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NPN 电流:2A 电压:60V
型号：2SD2391 编号：C41375127
封装：SOT-89
品牌：R+O(宏嘉诚)
特性：低饱和电压。 功率耗散：500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃

  • 10+

    ￥0.2978

  • 100+

    ￥0.2372

  • 300+

    ￥0.2069

  • 1000+

    ￥0.1842

  • 5000+

    ￥0.166

  • 10000+

    ￥0.1569
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:1A 电压:60V
    型号：BCP55-16 编号：C41376085
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：与BCP51、BCP52、BCP53互补。 功率耗散为1.33W。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃

    • 5+

      ￥0.3221

    • 50+

      ￥0.2802

    • 150+

      ￥0.2593

    • 500+

      ￥0.2437

    • 2500+

      ￥0.2311

    • 5000+

      ￥0.2248
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:1A 电压:80V
    型号：2SD1898 编号：C41375118
    封装：SOT-89
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：与2SB1260互补。 功率耗散：500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃

    • 10+

      ￥0.3994

    • 100+

      ￥0.3182

    • 300+

      ￥0.2775

    • 1000+

      ￥0.2398

    • 5000+

      ￥0.2154

    • 10000+

      ￥0.2032
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:5A 电压:30V
    型号：2SD965A 编号：C41375140
    封装：SOT-89
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：NPN低饱和电压。 功率耗散为750mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃

    • 10+

      ￥0.4199

    • 100+

      ￥0.3308

    • 300+

      ￥0.2862

    • 1000+

      ￥0.2528

    • 5000+

      ￥0.226

    • 10000+

      ￥0.2126
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:3A 电压:70V
    型号：D882H 编号：C41375123
    封装：SOT-89
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：适用于高压应用中的开关和放大。 功率耗散为500mW。 符合J-STD-020标准的MSL 1级，LF最大峰值为260°C

    • 10+

      ￥0.4215

    • 100+

      ￥0.3365

    • 300+

      ￥0.294

    • 1000+

      ￥0.2622

    • 5000+

      ￥0.2367

    • 10000+

      ￥0.224
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:1A 电压:100V
    型号：BCP53-16 编号：C41375110
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：与BCP54、BCP55、BCP56互补。 功率耗散为1.5W。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃

    • 10+

      ￥0.4906

    • 100+

      ￥0.3946

    • 300+

      ￥0.3466

    • 2500+

      ￥0.3106

    • 5000+

      ￥0.2818

    • 10000+

      ￥0.2673
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 30V 30A
    型号：HD504P140S 编号：C48971734
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -40 V。 ID = -30 A。 RDS(on)@VGS = -10 V < 14 mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5 V < 20 mΩ。 沟槽技术功率MOSFET。 低栅极电阻。应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路

    • 5+

      ￥1.0147

    • 50+

      ￥0.8038

    • 150+

      ￥0.7134

    • 500+

      ￥0.6006

    • 2500+

      ￥0.5504

    • 5000+

      ￥0.5202
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
    型号：HB10N200S 编号：C48971732
    封装：TO-252
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 100V。 ID = 45A。 RDS(on)@VGS = 10V < 20mΩ。 SGT技术。 雪崩能量测试。 快速开关速度。应用：电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥1.2583

    • 50+

      ￥1.0202

    • 150+

      ￥0.9181

    • 500+

      ￥0.7908

    • 2500+

      ￥0.7341

    • 5000+

      ￥0.7
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:15A
    型号：HT03P250S 编号：C49066899
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -30V。 ID = -15A。 RDS(on)@VGS = -10V < 25mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 42mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用：电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥2.2863

    • 50+

      ￥1.8111

    • 150+

      ￥1.6074

    • 500+

      ￥1.3532

    • 2500+

      ￥1.2401

    • 5000+

      ￥1.1722
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:9A
    型号：HT04N200S 编号：C49066901
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 40V。ID = 9A。RDS(on)@VGS = 10V < 20mΩ。RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。应用：电池保护。负载开关

    • 5+

      ￥2.2863

    • 50+

      ￥1.8111

    • 150+

      ￥1.6074

    • 500+

      ￥1.3532

    • 2500+

      ￥1.2401

    • 5000+

      ￥1.1722
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3906 编号：C364311
    封装：SOT-23
    品牌：MDD(辰达半导体)
    该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册

    • 100+

      ￥0.044935 ￥0.0473

    • 1000+

      ￥0.035245 ￥0.0371

    • 3000+

      ￥0.028975 ￥0.0305

    • 9000+

      ￥0.025745 ￥0.0271

    • 51000+

      ￥0.022895 ￥0.0241

    • 99000+

      ￥0.02147 ￥0.0226
  • 有货
    • 立即购买
    hFE:220-475，丝印:3B PNP 电流:0.1A 电压:65V
    型号：BC856B 编号：C20069136
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    hFE:220-475，丝印:3B

    • 50+

      ￥0.0696

    • 500+

      ￥0.0549

    • 3000+

      ￥0.0449

    • 6000+

      ￥0.04

    • 24000+

      ￥0.0358

    • 51000+

      ￥0.0335
  • 有货
    • 立即购买
    hFE:250-630，丝印:5C PNP 电流:0.5A 电压:45V
    型号：BC807-40 编号：C20069142
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    hFE:250-630，丝印:5C

    • 50+

      ￥0.1218

    • 500+

      ￥0.0958

    • 3000+

      ￥0.0784

    • 6000+

      ￥0.0698

    • 24000+

      ￥0.0623

    • 51000+

      ￥0.0582
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
    型号：BSS138W 编号：C28646265
    封装：SOT-323
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 50V。 ID = 0.22A。 RDS(on)@VGS = 10V < 3.5Ω。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6.0Ω。 沟槽功率中压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

    • 20+

      ￥0.1381

    • 200+

      ￥0.1069

    • 600+

      ￥0.0895

    • 3000+

      ￥0.0791

    • 9000+

      ￥0.0701

    • 21000+

      ￥0.0653
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:0.2A 电压:400V
    型号：MMBTA44 编号：C20069141
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：与MMBTA94互补。 功率耗散为350mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃

    • 10+

      ￥0.2786

    • 100+

      ￥0.2238

    • 300+

      ￥0.1965

    • 3000+

      ￥0.1631

    • 6000+

      ￥0.1467

    • 9000+

      ￥0.1384
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:3A 电压:30V
    型号：B772 编号：C41375134
    封装：SOT-89
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：低饱和电压。 功率耗散：500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃

    • 10+

      ￥0.3002

    • 100+

      ￥0.2386

    • 300+

      ￥0.2079

    • 1000+

      ￥0.1724

    • 5000+

      ￥0.1539

    • 10000+

      ￥0.1447
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:2A 电压:50V
    型号：2SC4672 编号：C28646267
    封装：SOT-89
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：与2SA1797互补。 功率耗散为500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃

    • 10+

      ￥0.3685

    • 100+

      ￥0.2897

    • 300+

      ￥0.2503

    • 1000+

      ￥0.2207

    • 5000+

      ￥0.1971

    • 10000+

      ￥0.1852
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
    型号：HT10N2H8S 编号：C49066911
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 100V。 ID = 3A。 RDS(on)@VGS = 10V < 200mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 220mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用：电源开关应用。 硬开关和高频电路

    • 5+

      ￥1.9348

    • 50+

      ￥1.5326

    • 150+

      ￥1.3602

    • 500+

      ￥1.1452

    • 2500+

      ￥1.0494

    • 5000+

      ￥0.9919
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:8A
    型号：HT03N270S 编号：C49066898
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 30V。 ID = 8A。 RDS(on)@VGS = 10V < 15mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用：电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥1.9348

    • 50+

      ￥1.5326

    • 150+

      ￥1.3602

    • 500+

      ￥1.1452

    • 2500+

      ￥1.0494

    • 5000+

      ￥0.9919
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:20V 电流:10A
    型号：HT02P260S 编号：C49066897
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -20V。 I0 = -10A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 20mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 25mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用：电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥2.0833

    • 50+

      ￥1.6448

    • 150+

      ￥1.4569

    • 500+

      ￥1.2224

    • 2500+

      ￥1.0702

    • 5000+

      ￥1.0076
  • 有货
    • 立即购买
    HB04N150S
    型号：HB04N150S 编号：C49256776
    封装：TO-252
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 5+

      ￥0.7007

    • 50+

      ￥0.5581

    • 150+

      ￥0.4868

    • 500+

      ￥0.4334

    • 2500+

      ￥0.3906

    • 5000+

      ￥0.3692
  • 有货
    • 立即购买
    HB04N090S
    型号：HB04N090S 编号：C49423996
    封装：TO-252
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 5+

      ￥0.8174

    • 50+

      ￥0.6511

    • 150+

      ￥0.568

    • 500+

      ￥0.5056

    • 2500+

      ￥0.4557

    • 5000+

      ￥0.4307
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:60V 电流:4.3A
    型号：HT06P1H3S 编号：C49066908
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -60V。 I0 = -4.3A。 RDS(on) @ VGS = -10V < 130mΩ。 RDS(on) @ VGS = -4.5V < 190mΩ。 高功率和电流处理能力。 高密度单元设计，超低Rdson。应用：电池保护。 负载开关

    • 5+

      ￥2.2863

    • 50+

      ￥1.8111

    • 150+

      ￥1.6074

    • 500+

      ￥1.3532

    • 2500+

      ￥1.2401

    • 5000+

      ￥1.1722
  • 有货
    • 立即购买
    100V 10A
    型号：HT10N550S 编号：C49424006
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 100 V。ID = 10 A。RDS(on)@VGS = 10 V < 30 mΩ。高功率和电流处理能力。电压控制小信号开关。快速开关速度。应用：电信/服务器。DC/DC初级侧开关

    • 5+

      ￥2.3639

    • 50+

      ￥1.8725

    • 150+

      ￥1.6619

    • 500+

      ￥1.3992

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    1个P沟道 耐压:60V 电流:8A
    型号：HT06P460S 编号：C49066909
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -60V。 I₀ = -8A。 RDS(on)@VGS = -10V < 46mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 52mΩ。 高功率和电流处理能力。 用于超低Rdson的高密度单元设计。应用：电池保护。 负载开关

    • 1+

      ￥2.75

    • 10+

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    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMDT3904 编号：C41375125
    封装：SOT-363
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：功率耗散：200mW。 适用于低功率放大和开关。 双晶体管（NPN+NPN）。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值260℃

    • 20+

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    N沟道,电流:6.5A,耐压:20V
    型号：HL3416 编号：C28646273
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = 20V。 ID = 6.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 22mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 26mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器

    • 10+

      ￥0.3012

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    NPN+PNP 电流:0.6A 电压:60V
    型号：MMDT2227 编号：C41375117
    封装：SOT-363
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：功率耗散：200mW。 适用于低功率放大和开关。 双晶体管（NPN + PNP）。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260°C

    • 10+

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    • 100+

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    PNP 电流:4A 电压:140V
    型号：FZT955 编号：C41375112
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：功率耗散为3W。 PNP低等效导通电阻。 符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃

    • 5+

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    1个P沟道 耐压:60V 电流:5A
    型号：HT06P900S 编号：C49066905
    封装：SOT-223
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDS = -60V。 ID = -5A。 RDS(on)@VGS = -10V < 90mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 110mΩ。 高功率和电流处理能力。 电压控制小信号开关。应用：电池保护。 负载开关

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      ￥2.37

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