场效应晶体管_厂家_价格_品牌_库存

采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用小型SOT323（SC - 70）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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￥0.5257
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￥0.4245
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￥0.32592 ￥0.336
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￥0.296432 ￥0.3056
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￥0.281688 ￥0.2904

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型号：AON7403(ES) 编号：C42412244

封装：PDFN-8L(3x3)

AON7403(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥0.7458
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￥0.6513
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￥0.5378
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￥0.5243

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型号：AONR21321(ES) 编号：C42412347

封装：PDFN-8L(3x3)

AONR21321(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路

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￥0.9387
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￥0.5429
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￥0.4949
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￥0.466

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型号：BSH103BKR 编号：C3280964

封装：TO-236AB

N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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￥1.0825
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￥0.9229
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￥0.8431
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￥0.7833
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￥0.7115

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型号：PMV100EPAR 编号：C3290636

封装：SOT-23

P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

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￥1.4589
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￥1.1685
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￥1.044
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￥0.862039 ￥0.8887
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￥0.794915 ￥0.8195
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￥0.75466 ￥0.778

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型号：NDC7002N 编号：C114648

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

此类双 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻，提供了坚固可靠的性能和快速的开关。此类器件尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。

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￥1.509
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￥1.1929
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￥1.0574
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￥0.8795
3000+
￥0.8042

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型号：CMD80P06A 编号：C22364952

封装：TO-252

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P-Channel增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于负载开关或PWM应用。

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￥2.2152
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￥1.767
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￥1.575
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￥1.2419

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型号：ESAC80SN10 编号：C42434108

封装：PDFN5x6-8L

ESAC80SN10 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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￥3.26
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￥2.9
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￥2.72
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￥2.54
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￥2.44
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￥2.38

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型号：IRF7342TRPBF-VB 编号：C6705272

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双P型场效应晶体管，采用Trench技术，在各种功率控制、电源管理和信号处理模块中都具有广泛的应用前景。SOP8；2个P—Channel沟道,-60V；-5.3A；RDS(ON)=54mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；

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￥4.3985 ￥4.63
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￥3.553 ￥3.74
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￥3.135 ￥3.3
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￥2.717 ￥2.86
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￥2.3465 ￥2.47
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￥2.2135 ￥2.33

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型号：CS9N90ANHD 编号：C2897744

封装：TO-3P

品牌：CRMICRO(华润微)

CS9N90 ANHD是一款采用自对准平面技术制造的硅N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（VDMOSFET），该技术可降低导通损耗、提升开关性能并增强雪崩能量。这款晶体管可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 3P(N)，符合RoHS标准

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￥6.59
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￥5.38
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￥4.61
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￥4.01
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￥3.65
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￥3.47

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型号：SI7852DP-T1-GE3 编号：C467914

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。新型低热阻。低1.07mm外形的PowerPAK@封装。 PWM针对快速开关进行了优化。 100%进行Rg测试。应用：DC/DC应用的初级侧开关

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￥7.63
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￥6.82
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￥6.31
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￥5.79
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￥5.56
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￥5.45

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型号：SS6951A-ET-TP 编号：C3345073

封装：ETSSOP-28

品牌：LEADPOWER(率能)

双通道 H 桥电流控制电机驱动器：单个或两个有刷直流电机、一个步进电机。固定频率下电流控制可选择：2 bits 电流控制，提供 4 个电流台阶。低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)：24V，Ta = 25°C 时可实现 4.0A 最大驱动电流；24V，Ta= 25°C 时 RDS(on)为 300mΩ（典型值 HS + LS）。最大工作耐压 50V。睡眠模式低电流。内置 3.3V 基准电压。带散热片的表面贴装封装。保护特性：过流保护 (OCP)；热关断 (TSD)；欠压闭锁(UVLO)；故障显示 Pin（nFAULT）。

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￥8.97
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￥7.47
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￥6.65
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￥5.02
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￥4.42

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型号：DN2470K4-G 编号：C618541

封装：TO-252(D-PAK)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

这是一款低阈值、耗尽型、常开型晶体管，采用先进的垂直扩散金属氧化物半导体 (DMOS) 结构和经过验证的硅栅制造工艺。这种结合使该器件具备双极晶体管的功率处理能力，以及金属氧化物半导体 (MOS) 器件固有的高输入阻抗和正温度系数。所有 MOS 结构的特点是，该器件不会出现热失控和热致二次击穿。垂直 DMOS 场效应晶体管 (FET) 非常适合广泛的开关和放大应用，这些应用需要极低的阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度。

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￥13.25
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￥11.38
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￥10.21
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￥9.01
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￥8.47

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型号：FDV303N 编号：C5343310

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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￥0.19629 ￥0.2181
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￥0.15309 ￥0.1701
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￥0.13149 ￥0.1461
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￥0.12177 ￥0.1353
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￥0.10881 ￥0.1209
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￥0.10233 ￥0.1137

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型号：PMV250EPEAR(ES) 编号：C42412923

封装：SOT-23

PMV250EPEAR(ES) 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

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￥0.3336
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￥0.2616
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￥0.2256
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9000+
￥0.1662

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型号：2N7002HWX 编号：C3280967

封装：SOT-323

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，封装于非常小的 SOT323 (SC-70) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装中。

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￥0.4467
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￥0.3632
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￥0.278496 ￥0.2901
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￥0.2544 ￥0.265
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￥0.2424 ￥0.2525

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型号：FDV304P 编号：C5343304

封装：SOT-23

品牌：MSKSEMI(美森科)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

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￥0.52649 ￥0.6194
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￥0.41616 ￥0.4896
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￥0.360995 ￥0.4247
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￥0.319685 ￥0.3761
3000+
￥0.28662 ￥0.3372
6000+
￥0.270045 ￥0.3177

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型号：FDS9926A 编号：C49014307

封装：SOP-8

是双N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术，可提供出色的导通电阻。这种高密度工艺特别适合于将导通状态电阻降至最低。这些器件特别适用于低压应用，并且在非常小外形尺寸的表面贴装封装中需要低在线功率损耗。

5+
￥0.5566
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￥0.4366
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￥0.3766
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￥0.2956

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型号：PMH550UNEH 编号：C552955

封装：DFN0606-3

N- 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用 Trench MOSFET 技术，采用无引脚超小型 DFN0606-3 (SOT8001) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

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￥0.5667
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￥0.4632
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￥0.4114
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￥0.353875 ￥0.3725
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￥0.312075 ￥0.3285
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￥0.29735 ￥0.313

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型号：WSG02P06 编号：C2880466

封装：SOT-223

品牌：WINSOK(微硕)

这款P沟道增强型功率场效应晶体管采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造，该技术专门用于最小化导通电阻。此器件特别适用于低压应用，如便携式设备、电源管理及其他电池供电电路，且在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗。

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￥0.98
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￥0.9401
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￥0.8585
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￥0.7192
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￥0.6572
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￥0.62

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型号：AO4838(ES) 编号：C42412249

封装：SOP-8

AO4838(ES) 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC - DC 转换、电源开关和充电电路

5+
￥0.9944
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￥0.8684
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￥0.8144
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￥0.747

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型号：AO4447A 编号：C49011589

封装：SOP-8

P- Channel逻辑增强模式功率场效应晶体管采用高单元密度先进沟槽技术生产。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。该器件适用于作为负载开关或用于大多数同步降压转换器应用中的PWM和栅极电荷。

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￥1.0312
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￥0.8044
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￥0.7072
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￥0.586

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型号：AO4826 编号：C49012423

封装：SOP-8

是 N 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适合于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路。

5+
￥1.369
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￥1.0666
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￥0.937
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￥0.7753

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型号：AO4813 编号：C20609406

封装：SOP-8

这些采用沟槽 DMOS 技术的 -30V 双 P 沟道增强型功率场效应晶体管封装在一个管壳内。这种先进技术经过专门设计，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用

5+
￥1.509
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￥1.1814
150+
￥1.041
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￥0.8659

有货

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型号：ESPM3021-8/TR 编号：C42412331

封装：SOP-8

ESPM3021 - 8/TR是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于DC - DC转换、电源开关和充电电路

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￥1.5253
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￥1.1977
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￥1.0573
500+
￥0.8821
3000+
￥0.8041

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型号：PMV20XNER 编号：C553085

封装：SOT-23

N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

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￥1.5356
50+
￥1.247
150+
￥1.1233
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￥0.92055 ￥0.969
3000+
￥0.855285 ￥0.9003
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￥0.81605 ￥0.859

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型号：P0903BDG-VB 编号：C2680757

封装：TO-252

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

1+
￥1.581 ￥1.86
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￥1.394 ￥1.64
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￥1.3175 ￥1.55
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￥1.2155 ￥1.43
500+
￥1.105 ￥1.3
1000+
￥1.0795 ￥1.27

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型号：PMPB15XP,115 编号：C513107

封装：DFN2020MD-6

采用沟槽式MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚中功率DFN2020MD - 6（SOT1220）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥1.6435
50+
￥1.3287
150+
￥1.1938
500+
￥0.98448 ￥1.0255
3000+
￥0.912576 ￥0.9506
6000+
￥0.869376 ￥0.9056

有货

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型号：IRFR3410TRPBF(ES) 编号：C42412346

封装：TO-252