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适用于高压、中等电流环境下的开关与线性放大应用,是您精密电子设备和电路设计的理想半导体元件。
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    ¥0.043225 ¥0.0455
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    ¥0.026315 ¥0.0277
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP类型可供选择。 适用于中功率放大和开关
    数据手册
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      ¥0.0437
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      ¥0.0212
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      ¥0.0198
  • 有货
  • 专为低至中等电压、大电流环境下的高增益放大及开关应用设计,是各类电子设备电路的理想半导体元件。
    数据手册
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      ¥0.059
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      ¥0.0471
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    • 24000+

      ¥0.0301
    • 45000+

      ¥0.0282
  • 有货
  • 特性:与MMBT3906互补的表面贴装器件
    数据手册
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      ¥0.059945 ¥0.0631
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      ¥0.037335 ¥0.0393
    • 6000+

      ¥0.033345 ¥0.0351
    • 24000+

      ¥0.02983 ¥0.0314
    • 51000+

      ¥0.028025 ¥0.0295
  • 有货
  • 这款NPN型三极管具有0.5A的电流和25V的电压处理能力,放大倍数介于200-350之间,适用于高速操作,频率可达150MHz。它为电子设备提供了可靠的性能,适合多种应用需求,确保电路的稳定性和高效性。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0607
    • 500+

      ¥0.049
    • 3000+

      ¥0.0393
    • 6000+

      ¥0.0354
    • 24000+

      ¥0.032
    • 51000+

      ¥0.0302
  • 有货
  • 该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 10+

      ¥0.0624 ¥0.065
    • 100+

      ¥0.051168 ¥0.0533
    • 300+

      ¥0.044928 ¥0.0468
    • 3000+

      ¥0.038592 ¥0.0402
    • 6000+

      ¥0.035424 ¥0.0369
    • 9000+

      ¥0.0336 ¥0.035
  • 有货
  • hFE:200-400,丝印:M6
    • 50+

      ¥0.063
    • 500+

      ¥0.0515
    • 3000+

      ¥0.0424
    • 6000+

      ¥0.0386
    • 24000+

      ¥0.0352
    • 51000+

      ¥0.0334
  • 有货
  • 这款三极管为PNP型,适用于精确控制小电流。其电流为0.5A,电压可达25V,放大倍数介于200-350之间,最高频率响应为150MHz。适用于通信、仪表及消费电子等领域,确保信号处理的稳定性和精确性。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0645
    • 500+

      ¥0.0523
    • 3000+

      ¥0.0415
    • 6000+

      ¥0.0374
    • 24000+

      ¥0.0339
    • 51000+

      ¥0.032
  • 有货
  • 该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.066528 ¥0.0693
    • 500+

      ¥0.05568 ¥0.058
    • 3000+

      ¥0.042144 ¥0.0439
    • 6000+

      ¥0.038496 ¥0.0401
    • 24000+

      ¥0.035424 ¥0.0369
    • 51000+

      ¥0.033792 ¥0.0352
  • 有货
  • 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.067872 ¥0.0707
    • 500+

      ¥0.054432 ¥0.0567
    • 3000+

      ¥0.044256 ¥0.0461
    • 6000+

      ¥0.039744 ¥0.0414
    • 24000+

      ¥0.035808 ¥0.0373
    • 51000+

      ¥0.033792 ¥0.0352
  • 有货
  • 特性:与SS8550互补
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      ¥0.068495 ¥0.0721
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      ¥0.05415 ¥0.057
    • 3000+

      ¥0.042275 ¥0.0445
    • 6000+

      ¥0.03743 ¥0.0394
    • 24000+

      ¥0.033345 ¥0.0351
    • 51000+

      ¥0.031065 ¥0.0327
  • 有货
  • 特性:与S8550互补
    数据手册
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      ¥0.0769
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      ¥0.0607
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    • 6000+

      ¥0.0463
    • 24000+

      ¥0.0416
    • 51000+

      ¥0.039
  • 有货
  • 特性:与BC857互补。 非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用。 表面贴装器件
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    • 50+

      ¥0.07733 ¥0.0814
    • 500+

      ¥0.06194 ¥0.0652
    • 3000+

      ¥0.05054 ¥0.0532
    • 6000+

      ¥0.04541 ¥0.0478
    • 24000+

      ¥0.040945 ¥0.0431
    • 51000+

      ¥0.03857 ¥0.0406
  • 有货
  • 特性:与SS8550互补。 出色的hFE线性度。 高集电极电流。 表面贴装器件
    数据手册
    • 50+

      ¥0.08265 ¥0.087
    • 500+

      ¥0.065075 ¥0.0685
    • 3000+

      ¥0.052725 ¥0.0555
    • 6000+

      ¥0.046835 ¥0.0493
    • 24000+

      ¥0.0418 ¥0.044
    • 51000+

      ¥0.039045 ¥0.0411
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP型(MMBT2907A)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0859
    • 500+

      ¥0.0671
    • 3000+

      ¥0.0565
    • 6000+

      ¥0.0502
    • 24000+

      ¥0.0448
    • 51000+

      ¥0.0418
  • 有货
  • 该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,额定电压20V,可承载3A电流。具备低导通电阻与快速开关特性,应用于充电器、电源转换等场合,提供高效能、稳定可靠的功率控制方案,是各类电子设备的理想选择。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1214
    • 500+

      ¥0.0979
    • 3000+

      ¥0.0753
    • 6000+

      ¥0.0675
    • 24000+

      ¥0.0607
    • 51000+

      ¥0.0571
  • 有货
  • 特性:VDS(V)-20V,Ip = -2.8A。 RDS(ON)<0.112Ω(VGS = -4.5V)。 RDS(ON)<0.142Ω(VGS = -2.5V)。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1342
    • 200+

      ¥0.1024
    • 600+

      ¥0.0847
    • 3000+

      ¥0.0741
    • 9000+

      ¥0.065
    • 21000+

      ¥0.06
  • 有货
  • 该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装,额定电压30V,可承载5.8A大电流。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1359
    • 500+

      ¥0.1106
    • 3000+

      ¥0.0865
    • 6000+

      ¥0.0781
    • 24000+

      ¥0.0708
    • 51000+

      ¥0.0669
  • 有货
  • 小体积
    • 20+

      ¥0.1431
    • 200+

      ¥0.1118
    • 600+

      ¥0.0944
    • 3000+

      ¥0.0828
    • 9000+

      ¥0.0737
    • 21000+

      ¥0.0689
  • 有货
  • 采用小型SOT23(TO - 236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装的PNP通用晶体管。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1474
    • 200+

      ¥0.115
    • 600+

      ¥0.097
    • 3000+

      ¥0.0811
    • 9000+

      ¥0.0717
    • 21000+

      ¥0.0667
  • 有货
  • 1个N沟道 耐压:30V 电流:4A适用于电源开关和信号控制
    数据手册
    • 20+

      ¥0.151715 ¥0.1597
    • 200+

      ¥0.120935 ¥0.1273
    • 600+

      ¥0.103835 ¥0.1093
    • 3000+

      ¥0.08493 ¥0.0894
    • 9000+

      ¥0.076095 ¥0.0801
    • 30000+

      ¥0.07125 ¥0.075
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.2A,65mΩ@-10V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1916
    • 200+

      ¥0.1561
    • 600+

      ¥0.1363
    • 3000+

      ¥0.1244
    • 9000+

      ¥0.1141
    • 21000+

      ¥0.1086
  • 有货
  • 特性:VDS =-30V。 ID =-2.6A。 RDS(on)@VGS =-10V < 90mΩ。 RDS(on)@VGS =-4.5V < 150mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器
    • 20+

      ¥0.2112
    • 200+

      ¥0.1662
    • 600+

      ¥0.1412
    • 3000+

      ¥0.1263
    • 9000+

      ¥0.1133
    • 21000+

      ¥0.1062
  • 有货
  • 采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于负载开关或PWM应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2266
    • 200+

      ¥0.1735
    • 600+

      ¥0.144
    • 3000+

      ¥0.1237
    • 9000+

      ¥0.1083
    • 21000+

      ¥0.1001
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于负载开关或PWM应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.233225 ¥0.2455
    • 100+

      ¥0.18544 ¥0.1952
    • 300+

      ¥0.161595 ¥0.1701
    • 3000+

      ¥0.15067 ¥0.1586
    • 6000+

      ¥0.136325 ¥0.1435
    • 9000+

      ¥0.1292 ¥0.136
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 VDS(V) = 40V。 ID = 5.6A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 36mΩ (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 46mΩ (VGS = 4.5V)
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2357
    • 200+

      ¥0.1825
    • 600+

      ¥0.1529
    • 3000+

      ¥0.124
    • 9000+

      ¥0.1086
    • 21000+

      ¥0.1004
  • 有货
  • 5N10-MS是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。5N10-MS符合RoHS标准和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.24738 ¥0.2604
    • 100+

      ¥0.20178 ¥0.2124
    • 300+

      ¥0.17898 ¥0.1884
    • 3000+

      ¥0.129485 ¥0.1363
    • 6000+

      ¥0.115805 ¥0.1219
    • 9000+

      ¥0.10887 ¥0.1146
  • 有货
  • 特性:VDS(V)=60V。 ID = 3A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 80mΩ (VGS = 10V), ID = 3A。 RDS(ON) < 95mΩ (VGS = 4.5V), ID = 1.9A。应用:负载电源开关。 接口开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2488
    • 100+

      ¥0.1918
    • 300+

      ¥0.1633
    • 3000+

      ¥0.1414
    • 6000+

      ¥0.1243
    • 9000+

      ¥0.1157
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至1.8V的栅极电压下工作。 漏源击穿电压V(BR)DSS为 -20V。 漏极电流ID为 -4A。 最大导通电阻RDS(ON):在 -4.5V时为36mΩ,在 -2.5V时为60mΩ。 出色的导通电阻RDS(ON)。 低栅极电荷。应用:负载开关。 PWM应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2573
    • 200+

      ¥0.1989
    • 600+

      ¥0.1665
    • 3000+

      ¥0.1361
    • 9000+

      ¥0.1192
    • 21000+

      ¥0.1101
  • 有货
  • 特性:VDS = 20V。 I0 = 4.3A。 RDS(on)@VGS = 4.0V < 30mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 46mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 负载开关
    • 10+

      ¥0.3128
    • 100+

      ¥0.2494
    • 300+

      ¥0.2177
    • 3000+

      ¥0.187
    • 6000+

      ¥0.168
    • 9000+

      ¥0.1584
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