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      ¥1.0002
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      ¥0.7923
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  • 有货
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  • 有货
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      ¥0.361
    • 100+

      ¥0.2875
    • 300+

      ¥0.2508
  • 有货
  • 特性:VDS = -40V。 ID = -6A。 RDS(on)@VGS = -10V < 40mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 58mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用:电池保护。 负载开关
    • 10+

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    • 100+

      ¥0.3298
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    • 1000+

      ¥0.2561
    • 5000+

      ¥0.2308
    • 10000+

      ¥0.2182
  • 有货
  • 特性:VDS = 60V。 I0 = 110A。 RDS(on)@VGS = 10V < 4mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。 改善的dv/dt能力,高耐用性。应用:电池保护。 负载开关
    • 1+

      ¥5.57
    • 10+

      ¥4.52
    • 50+

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    • 500+

      ¥3.16
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      ¥3
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    • 500+

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    • 3000+

      ¥0.0484
    • 6000+

      ¥0.0476
  • 有货
  • 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 50+

      ¥0.054
    • 500+

      ¥0.0528
    • 3000+

      ¥0.0519
    • 6000+

      ¥0.0511
  • 有货
  • 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.06764 ¥0.0712
    • 100+

      ¥0.052725 ¥0.0555
    • 300+

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    • 3000+

      ¥0.037715 ¥0.0397
    • 6000+

      ¥0.033345 ¥0.0351
    • 9000+

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  • 有货
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    • 200+

      ¥0.0769
    • 600+

      ¥0.0758
    • 3000+

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  • 订货
  • 60V N通道增强模式MOSFET
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    • 600+

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      ¥0.0715
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  • 订货
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  • 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
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