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首页 > 热门关键词 > 晶体管
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操作
特性:针对高性能开关电源进行优化,例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
数据手册
  • 1+

    ¥3.53
  • 10+

    ¥3.02
  • 30+

    ¥2.66
  • 100+

    ¥2.03
  • 500+

    ¥1.94
  • 1000+

    ¥1.88
  • 有货
  • 特性:BVCEO > 60V。 IC = 5A 高连续电流。 RSAT = 30mΩ,低等效导通电阻。 低饱和电压 VESAT < 65mV @ IC = 1A。 hFE 指定至 10A,高电流增益保持。 互补 PNP 类型。应用:应急照明电路。 电机驱动(包括直流风扇)
    数据手册
    • 5+

      ¥1.7425
    • 50+

      ¥1.4081
    • 150+

      ¥1.2449
    • 1000+

      ¥1.0643
    • 2000+

      ¥1.0243
    • 5000+

      ¥1.0003
  • 有货
  • P沟道 -40V -40A
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2502
    • 50+

      ¥1.7596
    • 150+

      ¥1.5201
    • 500+

      ¥1.3065
    • 2500+

      ¥1.082
    • 5000+

      ¥1.0467
  • 有货
  • N沟道,75V,80A,9mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.33
    • 10+

      ¥1.81
    • 50+

      ¥1.51
    • 100+

      ¥1.28
    • 500+

      ¥1.22
    • 1000+

      ¥1.18
  • 有货
  • P沟道,-60V,-26A,55mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 1+

      ¥2.98
    • 10+

      ¥2.39
    • 30+

      ¥2.11
    • 100+

      ¥1.85
    • 500+

      ¥1.59
    • 1000+

      ¥1.55
  • 有货
  • N沟道,100V,57A,23mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥3.07
    • 10+

      ¥2.37
    • 50+

      ¥2.04
    • 100+

      ¥1.74
    • 500+

      ¥1.66
    • 1000+

      ¥1.6
  • 有货
  • N沟道,100V,33A,44mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.04
    • 10+

      ¥4.33
    • 30+

      ¥3.83
    • 100+

      ¥3.41
    • 500+

      ¥3.28
    • 800+

      ¥3.2
  • 有货
  • N沟道,500V,20A,270mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥12
    • 10+

      ¥10.57
    • 25+

      ¥9.56
    • 100+

      ¥8.64
    • 500+

      ¥8.22
    • 1000+

      ¥8.05
  • 有货
  • hFE:120-200
    • 100+

      ¥0.0418
    • 1000+

      ¥0.0329
    • 3000+

      ¥0.028
    • 9000+

      ¥0.025
    • 51000+

      ¥0.0224
    • 99000+

      ¥0.021
  • 有货
  • 特性:与S8550互补。 集电极电流:Ic = 0.5A
    数据手册
    • 100+

      ¥0.0485
    • 1000+

      ¥0.0393
    • 3000+

      ¥0.0285
    • 9000+

      ¥0.0254
    • 51000+

      ¥0.0228
    • 99000+

      ¥0.0214
  • 有货
  • 专为中等电压、中等电流环境下的开关与线性放大应用设计,是各类电子设备电路的理想半导体元件。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.057885 ¥0.0681
    • 500+

      ¥0.04607 ¥0.0542
    • 3000+

      ¥0.03655 ¥0.043
    • 6000+

      ¥0.032555 ¥0.0383
    • 24000+

      ¥0.029155 ¥0.0343
    • 45000+

      ¥0.027285 ¥0.0321
  • 有货
  • 此款N沟道MOS管采用SOT-23封装,他具备低内阻,低功耗,搭载连续漏极电流(Id):300MA,VDSS:60V,被广泛应用于各种电子设备中,包括电池供电设备、LED驱动电路、电机控制、逻辑电平转换、保护电路以及各种电源管理应用,是你PCB中理想的7002
    数据手册
    • 50+

      ¥0.05976 ¥0.0664
    • 500+

      ¥0.04617 ¥0.0513
    • 3000+

      ¥0.03969 ¥0.0441
    • 6000+

      ¥0.03519 ¥0.0391
    • 24000+

      ¥0.03123 ¥0.0347
    • 51000+

      ¥0.02916 ¥0.0324
  • 有货
  • 特性:与BC856互补。 非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用。 表面贴装器件
    数据手册
    • 50+

      ¥0.074765 ¥0.0787
    • 500+

      ¥0.059945 ¥0.0631
    • 3000+

      ¥0.04807 ¥0.0506
    • 6000+

      ¥0.04313 ¥0.0454
    • 24000+

      ¥0.038855 ¥0.0409
    • 51000+

      ¥0.03648 ¥0.0384
  • 有货
  • 这款N型场效应管,适用于高效能应用。具备2.8A的电流承载能力,最高20V的工作电压,以及43mΩ的典型内阻。其VGS为12V,确保了稳定的性能表现。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。
    数据手册
    • 100+

      ¥0.0871
    • 1000+

      ¥0.071
    • 3000+

      ¥0.0552
    • 9000+

      ¥0.0498
    • 51000+

      ¥0.0452
    • 99000+

      ¥0.0427
  • 有货
  • 适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。
    • 50+

      ¥0.088445 ¥0.0931
    • 500+

      ¥0.068115 ¥0.0717
    • 3000+

      ¥0.05909 ¥0.0622
    • 6000+

      ¥0.052345 ¥0.0551
    • 24000+

      ¥0.046455 ¥0.0489
    • 51000+

      ¥0.04332 ¥0.0456
  • 有货
  • 特性:适用于一般音频应用。 高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型:BC807(PNP)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.094
    • 500+

      ¥0.0746
    • 3000+

      ¥0.0584
    • 6000+

      ¥0.0519
    • 24000+

      ¥0.0463
    • 51000+

      ¥0.0433
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 VDS = 20V。 RDS(ON) = 45mΩ (VGS = 4.5V),ID = 3.6A。 RDS(ON) = 60mΩ (VGS = 2.5V),ID = 3.1A。应用:电池保护。 其他开关应用
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1181
    • 500+

      ¥0.0926
    • 3000+

      ¥0.0752
    • 6000+

      ¥0.0667
    • 24000+

      ¥0.0593
    • 51000+

      ¥0.0553
  • 有货
  • 特性:适用于高压应用中的开关和放大。功率耗散为200mW。符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃
    • 20+

      ¥0.1334
    • 200+

      ¥0.1051
    • 600+

      ¥0.0893
    • 3000+

      ¥0.0799
    • 9000+

      ¥0.0717
    • 21000+

      ¥0.0672
  • 有货
  • 特性:与BC856BS至BC858BS互补。 功率耗散为200mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃
    • 20+

      ¥0.1536
    • 200+

      ¥0.1189
    • 600+

      ¥0.0996
    • 2000+

      ¥0.088
    • 10000+

      ¥0.078
    • 20000+

      ¥0.0726
  • 有货
  • 特性:功率耗散:225mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃
    • 20+

      ¥0.1639
    • 200+

      ¥0.1268
    • 600+

      ¥0.1062
    • 3000+

      ¥0.0939
    • 9000+

      ¥0.0832
    • 21000+

      ¥0.0774
  • 有货
  • 特性:低饱和电压。 功率耗散:500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃
    • 10+

      ¥0.2978
    • 100+

      ¥0.2372
    • 300+

      ¥0.2069
    • 1000+

      ¥0.1842
    • 5000+

      ¥0.166
    • 10000+

      ¥0.1569
  • 有货
  • N沟道,60V,0.3A,2Ω@10V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3121
    • 100+

      ¥0.2637
    • 300+

      ¥0.2388
    • 3000+

      ¥0.1811
    • 6000+

      ¥0.1739
    • 9000+

      ¥0.169
  • 有货
  • MOSFET,P-channel 30V/12V 4.2A VGS(th)=1V 45mΩ@4.2A&10V,SOT-23
    数据手册
    • 20+

      ¥0.3754
    • 200+

      ¥0.3101
    • 600+

      ¥0.2774
    • 3000+

      ¥0.1852
    • 9000+

      ¥0.1656
    • 21000+

      ¥0.1558
  • 有货
  • 特性:与BCP51、BCP52、BCP53互补。 功率耗散为1.33W。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃
    • 10+

      ¥0.4405
    • 100+

      ¥0.3509
    • 300+

      ¥0.306
    • 2500+

      ¥0.2724
    • 5000+

      ¥0.2456
    • 10000+

      ¥0.2321
  • 有货
    • 10+

      ¥0.4718
    • 100+

      ¥0.3758
    • 300+

      ¥0.3278
    • 3000+

      ¥0.2918
    • 6000+

      ¥0.263
    • 9000+

      ¥0.2486
  • 有货
  • 特性:使用先进沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷。 可在低至2.5V的栅极电压下工作。 漏源电压(VDS):-30V。 漏极电流(ID):-12A。 导通电阻(RDS(ON))< 20mΩ(VGS = 10V)。应用:电池保护。 其他开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.6216
    • 50+

      ¥0.4943
    • 150+

      ¥0.4306
    • 500+

      ¥0.3828
    • 3000+

      ¥0.289
    • 6000+

      ¥0.2699
  • 有货
  • 此 P 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥0.7046
    • 10+

      ¥0.5638
    • 30+

      ¥0.4914
    • 100+

      ¥0.4317
    • 500+

      ¥0.4109
    • 1000+

      ¥0.3968
  • 有货
  • AP30P30Q将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.7497
    • 50+

      ¥0.6615
    • 150+

      ¥0.6184
    • 500+

      ¥0.58
    • 2500+

      ¥0.5606
    • 5000+

      ¥0.5543
  • 有货
  • WST4041是一款高性能沟槽P沟道MOSFET,具有极高的单元密度,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。WST4041符合RoHS标准和绿色产品要求,经过全面功能可靠性认证,100%保证具有抗雪崩能力。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.9965
    • 50+

      ¥0.7859
    • 150+

      ¥0.6831
    • 500+

      ¥0.5913
    • 3000+

      ¥0.5183
    • 6000+

      ¥0.5032
  • 有货
  • 特性:VDS = 40V。 ID = 48A。 RDS(on)@VGS = 10V < 6.5mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 8mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:DC-DC转换器。 便携式设备应用
    • 5+

      ¥1.0183
    • 50+

      ¥0.8067
    • 150+

      ¥0.7159
    • 500+

      ¥0.6027
    • 2500+

      ¥0.5523
    • 5000+

      ¥0.5221
  • 有货
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