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1个P沟道 耐压:30V 电流:80A
型号：AOD403 编号：C6396161
封装：TO-252
品牌：JSMSEMI(杰盛微)
便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗

  • 5+

    ￥1.401395 ￥1.6487

  • 50+

    ￥1.1101 ￥1.306

  • 150+

    ￥0.985235 ￥1.1591

  • 500+

    ￥0.82943 ￥0.9758

  • 2500+

    ￥0.71791 ￥0.8446

  • 5000+

    ￥0.67626 ￥0.7956
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:13A
    型号：RSS090P03-JSM 编号：C18191266
    封装：SOP-8
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。

    • 5+

      ￥0.663085 ￥0.7801

    • 50+

      ￥0.573835 ￥0.6751

    • 150+

      ￥0.535585 ￥0.6301

    • 500+

      ￥0.487815 ￥0.5739

    • 3000+

      ￥0.466565 ￥0.5489

    • 6000+

      ￥0.453815 ￥0.5339
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:20V 电流:65A
    型号：AP2045Q 编号：C2828594
    封装：DFN-8(3x3.1)
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    AP2045Q系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种适用于广泛功率应用的高效器件。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7351

    • 50+

      ￥0.5537

    • 150+

      ￥0.4629

    • 500+

      ￥0.3949

    • 2500+

      ￥0.3405

    • 5000+

      ￥0.3132
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:40V 电流:3A
    型号：SI2319DS 编号：C5122037
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：负载/电源开关。接口开关。逻辑电平转换
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7686

    • 50+

      ￥0.6102

    • 150+

      ￥0.531

    • 500+

      ￥0.4716

    • 3000+

      ￥0.4116

    • 6000+

      ￥0.3878
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
    型号：TMN6030DF 编号：C7463247
    封装：PDFN3x3-8L
    品牌：TMC(台懋)
    N沟道,60V,30A,28mΩ@10v

    • 5+

      ￥0.7803

    • 50+

      ￥0.6199

    • 150+

      ￥0.5396

    • 500+

      ￥0.45543 ￥0.4794

    • 2500+

      ￥0.409735 ￥0.4313

    • 5000+

      ￥0.38684 ￥0.4072
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道20V快速开关MOSFET
    型号：XR65P02D 编号：C42456904
    封装：PDFN-8L(3.3x3.3)
    品牌：XNRUSEMI(新锐)
    高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

    • 5+

      ￥0.87291 ￥0.9699

    • 50+

      ￥0.69147 ￥0.7683

    • 150+

      ￥0.61371 ￥0.6819

    • 500+

      ￥0.51669 ￥0.5741

    • 2500+

      ￥0.47349 ￥0.5261

    • 5000+

      ￥0.44757 ￥0.4973
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:20V 电流:2.8A
    型号：AO6604 编号：C5182068
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8754

    • 50+

      ￥0.6931

    • 150+

      ￥0.6019

    • 500+

      ￥0.5336

    • 3000+

      ￥0.4561

    • 6000+

      ￥0.4288
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 耐压:55V 电流:19A
    型号：IRF9Z34N(UMW) 编号：C18207547
    封装：TO-220
    品牌：UMW(友台半导体)
    MOS管

    • 5+

      ￥1.0048

    • 50+

      ￥0.8756

    • 150+

      ￥0.8203

    • 500+

      ￥0.7512

    • 2500+

      ￥0.7205

    • 5000+

      ￥0.702
  • 有货
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:16A 14A
    型号：AON3611-HXY 编号：C5148676
    封装：DFN-8L(3x3)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    此款消费级N+P沟道MOSFET采用DFN3X3-8L封装，集成双通道技术，额定电压30V，最大连续电流16A。专为现代电子设备设计，适用于电源转换、负载管理与电池系统控制，提供高效能、紧凑型的半导体解决方案。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.01025 ￥1.1225

    • 10+

      ￥0.82107 ￥0.9123

    • 30+

      ￥0.73998 ￥0.8222

    • 100+

      ￥0.63882 ￥0.7098

    • 500+

      ￥0.59373 ￥0.6597

    • 1000+

      ￥0.46422 ￥0.5158
  • 有货
    • 立即购买
    PBSS304NZ
    型号：PBSS304NZ 编号：C51939587
    封装：SOT-223
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)

    • 5+

      ￥1.01346 ￥1.3335

    • 50+

      ￥0.802788 ￥1.0563

    • 150+

      ￥0.7125 ￥0.9375

    • 500+

      ￥0.599868 ￥0.7893

    • 2500+

      ￥0.549708 ￥0.7233

    • 5000+

      ￥0.519612 ￥0.6837
  • 有货
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    N沟道100V快速开关MOSFET
    型号：XRS50N10LF 编号：C42457062
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：XNRUSEMI(新锐)
    特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能

    • 5+

      ￥1.0152 ￥1.128

    • 50+

      ￥0.89235 ￥0.9915

    • 150+

      ￥0.8397 ￥0.933

    • 500+

      ￥0.774 ￥0.86

    • 2500+

      ￥0.74475 ￥0.8275

    • 5000+

      ￥0.7272 ￥0.808
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V
    型号：FDN340P 编号：C75469
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道逻辑电平 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电电路和 DC/DC 转换。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0258

    • 50+

      ￥0.8191

    • 150+

      ￥0.7306

    • 500+

      ￥0.6201

    • 3000+

      ￥0.4975

    • 6000+

      ￥0.4679
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:30A
    型号：Si7850DP-HXY 编号：C5148670
    封装：DFN5x6-8L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款N型场效应管具有30A的电流承载能力，60V的电压耐受性，内阻典型值为20mΩ，适用于高电流、低内阻需求的场景。其VGS为20V，确保了良好的开关控制性能。适用于多种应用，包括但不限于电源管理、负载开关等。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.06343 ￥1.1194

    • 50+

      ￥0.86089 ￥0.9062

    • 150+

      ￥0.774155 ￥0.8149

    • 500+

      ￥0.665855 ￥0.7009

    • 2500+

      ￥0.549195 ￥0.5781

    • 5000+

      ￥0.52022 ￥0.5476
  • 有货
    • 立即购买
    NPN+PNP 电流:100mA 电压:45V
    型号：BC847BPN-QX 编号：C5205162
    封装：SOT-323-6
    品牌：Nexperia(安世)
    NPN/PNP通用晶体管对，采用非常小的SOT363 (SC-88) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

    • 5+

      ￥1.1298

    • 50+

      ￥0.8966

    • 150+

      ￥0.7967

    • 500+

      ￥0.65184 ￥0.672

    • 3000+

      ￥0.571039 ￥0.5887

    • 6000+

      ￥0.538641 ￥0.5553
  • 有货
    • 立即购买
    双N沟道60V MOSFET
    型号：XRS60V06F 编号：C42457040
    封装：PDFN-8L(5x6)
    品牌：XNRUSEMI(新锐)
    特性：Split Gate Trench MOSFET技术。 出色的散热封装。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。 电源管理功能

    • 5+

      ￥1.17135 ￥1.3015

    • 50+

      ￥1.0296 ￥1.144

    • 150+

      ￥0.96885 ￥1.0765

    • 500+

      ￥0.89307 ￥0.9923

    • 2500+

      ￥0.85932 ￥0.9548

    • 5000+

      ￥0.83907 ￥0.9323
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:2A 电压:30V
    型号：PBSS4230T,215 编号：C456109
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    NPN BISS晶体管，采用SOT23塑料封装，提供超低的VCEsat和RCEsat参数。PNP互补型号：PBSS5230T。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1821

    • 50+

      ￥0.9319

    • 150+

      ￥0.8247

    • 500+

      ￥0.66336 ￥0.691

    • 3000+

      ￥0.606144 ￥0.6314

    • 6000+

      ￥0.571872 ￥0.5957
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:31A
    型号：ESN7403 编号：C5140350
    封装：PDFN3x3-8L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    P沟道，-30V,，-31A，13.0mΩ@-10V,-8A，-1.5V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册

    • 1+

      ￥1.1932

    • 10+

      ￥0.9176

    • 30+

      ￥0.7994

    • 100+

      ￥0.652

    • 500+

      ￥0.5864

    • 1000+

      ￥0.547
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:330mA
    型号：BSN20BKR 编号：C118033
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    N沟道,60V,0.265A,2.8Ω@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1951

    • 50+

      ￥0.9572

    • 150+

      ￥0.8553

    • 500+

      ￥0.706257 ￥0.7281

    • 3000+

      ￥0.651064 ￥0.6712

    • 6000+

      ￥0.618084 ￥0.6372
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
    型号：WSP6946 编号：C148408
    封装：SOP-8
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSP6946是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP6946符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过抗雪崩能量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.21131 ￥1.3459

    • 50+

      ￥0.96183 ￥1.0687

    • 150+

      ￥0.85491 ￥0.9499

    • 500+

      ￥0.72144 ￥0.8016

    • 3000+

      ￥0.61803 ￥0.6867

    • 6000+

      ￥0.58239 ￥0.6471
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:150mA 电压:4V
    型号：BFP650H6327 编号：C151520
    封装：SOT-343-4
    品牌：Infineon(英飞凌)
    射频三极管 NPN
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2185

    • 50+

      ￥1.0802

    • 150+

      ￥1.021

    • 500+

      ￥0.947

    • 3000+

      ￥0.7198

    • 6000+

      ￥0.7
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:1A 电压:60V
    型号：PBSS4160XF 编号：C551905
    封装：SOT-89
    品牌：Nexperia(安世)
    NPN低VCEsat小信号(BISS)晶体管，采用中功率SOT89（SC-62）扁平引脚表面贴装器件(SMD)塑封封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2284

    • 50+

      ￥0.9932

    • 150+

      ￥0.8923

    • 500+

      ￥0.73584 ￥0.7665

    • 2500+

      ￥0.68208 ￥0.7105

    • 4000+

      ￥0.649824 ￥0.6769
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:11A
    型号：AOSP21321 编号：C560863
    封装：SOIC-8
    品牌：AOS
    数据手册

    • 5+

      ￥1.273

    • 50+

      ￥1.0253

    • 150+

      ￥0.9192

    • 500+

      ￥0.7867

    • 3000+

      ￥0.635

    • 6000+

      ￥0.5996
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:13.5A
    型号：AO4264E 编号：C334232
    封装：SOIC-8
    品牌：AOS
    N沟道 60V 13.5A
    数据手册

    • 5+

      ￥1.2921

    • 50+

      ￥1.0401

    • 150+

      ￥0.9321

    • 500+

      ￥0.7973

    • 3000+

      ￥0.6461

    • 6000+

      ￥0.61
  • 有货
    • 立即购买
    2个P沟道 耐压:20V 电流:3.2A
    型号：WST2011 编号：C148368
    封装：SOT-23-6L
    品牌：WINSOK(微硕)
    WST2011是具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST2011符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全面的可靠性测试。
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    N沟道和P沟道快速开关MOSFET
    型号：XR50G30F 编号：C42457193
    封装：PDFN5060-8L
    品牌：XNRUSEMI(新锐)
    高性能互补N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量，具备完整功能可靠性认证。

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      ￥1.30959 ￥1.4551

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    PNP 电流:100mA 电压:45V
    型号：BCM857DS,135 编号：C549565
    封装：TSOP-6
    品牌：Nexperia(安世)
    采用小型表面贴装器件（SMD）塑料封装的 PNP/PNP 匹配双晶体管。这些晶体管内部完全隔离。
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    耐压:30V 电流:6A
    型号：IRF9389TRPBF 编号：C5123912
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：电池保护。负载开关
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
    型号：NVTFS5116PL-HXY 编号：C5148669
    封装：DFN-8L(3x3)
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款场效应管具有20A的电流承载能力，60V的耐压特性，内阻典型值为55mΩ，适用于高电流、低损耗的应用场景。其P型结构使得它在特定电路设计中表现出色，确保了高效的电流控制和稳定的性能表现。
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:20A
    型号：HSBB0012 编号：C701031
    封装：PRPAK3x3-8L
    品牌：HUASHUO(华朔)
    HSBB0012是新一代MOSFET，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于高效电源管理应用。HSBB0012符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:12A
    型号：IRLHS6242TRPBF 编号：C150933
    封装：PQFN-6-EP(2x2)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,20V,12A,11.7Ω@4.5V
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