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首页 > 热门关键词 > 晶体管
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描述
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操作
NPN 电流:200mA 电压:40V
型号：PMBT3904,215 编号：C8667
封装：SOT-23
品牌：Nexperia(安世)
NPN,Vceo=40V,Ic=200mA
数据手册

  • 50+

    ￥0.1181

  • 500+

    ￥0.0919

  • 3000+

    ￥0.0802

  • 6000+

    ￥0.069355 ￥0.0715

  • 24000+

    ￥0.06596 ￥0.068

  • 51000+

    ￥0.063632 ￥0.0656
  • 有货
    • 立即购买
    100V 3A
    型号：HV10N1H6S 编号：C49424009
    封装：SOT-89
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 100 V。 ID = 3 A。 RDS(on)@VGS = 10 V < 160 mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5 V < 170 mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路

    • 5+

      ￥0.3538

    • 50+

      ￥0.346

    • 150+

      ￥0.3408

    • 500+

      ￥0.3357
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道MOSFET
    型号：HV03P650S 编号：C51883854
    封装：SOT-89
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 30V。 ID = 5.3A。 RDS(on)@VGS = 10V < 49mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 85mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用：PWM应用。 负载开关

    • 5+

      ￥0.3931

    • 50+

      ￥0.3845

    • 150+

      ￥0.3787

    • 500+

      ￥0.3729
  • 订货
    • 我要订货
    100V 2A
    型号：HV10P3H6S 编号：C49424011
    封装：SOT-89
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -100 V。ID = -2 A。RDS(on)@VGS = -10 V < 200 mΩ。RDS(on)@VGS = -4.5 V < 230 mΩ。Avalanche energy tested。Fast Switching Speedze。应用：DC/DC Converter。Power Management Switches

    • 5+

      ￥0.4914

    • 50+

      ￥0.4806

    • 150+

      ￥0.4734

    • 500+

      ￥0.4662
  • 有货
    • 立即购买
    SOT-523封装PNP晶体管
    型号：MMBT5401T 编号：C49383132
    封装：SOT-523
    品牌：MDD(辰达半导体)
    SOT-523塑料封装晶体管

    • 50+

      ￥0.054815 ￥0.0577

    • 500+

      ￥0.05358 ￥0.0564

    • 3000+

      ￥0.052725 ￥0.0555

    • 6000+

      ￥0.05187 ￥0.0546
  • 有货
    • 立即购买
    SOT-363封装双晶体管（NPN+PNP）
    型号：MMDT3946 编号：C49383129
    封装：SOT-363
    品牌：MDD(辰达半导体)
    SOT-363塑料封装晶体管

    • 20+

      ￥0.142595 ￥0.1501

    • 200+

      ￥0.11077 ￥0.1166

    • 600+

      ￥0.0931 ￥0.098

    • 3000+

      ￥0.082555 ￥0.0869

    • 9000+

      ￥0.07334 ￥0.0772

    • 21000+

      ￥0.0684 ￥0.072
  • 订货
    • 我要订货
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401A 编号：C347476
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷和低至2.5V的工作栅极电压。该器件适合用作负载开关或其他通用应用。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2

    • 200+

      ￥0.1463

    • 600+

      ￥0.1225

    • 3000+

      ￥0.1046

    • 9000+

      ￥0.0975

    • 21000+

      ￥0.0927
  • 有货
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    60V N沟道增强型MOSFET
    型号：2N7002KDW 编号：C49383131
    封装：SOT-363
    品牌：MDD(辰达半导体)
    60V N通道增强模式MOSFET

    • 20+

      ￥0.20235 ￥0.213

    • 200+

      ￥0.157225 ￥0.1655

    • 600+

      ￥0.132145 ￥0.1391

    • 3000+

      ￥0.117135 ￥0.1233

    • 9000+

      ￥0.104025 ￥0.1095

    • 21000+

      ￥0.096995 ￥0.1021
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400A 编号：C347475
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。 低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 漏源电压（VDS）：30V。 漏极电流（ID）：5.8A（VGS = 10V）。 导通电阻（RDS(ON)）：< 27mΩ（VGS = 10V）；< 31mΩ（VGS = 4.5V）；< 48mΩ（VGS = 2.5V）
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2025

    • 200+

      ￥0.1489

    • 600+

      ￥0.125

    • 3000+

      ￥0.1047

    • 9000+

      ￥0.0975

    • 21000+

      ￥0.0928
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
    型号：HD503N080S 编号：C49066912
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：漏源电压（VDS）：30V。 漏极电流（ID）：50A。 栅源电压为10V时，漏源导通电阻（RDS(on)）< 8mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。 快速开关速度。应用：电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥0.5896

    • 50+

      ￥0.5767

    • 150+

      ￥0.568

    • 500+

      ￥0.5594
  • 订货
    • 我要订货
    30V 80A
    型号：HB03N056S 编号：C49424005
    封装：TO-252
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 30V。ID = 80A。RDS(on)@VGS = 10V < 5.6mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 8mΩ。高密度单元设计，实现超低导通电阻。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

    • 5+

      ￥0.6551

    • 50+

      ￥0.6407

    • 150+

      ￥0.6311

    • 500+

      ￥0.6215
  • 有货
    • 立即购买
    30V 9A
    型号：HT03N140S 编号：C49424007
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 30 V。 ID = 9 A。 RDS(on)@VGS = 10 V < 14.3 mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5 V < 22.6 mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用：电源管理开关。 DC/DC转换器

    • 5+

      ￥0.7469

    • 50+

      ￥0.7304

    • 150+

      ￥0.7195

    • 500+

      ￥0.7085
  • 有货
    • 立即购买
    20V 55A
    型号：HD302P130S 编号：C49424002
    封装：PDFN-8(3x3)
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -20 V。 ID = -55 A。 RDS(on)@VGS = -4.5 V < 9 mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5 V < 13 mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池保护应用。 负载开关

    • 5+

      ￥0.7862

    • 50+

      ￥0.7689

    • 150+

      ￥0.7574

    • 500+

      ￥0.7458
  • 有货
    • 立即购买
    30V 42A
    型号：HD303P120S 编号：C49424003
    封装：PDFN-8(3x3)
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -30 V。 ID = -42 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 12 mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5 V < 18 mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电源开关应用。 负载开关

    • 5+

      ￥0.7862

    • 50+

      ￥0.7689

    • 150+

      ￥0.7574

    • 500+

      ￥0.7458
  • 订货
    • 我要订货
    hfe=200~350 NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8050(RANGE:200-350) 编号：C2150
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    丝印Y1
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0811

    • 500+

      ￥0.0618

    • 3000+

      ￥0.0532

    • 6000+

      ￥0.0468

    • 24000+

      ￥0.0443

    • 51000+

      ￥0.0426
  • 有货
    • 立即购买
    SOT-363封装双晶体管（NPN+NPN）
    型号：MMDT3904 编号：C49383124
    封装：SOT-363
    品牌：MDD(辰达半导体)
    SOT-363塑料封装晶体管

    • 20+

      ￥0.145825 ￥0.1535

    • 200+

      ￥0.114 ￥0.12

    • 600+

      ￥0.09633 ￥0.1014

    • 3000+

      ￥0.08569 ￥0.0902

    • 9000+

      ￥0.07657 ￥0.0806

    • 21000+

      ￥0.07163 ￥0.0754
  • 有货
    • 立即购买
    低VCEsat晶体管 NPN 电流:1A 电压:40V
    型号：PBSS4140T,215 编号：C82254
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    采用小型SOT23塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。PNP互补型号：PBSS5140T。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2993

    • 100+

      ￥0.2444

    • 300+

      ￥0.2161

    • 3000+

      ￥0.184494 ￥0.1902

    • 6000+

      ￥0.176637 ￥0.1821

    • 9000+

      ￥0.171302 ￥0.1766
  • 有货
    • 立即购买
    H档(200-350) NPN 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8050 J3Y(RANGE:200-350) 编号：C2146
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    丝印J3Y
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0799

    • 500+

      ￥0.0612

    • 3000+

      ￥0.0529

    • 6000+

      ￥0.0467

    • 24000+

      ￥0.0442

    • 51000+

      ￥0.0425
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=200~300 NPN 电流:600mA 电压:160V
    型号：MMBT5551(RANGE:200-300) 编号：C2145
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：与MMBT5401互补，非常适合中功率放大和开关
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0814

    • 500+

      ￥0.062

    • 3000+

      ￥0.0533

    • 6000+

      ￥0.0469

    • 24000+

      ￥0.0443

    • 51000+

      ￥0.0425
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：2N7002 编号：C8545
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,60V,0.115A,7Ω@10V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0822

    • 500+

      ￥0.0625

    • 3000+

      ￥0.0537

    • 6000+

      ￥0.0471

    • 24000+

      ￥0.0445

    • 51000+

      ￥0.0427
  • 有货
    • 立即购买
    hFE：200-350 NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8050 编号：C916392
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于需要高效能、大电流信号放大的电子应用场合。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0536

    • 500+

      ￥0.0401

    • 3000+

      ￥0.034

    • 6000+

      ￥0.0295

    • 24000+

      ￥0.0277

    • 45000+

      ￥0.0265
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=100~300 NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904(RANGE:100-300) 编号：C20526
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    丝印1A
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0589

    • 500+

      ￥0.0449

    • 3000+

      ￥0.0387

    • 6000+

      ￥0.034

    • 24000+

      ￥0.0321

    • 51000+

      ￥0.0308
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=200~350 PNP 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8550 Y2(RANGE:200-350) 编号：C8542
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    hfe=200~350
    数据手册

    • 50+

      ￥0.081

    • 500+

      ￥0.0618

    • 3000+

      ￥0.0532

    • 6000+

      ￥0.0468

    • 24000+

      ￥0.0443

    • 51000+

      ￥0.0426
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AO3400 编号：C2938367
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A适用于电源开关和信号控制
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1707

    • 200+

      ￥0.134

    • 600+

      ￥0.1177

    • 3000+

      ￥0.0868

    • 9000+

      ￥0.0819

    • 30000+

      ￥0.0786
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=160~400 通用晶体管 NPN 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC817-25,215 编号：C39828
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN通用晶体管。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1887

    • 200+

      ￥0.1472

    • 600+

      ￥0.1287

    • 3000+

      ￥0.10961 ￥0.113

    • 9000+

      ￥0.104275 ￥0.1075

    • 21000+

      ￥0.100686 ￥0.1038
  • 有货
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    hfe=250~600 PNP 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC807-40,215 编号：C57316
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用晶体管。
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401 编号：C727156
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    特性：无铅产品。表面贴装封装。应用：负载开关。PWM应用
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：AO3401A 编号：C15127
    封装：SOT-23
    品牌：AOS
    P沟道,-30V,-4A,50mΩ@-10V
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    H档 NPN 电流:500mA 电压:25V
    型号：S8050 编号：C181158
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：与S8550互补。 出色的hFE线性度。 高集电极电流。 表面贴装器件
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.2A
    型号：SI2301 编号：C2891731
    封装：SOT-23
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
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