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首页 > 热门关键词 > 晶体管
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大电流SGT MOSFET产品
  • 1+

    ¥8.759 ¥9.22
  • 10+

    ¥7.201 ¥7.58
  • 30+

    ¥6.346 ¥6.68
  • 100+

    ¥5.7 ¥6
  • 500+

    ¥5.2725 ¥5.55
  • 1000+

    ¥5.073 ¥5.34
  • 有货
  • 特性:N 沟道,标准电平。 出色的栅极电荷 x 导通电阻 RDS(on) 乘积(FOM)。 极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。 无铅镀铅;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 认证,适用于目标应用。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤。 适用于高频开关和同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥9.7
    • 10+

      ¥8.21
    • 30+

      ¥7.28
    • 100+

      ¥6.32
    • 500+

      ¥5.89
    • 1000+

      ¥5.7
  • 有货
  • 特性:沟槽式场效应管功率MOSFET。 低热阻。 低1.07mm外形的PowerPAk封装
    数据手册
    • 1+

      ¥10.21
    • 10+

      ¥8.33
    • 30+

      ¥7.29
    • 100+

      ¥6.12
    • 500+

      ¥5.6
    • 1000+

      ¥5.37
  • 有货
  • UPS,变频器,光伏逆变,储能电源用 PB档
    数据手册
    • 1+

      ¥10.77
    • 10+

      ¥9.26
    • 25+

      ¥7.3
    • 100+

      ¥6.33
    • 500+

      ¥5.89
    • 1000+

      ¥5.7
  • 有货
  • P沟道增强型MOSFET,采用LFPAK56(Power SO8)表面贴装器件(SMD)塑料封装,使用沟槽MOSFET技术。本产品已按照AEC-Q101标准进行设计和认证,适用于高性能汽车应用,如反电池保护。
    • 1+

      ¥12.23
    • 10+

      ¥10.48
    • 30+

      ¥9.39
    • 100+

      ¥8.1046 ¥8.27
    • 500+

      ¥7.6048 ¥7.76
    • 1500+

      ¥7.3892 ¥7.54
  • 有货
  • 特性:TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。 极低的RDS(on),可将电压降降至最低并降低传导损耗。 无需电荷泵。 100%进行Rg和UIS测试。应用:适配器和充电器开关。 电池和电路保护
    • 1+

      ¥15.13
    • 10+

      ¥12.71
    • 30+

      ¥11.19
    • 100+

      ¥9.63
    • 500+

      ¥8.93
    • 1000+

      ¥8.63
  • 有货
  • 超结 MOSFET产品,N沟道,耐压:250V,电流:180A, Rdson:10mR,带快恢复
    • 1+

      ¥17.7555 ¥18.69
    • 10+

      ¥15.105 ¥15.9
    • 30+

      ¥13.528 ¥14.24
    • 100+

      ¥12.6255 ¥13.29
    • 500+

      ¥11.894 ¥12.52
    • 1000+

      ¥11.5615 ¥12.17
  • 有货
  • 特性:N 通道。增强模式。AEC Q101 合格。MSL1 高达 260℃ 峰值回流。175℃ 工作温度。绿色产品(符合 RoHS)。100% 雪崩测试
    数据手册
    • 1+

      ¥20.18
    • 10+

      ¥17.29
    • 30+

      ¥15.49
    • 100+

      ¥13.64
    • 500+

      ¥12.8
    • 1000+

      ¥12.44
  • 有货
    • 1+

      ¥26.53
    • 10+

      ¥22.8
    • 30+

      ¥20.58
    • 100+

      ¥18.34
    • 500+

      ¥17.31
    • 800+

      ¥16.84
  • 有货
  • 放大倍数 200-400 150MA电流 50V电压
    数据手册
    • 100+

      ¥0.0465
    • 1000+

      ¥0.0368
    • 3000+

      ¥0.0289
    • 9000+

      ¥0.0257
    • 51000+

      ¥0.0229
    • 99000+

      ¥0.0213
  • 有货
  • 此器件采用 SOT-23封装,适用于低功率表面贴装应用。
    • 50+

      ¥0.0495
    • 500+

      ¥0.0427
    • 3000+

      ¥0.0371
    • 6000+

      ¥0.0348
    • 24000+

      ¥0.0329
    • 51000+

      ¥0.0318
  • 有货
  • 这款三极管为PNP型,适用于精密信号放大。其电流为0.1A,电压高达65V,放大倍数介于200至450之间,频率响应可达100MHz。该元器件在无线通信、音频处理等领域表现出色,是实现复杂电子系统的理想选择。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.051765 ¥0.0609
    • 500+

      ¥0.04097 ¥0.0482
    • 3000+

      ¥0.034595 ¥0.0407
    • 6000+

      ¥0.03094 ¥0.0364
    • 24000+

      ¥0.02788 ¥0.0328
    • 51000+

      ¥0.02618 ¥0.0308
  • 有货
  • SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0549
    • 500+

      ¥0.0475
    • 3000+

      ¥0.0415
    • 6000+

      ¥0.039
    • 24000+

      ¥0.0369
    • 51000+

      ¥0.0357
  • 有货
  • 放大倍数200-450 电流100MA 电压45V
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0576
    • 500+

      ¥0.0452
    • 3000+

      ¥0.0383
    • 6000+

      ¥0.0342
    • 24000+

      ¥0.0306
    • 51000+

      ¥0.0286
  • 有货
  • 特性:高密单元设计,实现低RDS(ON)。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0581
    • 500+

      ¥0.0463
    • 3000+

      ¥0.0348
    • 6000+

      ¥0.0309
    • 24000+

      ¥0.0274
    • 51000+

      ¥0.0256
  • 有货
  • 这款NPN型三极管具有0.15A的电流和50V的电压处理能力,放大倍数介于200至400之间,适用于高速切换和信号放大场景。其80MHz的频率响应确保了良好的信号处理速度。该元器件适合多种电子设备,确保稳定性能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.0615
    • 200+

      ¥0.0489
    • 600+

      ¥0.0418
    • 3000+

      ¥0.0378
    • 9000+

      ¥0.0341
    • 21000+

      ¥0.0321
  • 有货
  • 特性:V(BR)DSS = 60V,I = 115mA,RDS(ON) < 5Ω (VGS = 10V),RDS(ON) < 7Ω (VGS = 5V)。 高密度单元设计,实现低RDS(ON)。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0651
    • 500+

      ¥0.0508
    • 3000+

      ¥0.0414
    • 6000+

      ¥0.0367
    • 24000+

      ¥0.0325
    • 51000+

      ¥0.0303
  • 有货
  • SOT-23 塑封封装N 沟道MOS 场效应管。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0673
    • 500+

      ¥0.0577
    • 3000+

      ¥0.0524
    • 6000+

      ¥0.0493
    • 24000+

      ¥0.0465
    • 51000+

      ¥0.045
  • 有货
    • 50+

      ¥0.0721
    • 500+

      ¥0.057
    • 3000+

      ¥0.0449
    • 6000+

      ¥0.0398
    • 24000+

      ¥0.0354
    • 51000+

      ¥0.0331
  • 有货
    • 50+

      ¥0.0722
    • 500+

      ¥0.0548
    • 3000+

      ¥0.0441
    • 6000+

      ¥0.0383
    • 24000+

      ¥0.0333
    • 51000+

      ¥0.0305
  • 有货
  • 特性:AM/FM放大器,FM/VHF调谐器的本地振荡器,高电流增益带宽积。 塑料表面贴装封装,3引脚。 SOT-23封装
    数据手册
    • 50+

      ¥0.072295 ¥0.0761
    • 500+

      ¥0.05795 ¥0.061
    • 3000+

      ¥0.04693 ¥0.0494
    • 6000+

      ¥0.04218 ¥0.0444
    • 24000+

      ¥0.038 ¥0.04
    • 51000+

      ¥0.03572 ¥0.0376
  • 有货
  • P沟道,-20V,-2A,82mΩ@-4.5V,-2.0A;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.0748
    • 100+

      ¥0.0675
    • 300+

      ¥0.0635
    • 3000+

      ¥0.0611
    • 6000+

      ¥0.059
    • 9000+

      ¥0.0579
  • 有货
  • 晶体管类型: NPN,集电极电流(Ic): 600mA,集射极击穿电压 150,耗散功率(Pd): 300mW
    • 50+

      ¥0.0756
    • 500+

      ¥0.0583
    • 3000+

      ¥0.0487
    • 6000+

      ¥0.0429
    • 24000+

      ¥0.0379
    • 51000+

      ¥0.0352
  • 有货
  • 适用于中等电压、中等电流环境下的高增益放大应用,是精密电子电路设计的理想选择。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.08018 ¥0.0844
    • 500+

      ¥0.062225 ¥0.0655
    • 3000+

      ¥0.052915 ¥0.0557
    • 6000+

      ¥0.04693 ¥0.0494
    • 24000+

      ¥0.041705 ¥0.0439
    • 45000+

      ¥0.03895 ¥0.041
  • 有货
  • 特性:环氧树脂符合UL-94 V-0阻燃等级。 湿度敏感度等级为1级
    • 50+

      ¥0.0807
    • 500+

      ¥0.0629
    • 3000+

      ¥0.053
    • 6000+

      ¥0.0471
    • 24000+

      ¥0.0419
    • 51000+

      ¥0.0391
  • 有货
  • 特性:出色的hFE线性度。 与KTC9012S互补。应用:通用应用。 开关应用
    数据手册
    • 5+

      ¥0.0887
    • 50+

      ¥0.0707
    • 150+

      ¥0.0608
    • 500+

      ¥0.0548
    • 3000+

      ¥0.0438
    • 6000+

      ¥0.041
  • 有货
  • 晶体管类型: PNP,集电极电流(Ic): 600mA,集射极击穿电压 150,耗散功率(Pd): 300mW
    • 50+

      ¥0.0893
    • 500+

      ¥0.0689
    • 3000+

      ¥0.0575
    • 6000+

      ¥0.0507
    • 24000+

      ¥0.0448
    • 51000+

      ¥0.0416
  • 有货
  • 晶体管类型: PNP,集电极电流(Ic): 500mA,集射极击穿电压 25V,耗散功率(Pd): 300mW
    • 50+

      ¥0.0923
    • 500+

      ¥0.0712
    • 3000+

      ¥0.0595
    • 6000+

      ¥0.0524
    • 24000+

      ¥0.0463
    • 51000+

      ¥0.043
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    • 20+

      ¥0.094
    • 200+

      ¥0.0816
    • 600+

      ¥0.0747
    • 3000+

      ¥0.0706
    • 9000+

      ¥0.067
  • 有货
  • 特性:适用于开关和音频放大器应用
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1044
    • 500+

      ¥0.0817
    • 3000+

      ¥0.0674
    • 6000+

      ¥0.0598
    • 24000+

      ¥0.0533
    • 51000+

      ¥0.0497
  • 有货
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