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1个P沟道 耐压:20V 电流:42A
型号：SI7137DP-T1-GE3 编号：C784367
封装：PowerPAKSO-8
品牌：VISHAY(威世)
特性：TrenchFET Gen II p- 沟道功率 MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：适配器开关。 电池开关
数据手册

  • 1+

    ￥4.15

  • 10+

    ￥3.4

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    ￥3.03

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    ￥2.66

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  • 1000+

    ￥2.32
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:34A
    型号：WSF50P10 编号：C2758447
    封装：TO-252
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSF50P10是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF50P10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.51

    • 10+

      ￥3.69

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      ￥3.28

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      ￥2.15
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    TPSI4090DY-T1-GE3
    型号：TPSI4090DY-T1-GE3 编号：C53100651
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)

    • 1+

      ￥4.6132 ￥6.07

    • 10+

      ￥3.7088 ￥4.88

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    • 100+

      ￥2.812 ￥3.7

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      ￥2.546 ￥3.35

    • 1000+

      ￥2.4092 ￥3.17
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:97A
    型号：IRFB4410ZPBF 编号：C2657
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,97A,9mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥4.79

    • 10+

      ￥3.89

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      ￥3.02

    • 100+

      ￥2.57

    • 500+

      ￥2.31

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      ￥2.17
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    耐压:85V 电流:85A
    型号：BSC072N08NS5-TP 编号：C19829610
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 1+

      ￥4.826 ￥5.08

    • 10+

      ￥4.3225 ￥4.55

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      ￥4.047 ￥4.26

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      ￥3.743 ￥3.94

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      ￥3.6005 ￥3.79

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      ￥3.5435 ￥3.73
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:120A
    型号：WSD30L120DN56 编号：C148396
    封装：DFN5X6-8
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSD30L120DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD30L120DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS保证，并经过全面功能可靠性认证。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.85

    • 10+

      ￥4.03

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      ￥3.61

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      ￥2.42
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：CJAC100P03 编号：C504076
    封装：PDFNWB5x6-8L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    CJAC100P03采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
    数据手册

    • 1+

      ￥4.92

    • 10+

      ￥4.06

    • 30+

      ￥3.62

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      ￥3.2

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      ￥2.74

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      ￥2.61
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:40A
    型号：IRF5210PBF 编号：C2621
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-100V,-40A,60mΩ@-10V
    数据手册

    • 1+

      ￥5.27

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    N沟道 326A 100V 1.4m?
    型号：MPT023N10-T 编号：C22390008
    封装：TOLL-8L
    品牌：minos(迈诺斯)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：326A 功率(Pd)：416.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.4mΩ@10V,50A

    • 1+

      ￥5.3

    • 10+

      ￥4.22

    • 30+

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    1个N沟道 耐压:75V 电流:130A
    型号：IRF1407PBF 编号：C2609
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,75V,130A,7.8mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥5.4

    • 10+

      ￥4.32

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      ￥3.78

    • 100+

      ￥3.24

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    • 1000+

      ￥2.76
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:250A
    型号：PSMN1R2-30YLD 编号：C22465456
    封装：LFPAK-56
    品牌：Nexperia(安世)
    采用LFPAK56封装的250 A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。采用独特的“肖特基增强（SchottkyPlus）”技术的NextPowerS3产品组合，可实现高效率、低尖峰性能，通常与集成肖特基或类肖特基二极管的MOSFET性能相当，但不会出现高漏电流的问题。NextPowerS3特别适用于高开关频率的高效应用

    • 1+

      ￥5.42

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      ￥4.34

    • 30+

      ￥3.8

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      ￥2.78
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    1个P沟道 耐压:150V 电流:22A
    型号：FDMS86263P 编号：C455156
    封装：PQFN-8(5x6)
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻，并针对卓越的开关性能进行了优化。
    数据手册

    • 1+

      ￥6.37

    • 10+

      ￥5.29

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      ￥4.76

    • 100+

      ￥4.18

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    • 1000+

      ￥3.69
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:200V 电流:62A
    型号：IRFS4227TRLPBF 编号：C146578
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    这款HEXFET功率MOSFET专为等离子显示屏中的维持、能量回收和通路开关应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻和低脉冲能量（EpuLsE）额定值。该MOSFET的其他特性包括175°C的工作结温和高重复峰值电流能力
    数据手册

    • 1+

      ￥6.44

    • 10+

      ￥5.28

    • 30+

      ￥4.65

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    • 800+

      ￥3.48
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:161A
    型号：IRLR7843TRPBF 编号：C21988
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,30V,161A,4mΩ@4.5V
    数据手册

    • 1+

      ￥6.54

    • 10+

      ￥5.33

    • 30+

      ￥4.72

    • 100+

      ￥4.12

    • 500+

      ￥3.76

    • 1000+

      ￥3.58
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:210A
    型号：IRFB3206PBF 编号：C2642
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,60V,210A,3mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥6.98

    • 10+

      ￥5.71

    • 50+

      ￥4.53

    • 100+

      ￥3.91

    • 350+

      ￥3.53

    • 1050+

      ￥3.34
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道功率沟槽MOSFET，80V，100A，3.9mΩ
    型号：FDMS039N08B 编号：C891043
    封装：Power-56
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。
    数据手册

    • 1+

      ￥7.18

    • 10+

      ￥5.91

    • 30+

      ￥5.2

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      ￥4.41

    • 500+

      ￥4.06

    • 1000+

      ￥3.9
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:80V 电流:47A
    型号：BSC072N08NS5 编号：C431094
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。 卓越的热阻性能。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    数据手册

    • 1+

      ￥9.45

    • 10+

      ￥7.8

    • 30+

      ￥6.89

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      ￥5.87

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      ￥5.41

    • 1000+

      ￥5.2
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:500V 电流:40A
    型号：WGA40N50SE 编号：C17702323
    封装：TO-247
    品牌：Wild Goose(威谷)

    • 1+

      ￥10.298 ￥10.84

    • 10+

      ￥8.6355 ￥9.09

    • 30+

      ￥7.6 ￥8

    • 90+

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      ￥6.0515 ￥6.37

    • 900+

      ￥5.8425 ￥6.15
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:90A
    型号：IPD068N10N3G 编号：C88066
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,90A,6.8mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥10.64

    • 10+

      ￥9.25

    • 30+

      ￥8.49

    • 100+

      ￥7.06

    • 500+

      ￥6.68

    • 1000+

      ￥6.5
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:100V 电流:100A
    型号：CSD19532Q5B 编号：C473333
    封装：SON-8(5x6)
    品牌：TI(德州仪器)
    CSD19532Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.9mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
    数据手册

    • 1+

      ￥11.08

    • 10+

      ￥9.66

    • 30+

      ￥8.88

    • 100+

      ￥7.67

    • 500+

      ￥7.27

    • 1000+

      ￥7.1
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:200V 电流:12A
    型号：IRFP9240PBF 编号：C2686
    封装：TO-247AC-3
    品牌：VISHAY(威世)
    P沟道,-200V,-12A,500mΩ@-10V
    数据手册

    • 1+

      ￥11.2

    • 10+

      ￥9.18

    • 25+

      ￥8

    • 100+

      ￥6.75

    • 500+

      ￥6.19

    • 1000+

      ￥5.94
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:100V 电流:399A
    型号：MOT1113T 编号：C6533572
    封装：TOLL-8
    品牌：MOT(仁懋)
    耐压:100V 电流:399A N型 场效应管

    • 1+

      ￥11.849 ￥13.94

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      ￥10.1575 ￥11.95

    • 30+

      ￥9.1035 ￥10.71

    • 100+

      ￥6.987 ￥8.22

    • 500+

      ￥6.5025 ￥7.65

    • 1000+

      ￥6.29 ￥7.4
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：BSC030P03NS3G 编号：C152375
    封装：TDSON-8(5x6)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,30V,100A,3mΩ@10V
    数据手册

    • 1+

      ￥12.07

    • 10+

      ￥10.36

    • 30+

      ￥9.29

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      ￥7.7

    • 1000+

      ￥7.48
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:60A
    型号：SI7145DP-T1-GE3 编号：C144873
    封装：PowerPAKSO-8
    品牌：VISHAY(威世)
    P沟道,-30V,-60A,0.0026Ω@-10V
    数据手册

    • 1+

      ￥12.62

    • 10+

      ￥10.8

    • 30+

      ￥9.66

    • 100+

      ￥8.5

    • 500+

      ￥7.97

    • 1000+

      ￥7.74
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
    型号：IPB120N06S4-H1 编号：C536548
    封装：TO-263-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N 通道。增强模式。AEC Q101 合格。MSL1 高达 260℃ 峰值回流。175℃ 工作温度。绿色产品（符合 RoHS）。100% 雪崩测试
    数据手册

    • 1+

      ￥22.55

    • 10+

      ￥19.66

    • 30+

      ￥17.86

    • 100+

      ￥16.01

    • 500+

      ￥15.17

    • 1000+

      ￥14.81
  • 有货
    • 立即购买
    SOT-23塑封封装PNP半导体三极管 PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3906 编号：C305435
    封装：SOT-23
    品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)
    SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。
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    PNP 200mA 40V
    型号：MMBT3906 编号：C916375
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    专为中等电压、微电流环境下的精密放大应用设计，是小型电子设备的理想半导体元件。
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    MMBT3904 hFE:100-300 NPN 晶体管 电流：200mA 电压：40V
    型号：MMBT3904 编号：C51953474
    封装：SOT-23
    品牌：CCX(晁禾)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

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    PNP 电流:150mA 电压:50V
    型号：S1015 编号：C2926175
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    放大倍数 200-400 150MA电流 50V电压
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    SOT-23塑封封装NPN半导体三极管 NPN 电流:800mA 电压:25V
    型号：S8050M-D 编号：C2844025
    封装：SOT-23
    品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)
    SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。
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