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价格(含税)

库存

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NPN 电流:300mA 电压:300V

型号：MMBTA42-6AF 编号：C48587177

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

晶体管类型:NPN,集电极电流(Ic): 300mA,集射极击穿电压 300V,耗散功率(Pd): 350mW

20+
￥0.1931
200+
￥0.149
600+
￥0.1244
3000+
￥0.1097
9000+
￥0.0969
21000+
￥0.09

有货

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PNP 电流:500mA 电压:150V

型号：MMBT5401LT3G 编号：C512989

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

此高电压 PNP 双极晶体管适用于通用开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

数据手册

20+
￥0.1944
200+
￥0.1523
600+
￥0.1289
2000+
￥0.1149
10000+
￥0.1015
20000+
￥0.0949

有货

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NPN 电流:800mA 电压:75V

型号：BCW66H 编号：C20618086

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

三极管

20+
￥0.196
200+
￥0.1555
600+
￥0.133
3000+
￥0.1195
9000+
￥0.1078

有货

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D档 160-300 NPN 电流:1.5A 电压:25V

型号：SS8050(RANGE:160-300) 编号：C150546

封装：TO-92

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：功率耗散：Pem: 1W (Tc = 25°C)，2W (Tc = 25°C)

数据手册

20+
￥0.2071
200+
￥0.1671
1000+
￥0.1449
2000+
￥0.1316
10000+
￥0.1201

有货

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耐压:30V 电流:0.1A

型号：2SK3541 编号：C2912553

封装：SOT-723

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

20+
￥0.2111
200+
￥0.1633
600+
￥0.1367
2000+
￥0.1207
8000+
￥0.0968
16000+
￥0.0894

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.1A

型号：LP3407LT1G 编号：C49583

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

P沟道,-30V,-4.1A,70mΩ@-10V

数据手册

10+
￥0.2247
100+
￥0.1762
300+
￥0.152
3000+
￥0.1339
6000+
￥0.1193
9000+
￥0.1121

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:4.2A

型号：AO3414A 编号：C347498

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至1.8V的栅极电压下工作。 VDS(V) = 20V。 ID = 4.2A (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 26mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 36mΩ (VGS = 2.5V)。 RDS(ON) < 57mΩ (VGS = 1.8V)。应用：负载开关。 PWM应用

数据手册

20+
￥0.2343
200+
￥0.1765
600+
￥0.1444
3000+
￥0.1252
9000+
￥0.1085
21000+
￥0.0995

有货

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G档(200-400) NPN 电流:700mA 电压:60V

型号：2SC1008(RANGE:200-400) 编号：C180417

封装：TO-92

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：通用开关和放大

数据手册

20+
￥0.2378
200+
￥0.1881
1000+
￥0.1532
2000+
￥0.1366
10000+
￥0.1223

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:2.4A

型号：FDN304P(UMW) 编号：C347509

封装：SOT-23

品牌：UMW(友台半导体)

特性：该P沟道1.8V指定MOSFET采用先进的低压PowerTrench工艺。 VDS(V) = 20V。 ID =-2.4A。 RDS(ON)< 52mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON)< 70mΩ (VGS = 2.5V)。 RDS(ON)< 100mΩ (VGS =-1.8V)。应用：电池保护。负载开关

数据手册

20+
￥0.2436
200+
￥0.1853
600+
￥0.1529
3000+
￥0.127
9000+
￥0.1101
21000+
￥0.101

有货

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100~300 PNP 电流:0.2A 电压:150V

型号：MMDT5401(RANGE:100-300) 编号：C54540

封装：SOT-363

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：外延平面管芯结构。有互补NPN型 (MMDT 5551)。适用于中功率放大和开关

数据手册

10+
￥0.2453
100+
￥0.1964
300+
￥0.1719
3000+
￥0.1535
6000+
￥0.1389
9000+
￥0.1315

有货

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N沟道 AO3402M-6AF SOT-23

型号：AO3402M-6AF 编号：C48587112

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

N沟道,30V,5.6A,25mΩ@4.5V

10+
￥0.2465
100+
￥0.1931
300+
￥0.1664
3000+
￥0.1464
6000+
￥0.1304
9000+
￥0.1223

有货

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P沟道耐压:30V 电流:4.2A

型号：IRLML6344TRPBF 编号：C28646354

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

20+
￥0.2546
200+
￥0.2011
600+
￥0.1714
3000+
￥0.1536
9000+
￥0.1382

有货

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电流:200mA 电压:400V

型号：MMBTA44 编号：C2926184

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

放大倍数100-200 400V电压

数据手册

20+
￥0.2556
200+
￥0.2043
600+
￥0.1758
3000+
￥0.1464
9000+
￥0.1315
21000+
￥0.1236

有货

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耐压:30V 电流:7.5A

型号：AO6402A(UMW) 编号：C7394013

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进沟槽技术，提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。 VDS(V) = 30V。 ID = 7.5A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 24mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 4.5V）

10+
￥0.2561
100+
￥0.2241
300+
￥0.208
3000+
￥0.196
6000+
￥0.1864
9000+
￥0.1816

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:5A

型号：8205A 编号：C351449

封装：SOT-23-6

品牌：UMW(友台半导体)

特性：BVDSs = 20V。 RDS(ON) ≤ 27mΩ (VGS = 4.5V, ID = 5A)。 RDS(ON) ≤ 36mΩ (VGS = 2.5V, ID = 3A)。低栅极电荷。快速开关能力。高可靠性和耐用性。应用：便携式设备。电池供电系统

数据手册

20+
￥0.2589
200+
￥0.1952
600+
￥0.1598
3000+
￥0.1385
9000+
￥0.1201
21000+
￥0.1102

有货

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电流:1A 电压:80V

型号：BCX56-16 编号：C37331485

封装：SOT-89

品牌：GOODWORK(固得沃克)

电流:1A 耐压:80V (hFE):250@150mA,2V

10+
￥0.2873 ￥0.338
100+
￥0.23018 ￥0.2708
300+
￥0.20162 ￥0.2372
1000+
￥0.1802 ￥0.212
5000+
￥0.16303 ￥0.1918
10000+
￥0.154445 ￥0.1817

有货

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200-350 NPN 电流:1.5A 电压:25V

型号：PXT8050(RANGE:200-350) 编号：C8629

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：与PXT8550互补

数据手册

10+
￥0.301
100+
￥0.2458
300+
￥0.2182
1000+
￥0.1799
5000+
￥0.1634
10000+
￥0.1551

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:9A

型号：SSM3K333R,LF 编号：C395454

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：4.5V驱动低导通电阻：RDS(ON) = 42mΩ（最大值）(VGS = 4.5V)；RDS(ON) = 28mΩ（最大值）(VGS = 10V)。应用：电源管理开关应用。高速开关应用

数据手册

10+
￥0.3057
100+
￥0.2395
300+
￥0.2064
3000+
￥0.1816
6000+
￥0.1617
9000+
￥0.1518

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.1A

型号：NCE3407 编号：C113770

封装：SOT-23

品牌：NCE(无锡新洁能)

P沟道，-30V，-4.1A，60毫欧。

数据手册

10+
￥0.3175
100+
￥0.2455
300+
￥0.2095
3000+
￥0.1825
6000+
￥0.1609
9000+
￥0.15

有货

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PNP 电流:1A 电压:80V

型号：BCX53 编号：C5204760

封装：SOT-89

品牌：TWGMC(迪嘉)

晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：80V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：1W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：25@5mA,2V

数据手册

10+
￥0.3382 ￥0.356
100+
￥0.27436 ￥0.2888
300+
￥0.24244 ￥0.2552
1000+
￥0.19722 ￥0.2076
5000+
￥0.17803 ￥0.1874
10000+
￥0.16853 ￥0.1774

有货

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耐压:20V 电流:4A

型号：DMG3415U 编号：C7202986

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -20V，ID = -4A。 RDS(ON) < 36mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 49mΩ @ VGS = -2.5V。 ESD Rating: 2500V HBM。应用：负载/电源开关。接口开关

10+
￥0.3506
100+
￥0.2766
300+
￥0.2397
3000+
￥0.212
6000+
￥0.1898
9000+
￥0.1787

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:115mA

型号：2N7002T-7-F 编号：C139445

封装：SOT-523

品牌：DIODES(美台)

新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

10+
￥0.3665
100+
￥0.2969
300+
￥0.2621
3000+
￥0.2152
6000+
￥0.1943
9000+
￥0.1839

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:380mA

型号：2V7002KT1G 编号：C415857

封装：SOT-23

品牌：onsemi(安森美)

特性：ESD 保护。低 RDS(on)。表面贴装封装。 2V 前缀适用于需要独特现场和控制变更要求的汽车和其他应用；符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，且符合 RoHS 标准。应用：低端负载开关。电平转换电路

数据手册

10+
￥0.3728
100+
￥0.3016
300+
￥0.2659
3000+
￥0.217
6000+
￥0.1956
9000+
￥0.1849

有货

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R档 180-390 PNP 电流:2A 电压:50V

型号：2SA1797(RANGE:180-390) 编号：C148095

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低饱和电压。出色的直流电流增益特性。与2SC4672互补

数据手册

10+
￥0.3765
100+
￥0.3385
300+
￥0.3195
1000+
￥0.2862
5000+
￥0.2748
10000+
￥0.2691

有货

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60V 3A

型号：SI2310A 编号：C5350874

封装：SOT-23

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

10+
￥0.3841
100+
￥0.3025
300+
￥0.2617
3000+
￥0.2311
6000+
￥0.2066
9000+
￥0.1944

有货

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NPN 电流:3A 电压:30V

型号：2SD1624 编号：C475586

封装：SOT-89

品牌：SHIKUES(时科)

特性：功率耗散。塑料封装晶体管（NPN）

数据手册

10+
￥0.39995 ￥0.421
100+
￥0.317015 ￥0.3337
300+
￥0.275595 ￥0.2901
1000+
￥0.2394 ￥0.252
5000+
￥0.21451 ￥0.2258
10000+
￥0.20216 ￥0.2128

有货

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N沟道,电流:20A,耐压:30V

型号：20N03 编号：C19271469

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

阈值电压VGS:±20

10+
￥0.4047
100+
￥0.3192
300+
￥0.2764
2500+
￥0.2336
5000+
￥0.2079
10000+
￥0.1951

有货

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hfe=160~320 PNP 电流:1A 电压:160V

型号：2SA1013(RANGE:160-320) 编号：C24264

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：高电压-大连续集电极电流能力

数据手册

10+
￥0.4172
100+
￥0.336
300+
￥0.2953
1000+
￥0.2649
5000+
￥0.2405
10000+
￥0.2283

有货

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电流:3A 耐压:50V

型号：PBSS4350X-GK 编号：C51912410

封装：SOT-89

品牌：GOODWORK(固得沃克)

三极管应用于放大电路、开关电路以及振荡电路等领域

10+
￥0.44821 ￥0.4718
100+
￥0.35701 ￥0.3758
300+
￥0.31141 ￥0.3278
1000+
￥0.266855 ￥0.2809
5000+
￥0.239495 ￥0.2521
10000+
￥0.22572 ￥0.2376

有货

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SOT-223 塑料封装晶体管

型号：PZT2222A 编号：C189428

封装：SOT-223

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：外延平面管芯结构。有互补PNP型（PZT2907A）

数据手册

10+
￥0.4513
100+
￥0.362
300+
￥0.3174
2500+
￥0.2746
5000+
￥0.2478
10000+
￥0.2344

有货

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