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￥2.25
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￥1.95
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￥1.82
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￥1.66
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￥1.58
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￥1.54

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型号：SQD19P06-60L-GE3-VB 编号：C5878855

封装：TO-252

台积电流片，长电科技封装；是一款高性能单P型场效应晶体管，采用Trench技术制造，具有良好的导通特性和稳定性以及散热性能和安装方便性，适用于各种功率电路设计。TO252；P—Channel沟道,-60V；-35A；RDS(ON)=46mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥2.278 ￥2.68
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￥2.006 ￥2.36
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￥1.87 ￥2.2
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￥1.734 ￥2.04
1000+
￥1.6915 ￥1.99

有货

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型号：FDS9945-NL-VB 编号：C558131

封装：SO-8