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首页 > 热门关键词 > 晶体管
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采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的NPN通用晶体管。
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  • 200+

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  • 防静电,应用:通讯模块、工业控制、人工智能、消费电子
    数据手册
    • 50+

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    • 500+

      ¥0.0687
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  • 有货
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      ¥0.1592
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      ¥0.1557
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      ¥0.1511
  • 订货
  • 丝印J3
    数据手册
    • 50+

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    • 500+

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    • 6000+

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      ¥0.0433
    • 51000+

      ¥0.0415
  • 有货
  • 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.12141 ¥0.1278
    • 100+

      ¥0.09481 ¥0.0998
    • 300+

      ¥0.07999 ¥0.0842
    • 3000+

      ¥0.066215 ¥0.0697
    • 6000+

      ¥0.05852 ¥0.0616
    • 9000+

      ¥0.05434 ¥0.0572
  • 订货
  • 特性:无卤,符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用:负载开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3839
    • 100+

      ¥0.3081
    • 300+

      ¥0.2692
    • 3000+

      ¥0.2371
    • 6000+

      ¥0.2259
    • 9000+

      ¥0.2183
  • 有货
  • N沟道,30V,5.7A,26.5mΩ@10V
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    • 5+

      ¥0.501
    • 50+

      ¥0.4021
    • 150+

      ¥0.3513
    • 500+

      ¥0.3094
    • 3000+

      ¥0.2948
    • 6000+

      ¥0.2849
  • 有货
  • N沟道,100V,33A,44mΩ@10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.8815
    • 50+

      ¥1.5043
    • 150+

      ¥1.3273
    • 500+

      ¥1.11093 ¥1.1694
    • 2000+

      ¥1.069795 ¥1.1261
    • 5000+

      ¥1.045 ¥1.1
  • 有货
  • 适用于电池保护、负载开关等应用,拥有低导通电阻和快速切换特性,为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0515
    • 500+

      ¥0.0369
    • 3000+

      ¥0.0362
    • 6000+

      ¥0.0313
    • 24000+

      ¥0.0293
    • 45000+

      ¥0.028
  • 有货
  • 特性:TrenchFET功率MOSFET。 无铅产品。 表面贴装封装。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0676
    • 500+

      ¥0.0555
    • 3000+

      ¥0.0394
    • 6000+

      ¥0.0354
    • 24000+

      ¥0.0338
    • 51000+

      ¥0.0327
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  • 丝印2L
    数据手册
    • 50+

      ¥0.082
    • 500+

      ¥0.0623
    • 3000+

      ¥0.0535
    • 6000+

      ¥0.0469
    • 24000+

      ¥0.0443
    • 51000+

      ¥0.0425
  • 有货
  • 特性:高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)。 出色的导通电阻和最大直流电流能力
    数据手册
    • 20+

      ¥0.161025 ¥0.1695
    • 200+

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    • 600+

      ¥0.10469 ¥0.1102
    • 3000+

      ¥0.096805 ¥0.1019
    • 9000+

      ¥0.09158 ¥0.0964
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      ¥0.08816 ¥0.0928
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  • 特性:超低导通电阻:当VDS = 30V,VGS = 10V,ID = 5.8A时,RDS(ON) ≤ 28mΩ。适用于PWM应用。适用于负载开关应用。表面贴装器件
    数据手册
    • 20+

      ¥0.16378 ¥0.1724
    • 200+

      ¥0.123785 ¥0.1303
    • 600+

      ¥0.10602 ¥0.1116
    • 3000+

      ¥0.09785 ¥0.103
    • 9000+

      ¥0.09253 ¥0.0974
    • 21000+

      ¥0.08892 ¥0.0936
  • 有货
  • N沟道
    数据手册
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      ¥0.6892
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    • 2500+

      ¥0.3568
    • 5000+

      ¥0.3416
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻(RDS(ON))、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于多种应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8529
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      ¥0.6594
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    • 2500+

      ¥0.4494
    • 5000+

      ¥0.43
  • 有货
  • N沟道,200V,18A,150mΩ@10V
    数据手册
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      ¥1.5059
    • 50+

      ¥1.1634
    • 150+

      ¥0.9962
    • 500+

      ¥0.82159 ¥0.847
    • 2300+

      ¥0.78182 ¥0.806
    • 4600+

      ¥0.757958 ¥0.7814
  • 有货
  • N沟道,100V,300A,1.3mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥8.15
    • 10+

      ¥7.2
    • 30+

      ¥5.58
    • 100+

      ¥4.8118 ¥4.91
    • 500+

      ¥4.5472 ¥4.64
    • 1000+

      ¥4.41 ¥4.5
  • 有货
  • 特性:PNP与BCX51、BCX52、BCX53互补。 低电压。 高电流。应用:音频放大器的驱动级
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2456
    • 100+

      ¥0.1959
    • 300+

      ¥0.1703
    • 1000+

      ¥0.1492
    • 5000+

      ¥0.1418
    • 10000+

      ¥0.1369
  • 有货
  • MOSFET,N-channel 30V/12V 5.8A VGS(th)=1.1V 29mΩ@5.8A&10V,SOT-23
    数据手册
    • 10+

      ¥0.337
    • 100+

      ¥0.2803
    • 300+

      ¥0.2511
    • 3000+

      ¥0.1688
    • 6000+

      ¥0.1604
    • 9000+

      ¥0.1547
  • 有货
  • N沟道,20V,2.9A,57mΩ@4.5V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.414164 ¥0.4406
    • 100+

      ¥0.340468 ¥0.3622
    • 300+

      ¥0.302492 ¥0.3218
    • 3000+

      ¥0.241298 ¥0.2567
    • 6000+

      ¥0.230394 ¥0.2451
    • 9000+

      ¥0.222968 ¥0.2372
  • 有货
  • N沟道,100V,0.09A,6Ω@10V。该型号中,“XTSA1”那是原厂的内部型号。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6182
    • 50+

      ¥0.4913
    • 150+

      ¥0.4261
    • 500+

      ¥0.361131 ¥0.3723
    • 3000+

      ¥0.342992 ¥0.3536
    • 6000+

      ¥0.330673 ¥0.3409
  • 有货
  • P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7216
    • 50+

      ¥1.2722
    • 150+

      ¥1.0874
    • 500+

      ¥0.90405 ¥0.9225
    • 2500+

      ¥0.859656 ¥0.8772
    • 5000+

      ¥0.833 ¥0.85
  • 有货
  • P沟道,-55V,-74A,20mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.15
    • 10+

      ¥2.63
    • 50+

      ¥2.32
    • 100+

      ¥1.919 ¥2.02
    • 500+

      ¥1.824 ¥1.92
    • 1000+

      ¥1.767 ¥1.86
  • 有货
  • 特性:适用于高频开关。 针对充电器进行了优化。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道,逻辑电平。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤。 适用于标准等级应用
    数据手册
    • 1+

      ¥3.34
    • 10+

      ¥2.78
    • 30+

      ¥2.39
    • 100+

      ¥1.957 ¥2.06
    • 500+

      ¥1.938 ¥2.04
    • 1000+

      ¥1.881 ¥1.98
  • 有货
  • P沟道,-55V,-42A,20mΩ@-10V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.06
    • 10+

      ¥5.21
    • 30+

      ¥4.62
    • 100+

      ¥3.9235 ¥4.13
    • 500+

      ¥3.154 ¥3.32
    • 800+

      ¥3.059 ¥3.22
  • 有货
  • 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0835
    • 500+

      ¥0.0666
    • 3000+

      ¥0.0474
    • 6000+

      ¥0.0418
    • 24000+

      ¥0.0396
    • 51000+

      ¥0.038
  • 有货
  • hFE:100-300
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0905
    • 500+

      ¥0.0703
    • 3000+

      ¥0.0554
    • 6000+

      ¥0.0487
    • 24000+

      ¥0.046
    • 51000+

      ¥0.0442
  • 有货
  • 小体积
    • 20+

      ¥0.1411
    • 200+

      ¥0.1065
    • 600+

      ¥0.0911
    • 3000+

      ¥0.0783
    • 9000+

      ¥0.0737
    • 21000+

      ¥0.0706
  • 有货
  • N沟道,30V,5.8A,35mΩ@10V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1853
    • 200+

      ¥0.1428
    • 600+

      ¥0.1239
    • 3000+

      ¥0.1025
    • 9000+

      ¥0.0968
    • 21000+

      ¥0.093
  • 有货
  • N沟道,60V,3A,105mΩ@10V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2118
    • 200+

      ¥0.161
    • 600+

      ¥0.1384
    • 3000+

      ¥0.1214
    • 9000+

      ¥0.1147
    • 21000+

      ¥0.1101
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