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首页 > 热门关键词 > 晶体管
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该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
数据手册
  • 50+

    ¥0.063555 ¥0.0669
  • 500+

    ¥0.050255 ¥0.0529
  • 3000+

    ¥0.041895 ¥0.0441
  • 6000+

    ¥0.03743 ¥0.0394
  • 24000+

    ¥0.033535 ¥0.0353
  • 51000+

    ¥0.03154 ¥0.0332
  • 有货
  • 特性:功率耗散:300mW。高稳定性和高可靠性。符合J-STD-020的MSL 1级,LF最高峰值260℃
    • 50+

      ¥0.1049
    • 500+

      ¥0.0817
    • 3000+

      ¥0.0688
    • 6000+

      ¥0.0611
    • 24000+

      ¥0.0544
    • 51000+

      ¥0.0508
  • 有货
    • 20+

      ¥0.1893
    • 200+

      ¥0.1485
    • 600+

      ¥0.1258
    • 3000+

      ¥0.1122
    • 9000+

      ¥0.1004
  • 有货
  • 特性:VDS = 20V。 I0 = 4.3A。 RDS(on)@VGS = 4.0V < 30mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 46mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 负载开关
    • 10+

      ¥0.2996
    • 100+

      ¥0.2362
    • 300+

      ¥0.2045
    • 3000+

      ¥0.1738
    • 6000+

      ¥0.1548
    • 9000+

      ¥0.1452
  • 有货
  • 特性:VDS = 40V。 ID = 25A。 RDS(on)@VGS = 10V < 14mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 20mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:DC-DC转换器。 负载开关
    • 5+

      ¥0.6606
    • 50+

      ¥0.5262
    • 150+

      ¥0.459
    • 500+

      ¥0.4086
    • 2500+

      ¥0.3682
    • 5000+

      ¥0.3481
  • 有货
  • 特性:VDS = 40V。ID = 40A。RDS(on)@VGS = 10V < 8.5mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 12mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用:DC-DC转换器。负载开关
    • 5+

      ¥0.7785
    • 50+

      ¥0.6201
    • 150+

      ¥0.5409
    • 500+

      ¥0.4815
    • 2500+

      ¥0.434
    • 5000+

      ¥0.4102
  • 有货
    • 5+

      ¥1.0911
    • 50+

      ¥0.8643
    • 150+

      ¥0.7671
    • 500+

      ¥0.6458
    • 2500+

      ¥0.5918
    • 5000+

      ¥0.5594
  • 有货
  • 特性:VDS = -30V。 ID = -5A。 RDS(on)@VGS = -10V < 60mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 90mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 先进的高单元密度沟槽技术。应用:负载开关。 电池保护应用
    • 5+

      ¥1.382
    • 50+

      ¥1.0947
    • 150+

      ¥0.9716
    • 500+

      ¥0.818
    • 2500+

      ¥0.7496
    • 4000+

      ¥0.7085
  • 有货
  • 特性:VDS = 30V。 I₀ = 15A。 RDS(on) @ VGS = 10V < 8mΩ。 RDS(on) @ VGS = 4.5V < 12mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用:DC/DC转换器。 硬开关和高频电路
    • 5+

      ¥1.4547
    • 50+

      ¥1.1523
    • 150+

      ¥1.0227
    • 500+

      ¥0.861
    • 2500+

      ¥0.789
    • 4000+

      ¥0.7458
  • 有货
    • 5+

      ¥1.6002
    • 50+

      ¥1.2676
    • 150+

      ¥1.125
    • 500+

      ¥0.9471
    • 2500+

      ¥0.8679
    • 5000+

      ¥0.8204
  • 有货
    • 5+

      ¥1.6972
    • 50+

      ¥1.3444
    • 150+

      ¥1.1932
    • 500+

      ¥1.0045
    • 2500+

      ¥0.9205
    • 5000+

      ¥0.8701
  • 有货
  • 特性:VDS = -60V。 ID = -2A。 RDS(on)@VGS = -10V < 170mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 220mΩ。 高功率和电流处理能力。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。应用:电池保护。 负载开关
    • 5+

      ¥1.9348
    • 50+

      ¥1.5326
    • 150+

      ¥1.3602
    • 500+

      ¥1.1452
    • 2500+

      ¥1.0494
    • 5000+

      ¥0.9919
  • 有货
  • 特性:VDS = 30V。 ID = 18A。 RDS(on) @ VGS = 10V < 6mΩ。 RDS(on) @ VGS = 4.5V < 8.5mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用:功率开关应用。 硬开关和高频电路
    • 5+

      ¥1.9396
    • 50+

      ¥1.5364
    • 150+

      ¥1.3636
    • 500+

      ¥1.148
    • 2500+

      ¥1.052
    • 4000+

      ¥0.9944
  • 有货
  • 特性:VDS = -30V。 ID = -40A。 RDS(on)@VGS = -10V < 18mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 30mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用:DC-DC转换器。 负载开关
    • 5+

      ¥2.0609
    • 50+

      ¥1.6325
    • 150+

      ¥1.4489
    • 500+

      ¥1.2198
    • 2500+

      ¥1.1178
    • 5000+

      ¥1.0566
  • 有货
    • 1+

      ¥2.67
    • 10+

      ¥2.12
    • 30+

      ¥1.88
    • 100+

      ¥1.58
    • 500+

      ¥1.45
    • 1000+

      ¥1.37
  • 有货
  • 特性:VDS = -60 V。 ID = -20 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 29 mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。 快速开关速度。应用:电源开关应用。 负载开关
    • 1+

      ¥2.92
    • 10+

      ¥2.31
    • 30+

      ¥2.05
    • 100+

      ¥1.73
    • 500+

      ¥1.58
    • 1000+

      ¥1.5
  • 有货
  • 特性:VDS = 30V。 ID = 80A。 RDS(on)@VGS = 10V < 5mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6mΩ。 沟槽技术功率MOSFET。 低栅极电阻。应用:功率开关应用。 硬开关和高频电路
    • 1+

      ¥4.35
    • 10+

      ¥3.53
    • 30+

      ¥3.12
    • 100+

      ¥2.71
    • 500+

      ¥2.47
    • 1000+

      ¥2.35
  • 有货
    • 50+

      ¥0.057 ¥0.06
    • 500+

      ¥0.044175 ¥0.0465
    • 3000+

      ¥0.035245 ¥0.0371
    • 6000+

      ¥0.03097 ¥0.0326
    • 24000+

      ¥0.027265 ¥0.0287
    • 51000+

      ¥0.025175 ¥0.0265
  • 有货
  • 特性:VDS = 30V。 I0 = 2.5A。 RDS(on)@VGS = 10V < 50mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 58mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器
    • 20+

      ¥0.2271
    • 200+

      ¥0.1762
    • 600+

      ¥0.1479
    • 3000+

      ¥0.131
    • 9000+

      ¥0.1163
    • 21000+

      ¥0.1083
  • 有货
  • 特性:VDS = -20V。 I0 = -5.6A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 42mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 55mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器
    • 10+

      ¥0.2447
    • 100+

      ¥0.1939
    • 300+

      ¥0.1685
    • 3000+

      ¥0.1494
    • 6000+

      ¥0.1342
    • 9000+

      ¥0.1266
  • 有货
    • 5+

      ¥1.1456
    • 50+

      ¥0.9075
    • 150+

      ¥0.8054
    • 500+

      ¥0.6781
    • 2500+

      ¥0.6214
    • 5000+

      ¥0.5874
  • 有货
  • 特性:VDS = -30V。 ID = -9.1A。 RDS(on)@VGS = -10V < 24mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 35mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用:便携式设备的负载开关。 电池开关
    • 5+

      ¥1.5032
    • 50+

      ¥1.1908
    • 150+

      ¥1.0568
    • 500+

      ¥0.8897
    • 2500+

      ¥0.8153
    • 4000+

      ¥0.7707
  • 有货
  • 特性:VDS = 40V。 ID = 8A。 RDS(on)@VGS = 10V < 24mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 35mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用:功率开关应用。 硬开关和高频电路
    • 5+

      ¥1.673
    • 50+

      ¥1.3252
    • 150+

      ¥1.1762
    • 500+

      ¥0.9902
    • 2500+

      ¥0.9074
    • 4000+

      ¥0.8577
  • 有货
  • 特性:VDS = -30 V。 ID = -12 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 12 mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5 V < 15 mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用:便携式设备的负载开关。 电源开关应用
    • 5+

      ¥1.8184
    • 50+

      ¥1.4404
    • 150+

      ¥1.2784
    • 500+

      ¥1.0763
    • 2500+

      ¥0.9863
    • 4000+

      ¥0.9323
  • 有货
  • 特性:VDS = -40V。 I0 = -10A。 RDS(on) @ VGS = -10V < 85mΩ。 RDS(on) @ VGS = -4.5V < 126mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用:DC-DC转换器。 负载开关
    • 5+

      ¥1.8184
    • 50+

      ¥1.4404
    • 150+

      ¥1.2784
    • 500+

      ¥1.0763
    • 2500+

      ¥0.9863
    • 5000+

      ¥0.9323
  • 有货
  • 特性:VDS = 30V。ID = 10A。RDS(on)@VGS = 10V < 15mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 20mΩ。低栅极电荷和导通电阻。先进的高单元密度沟槽技术。应用:负载开关。电池保护应用
    • 5+

      ¥1.8621
    • 50+

      ¥1.475
    • 150+

      ¥1.3091
    • 500+

      ¥1.1021
    • 2500+

      ¥1.01
    • 4000+

      ¥0.9547
  • 有货
  • 特性:VDS = -30 V。ID = -25 A。RDS(on)@VGS = -10 V < 16 mΩ。RDS(on)@VGS = -4.5V < 31 mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用:电源开关应用。负载开关
    • 5+

      ¥1.9275
    • 50+

      ¥1.5268
    • 150+

      ¥1.3551
    • 500+

      ¥1.1409
    • 2500+

      ¥1.0455
    • 5000+

      ¥0.9882
  • 有货
  • 特性:VDS = -30V。 I0 = -12A。 RDS(on)@VGS = -10V < 13mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 21mΩ。 低栅极电荷和导通电阻。 快速开关速度。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
    • 5+

      ¥1.9639
    • 50+

      ¥1.5556
    • 150+

      ¥1.3807
    • 500+

      ¥1.1624
    • 2500+

      ¥1.0652
    • 4000+

      ¥1.0069
  • 有货
    • 5+

      ¥2.0003
    • 50+

      ¥1.5845
    • 150+

      ¥1.4063
    • 500+

      ¥1.1839
    • 2500+

      ¥1.0849
    • 5000+

      ¥1.0255
  • 有货
    • 5+

      ¥2.0003
    • 50+

      ¥1.5845
    • 150+

      ¥1.4063
    • 500+

      ¥1.1839
    • 2500+

      ¥1.0849
    • 5000+

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