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首页 > 热门关键词 > 晶体管
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NPN 电流:0.2A 电压:160V
型号：MMDT5551-JSM 编号：C33960091
封装：SOT-363
品牌：JSMSEMI(杰盛微)
适用于高压、中等电流环境下的开关与线性放大应用，是您精密电子设备和电路设计的理想半导体元件。

  • 20+

    ￥0.1206 ￥0.134

  • 200+

    ￥0.09288 ￥0.1032

  • 600+

    ￥0.07749 ￥0.0861

  • 3000+

    ￥0.06831 ￥0.0759

  • 9000+

    ￥0.0603 ￥0.067

  • 21000+

    ￥0.05598 ￥0.0622
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    MMBT5401 hFE:100-300 PNP 晶体管 电流：600mA 电压：150V
    型号：MMBT5401 编号：C51953466
    封装：SOT-23
    品牌：CCX(晁禾)
    该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23-3 封装，适用于低功率表面贴装应用。

    • 10+

      ￥0.0534

    • 100+

      ￥0.0415

    • 300+

      ￥0.0349

    • 3000+

      ￥0.031

    • 6000+

      ￥0.0275

    • 9000+

      ￥0.0257
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:0.6A 电压:160V
    型号：MMBT5551 G1 编号：C46956352
    封装：SOT-23
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

    • 50+

      ￥0.0538

    • 500+

      ￥0.0425

    • 3000+

      ￥0.0362

    • 6000+

      ￥0.0324
  • 有货
    • 立即购买
    SOT-23塑封封装PNP半导体三极管 PNP 电流:800mA 电压:25V
    型号：S8550M-D 编号：C305484
    封装：SOT-23
    品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)
    SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0549

    • 500+

      ￥0.0475

    • 3000+

      ￥0.0415

    • 6000+

      ￥0.039

    • 24000+

      ￥0.0369

    • 51000+

      ￥0.0357
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:400mA
    型号：BSS138BK 编号：C5224267
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.0584

    • 100+

      ￥0.0484

    • 300+

      ￥0.0428

    • 3000+

      ￥0.0413

    • 6000+

      ￥0.0384

    • 9000+

      ￥0.0368
  • 有货
    • 立即购买
    SOT-23塑封封装PNP半导体三极管 PNP 电流:1.5A 电压:25V
    型号：8550M-D 编号：C305456
    封装：SOT-23
    品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)
    SOT-23 塑封封装 PNP 半导体三极管。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.063

    • 500+

      ￥0.054

    • 3000+

      ￥0.049

    • 6000+

      ￥0.046

    • 24000+

      ￥0.0434

    • 51000+

      ￥0.042
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904(1AM) 编号：C3024452
    封装：TO-236
    品牌：ST(先科)
    用于开关和放大应用的NPN硅通用晶体管。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0641

    • 500+

      ￥0.0497

    • 3000+

      ￥0.0409

    • 6000+

      ￥0.0362

    • 24000+

      ￥0.032
  • 有货
    • 立即购买
    MMBT5551
    型号：MMBT5551 编号：C51898301
    封装：SOT-23
    品牌：baocheng(宝乘)
    集电极电流(IC)：600mA 集射极击穿电压(VCEO)：40V 耗散功率(pd)：200mW 直流电流增益（hfE）： 300@1V,10mA 特征频率(fT):300HZ 集电极截止电流(Icbo) ：100nA 集射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @50mA,5mA 射基极击穿电压(Vebo)：6V 工作温度：-55℃~+155℃@(Tj)

    • 50+

      ￥0.0673

    • 500+

      ￥0.0521

    • 3000+

      ￥0.0437

    • 6000+

      ￥0.0387

    • 24000+

      ￥0.0343

    • 51000+

      ￥0.032
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8050 编号：C22459276
    封装：SOT-23
    品牌：晶扬电子
    此器件采用 SOT-23封装，适用于低功率表面贴装应用。

    • 50+

      ￥0.073

    • 500+

      ￥0.0568

    • 3000+

      ￥0.046

    • 6000+

      ￥0.0406

    • 24000+

      ￥0.0359

    • 51000+

      ￥0.0333
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:220mA
    型号：BSS138 编号：C3015220
    封装：SOT-23
    品牌：KUU
    数据手册

    • 20+

      ￥0.0738

    • 200+

      ￥0.057

    • 600+

      ￥0.0477

    • 3000+

      ￥0.041

    • 9000+

      ￥0.0362

    • 21000+

      ￥0.0336
  • 有货
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    PNP 电流:500mA 电压:25V
    型号：S9012 编号：C920323
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：作为互补类型，推荐使用NPN晶体管S9013。 外延平面芯片结构
    数据手册

    • 20+

      ￥0.0758

    • 200+

      ￥0.058

    • 600+

      ￥0.0481

    • 3000+

      ￥0.0426

    • 9000+

      ￥0.0375

    • 21000+

      ￥0.0347
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=200~350 PNP 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S9012 编号：C111633
    封装：SOT-23
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：与S9013互补。 功率耗散：300mW。 高稳定性和高可靠性。 SOT-23封装
    数据手册

    • 50+

      ￥0.078755 ￥0.0829

    • 500+

      ￥0.06308 ￥0.0664

    • 3000+

      ￥0.049875 ￥0.0525

    • 6000+

      ￥0.04465 ￥0.047

    • 24000+

      ￥0.040185 ￥0.0423

    • 51000+

      ￥0.037715 ￥0.0397
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
    型号：2N7002K 编号：C181083
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：低导通电阻：RDS(ON)。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏
    数据手册

    • 50+

      ￥0.079895 ￥0.0841

    • 500+

      ￥0.06251 ￥0.0658

    • 3000+

      ￥0.05396 ￥0.0568

    • 6000+

      ￥0.048165 ￥0.0507

    • 24000+

      ￥0.04313 ￥0.0454

    • 51000+

      ￥0.04047 ￥0.0426
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:500mA 电压:25V
    型号：S9012-6AF 编号：C48587115
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    晶体管类型: PNP，集电极电流(Ic): 500mA，集射极击穿电压 25V，耗散功率(Pd): 300mW

    • 50+

      ￥0.0923

    • 500+

      ￥0.0712

    • 3000+

      ￥0.0595

    • 6000+

      ￥0.0524

    • 24000+

      ￥0.0463

    • 51000+

      ￥0.043
  • 有货
    • 立即购买
    J3Y(J3Y表示丝印) NPN 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8050 编号：C2836081
    封装：SOT-523
    品牌：CBI(创基)
    J3Y(J3Y表示丝印)
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0952

    • 500+

      ￥0.0758

    • 3000+

      ￥0.0607

    • 6000+

      ￥0.0542

    • 24000+

      ￥0.0486

    • 51000+

      ￥0.0455
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC817-40 编号：C5184413
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款NPN型三极管具有0.5A的电流和45V的电压处理能力，放大倍数介于250至600之间，适用于高速操作，频率可达100MHz。它为电子设备提供了可靠的性能，适合多种应用需求，确保电路的稳定性和高效性。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.096627 ￥0.1039

    • 200+

      ￥0.077655 ￥0.0835

    • 600+

      ￥0.067146 ￥0.0722

    • 3000+

      ￥0.056451 ￥0.0607

    • 9000+

      ￥0.051057 ￥0.0549

    • 21000+

      ￥0.048081 ￥0.0517
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT4403-6AF 编号：C48587185
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    晶体管类型: PNP,集电极电流(Ic): 600mA,集射极击穿电压 40V,耗散功率(Pd): 250mW

    • 50+

      ￥0.1067

    • 500+

      ￥0.0823

    • 3000+

      ￥0.0687

    • 6000+

      ￥0.0606

    • 24000+

      ￥0.0535

    • 51000+

      ￥0.0497
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT4401-6AF 编号：C48587183
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    晶体管类型: NPN,集电极电流(Ic): 600mA,集射极击穿电压 40V,耗散功率(Pd): 250mW

    • 50+

      ￥0.1069

    • 500+

      ￥0.0824

    • 3000+

      ￥0.0689

    • 6000+

      ￥0.0607

    • 24000+

      ￥0.0537

    • 51000+

      ￥0.0498
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:250mA
    型号：BS170FTA 编号：C5236685
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至 2.5V 的栅极电压下工作。适用于作为负载开关或用于 PWM 应用。

    • 50+

      ￥0.1122

    • 500+

      ￥0.0878

    • 3000+

      ￥0.0698

    • 6000+

      ￥0.0617

    • 24000+

      ￥0.0546

    • 51000+

      ￥0.0508
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:3.3A
    型号：DMG2302UK-7-ES 编号：C5224188
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道,20V,3.5A,45mΩ@4.14V；应用领域：DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1207

    • 100+

      ￥0.0909

    • 300+

      ￥0.0743

    • 3000+

      ￥0.0644

    • 6000+

      ￥0.0557

    • 9000+

      ￥0.0511
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:150mA 电压:50V
    型号：2SC2712-Y(TE85L,F) 编号：C4153761
    封装：SOT-346
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：AEC-Q101合格。 高电压：VCEO = 50V。 高集电极电流：IC = 150mA（最大值）。 高hFE：hFE = 70至700。 出色的hFE线性度：hFE（IC = 0.1mA）/ hFE（IC = 2mA）= 0.95（典型值）。 低噪声：NF = 1dB（典型值），10dB（最大值）。应用：低频放大器。 音频通用放大器应用
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1284

    • 200+

      ￥0.0987

    • 600+

      ￥0.0822

    • 3000+

      ￥0.0723

    • 9000+

      ￥0.0637

    • 21000+

      ￥0.0591
  • 有货
    • 立即购买
    NPN+PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：LMBT3946DW1T1G 编号：C136169
    封装：SC-88
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：产品材料符合RoHS要求且无卤素。 S前缀适用于汽车和其他需要独特现场和控制变更要求的应用；通过AEC-Q101认证并具备PPAP能力。 低集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)） ≤ 0.4V。 简化电路设计。 减少电路板空间。 减少元件数量。 直流电流增益（hFE）为100-300
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1371

    • 200+

      ￥0.1061

    • 600+

      ￥0.0889

    • 3000+

      ￥0.0785

    • 9000+

      ￥0.0696

    • 21000+

      ￥0.0648
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:0.17A
    型号：LBSS123LT1G 编号：C8491
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    N沟道,100V,0.17A,6Ω@10V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.141

    • 200+

      ￥0.1083

    • 600+

      ￥0.0902

    • 3000+

      ￥0.0793

    • 9000+

      ￥0.0699

    • 21000+

      ￥0.0648
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC817-40-6AF 编号：C48587114
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    晶体管类型: NPN,集电极电流(Ic): 500mA,集射极击穿电压 45V,耗散功率(Pd): 300mW

    • 20+

      ￥0.1459

    • 200+

      ￥0.1126

    • 600+

      ￥0.094

    • 3000+

      ￥0.0829

    • 9000+

      ￥0.0732

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：MU3401V 编号：C34373740
    封装：SOT-23-3L
    品牌：MP(美禄科技)
    类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：39mΩ

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    NPN 电流:150mA 电压:50V
    型号：2SC2712-GR,LF 编号：C83447
    封装：SOT-23
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    用于音频频率的通用放大器应用。具有高电压和高电流、出色的hFE线性度、高hFE、低噪声等特点，采用小封装。
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    PNP 电流:0.2A 电压:40V
    型号：MMBT3906M 编号：C2910283
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：与MMBT3904M互补。 小封装
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:0.2A
    型号：BSS123 编号：C431506
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：低RDS(on)，VGS = 10V。 5V逻辑电平控制。 N沟道SOT23封装。 HMB ESD保护。 无铅，符合RoHS标准。应用：继电器驱动器。 开关
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
    型号：2SK3541 编号：C504051
    封装：SOT-723
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：低导通电阻。 快速开关速度。 低电压驱动，适用于便携式设备。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用：接口。 开关
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    PNP 电流:150mA 电压:50V
    型号：2SA1037AKT146R 编号：C111697
    封装：TO-236-3(SOT-23-3)
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：通用型。 无铅/符合RoHS标准。应用：开关电路。 LED驱动电路
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