晶体管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-252

特性：使用先进的沟槽技术设计。提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。符合RoHS标准。 VDS(V) = 68V。 ID = 88A(VGS = 10V)。 RDS(ON) = 6.3mΩ(VGS = 10V)。快速开关。低导通电阻(Rdson ≤ 29mΩ)。低反向传输电容。 100%单脉冲雪崩能量测试。 100% ΔVDS测试

数据手册

5+
￥1.4324
50+
￥1.12
150+
￥0.9861
500+
￥0.8191
2500+
￥0.7447
5000+
￥0.7

有货

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型号：AGM628MAP 编号：C22364308

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM628MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

5+
￥1.4362
50+
￥1.1338
150+
￥1.0042
500+
￥0.8425
2500+
￥0.7315
5000+
￥0.6883

有货

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型号：RUH4040M2 编号：C49021258

封装：DFN-8L(3x3)

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

5+
￥1.4547
50+
￥1.1523
150+
￥1.0227
500+
￥0.861
2500+
￥0.789

有货

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型号：SI7129DN-T1-GE3 编号：C727679

封装：PowerPAK1212-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。低热阻。 PowerPAK封装，尺寸小，厚度为1.07mm。 100%进行Rg和UIS测试。应用：负载开关。适配器开关

数据手册

5+
￥1.5165
50+
￥1.3356
150+
￥1.2581
500+
￥1.1613
3000+
￥1.1182
6000+
￥1.0924

有货

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型号：AOD4184A 编号：C5370959

封装：TO-252-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：Vds = 60V。 ID = 53A。 Rds(ON) 12mΩ，Vgs = 10V。 Rds(ON) 17mΩ，Vgs = 4.5V。应用：负载开关。 PWM应用

数据手册

5+
￥1.5353
50+
￥1.1875
150+
￥1.0385
500+
￥0.8525
2500+
￥0.7697
5000+
￥0.72

有货

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型号：WSF70P03 编号：C148439

封装：TO-252

品牌：WINSOK(微硕)

WSF70P03是一款具有极高单元密度的高性能沟槽P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF70P03符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥1.53576 ￥1.7064
10+
￥1.44 ￥1.6
30+
￥1.35621 ￥1.5069
100+
￥1.27926 ￥1.4214
500+
￥1.18323 ￥1.3147
1000+
￥1.17 ￥1.3

有货

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型号：TPPXN012-60QLJ 编号：C49230914

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥1.5388
50+
￥1.2062
150+
￥1.0636
500+
￥0.8858
2500+
￥0.8066

有货

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型号：Si4178DY-T1-GE3 编号：C75685

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100% Rg 和 0H3 测试。符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：笔记本系统电源。低电流 DC/DC

数据手册

5+
￥1.5515
50+
￥1.2027
150+
￥1.0532
500+
￥0.8666
2500+
￥0.7836

有货

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型号：FDC5614P 编号：C48167

封装：SuperSOT-6

品牌：onsemi(安森美)

P沟道,-60V,-3A,105mΩ@-10V

数据手册

5+
￥1.619
50+
￥1.2612
150+
￥1.1078
500+
￥0.9164
3000+
￥0.8312
6000+
￥0.7801

有货

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型号：BCV62,215 编号：C139953

封装：SOT-143

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT143B表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用双晶体管。

数据手册

5+
￥1.6237
50+
￥1.289
150+
￥1.1456
500+
￥0.947268 ￥0.9666
3000+
￥0.869162 ￥0.8869
6000+
￥0.822318 ￥0.8391

有货

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型号：AON7409 编号：C41348138

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥1.63989 ￥1.7262
50+
￥1.28079 ￥1.3482
150+
￥1.12689 ￥1.1862
500+
￥0.934895 ￥0.9841
2500+
￥0.849395 ￥0.8941
5000+
￥0.798 ￥0.84

有货

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型号：IRF7424TRPBF 编号：C5350821

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥1.6426
50+
￥1.2898
150+
￥1.1386
500+
￥0.95
3000+
￥0.866
6000+
￥0.8155

有货

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型号：FZT651TA 编号：C24098

封装：SOT-223

品牌：DIODES(美台)

特性：BVCEO > 60V。 IC = 3A 高连续电流。 ICM = 6A 峰值脉冲电流。低饱和电压 VCE(sat) < 300mV @ 1A。互补 PNP 型。无铅表面处理；符合 RoHS 标准。无卤素和锑。“绿色”器件

数据手册

5+
￥1.6583
50+
￥1.3103
150+
￥1.1611
1000+
￥0.975
2000+
￥0.8922
5000+
￥0.8425

有货

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型号：AO4800 编号：C17098

封装：SOIC-8

品牌：AOS

N沟道,30V,6.9A,27mΩ@10V

数据手册

5+
￥1.6963
50+
￥1.3536
150+
￥1.2067
500+
￥0.967
3000+
￥0.8854
6000+
￥0.8364

有货

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型号：AOD409(UMW) 编号：C7471849

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷和低栅极电阻。采用TO-252封装，具有出色的热阻，适用于高电流负载应用。 VDS =-60V。 ID =-26A（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 48mΩ（VGS = 10V）。 RDS(ON) < 55mΩ（VGS = 4.5V）

5+
￥1.7096
50+
￥1.3371
150+
￥1.1775
500+
￥0.9783
2500+
￥0.8896
5000+
￥0.8364

有货

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型号：RS4N90D 编号：C7465277

封装：TO-252

品牌：REASUNOS(瑞森半导体)

超高压MOS，伺服驱动，工控辅助电源，工业电表

5+
￥1.827515 ￥1.9237
50+
￥1.420535 ￥1.4953
150+
￥1.246115 ￥1.3117
500+
￥1.02847 ￥1.0826
2500+
￥0.93157 ￥0.9806
5000+
￥0.87343 ￥0.9194

有货

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型号：SI4825DDY-T1-GE3 编号：C143671

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤。 TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。 100% UIS测试。应用：负载开关。笔记本适配器开关

数据手册

1+
￥1.83
10+
￥1.6
30+
￥1.51
100+
￥1.39
500+
￥1.33
1000+
￥1.3

有货

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型号：NDT2955 编号：C5246423

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

NDT2955 高开启标准Vth:3.0

数据手册

1+
￥1.87
10+
￥1.65
30+
￥1.56
100+
￥1.44
500+
￥1.24
1000+
￥1.21

有货

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型号：SI2328DS-T1-GE3 编号：C467896

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤。 100% Rg 和 UIS 测试。符合 RoHS 指令 2002/95/EC 的 TrenchFET 功率 MOSFET

数据手册

5+
￥1.961
50+
￥1.558
150+
￥1.3853
500+
￥1.146404 ￥1.1698
3000+
￥1.052324 ￥1.0738
6000+
￥0.995974 ￥1.0163

有货

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型号：NTD5867NLT4G 编号：C5350885

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V, ID = 20A。 RDS(ON) < 33mΩ @ VGS = 10V。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

5+
￥1.9726
50+
￥1.5406
150+
￥1.3555
500+
￥1.1245
2500+
￥1.0217
5000+
￥0.9599

有货

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型号：APG077N01G 编号：C2840980

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：ALLPOWER(铨力)

特性：100V，90A。 RDS(ON) < 7.7mΩ @VGS = 10V (典型值: 6.2mΩ)。 RDS(ON) < 10mΩ @VGS = 4.5V (典型值: 8.0mΩ)。分裂栅沟槽技术。获得无铅产品认证。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。负载开关

数据手册

1+
￥1.9964
10+
￥1.7595
30+
￥1.658
100+
￥1.5313
500+
￥1.1337
1000+
￥1.0999

有货

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型号：NCEP4045GU 编号：C502973

封装：DFN5X6-8L

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCEP4045GU采用了超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻Rds(on)和栅极电荷Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流应用

数据手册

5+
￥2.0179
50+
￥1.5517
150+
￥1.3519
500+
￥1.1027
2500+
￥0.9917
5000+
￥0.925

有货

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型号：DMHC3025LSD-13 编号：C156387

封装：SO-8

品牌：DIODES(美台)

新一代互补MOSFET H桥，具有低导通电阻，可通过低栅极驱动实现。

数据手册

5+
￥2.0445
50+
￥1.6614
150+
￥1.4973
500+
￥1.0884
2500+
￥0.9972
5000+
￥0.9424

有货

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型号：WSP4445 编号：C719112

封装：SO-8

品牌：WINSOK(微硕)

特性：可靠耐用。提供无铅和环保设备（符合RoHS标准）。HBM ESD保护等级通过8KV。应用：LCD TV逆变器中的电源管理

数据手册

5+
￥2.05
50+
￥1.75
150+
￥1.6
500+
￥1.45
3000+
￥1.35
6000+
￥1.25

有货

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型号：AO4800-VB 编号：C709891

封装：SO-8

品牌：VBsemi(微碧半导体)

台积电流片，长电科技封装；是一款双路N+N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于中功率功率控制和开关应用，中功率电子设备的功率开关和控制模块。SOP8；2个N—Channel沟道,30V；6.8A；RDS(ON)=22mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~2.5V；

数据手册

5+
￥2.06606 ￥2.1748
50+
￥1.639985 ￥1.7263
150+
￥1.4573 ￥1.534
500+
￥1.22949 ￥1.2942
2500+
￥0.996645 ￥1.0491
4000+
￥0.935845 ￥0.9851

有货

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型号：FDS4435BZ 编号：C23931

封装：SO-8

品牌：onsemi(安森美)

此 P 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适用于笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

数据手册

5+
￥2.0891
50+
￥1.7212
150+
￥1.5635
500+
￥1.3667
2500+
￥1.2791
5000+
￥1.2266

有货

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型号：SQ2361CEES-T1_GE3 编号：C29267586

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET。典型ESD保护：800V。通过AEC-Q101认证。100%进行Rg和UIS测试

5+
￥2.1493
50+
￥1.6964
150+
￥1.5022
500+
￥1.2348 ￥1.26
3000+
￥1.129156 ￥1.1522
6000+
￥1.06575 ￥1.0875

有货

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型号：AGM18N10MNA 编号：C42372674

封装：PDFN5x6-8

品牌：AGMSEMI(芯控源)

类型：双N沟道漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流（Id）：35A功率(Pd）：50W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：18mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：26nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.08nF@50V ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)