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1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
型号：AO3401A 编号：C306862
封装：SOT-23
品牌：BORN(伯恩半导体)
MOSFET,P-channel 30V/12V 4.2A VGS(th)=1V 45mΩ@4.2A&10V,SOT-23
数据手册

  • 20+

    ￥0.3443

  • 200+

    ￥0.2872

  • 600+

    ￥0.2578

  • 3000+

    ￥0.1699

  • 9000+

    ￥0.1615

  • 21000+

    ￥0.1558
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:4.8A
    型号：AO3415 编号：C840839
    封装：SOT-23
    品牌：MDD(辰达半导体)
    特性：优秀的导通电阻（RDS(ON)）。 低栅极电荷。 低栅极电压。应用：负载开关。 PWM应用
    数据手册

    • 10+

      ￥0.27227 ￥0.2866

    • 100+

      ￥0.228475 ￥0.2405

    • 300+

      ￥0.20596 ￥0.2168

    • 3000+

      ￥0.151145 ￥0.1591

    • 6000+

      ￥0.144685 ￥0.1523

    • 9000+

      ￥0.140315 ￥0.1477
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
    型号：2N7002K-T1-GE3 编号：C81445
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    N沟道,60V,0.3A,2Ω@10V
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3319

    • 100+

      ￥0.2736

    • 300+

      ￥0.2437

    • 3000+

      ￥0.1741

    • 6000+

      ￥0.1655

    • 9000+

      ￥0.1597
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:3.7A
    型号：IRLML6402TRPBF 编号：C2593
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-20V,-3.7A,65mΩ@-4.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6151

    • 50+

      ￥0.4942

    • 150+

      ￥0.4321

    • 500+

      ￥0.361855 ￥0.3809

    • 3000+

      ￥0.34485 ￥0.363

    • 6000+

      ￥0.333355 ￥0.3509
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:75V 电流:80A
    型号：IRFB3607PBF 编号：C2647
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,75V,80A,9mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥2.0722

    • 50+

      ￥1.5865

    • 150+

      ￥1.3676

    • 500+

      ￥1.148952 ￥1.1724

    • 2000+

      ￥1.096326 ￥1.1187

    • 5000+

      ￥1.06477 ￥1.0865
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:26A
    型号：AOD409 编号：C36220
    封装：TO-252-2(DPAK)
    品牌：AOS
    P沟道,-60V,-26A,55mΩ@-4.5V
    数据手册

    • 1+

      ￥2.85

    • 10+

      ￥2.27

    • 30+

      ￥1.98

    • 100+

      ￥1.73

    • 500+

      ￥1.47

    • 1000+

      ￥1.43
  • 有货
    • 立即购买
    J6 300-400 NPN 电流:0.1A 电压:45V
    型号：S9014 编号：C2148
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：与S9015互补。 标记：J6
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0678

    • 500+

      ￥0.0529

    • 3000+

      ￥0.0409

    • 6000+

      ￥0.0359

    • 24000+

      ￥0.0339

    • 51000+

      ￥0.0325
  • 有货
    • 立即购买
    L档120-200 PNP 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8550(RANGE:120-200) 编号：C105432
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：与S8050互补。 集电极电流：IC = 0.5A
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0845

    • 500+

      ￥0.0645

    • 3000+

      ￥0.0537

    • 6000+

      ￥0.047

    • 24000+

      ￥0.0443

    • 51000+

      ￥0.0426
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT2222ALT1G 编号：C82460
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0961

    • 500+

      ￥0.0735

    • 3000+

      ￥0.0636

    • 6000+

      ￥0.0561

    • 24000+

      ￥0.0531

    • 51000+

      ￥0.051
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
    型号：BSS138 编号：C78284
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    N沟道,50V,0.22A,3.5Ω@10V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1157

    • 200+

      ￥0.0878

    • 600+

      ￥0.0755

    • 3000+

      ￥0.0651

    • 9000+

      ￥0.0614

    • 21000+

      ￥0.0589
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:160V
    型号：MMBT5551LT1G 编号：C41095
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此高电压 NPN 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1318

    • 500+

      ￥0.1054

    • 3000+

      ￥0.0697

    • 6000+

      ￥0.0609

    • 24000+

      ￥0.0574

    • 51000+

      ￥0.055
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.3A
    型号：CJ2301 S1 编号：C8547
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    P沟道,-20V,-2.3A,112mΩ@-4.5V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1499

    • 200+

      ￥0.1137

    • 600+

      ￥0.0976

    • 3000+

      ￥0.0856

    • 9000+

      ￥0.0808

    • 21000+

      ￥0.0775
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:200mA
    型号：BSS138LT1G 编号：C82045
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    特性：低阈值电压 (VGS(th): 0.5V-1.5V)，适合低压应用。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动和无绳电话
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2393

    • 200+

      ￥0.188

    • 600+

      ￥0.1652

    • 3000+

      ￥0.1405

    • 9000+

      ￥0.1336

    • 21000+

      ￥0.129
  • 有货
    • 立即购买
    Y档 160~320 NPN 电流:3A 电压:30V
    型号：D882(RANGE:160-320) 编号：C9634
    封装：SOT-89-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：功率耗散
    数据手册

    • 10+

      ￥0.32

    • 100+

      ￥0.256

    • 300+

      ￥0.2231

    • 1000+

      ￥0.196

    • 5000+

      ￥0.1865

    • 10000+

      ￥0.1801
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=160~320 PNP 电压:30V
    型号：B772(RANGE:160-320) 编号：C24278
    封装：SOT-89-3L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    hfe=160~320
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3441

    • 100+

      ￥0.2785

    • 300+

      ￥0.2448

    • 1000+

      ￥0.1981

    • 5000+

      ￥0.1884

    • 10000+

      ￥0.1818
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:1A 电压:80V
    型号：BCX56-16,115 编号：C100026
    封装：SOT-89
    品牌：Nexperia(安世)
    NPN中功率晶体管，采用SOT89 (SC-62)扁平引脚表面贴装器件 (SMD)塑料封装
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3259

    • 50+

      ￥1.0501

    • 150+

      ￥0.9155

    • 1000+

      ￥0.771538 ￥0.7954

    • 2000+

      ￥0.739528 ￥0.7624

    • 5000+

      ￥0.720225 ￥0.7425
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
    型号：IRF7416TRPBF 编号：C3000
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-30V,-10A,20mΩ@-10V
    数据手册

    • 5+

      ￥2.2104

    • 50+

      ￥1.7327

    • 150+

      ￥1.4995

    • 500+

      ￥1.18818 ￥1.2915

    • 2500+

      ￥1.135648 ￥1.2344

    • 4000+

      ￥1.104 ￥1.2
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:40V 电流:40A
    型号：AOD4185 编号：C400894
    封装：TO-252(DPAK)
    品牌：AOS
    P沟道 -40V -40A
    数据手册

    • 5+

      ￥2.3941

    • 50+

      ￥1.9021

    • 150+

      ￥1.6619

    • 500+

      ￥1.4477

    • 2500+

      ￥1.2225

    • 5000+

      ￥1.1871
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:40A
    型号：40N06D 编号：C7543836
    封装：PDFN-8(3x3)
    品牌：HL(富海微)
    40N06D是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40N06D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备完整功能且可靠性经过验证。

    • 5+

      ￥0.6126

    • 50+

      ￥0.4874

    • 150+

      ￥0.4231

    • 500+

      ￥0.3701

    • 2500+

      ￥0.3501

    • 5000+

      ￥0.3376
  • 有货
    • 立即购买
    HD304P130S
    型号：HD304P130S 编号：C49424004
    封装：PDFN-8(3x3)
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 5+

      ￥0.7862

    • 50+

      ￥0.7689

    • 150+

      ￥0.7574

    • 500+

      ￥0.7458
  • 订货
    • 我要订货
    1个P沟道 耐压:40V 电流:6A
    型号：WST4041 编号：C148357
    封装：SOT-23-3L
    品牌：WINSOK(微硕)
    WST4041是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST4041符合RoHS标准和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认证，100%保证具有抗雪崩能力。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9839

    • 50+

      ￥0.7733

    • 150+

      ￥0.6705

    • 500+

      ￥0.5787

    • 3000+

      ￥0.5183

    • 6000+

      ￥0.5032
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道MOSFET
    型号：HD510N075S 编号：C49066913
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 1+

      ￥1.68

    • 10+

      ￥1.64

    • 30+

      ￥1.61

    • 100+

      ￥1.59
  • 订货
    • 我要订货
    1个N沟道 耐压:55V 电流:110A
    型号：IRF3205PBF 编号：C2561
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。结合快速开关速度和坚固耐用的器件设计（这是HEXFET功率MOSFET闻名之处），为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。对于所有商业 - 工业应用，在功耗水平约达50瓦时，TO - 220封装是普遍首选
    数据手册

    • 1+

      ￥2.39

    • 10+

      ￥1.86

    • 50+

      ￥1.59

    • 100+

      ￥1.36

    • 500+

      ￥1.29

    • 1000+

      ￥1.25
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:50V 电流:180mA
    型号：BSS84AK,215 编号：C127273
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    P沟道，50V，180mA
    数据手册

    • 5+

      ￥2.4138

    • 50+

      ￥1.9353

    • 150+

      ￥1.7303

    • 500+

      ￥1.430168 ￥1.4744

    • 3000+

      ￥1.319685 ￥1.3605

    • 6000+

      ￥1.253337 ￥1.2921
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:57A
    型号：IRF3710PBF 编号：C2562
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,57A,23mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥2.64

    • 10+

      ￥2.06

    • 50+

      ￥1.78

    • 100+

      ￥1.4535 ￥1.53

    • 500+

      ￥1.387 ￥1.46

    • 1000+

      ￥1.349 ￥1.42
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:30A
    型号：IRFP250NPBF 编号：C2580
    封装：TO-247AC
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,200V,30A,75mΩ@10V
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    耐压:100V 电流:370A
    型号：SP010N01BGHTO 编号：C22385350
    封装：TOLL-8L
    品牌：Siliup(矽普)
    大电流SGT MOSFET产品

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    1个N沟道 耐压:100V 电流:290A
    型号：IRFP4468PBF 编号：C2919
    封装：TO-247AC
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,290A,2.6mΩ@10V
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
    型号：SI2302-2.3A-JSM 编号：C5296725
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。
    数据手册

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    NPN 电流:600mA 电压:160V
    型号：MMBT5551 编号：C2914415
    封装：SOT-23
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：与MMBT5401互补。 适用于中功率放大和开关

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