您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > 晶体管
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共92185
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
hFE:200-300 小芯片版本,大芯片搜索C916390,适合于低功耗、高增益应用场合,适用于各类精密电子设备及电路设计,是您微型化项目中的理想半导体元件。
  • 100+

    ¥0.0334
  • 1000+

    ¥0.0256
  • 3000+

    ¥0.0224
  • 9000+

    ¥0.0199
  • 45000+

    ¥0.0176
  • 90000+

    ¥0.0164
  • 有货
  • 特性:这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准。 通过 AEC-Q101 认证,具备 PPAP 能力。 S 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1222
    • 500+

      ¥0.0964
    • 3000+

      ¥0.0744
    • 6000+

      ¥0.0658
    • 24000+

      ¥0.0623
    • 51000+

      ¥0.06
  • 有货
  • 特性:VDSS = -20V。 I₀ = -2.3A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 112mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 142mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:电池供电系统。 固态继电器
    • 20+

      ¥0.1511
    • 200+

      ¥0.1354
    • 600+

      ¥0.1267
    • 3000+

      ¥0.1168
    • 9000+

      ¥0.1123
    • 21000+

      ¥0.1098
  • 有货
  • N沟道,30V,100mA
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1575
    • 200+

      ¥0.1246
    • 600+

      ¥0.11
    • 3000+

      ¥0.0859
    • 9000+

      ¥0.0815
    • 21000+

      ¥0.0785
  • 有货
  • hFE:100-400,丝印:2GM
    • 20+

      ¥0.1727
    • 200+

      ¥0.136
    • 600+

      ¥0.1156
    • 3000+

      ¥0.0957
    • 9000+

      ¥0.0851
    • 21000+

      ¥0.0793
  • 有货
  • 特性:VDS = -20V。 I0 = -5.6A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 42mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 55mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器
    • 10+

      ¥0.2447
    • 100+

      ¥0.1939
    • 300+

      ¥0.1685
    • 3000+

      ¥0.1494
    • 6000+

      ¥0.1342
    • 9000+

      ¥0.1266
  • 有货
  • 此 N 沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件是专为在低压应用中替代数字晶体管而设计的。因为无需偏置电阻,所以此单 N 沟道 FET 可以替代若干具有各种偏置电阻值的数字晶体管。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2667
    • 100+

      ¥0.2127
    • 300+

      ¥0.1887
    • 1500+

      ¥0.1421
    • 4500+

      ¥0.1349
    • 10500+

      ¥0.13
  • 有货
  • 特性:VDS = 25V。 ID = 0.22A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 4.0Ω。 RDS(on)@VGS = 2.7V < 5.0Ω。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器
    • 10+

      ¥0.267
    • 100+

      ¥0.2139
    • 300+

      ¥0.1874
    • 3000+

      ¥0.155
    • 6000+

      ¥0.1391
    • 9000+

      ¥0.1311
  • 有货
  • 特性:低饱和电压。 功率耗散:500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃
    • 10+

      ¥0.316
    • 100+

      ¥0.2544
    • 300+

      ¥0.2237
    • 1000+

      ¥0.1881
    • 5000+

      ¥0.1697
    • 10000+

      ¥0.1604
  • 有货
  • P沟道,-60V,-1.6A,345mΩ@-10V
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8389
    • 50+

      ¥0.6853
    • 150+

      ¥0.6063
    • 500+

      ¥0.5412
    • 3000+

      ¥0.5185
    • 6000+

      ¥0.5031
  • 有货
  • 该双极功率晶体管适用于通用电源和切换输出,或开关稳压器、转换器和功率放大器应用中的驱动器级。
    数据手册
    • 1+

      ¥2.2591
    • 10+

      ¥1.7584
    • 30+

      ¥1.514
    • 100+

      ¥1.2959
    • 500+

      ¥1.236
    • 1000+

      ¥1.2
  • 有货
  • N沟道,100V,180A,4.5mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥5.52
    • 10+

      ¥4.79
    • 50+

      ¥3.84
    • 100+

      ¥3.42
    • 600+

      ¥3.29
    • 900+

      ¥3.2
  • 有货
  • 大电流SGT MOSFET产品
    • 1+

      ¥5.567 ¥5.86
    • 10+

      ¥4.883 ¥5.14
    • 30+

      ¥4.2465 ¥4.47
    • 100+

      ¥3.7715 ¥3.97
    • 500+

      ¥3.7335 ¥3.93
    • 1000+

      ¥3.6385 ¥3.83
  • 有货
  • N沟道,100V,290A,2.6mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥9.2
    • 10+

      ¥8.09
    • 25+

      ¥7.05
    • 100+

      ¥6.28
    • 500+

      ¥5.96
    • 1000+

      ¥5.8
  • 有货
  • N沟道,200V,130A,9.7mΩ@10V
    数据手册
    • 1+

      ¥12.45
    • 10+

      ¥11.2
    • 25+

      ¥9.13
    • 100+

      ¥8.33
    • 500+

      ¥7.96
    • 1000+

      ¥7.8
  • 有货
  • 该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 10+

      ¥0.04272 ¥0.0445
    • 100+

      ¥0.03504 ¥0.0365
    • 300+

      ¥0.030816 ¥0.0321
    • 3000+

      ¥0.026496 ¥0.0276
    • 6000+

      ¥0.024288 ¥0.0253
    • 9000+

      ¥0.02304 ¥0.024
  • 有货
  • 耐压:40V 电流:200mA NPN (hFE):300@10mA,1V
    数据手册
    • 100+

      ¥0.0433
    • 1000+

      ¥0.0346
    • 3000+

      ¥0.025
    • 9000+

      ¥0.0221
    • 45000+

      ¥0.0196
    • 105000+

      ¥0.0183
  • 有货
  • 特性:与MMBT5401互补。 适用于中功率放大和开关
    • 50+

      ¥0.05434 ¥0.0572
    • 500+

      ¥0.043035 ¥0.0453
    • 3000+

      ¥0.03534 ¥0.0372
    • 6000+

      ¥0.03154 ¥0.0332
    • 24000+

      ¥0.02831 ¥0.0298
    • 51000+

      ¥0.026505 ¥0.0279
  • 有货
  • 适用于一般开关和低压电源电路、开关速度较快、导通电阻低。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0578 ¥0.068
    • 500+

      ¥0.04539 ¥0.0534
    • 3000+

      ¥0.038505 ¥0.0453
    • 6000+

      ¥0.03434 ¥0.0404
    • 24000+

      ¥0.03077 ¥0.0362
    • 45000+

      ¥0.028815 ¥0.0339
  • 有货
  • 这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装,专为20V电压系统设计,额定电流2.3A。具备低导通电阻与快速开关性能,广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中,提供高效、精准的功率控制解决方案。
    数据手册
    • 100+

      ¥0.0845
    • 1000+

      ¥0.0687
    • 3000+

      ¥0.0508
    • 9000+

      ¥0.0455
    • 51000+

      ¥0.0409
    • 99000+

      ¥0.0385
  • 有货
  • NPN通用晶体管,采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1207
    • 500+

      ¥0.0938
    • 3000+

      ¥0.0788
    • 6000+

      ¥0.0698
    • 24000+

      ¥0.0621
    • 51000+

      ¥0.0579
  • 有货
    • 20+

      ¥0.1452
    • 200+

      ¥0.1139
    • 600+

      ¥0.0965
    • 3000+

      ¥0.0861
    • 9000+

      ¥0.077
    • 21000+

      ¥0.0721
  • 有货
  • 该MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.225
    • 200+

      ¥0.1799
    • 600+

      ¥0.1599
    • 3000+

      ¥0.1334
    • 9000+

      ¥0.1274
    • 21000+

      ¥0.1234
  • 有货
  • 特性:功率耗散:250mW。 NPN低等效导通电阻。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃
    • 20+

      ¥0.2295
    • 200+

      ¥0.1815
    • 600+

      ¥0.1575
    • 3000+

      ¥0.1345
    • 9000+

      ¥0.1201
    • 21000+

      ¥0.1128
  • 有货
  • 特性:VDS = -12V。 ID = -3.6A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 30mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 53mΩ。 Trench Power MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器
    • 10+

      ¥0.2439
    • 100+

      ¥0.1925
    • 300+

      ¥0.1668
    • 3000+

      ¥0.1475
    • 6000+

      ¥0.1321
    • 9000+

      ¥0.1243
  • 有货
  • 功率 MOSFET 170 mA,100 V,N 沟道 SOT-23
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2612
    • 200+

      ¥0.2048
    • 600+

      ¥0.1798
    • 3000+

      ¥0.1486
    • 9000+

      ¥0.1411
    • 21000+

      ¥0.136
  • 有货
  • 特性:优秀的导通电阻(RDS(ON))。 低栅极电荷。 低栅极电压。应用:负载开关。 PWM应用
    数据手册
    • 10+

      ¥0.273792 ¥0.2852
    • 100+

      ¥0.229536 ¥0.2391
    • 300+

      ¥0.206784 ¥0.2154
    • 3000+

      ¥0.14784 ¥0.154
    • 6000+

      ¥0.141312 ¥0.1472
    • 9000+

      ¥0.1368 ¥0.1425
  • 有货
  • 特性:功率耗散:0.2W。 适用于中功率放大和开关。 双晶体管(NPN+NPN)。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C
    • 10+

      ¥0.2832
    • 100+

      ¥0.2239
    • 300+

      ¥0.1942
    • 3000+

      ¥0.172
    • 6000+

      ¥0.1542
    • 9000+

      ¥0.1453
  • 有货
  • hfe=160~320
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3628
    • 100+

      ¥0.2972
    • 300+

      ¥0.2635
    • 1000+

      ¥0.2168
    • 5000+

      ¥0.2071
    • 10000+

      ¥0.2005
  • 有货
  • 特性:适用于高压应用中的开关和放大。 功率耗散为500mW。 符合J-STD-020标准的MSL 1级,LF最大峰值为260°C
    • 10+

      ¥0.4215
    • 100+

      ¥0.3365
    • 300+

      ¥0.294
    • 1000+

      ¥0.2622
    • 5000+

      ¥0.2367
    • 10000+

      ¥0.224
  • 有货
  • 立创商城为您提供晶体管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买晶体管提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content