晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：AO3401 编号：C20628875

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

小体积

20+
￥0.1443
200+
￥0.1097
600+
￥0.0943
3000+
￥0.0783
9000+
￥0.0737
21000+
￥0.0706

有货

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型号：2SK3018W 编号：C20069149

封装：SOT-323

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 30V。 ID = 0.1A。 RDS(on)@VGS = 4V < 8Ω。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 13Ω。 Trench Power LV MOSFET技术。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：接口。负载开关

20+
￥0.1545
200+
￥0.1264
600+
￥0.1108
3000+
￥0.0921
9000+
￥0.084
21000+
￥0.0796

有货

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型号：MMBTA42 编号：C20069138

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

hFE:100-200，丝印:1D

20+
￥0.1677
200+
￥0.1326
600+
￥0.1131
3000+
￥0.0941
9000+
￥0.0839
21000+
￥0.0785

有货

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型号：MMBTA92 编号：C20069146

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

hFE:100-300，丝印:2D

20+
￥0.1757
200+
￥0.1406
600+
￥0.1211
3000+
￥0.1021
9000+
￥0.0919
21000+
￥0.0865

有货

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型号：AO3401 编号：C181091

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。出色的导通电阻和最大直流电流能力

数据手册

20+
￥0.211755 ￥0.2229
200+
￥0.163305 ￥0.1719
600+
￥0.14174 ￥0.1492
3000+
￥0.1292 ￥0.136
9000+
￥0.12274 ￥0.1292
21000+
￥0.11837 ￥0.1246

有货

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型号：CJ2310 编号：C75882

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道,60V,3A,105mΩ@10V

数据手册

20+
￥0.2152
200+
￥0.1649
600+
￥0.1426
3000+
￥0.1258
9000+
￥0.1191
21000+
￥0.1146

有货

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型号：BCX56(RANGE:100-250) 编号：C24280

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：PNP与BCX51、BCX52、BCX53互补。低电压。高电流。应用：音频放大器的驱动级

数据手册

10+
￥0.2436
100+
￥0.194
300+
￥0.1685
1000+
￥0.1474
5000+
￥0.1401
10000+
￥0.1351

有货

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型号：PBSS4140T,215 编号：C82254

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。PNP互补型号：PBSS5140T。

数据手册

10+
￥0.3295
100+
￥0.269
300+
￥0.2379
3000+
￥0.2094
6000+
￥0.2004
9000+
￥0.1944

有货

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型号：SI2301CDS-T1-GE3 编号：C10487

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。符合RoHS指令2002/95/EC。应用：负载开关

数据手册

10+
￥0.4056
100+
￥0.3344
300+
￥0.2978
3000+
￥0.2677
6000+
￥0.2572
9000+
￥0.25

有货

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型号：S9015 编号：C20069131

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

hFE:200-450，丝印:M6

50+
￥0.0608
500+
￥0.0478
3000+
￥0.0391
6000+
￥0.0348
24000+
￥0.0311
51000+
￥0.029

有货

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型号：2SC1815 编号：C20069143

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

hFE:200-400，丝印:HF

50+
￥0.0652
500+
￥0.0515
3000+
￥0.0416
6000+
￥0.037
24000+
￥0.0331
51000+
￥0.031

有货

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型号：S8550(RANGE:120-200) 编号：C105432

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：与S8050互补。集电极电流：IC = 0.5A

数据手册

50+
￥0.0865
500+
￥0.0665
3000+
￥0.0557
6000+
￥0.049
24000+
￥0.0463
51000+
￥0.0446

有货

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型号：MMBT4403 编号：C20069140

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

hFE:100-300，丝印:2T

50+
￥0.0878
500+
￥0.0771
3000+
￥0.0658
6000+
￥0.0622
24000+
￥0.0591
51000+
￥0.0574

有货

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型号：MMBT2907A 编号：C7420352

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：与MMBT2222A互补。功率耗散：250mW。高稳定性和高可靠性。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值温度为260℃

50+
￥0.0904
500+
￥0.0757
3000+
￥0.0601
6000+
￥0.0552
24000+
￥0.0509
51000+
￥0.0487

有货

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型号：BC807-40 编号：C20069142

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

hFE:250-630，丝印:5C

50+
￥0.1276
500+
￥0.1016
3000+
￥0.0842
6000+
￥0.0756
24000+
￥0.0681
51000+
￥0.064

有货

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型号：CJ2301 S1 编号：C8547

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

P沟道,-20V,-2.3A,112mΩ@-4.5V

数据手册

20+
￥0.1572
200+
￥0.1214
600+
￥0.1055
3000+
￥0.0936
9000+
￥0.0888
21000+
￥0.0856

有货

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型号：CXT5551 编号：C41375138

封装：SOT-89

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：适用于高压应用中的开关和放大。功率耗散为500mW。符合J-STD-020的MSL 1级，LF最大峰值为260℃

20+
￥0.1739
200+
￥0.1379
1000+
￥0.1179
2000+
￥0.1059
10000+
￥0.0955
20000+
￥0.0899

有货

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型号：CJ3400 编号：C19019

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

N沟道,30V,5.8A,35mΩ@10V

数据手册

20+
￥0.193
200+
￥0.1509
600+
￥0.1321
3000+
￥0.1109
9000+
￥0.1052
21000+
￥0.1015

有货

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型号：CJ2305 编号：C8549

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

P沟道,-12V,-4.1A,45mΩ@-4.5V

数据手册

10+
￥0.2232
100+
￥0.1807
300+
￥0.1589
3000+
￥0.1359
6000+
￥0.1296
9000+
￥0.1253

有货

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型号：HL2310A 编号：C7420347

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDSS = 60 V。 ID = 3.0 A。 RDS(on)@VGS = 10V < 105mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5 V < 125 mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池保护。负载开关

10+
￥0.2369
100+
￥0.1952
300+
￥0.1744
3000+
￥0.1553
6000+
￥0.1428
9000+
￥0.1366

有货

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型号：HL6042 编号：C28646264

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -20V。 IO = -5.0A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 43mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 55mΩ。沟槽功率MV MOSFET技术。电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。固态继电器

20+
￥0.2407
200+
￥0.1927
600+
￥0.1687
3000+
￥0.1507
9000+
￥0.1363
21000+
￥0.129

有货

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型号：HL3401A 编号：C7420349

封装：SOT-23

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = -30V。 ID = -4.2A。 RDS(on)@VGS = -10V < 65mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 75mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 90mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。应用：电池保护。负载开关

10+
￥0.2544
100+
￥0.2126
300+
￥0.1916
3000+
￥0.1759
6000+
￥0.1634
9000+
￥0.1571

有货

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型号：BSS138LT1G 编号：C82045

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：低阈值电压 (VGS(th): 0.5V-1.5V)，适合低压应用。微型SOT-23表面贴装封装，节省电路板空间。BVSS前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备PPAP能力。这些器件无铅且符合RoHS标准。应用：DC-DC转换器。便携式和电池供电产品的电源管理，如计算机、打印机、PCM/CIA卡、移动和无绳电话

数据手册

10+
￥0.2565
100+
￥0.2138
300+
￥0.1919
3000+
￥0.1656
6000+
￥0.1593
9000+
￥0.155

有货

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型号：BC817-25,215 编号：C39828

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的NPN通用晶体管。

数据手册

10+
￥0.2684
100+
￥0.2183
300+
￥0.1925
3000+
￥0.1684
6000+
￥0.161
9000+
￥0.1559

有货

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型号：D882(RANGE:160-320) 编号：C9634

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：功率耗散

数据手册

10+
￥0.321
100+
￥0.258
300+
￥0.2256
1000+
￥0.199
5000+
￥0.1897
10000+
￥0.1833

有货

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型号：AO3400A 编号：C20917

封装：SOT-23

品牌：AOS

N沟道,30V,5.7A,26.5mΩ@10V

数据手册

5+
￥0.4994
50+
￥0.4026
150+
￥0.3528
500+
￥0.3117
3000+
￥0.2974
6000+
￥0.2877

有货

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型号：AO4407A 编号：C2841482

封装：SOP-8

品牌：UMW(友台半导体)

使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻RDS(ON)和超低的栅极电荷，栅极额定电压为25V。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。产品为无铅产品（符合ROHS和索尼259规格）。

数据手册

5+
￥0.6681
50+
￥0.5218
150+
￥0.4466
500+
￥0.3846
3000+
￥0.3539
6000+
￥0.3393

有货

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型号：IRF640NPBF 编号：C2568

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,18A,150mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.6724
50+
￥1.3309
150+
￥1.1642
500+
￥1.0154
2300+
￥0.9746
4600+
￥0.95

有货

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型号：IRF540NPBF 编号：C2566

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,33A,44mΩ@10V

数据手册

5+
￥2.2396
50+
￥1.786
150+
￥1.5733
500+
￥1.3835
2000+
￥1.3313
5000+
￥1.3

有货

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型号：IRF3205PBF 编号：C2561

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

先进的HEXFET功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅片面积极低的导通电阻。结合快速开关速度和坚固耐用的器件设计（这是HEXFET功率MOSFET闻名之处），为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于各种应用。对于所有商业 - 工业应用，在功耗水平约达50瓦时，TO - 220封装是普遍首选

数据手册

1+
￥2.66
10+
￥2.12
50+
￥1.84
100+
￥1.61
500+
￥1.54
1000+
￥1.5

有货

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海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示