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1个N沟道 耐压:20V 电流:65A
型号：AP2045Q 编号：C2828594
封装：DFN-8(3x3.1)
品牌：ALLPOWER(铨力)
AP2045Q系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种适用于广泛功率应用的高效器件。
数据手册

  • 5+

    ￥0.7351

  • 50+

    ￥0.5537

  • 150+

    ￥0.4629

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    ￥0.3949

  • 2500+

    ￥0.3405

  • 5000+

    ￥0.3132
  • 有货
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    耐压:40V 电流:3A
    型号：SI2319DS 编号：C5122037
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：负载/电源开关。接口开关。逻辑电平转换
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7686

    • 50+

      ￥0.6102

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      ￥0.3878
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：DMN3065LW-7 编号：C150506
    封装：SOT-323
    品牌：DIODES(美台)
    N沟道,30V,4A,52mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7688

    • 50+

      ￥0.63

    • 150+

      ￥0.5605

    • 500+

      ￥0.5085

    • 3000+

      ￥0.4668

    • 6000+

      ￥0.446
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V
    型号：AO4468 编号：C87410
    封装：SOIC-8
    品牌：AOS
    N沟 30V 10.5A
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8391

    • 50+

      ￥0.6711

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      ￥0.5871

    • 500+

      ￥0.5241

    • 3000+

      ￥0.4523

    • 6000+

      ￥0.427
  • 有货
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    2个N沟道 耐压:20V 电流:800mA
    型号：FDY3000NZ 编号：C2959848
    封装：SOT-563-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：快速开关。 有绿色环保型号。 适用于1.5V栅极驱动应用。应用：笔记本电脑。 负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8423

    • 50+

      ￥0.6835

    • 150+

      ￥0.6042

    • 500+

      ￥0.5446

    • 2500+

      ￥0.4473

    • 4000+

      ￥0.4235
  • 有货
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    30V 12A
    型号：FDS4435BZ 编号：C5310972
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8477

    • 50+

      ￥0.7438

    • 150+

      ￥0.6992

    • 500+

      ￥0.6436

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      ￥0.5892

    • 6000+

      ￥0.5743
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:1.25A
    型号：FDN5618P 编号：C400792
    封装：SOT-23-3
    品牌：onsemi(安森美)
    此 60V P 沟道 MOSFET 使用高压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电源管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8872

    • 50+

      ￥0.7048

    • 150+

      ￥0.6136

    • 500+

      ￥0.5452

    • 3000+

      ￥0.4905

    • 6000+

      ￥0.4631
  • 有货
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    P沟道增强型功率MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
    型号：AO4407 编号：C5155210
    封装：SOP-8
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    为高效电源开关、电池保护和负载管理应用设计，具备低导通电阻及卓越的开关性能，是各类中低压电路的理想选择，有效提升系统能效并确保稳定运行。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8956

    • 50+

      ￥0.7142

    • 150+

      ￥0.6235

    • 500+

      ￥0.5554

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      ￥0.4517
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    500mV@10nA
    型号：MMBF4393LT1G 编号：C152291
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 N 沟道 JFET 器件适用于模拟开关和斩波器应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9048

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      ￥0.7269

    • 150+

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      ￥0.4234

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      ￥0.3967
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:10A
    型号：WSF12N10 编号：C148434
    封装：TO-252
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSF12N10是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF12N10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.93411 ￥1.0379

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      ￥0.82629 ￥0.9181

    • 150+

      ￥0.78003 ￥0.8667

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      ￥0.72234 ￥0.8026

    • 2500+

      ￥0.6111 ￥0.679

    • 5000+

      ￥0.59562 ￥0.6618
  • 有货
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    耐压:30V 电流:6A
    型号：FDS8958A 编号：C5123898
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：电池保护。负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9448

    • 50+

      ￥0.8291

    • 150+

      ￥0.7796

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      ￥0.7177

    • 3000+

      ￥0.6004

    • 6000+

      ￥0.5839
  • 有货
    • 立即购买
    N沟道MOSFET
    型号：AON7264E-TP 编号：C49230902
    封装：PDFN-8(3x3)
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

    • 5+

      ￥0.9837 ￥1.3116

    • 50+

      ￥0.7758 ￥1.0344

    • 150+

      ￥0.6867 ￥0.9156

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      ￥0.57555 ￥0.7674

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      ￥0.52605 ￥0.7014

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      ￥0.49635 ￥0.6618
  • 有货
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    耐压:30V 电流:18.5A
    型号：AO4447A(UMW) 编号：C7588050
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：沟槽功率MOSFET技术。 低导通电阻RDS(ON)。 ESD保护。 符合RoHS和无卤标准。 漏源电压VDS = -30V。 漏极电流ID = -18.5A（VGS = -10V）。 导通电阻RDS(ON) < 5.8mΩ（VGS = -10V）。 导通电阻RDS(ON) < 8.2mΩ（VGS = -4.5V）

    • 5+

      ￥1.0223

    • 50+

      ￥0.7993

    • 150+

      ￥0.7038

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      ￥0.5846

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      ￥0.5315

    • 6000+

      ￥0.4996
  • 有货
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    NPN 电压:15V
    型号：BFU590Q 编号：C5375297
    封装：SOT-89
    品牌：Slkor(萨科微)
    本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；主要应用于超高频微波、高频宽带低噪声放大器中，适合中功率高频信号放大。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0716

    • 50+

      ￥0.8549

    • 150+

      ￥0.762

    • 1000+

      ￥0.6461

    • 2000+

      ￥0.5945

    • 5000+

      ￥0.5635
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 耐压:60V 电流:3A
    型号：ZXMP6A17E6TA 编号：C2959859
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0738

    • 50+

      ￥0.852

    • 150+

      ￥0.757

    • 500+

      ￥0.6384

    • 3000+

      ￥0.5136

    • 6000+

      ￥0.4819
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:500mA
    型号：BS170 编号：C111691
    封装：TO-92
    品牌：onsemi(安森美)
    MOSFET，小信号，500 mA，60 V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.096

    • 50+

      ￥0.8541

    • 150+

      ￥0.7504

    • 1000+

      ￥0.621

    • 2000+

      ￥0.5634

    • 5000+

      ￥0.5289
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:10A
    型号：SL10N10A 编号：C2965540
    封装：SOT-223
    品牌：Slkor(萨科微)
    类型 N VDSS(V) 100 ID@TC=88?C(A) 10 PD@TC=88?C(W) 3.1 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.68V 120
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0998

    • 50+

      ￥0.8878

    • 150+

      ￥0.797

    • 500+

      ￥0.6837

    • 2500+

      ￥0.5617

    • 5000+

      ￥0.5314
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:40A
    型号：AON7400A 编号：C85734
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：AOS
    结合了先进的沟槽MOSFET技术和低电阻封装，可提供极低的导通电阻。 该器件适用于开关电源和通用应用中的高端开关。 符合RoHS和无卤标准。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1592

    • 50+

      ￥0.9275

    • 150+

      ￥0.8282

    • 500+

      ￥0.7043

    • 2500+

      ￥0.6491

    • 5000+

      ￥0.616
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:350mA
    型号：NDC7001C 编号：C7603325
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：替换数字晶体管。电平转换器。电源转换器电路。电池供电系统

    • 5+

      ￥1.1733

    • 50+

      ￥0.9213

    • 150+

      ￥0.8133

    • 500+

      ￥0.6786

    • 3000+

      ￥0.6186

    • 6000+

      ￥0.5825
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:30A
    型号：30P06 编号：C18164395
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)
    特性：超低栅极电荷。 有绿色环保器件可选。 出色的CdvV/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术。 100% EAS保证。应用：PWM应用。 负载开关

    • 5+

      ￥1.1786

    • 50+

      ￥0.9366

    • 150+

      ￥0.8329

    • 500+

      ￥0.7035

    • 2500+

      ￥0.6314

    • 5000+

      ￥0.5969
  • 有货
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    N沟道 耐压:60V 电流:12A
    型号：NTD3055L104T4G(UMW) 编号：C18214393
    封装：TO-252
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=60V。 ID = 12A(VGS = 10V)。 RDS(ON)<104mΩ(VGS=5V)。 电源转换器。 功率电机控制。 桥接电路

    • 5+

      ￥1.2578

    • 50+

      ￥0.9594

    • 150+

      ￥0.8316

    • 500+

      ￥0.6721

    • 2500+

      ￥0.601

    • 5000+

      ￥0.5584
  • 有货
    • 立即购买
    40V P沟道MOSFET
    型号：SI4401BDY(UMW) 编号：C5346814
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=-40V。 RDS(ON) < 18mΩ(VGS =-10V)。 RDS(ON) < 29mΩ(VGS =-4.5V)。应用：负载开关。 负载点电源
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3001

    • 50+

      ￥1.022

    • 150+

      ￥0.9028

    • 500+

      ￥0.7541

    • 3000+

      ￥0.6898

    • 6000+

      ￥0.65
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
    型号：WSD3066DN33 编号：C148386
    封装：DFN-8(3.3x3.3)
    品牌：WINSOK(微硕)
    N沟道.30V/66A.5.5mΩ.功能与脚位等同AON7534
    数据手册

    • 5+

      ￥1.309

    • 50+

      ￥1.162

    • 150+

      ￥1.099

    • 500+

      ￥1.0204

    • 2500+

      ￥0.8532

    • 5000+

      ￥0.8322
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:35A
    型号：CJAB35P03 编号：C504071
    封装：PDFNWB3.3x3.3-8L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    CJAB35P03采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可应用于各种不同的领域。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.385

    • 50+

      ￥1.1229

    • 150+

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    • 500+

      ￥0.8705

    • 2500+

      ￥0.8081

    • 5000+

      ￥0.7706
  • 有货
    • 立即购买
    500mV@1nA
    型号：MMBFJ270 编号：C160435
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    JFET，P沟道,30V,50mA
    数据手册

    • 5+

      ￥1.4019

    • 50+

      ￥1.1096

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    无 耐压:60V 电流:38A
    型号：TPPXN012-60QLJ 编号：C49230914
    封装：PDFN-8(3x3)
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

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    耐压:30V 电流:12A
    型号：IRF7424TRPBF 编号：C5350821
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：SI2343CDS-T1-GE3 编号：C6903
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    P沟道,-30V,-4A,53mΩ@-10V
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:12A
    型号：AOD413A 编号：C115837
    封装：DPAK
    品牌：AOS
    P沟 -40V -12A
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    耐压:60V 电流:25A
    型号：STD20NF06LT4 编号：C5350879
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 60V，ID = 25A。 RDS(ON) < 33mΩ @ VGS = 10V。应用：负载/电源开关。 接口开关
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