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首页 > 热门关键词 > 晶体管
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N沟道,200V,50A,40mΩ@10V
数据手册
  • 1+

    ¥6.39
  • 10+

    ¥5.45
  • 25+

    ¥4.28
  • 100+

    ¥3.73
  • 350+

    ¥3.56
  • 1050+

    ¥3.45
  • 有货
  • 特性:沟槽功率技术。 低RDS(ON)。 低栅极电荷。 针对快速开关应用进行优化。应用:DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流。 电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3381
    • 100+

      ¥0.2537
    • 300+

      ¥0.2115
    • 3000+

      ¥0.2016
    • 6000+

      ¥0.1763
    • 9000+

      ¥0.1637
  • 有货
  • 特性:高电压。 功率耗散为500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合MSL 1级,根据J-STD-020标准,LF最大峰值为260℃
    • 10+

      ¥0.3708
    • 100+

      ¥0.2969
    • 300+

      ¥0.26
    • 1000+

      ¥0.2069
    • 5000+

      ¥0.1847
    • 10000+

      ¥0.1736
  • 有货
    • 10+

      ¥0.3775
    • 100+

      ¥0.3007
    • 300+

      ¥0.2623
    • 3000+

      ¥0.2335
    • 6000+

      ¥0.2104
    • 9000+

      ¥0.1989
  • 有货
  • 特性:功率耗散:200mW。 适用于低功率放大和开关。 双晶体管(NPN + PNP)。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C
    • 10+

      ¥0.3879
    • 100+

      ¥0.3067
    • 300+

      ¥0.266
    • 3000+

      ¥0.2355
    • 6000+

      ¥0.2112
    • 9000+

      ¥0.199
  • 有货
  • hFE:120-240,丝印:MY
    • 10+

      ¥0.4088
    • 100+

      ¥0.3308
    • 300+

      ¥0.2918
    • 1000+

      ¥0.2328
    • 5000+

      ¥0.2094
    • 10000+

      ¥0.1977
  • 有货
  • hFE:160-320,丝印:D882
    • 10+

      ¥0.409
    • 100+

      ¥0.3283
    • 300+

      ¥0.288
    • 1000+

      ¥0.2337
    • 5000+

      ¥0.2095
    • 10000+

      ¥0.1974
  • 有货
  • 特性:VDS = -40V。 ID = -6A。 RDS(on)@VGS = -10V < 40mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 58mΩ。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用:电池保护。 负载开关
    • 10+

      ¥0.4314
    • 100+

      ¥0.3436
    • 300+

      ¥0.2997
    • 1000+

      ¥0.2668
    • 5000+

      ¥0.2405
    • 10000+

      ¥0.2273
  • 有货
  • N 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4485
    • 100+

      ¥0.3525
    • 300+

      ¥0.3045
    • 3000+

      ¥0.2647
    • 6000+

      ¥0.2359
    • 9000+

      ¥0.2215
  • 有货
  • N沟道,20V,2.9A,57mΩ@4.5V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4787
    • 100+

      ¥0.3982
    • 300+

      ¥0.3569
    • 3000+

      ¥0.29
    • 6000+

      ¥0.2781
    • 9000+

      ¥0.27
  • 有货
  • P沟道,50V,180mA
    数据手册
    • 10+

      ¥0.4804
    • 100+

      ¥0.3873
    • 300+

      ¥0.3408
    • 3000+

      ¥0.3058
    • 6000+

      ¥0.2779
    • 9000+

      ¥0.264
  • 有货
  • WST4041是一款高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WST4041符合RoHS标准和绿色产品要求,经过全面功能可靠性认证,100%保证具有抗雪崩能力。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9965
    • 50+

      ¥0.7859
    • 150+

      ¥0.6831
    • 500+

      ¥0.5913
    • 3000+

      ¥0.5183
    • 6000+

      ¥0.5032
  • 有货
  • P沟道,-55V,-74A,20mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.44
    • 10+

      ¥2.87
    • 50+

      ¥2.55
    • 100+

      ¥2.22
    • 500+

      ¥2.12
    • 1000+

      ¥2.05
  • 有货
  • 40V/200A。RDS(ON) = 0.75mΩ(典型值)。在VGS = 4.5V时,RDS(ON) = 1.05mΩ(典型值)
    数据手册
    • 1+

      ¥4.15
    • 10+

      ¥3.57
    • 30+

      ¥3.16
    • 100+

      ¥2.82
    • 500+

      ¥2.15
    • 1000+

      ¥2.09
  • 有货
  • 特性:非常低的栅极电荷,适用于高频应用。 针对直流-直流转换进行优化。 N 沟道,正常电平。 出色的栅极电荷×导通电阻(RDS(on))乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 针对目标应用进行了认证。 根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品
    数据手册
    • 1+

      ¥4.2
    • 10+

      ¥3.55
    • 30+

      ¥3.09
    • 100+

      ¥2.71
    • 500+

      ¥2.59
    • 1000+

      ¥2.51
  • 有货
  • N沟道,200V,65A,19.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.5
    • 10+

      ¥4.82
    • 50+

      ¥4
    • 100+

      ¥3.61
    • 500+

      ¥3.48
    • 1000+

      ¥3.4
  • 有货
  • CSD18540Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
    数据手册
    • 1+

      ¥9.78
    • 10+

      ¥8.66
    • 30+

      ¥7.62
    • 100+

      ¥6.09
    • 500+

      ¥5.77
    • 1000+

      ¥5.61
  • 有货
  • 专为精密电子设备设计,提供高效、稳定的信号放大及开关控制功能。
    数据手册
    • 100+

      ¥0.036504 ¥0.0468
    • 1000+

      ¥0.029328 ¥0.0376
    • 3000+

      ¥0.023478 ¥0.0301
    • 9000+

      ¥0.021138 ¥0.0271
    • 45000+

      ¥0.019032 ¥0.0244
    • 90000+

      ¥0.01794 ¥0.023
  • 有货
  • 特性:产品材料符合RoHS要求且无卤。 S前缀适用于汽车和其他需要特殊场地和控制变更要求的应用;符合AEC-Q101标准且支持生产件批准程序(PPAP)。 具备ESD保护。 低导通电阻(RDS(on))。应用:低端负载开关。 电平转换电路
    • 6+

      ¥0.0373
    • 60+

      ¥0.028
    • 180+

      ¥0.0239
    • 600+

      ¥0.0208
    • 3000+

      ¥0.0191
    • 6000+

      ¥0.0183
  • 有货
  • 特性:互补型:推荐使用NPN晶体管MMBT3904。 外延平面芯片结构
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0399 ¥0.042
    • 500+

      ¥0.03173 ¥0.0334
    • 3000+

      ¥0.024985 ¥0.0263
    • 6000+

      ¥0.022325 ¥0.0235
    • 24000+

      ¥0.01995 ¥0.021
    • 51000+

      ¥0.01862 ¥0.0196
  • 有货
  • 特性:与S9012互补。 集电极电流:Ic = 0.5A
    数据手册
    • 100+

      ¥0.0444
    • 1000+

      ¥0.0352
    • 3000+

      ¥0.0283
    • 9000+

      ¥0.0252
    • 51000+

      ¥0.0226
    • 99000+

      ¥0.0212
  • 有货
  • 1个N沟道 耐压:20V 电流:2.1A适用于电源开关和信号控制
    • 50+

      ¥0.058225 ¥0.0685
    • 500+

      ¥0.04539 ¥0.0534
    • 3000+

      ¥0.03825 ¥0.045
    • 6000+

      ¥0.034 ¥0.04
    • 30000+

      ¥0.03026 ¥0.0356
    • 45000+

      ¥0.02822 ¥0.0332
  • 有货
  • 特性:高集电极电流。 与SS8050互补
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0663
    • 500+

      ¥0.0534
    • 3000+

      ¥0.0408
    • 6000+

      ¥0.0364
    • 24000+

      ¥0.0327
    • 51000+

      ¥0.0307
  • 有货
  • 丝印Y1
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0684 ¥0.072
    • 500+

      ¥0.052345 ¥0.0551
    • 3000+

      ¥0.047405 ¥0.0499
    • 6000+

      ¥0.042085 ¥0.0443
    • 24000+

      ¥0.03743 ¥0.0394
    • 51000+

      ¥0.034865 ¥0.0367
  • 有货
  • hFE:200-350
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0734
    • 500+

      ¥0.0625
    • 3000+

      ¥0.0535
    • 6000+

      ¥0.0499
    • 24000+

      ¥0.0467
  • 有货
  • 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23-3 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.082176 ¥0.0856
    • 500+

      ¥0.065568 ¥0.0683
    • 3000+

      ¥0.054432 ¥0.0567
    • 6000+

      ¥0.048864 ¥0.0509
    • 24000+

      ¥0.04416 ¥0.046
    • 51000+

      ¥0.041568 ¥0.0433
  • 有货
  • 特性:适用于一般音频应用。 高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型:BC807(PNP)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0854
    • 500+

      ¥0.0663
    • 3000+

      ¥0.0508
    • 6000+

      ¥0.0445
    • 24000+

      ¥0.039
    • 51000+

      ¥0.036
  • 有货
  • 应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    数据手册
    • 50+

      ¥0.096288 ¥0.1003
    • 500+

      ¥0.077664 ¥0.0809
    • 3000+

      ¥0.064224 ¥0.0669
    • 6000+

      ¥0.057984 ¥0.0604
    • 24000+

      ¥0.052608 ¥0.0548
    • 51000+

      ¥0.049632 ¥0.0517
  • 有货
  • 丝印2T1
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0966
    • 500+

      ¥0.0771
    • 3000+

      ¥0.0663
    • 6000+

      ¥0.0599
    • 24000+

      ¥0.0543
    • 51000+

      ¥0.0512
  • 有货
  • 此款消费级N沟道MOSFET采用小型SOT-23封装,专为20V电压系统设计,额定电流高达3A。具备低导通电阻与快速开关特性,广泛应用于充电器、电源管理及各种电子设备的负载切换与高效功率控制场景。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1207
    • 500+

      ¥0.0994
    • 3000+

      ¥0.0761
    • 6000+

      ¥0.069
    • 24000+

      ¥0.0628
    • 51000+

      ¥0.0595
  • 有货
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