晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：AO3400 编号：C5224189

封装：SOT-23

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，5.8A，21mΩ@10V,5.8A，1.0V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

20+
￥0.164
200+
￥0.1397
600+
￥0.1262
3000+
￥0.1118
9000+
￥0.1047
21000+
￥0.1009

有货

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型号：SI2300A 编号：C347480

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：V(BR)DSS = 20V。 Ip = 6A。 RDS(ON) < 25mΩ(VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 34mΩ(VGS = 2.5V)。 TrenchFET Power MOSFET。应用：电池保护。负载开关

数据手册

20+
￥0.1367
200+
￥0.1051
600+
￥0.0876
3000+
￥0.0737
9000+
￥0.0646
21000+
￥0.0597

有货

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型号：SI2301 编号：C181086

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：RDS(ON) ≤ 85mΩ @ VGS =-4.5V, ID =-3.0A 。 RDS(ON) ≤ 115mΩ @ VGS =-2.5V, ID =-1.0A 。低导通电阻。适用于低功率 DC-DC 转换器和负载开关应用。表面贴装器件

数据手册

20+
￥0.149245 ￥0.1571
200+
￥0.11799 ￥0.1242
600+
￥0.100605 ￥0.1059
3000+
￥0.09595 ￥0.101
9000+
￥0.086925 ￥0.0915
21000+
￥0.08208 ￥0.0864

有货

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型号：2SC3356 编号：C28646266

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：功率耗散：200mW。高稳定性和高可靠性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃

20+
￥0.1808
200+
￥0.14
600+
￥0.1172
3000+
￥0.1036
9000+
￥0.0918
21000+
￥0.0855

有货

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型号：HL2312 编号：C28646272

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 20V。 ID = 5.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 32mΩ。沟槽功率MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。固态继电器

20+
￥0.1823
200+
￥0.1399
600+
￥0.1163
3000+
￥0.1022
9000+
￥0.0899
21000+
￥0.0833

有货

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型号：FMMT591 编号：C41375132

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：功率耗散：250mW。 PNP低等效导通电阻。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值温度为260°C

20+
￥0.2302
200+
￥0.1803
600+
￥0.1526
3000+
￥0.1314
9000+
￥0.117
21000+
￥0.1092

有货

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型号：SI2305 编号：C181088

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：高密集单元设计，实现极低的导通电阻（RDS(ON)）。坚固可靠。外壳材料：模塑塑料

数据手册

20+
￥0.232465 ￥0.2447
200+
￥0.1843 ￥0.194
600+
￥0.15751 ￥0.1658
3000+
￥0.1387 ￥0.146
9000+
￥0.12483 ￥0.1314
21000+
￥0.117325 ￥0.1235

有货

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型号：SI2309A 编号：C2681220

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=60V。 ID = -1.25A(VGS = -10V)。 RDS(ON)<340mΩ(VGS=-10V)。 RDS(ON)<550mΩ(VGS=-4.5V)。应用：负载功率开关。接口

数据手册

10+
￥0.2504
100+
￥0.1964
300+
￥0.1694
3000+
￥0.1389
6000+
￥0.1227
9000+
￥0.1146

有货

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型号：8205A 编号：C5148694

封装：TSSOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款消费级MOSFET采用TSSOP-8封装，集成双N沟道设计，额定电压20V，可承载6A连续电流。专为紧凑型、高能效电源开关及转换应用打造，适用于各类消费电子产品，提供出色的系统性能与稳定性表现。

数据手册

10+
￥0.33696 ￥0.3744
100+
￥0.28449 ￥0.3161
300+
￥0.25821 ￥0.2869
1000+
￥0.2385 ￥0.265
5000+
￥0.17451 ￥0.1939
10000+
￥0.16659 ￥0.1851

有货

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型号：AO3400A 编号：C344010

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

MOSFET,N-channel 30V/12V 5.8A VGS(th)=1.1V 29mΩ@5.8A&10V,SOT-23

数据手册

10+
￥0.3678
100+
￥0.303
300+
￥0.2706
3000+
￥0.1839
6000+
￥0.1645
9000+
￥0.1547

有货

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型号：SI2309 编号：C431496

封装：SOT-23-3L

品牌：BORN(伯恩半导体)

先进的沟槽工艺技术，高密度单元设计，实现超低导通电阻，采用SOT-23-3L表面贴装封装。

数据手册

10+
￥0.4471
100+
￥0.3679
300+
￥0.3283
3000+
￥0.2205
6000+
￥0.1967
9000+
￥0.1848

有货

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型号：BSS138BK,215 编号：C282529

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N-沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装

数据手册

5+
￥0.5878
50+
￥0.4668
150+
￥0.4064
500+
￥0.361
3000+
￥0.3167
6000+
￥0.2985

有货

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型号：MS50N06 编号：C2902884

封装：TO-252-2

品牌：MSKSEMI(美森科)

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用沟槽DMOS技术。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供出色的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效快速开关应用。

数据手册

5+
￥0.71098 ￥0.7484
50+
￥0.572755 ￥0.6029
150+
￥0.50369 ￥0.5302
500+
￥0.45182 ￥0.4756
2500+
￥0.39539 ￥0.4162
5000+
￥0.37468 ￥0.3944

有货

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型号：HB03N060S 编号：C48971737

封装：TO-252

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 30V。 ID = 70A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 9mΩ。雪崩能量测试。快速开关速度。应用：电池保护。负载开关

5+
￥0.89
50+
￥0.7089
150+
￥0.6184
500+
￥0.5505
2500+
￥0.4962
5000+
￥0.469

有货

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型号：IRF530NPBF 编号：C2565

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,17A,90mΩ@10V

数据手册

5+
￥2.0442
50+
￥1.5552
150+
￥1.3341
500+
￥1.1368
2000+
￥1.0826
5000+
￥1.05

有货

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型号：WSP4805 编号：C148416

封装：SOP-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSP4805是一款高性能沟槽式双P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4805符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥2.2361
10+
￥1.8066
30+
￥1.6225
100+
￥1.3928
500+
￥1.2905
1000+
￥1.0289

有货

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型号：HT03P250S 编号：C49066899

封装：SOT-223

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -30V。 ID = -15A。 RDS(on)@VGS = -10V < 25mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 42mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

5+
￥2.2863
50+
￥1.8111
150+
￥1.6074
500+
￥1.3532
2500+
￥1.2401
5000+
￥1.1722

有货

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型号：AOD409 编号：C36220

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：AOS

P沟道,-60V,-26A,55mΩ@-4.5V

数据手册

1+
￥2.98
10+
￥2.39
30+
￥2.11
100+
￥1.85
500+
￥1.59
1000+
￥1.55

有货

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型号：BSC0805LS 编号：C534374

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化，例如同步整流。 100%经过雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道，逻辑电平。无铅镀锡，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

数据手册

1+
￥3.99
10+
￥3.37
30+
￥2.94
100+
￥2.58
500+
￥2.47
1000+
￥2.4

有货

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型号：BSC028N06NS 编号：C148250

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,100A,2.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.19
10+
￥5.42
30+
￥4.68
100+
￥4.14
500+
￥3.92
1000+
￥3.8

有货

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型号：MMBT3904 1AM 编号：C2985655

封装：SOT-23

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：与MMBT3906互补。集电极电流：Ic = 200mA

数据手册

20+
￥0.0398
200+
￥0.0328
600+
￥0.029
3000+
￥0.0239
9000+
￥0.0219
21000+
￥0.0208

有货

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型号：2N3904 编号：C50176433

封装：SOT-23

品牌：GOODWORK(固得沃克)

三极管应用于放大电路、开关电路以及振荡电路等领域

100+
￥0.0415
1000+
￥0.0318
3000+
￥0.0264
9000+
￥0.0231
45000+
￥0.0221

有货

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型号：MMBT3904 编号：C2891808

封装：SOT-23

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：外延平面芯片结构。有互补PNP类型（MMBT3906）。适用于中功率放大和开关

数据手册

50+
￥0.0424
500+
￥0.0355
3000+
￥0.0271
6000+
￥0.0248
24000+
￥0.0228
51000+
￥0.0217

有货

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型号：S8050 编号：C2926165

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

放大倍数200-300 500MA电流

数据手册

50+
￥0.04275 ￥0.045
500+
￥0.03249 ￥0.0342
3000+
￥0.02983 ￥0.0314
6000+
￥0.02641 ￥0.0278
24000+
￥0.023465 ￥0.0247
51000+
￥0.02185 ￥0.023

有货

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型号：MMBT3904-1AM(RANGE:100-300) 编号：C364310

封装：SOT-23

品牌：MDD(辰达半导体)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

50+
￥0.044928 ￥0.0468
500+
￥0.03456 ￥0.036
3000+
￥0.029088 ￥0.0303
6000+
￥0.025632 ￥0.0267
24000+
￥0.022656 ￥0.0236
51000+
￥0.021024 ￥0.0219

有货

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型号：MMBT3906 编号：C364311

封装：SOT-23

品牌：MDD(辰达半导体)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

50+
￥0.048 ￥0.05
500+
￥0.037536 ￥0.0391
3000+
￥0.030912 ￥0.0322
6000+
￥0.027456 ￥0.0286
24000+
￥0.02448 ￥0.0255
51000+
￥0.022848 ￥0.0238

有货

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型号：S9013 编号：C916365

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

hFE:200-350 适合于低功耗、高增益应用场合，适用于各类精密电子设备及电路设计，是您微型化项目中的理想半导体元件。

数据手册

100+
￥0.04851 ￥0.0539
1000+
￥0.03879 ￥0.0431
3000+
￥0.03105 ￥0.0345
9000+
￥0.02781 ￥0.0309
45000+
￥0.02493 ￥0.0277
90000+
￥0.0234 ￥0.026

有货

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型号：S9013-E 编号：C41371419

封装：SOT-23

品牌：MDD(辰达半导体)

该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

10+
￥0.04944 ￥0.0515
100+
￥0.040128 ￥0.0418
300+
￥0.034944 ￥0.0364
3000+
￥0.029664 ￥0.0309
6000+
￥0.026976 ￥0.0281
9000+
￥0.025536 ￥0.0266

有货

立即购买

型号：S9013 编号：C727139

封装：SOT-23

品牌：TWGMC(迪嘉)

hFE:200-350

数据手册

100+
￥0.0498
1000+
￥0.039
3000+
￥0.0325
9000+
￥0.0289
51000+
￥0.0257
99000+
￥0.024

有货

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型号：S8050 编号：C444723

封装：SOT-23

品牌：Slkor(萨科微)

数据手册

50+
￥0.0531
500+
￥0.0421
3000+
￥0.0332
6000+
￥0.0295
24000+
￥0.0263
51000+
￥0.0246

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