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价格(含税)

库存

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MMBT5551

型号：MMBT5551 编号：C2977363

封装：SOT-23

品牌：PJSEMI(平晶微)

特性：适用于开关和音频放大器应用

数据手册

50+
￥0.1044
500+
￥0.0817
3000+
￥0.0674
6000+
￥0.0598
24000+
￥0.0533
51000+
￥0.0497

有货

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PNP 电流:800mA 电压:25V

型号：S8550-6AF 编号：C48587105

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

晶体管类型: PNP,集电极电流(Ic): 500mA,集射极击穿电压 25V,耗散功率(Pd): 300mW

50+
￥0.1069
500+
￥0.0824
3000+
￥0.0689
6000+
￥0.0607
24000+
￥0.0537
51000+
￥0.0498

有货

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NPN 电流:600mA 电压:40V

型号：MMBT4401-6AF 编号：C48587183

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

晶体管类型: NPN,集电极电流(Ic): 600mA,集射极击穿电压 40V,耗散功率(Pd): 250mW

50+
￥0.1069
500+
￥0.0824
3000+
￥0.0689
6000+
￥0.0607
24000+
￥0.0537
51000+
￥0.0498

有货

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J档 300-400 NPN 电流:1.5A 电压:25V

型号：SS8050(RANGE:300-400) 编号：C177739

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：与SS8550互补

数据手册

50+
￥0.1086
500+
￥0.0876
3000+
￥0.075
6000+
￥0.068

有货

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PNP 电流:600mA 电压:40V

型号：PMBT4403,215 编号：C75556

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP开关晶体管。

数据手册

20+
￥0.1304
200+
￥0.1015
600+
￥0.0854
3000+
￥0.073854 ￥0.0746
9000+
￥0.065538 ￥0.0662
21000+
￥0.061083 ￥0.0617

有货

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NPN 电流:600mA 电压:160V

型号：HMMBT5551T 编号：C41419589

封装：SOT-523

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款NPN型双极结型晶体管（BJT）支持最大集电极电流（IC）为0.6A，最大集电极-发射极电压（VCEO）为160V，电流增益（HFE）在100至300之间，特征频率（FT）高达300MHz。该晶体管适合用于高频放大和高速开关应用，是构建高性能通信设备、数据传输系统以及日常家用电子产品中信号处理电路的理想选择，能够在各种电子设计中实现高效稳定的信号控制。

20+
￥0.131
200+
￥0.1013
600+
￥0.0848
3000+
￥0.0749
9000+
￥0.0663
21000+
￥0.0616

有货

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-30V P沟道MOSFET

型号：AO3407A 编号：C49195707

封装：SOT-23

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：VDS(max) = -30V。 ID(max) = -4A。 RDS(ON) < 51mΩ (max)@VGS = -10V。 RDS(ON) < 70mΩ (max)@VGS = -4.5V。先进沟槽技术。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。电源管理

20+
￥0.1377
200+
￥0.108
600+
￥0.0915
3000+
￥0.0816
9000+
￥0.073
21000+
￥0.0684

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:360mA

型号：BSS138W-7-F-ES 编号：C5224279

封装：SOT-323

品牌：ElecSuper(静芯)

带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。

数据手册

10+
￥0.1385
100+
￥0.1061
300+
￥0.0881
3000+
￥0.0857
6000+
￥0.0763
9000+
￥0.0713

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:0.75A

型号：KM3134K 编号：C5438456

封装：SOT-723

特性：先进的沟槽工艺技术。低阈值电压。快速开关速度。无卤无铅。低导通电阻（RDS(on)）的N沟道开关。应用：便携式设备的负载开关。电压控制小信号开关

数据手册

20+
￥0.1432
200+
￥0.1108
600+
￥0.0928
2000+
￥0.082
8000+
￥0.0696
16000+
￥0.0645

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100mA

型号：2SK3019 编号：C5439971

封装：SOT-523

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：低导通电阻。快速开关速度。低电压驱动，使该器件适用于便携式设备。易于设计驱动电路。易于并联

20+
￥0.1433
200+
￥0.112
600+
￥0.0946
3000+
￥0.0865
9000+
￥0.0774
21000+
￥0.0725

有货

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P沟道12V（D-S）MOSFET

型号：SI2305-L 编号：C41376472

封装：SOT-23

品牌：PIELENST(派量)

这款是P沟道增强型MOSFET,VDS电压12V，ID电流4.1A。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

20+
￥0.1487
200+
￥0.1163
600+
￥0.0983
2000+
￥0.0875
10000+
￥0.0781
20000+
￥0.0731

有货

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PNP 电流:1.5A 电压:25V

型号：PXT8550 编号：C5189268

封装：SOT-89

品牌：TWGMC(迪嘉)

晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：1.5A 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@100mA,1V 200-350 PNP

数据手册

20+
￥0.15525 ￥0.1725
200+
￥0.12222 ￥0.1358
1000+
￥0.10197 ￥0.1133
2000+
￥0.09099 ￥0.1011
10000+
￥0.08145 ￥0.0905
20000+
￥0.07632 ￥0.0848

有货

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2N2907AU 2907A

型号：2N2907AU 编号：C5362129

封装：SOT-89

品牌：CBI(创基)

用于开关和音频放大器应用。晶体管根据其直流电流增益细分为一组。

数据手册

20+
￥0.1684
200+
￥0.1461
1000+
￥0.1258
2000+
￥0.1184
10000+
￥0.112
20000+
￥0.1085

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:4.1A

型号：AO3407-JSM 编号：C18190306

封装：SOT-23

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

适用于电池保护、负载开关及电源管理等领域。其优越的导通电阻和快速切换性能确保了在低压电路中的出色能效与稳定性。

20+
￥0.16983 ￥0.1998
200+
￥0.130815 ￥0.1539
600+
￥0.10914 ￥0.1284
3000+
￥0.101915 ￥0.1199
9000+
￥0.09061 ￥0.1066
21000+
￥0.084575 ￥0.0995

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：AP3400 编号：C353070

封装：SOT-23

品牌：ALLPOWER(铨力)

SOT23 塑封封装 N 道 MOS 场效应管。

数据手册

20+
￥0.1707
200+
￥0.1302
600+
￥0.1077
3000+
￥0.1058
9000+
￥0.0941
21000+
￥0.0878

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:5.8A

型号：IRLML6344TRPBF-HXY 编号：C6285738

封装：SOT-23

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于30V电压系统，提供高达5.8A的大电流承载能力。具备出色的低导通电阻与快速开关特性，特别适合充电器、电源模块及高效能电子设备中，实现精准、稳定的功率控制和转换需求。

20+
￥0.170765 ￥0.2009
200+
￥0.13124 ￥0.1544
600+
￥0.10931 ￥0.1286
3000+
￥0.095115 ￥0.1119
9000+
￥0.08364 ￥0.0984
21000+
￥0.07752 ￥0.0912

有货

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hfe:220~475 PNP 电流:100mA 电压:45V

型号：BC857B,215 编号：C59205

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用晶体管。

数据手册

20+
￥0.1716
200+
￥0.1326
600+
￥0.111
3000+
￥0.0967
9000+
￥0.0854
21000+
￥0.0794

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:0.2A

型号：BSS123 编号：C431506

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

特性：低RDS(on)，VGS = 10V。 5V逻辑电平控制。 N沟道SOT23封装。 HMB ESD保护。无铅，符合RoHS标准。应用：继电器驱动器。开关

数据手册

20+
￥0.1754
200+
￥0.1351
600+
￥0.1127
3000+
￥0.0924
9000+
￥0.0807
21000+
￥0.0745

有货

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P沟道增强型MOSFET 1个P沟道耐压:30V 电流:3.5A

型号：AO3407 编号：C6562206

封装：SOT-23

品牌：YONGYUTAI(永裕泰)

特性：RDS(ON) ≤ 52 mΩ @ VGS =-10 V。 RDS(ON) ≤ 87 mΩ @ VGS =-4.5 V。高速开关。驱动电路简单。易于并联使用。应用：笔记本电脑电源管理。开关应用

20+
￥0.1841
200+
￥0.1462
600+
￥0.1252
3000+
￥0.1082
9000+
￥0.0972
21000+
￥0.0913

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:0.7A

型号：DMN26D0UFB4-7-HXY 编号：C6285768

封装：DFN1006-3L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本产品是一款N型场效应管，具有0.7A的电流处理能力和20V的耐压范围。其内阻典型值为220毫欧姆，适用于低功耗电路设计。VGS为10V，确保稳定的开关控制。适用于多种电子设备，提升电源效率和系统稳定性。

20+
￥0.184977 ￥0.1989
200+
￥0.144801 ￥0.1557
600+
￥0.122481 ￥0.1317
2000+
￥0.109089 ￥0.1173
10000+
￥0.09579 ￥0.103
20000+
￥0.089466 ￥0.0962

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:0.55A

型号：DMG1013T 编号：C2830306

封装：SOT-523

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -20V, ID = -0.5A。 RDS(ON) < 610mΩ @ VGS = -4.5V。 RDS(ON) < 920mΩ @ VGS = -2.5V。 ESD保护。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

10+
￥0.186
100+
￥0.1618
300+
￥0.1497
3000+
￥0.1406
6000+
￥0.1334
9000+
￥0.1297

有货

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2个N沟道耐压:60V 电流:300mA

型号：2N7002KDW 编号：C2919800

封装：SOT-363

品牌：CBI(创基)

特性：高密度单元设计，实现低RDS(on)。电压控制小信号开关。坚固可靠。高饱和电流能力。 ESD保护。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器

数据手册

20+
￥0.2037
200+
￥0.1605
600+
￥0.1365
3000+
￥0.1137
9000+
￥0.1012
21000+
￥0.0944

有货

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100~400 PNP 电流:500mA 电压:60V

型号：MMBTA55(RANGE:100-400) 编号：C61005

封装：SOT-23

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：驱动晶体管

数据手册

20+
￥0.2104
200+
￥0.1685
600+
￥0.1453
3000+
￥0.1231
9000+
￥0.111

有货

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NPN 电流:1A 电压:60V

型号：FMMT491 编号：C7461214

封装：SOT-23

品牌：BORN(伯恩半导体)

外延平面管芯结构，SOT-23塑料封装。

10+
￥0.2242
100+
￥0.1982
300+
￥0.1852
3000+
￥0.1573
6000+
￥0.1495
9000+
￥0.1456

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:4A

型号：AO3415 编号：C181094

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：使用先进的沟槽技术。提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。低栅极电荷。可在低至1.8V的栅极电压下工作

数据手册

10+
￥0.231135 ￥0.2433
100+
￥0.18468 ￥0.1944
300+
￥0.161405 ￥0.1699
3000+
￥0.12939 ￥0.1362
6000+
￥0.115425 ￥0.1215
9000+
￥0.10849 ￥0.1142

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:9A

型号：DO3012AA 编号：C42374608

封装：SOT-23-3

品牌：DOINGTER(杜因特)

N管/30V/9A/10mΩ/(典型9mΩ)

20+
￥0.2419
200+
￥0.1884
600+
￥0.1587
2000+
￥0.1409
10000+
￥0.1255
20000+
￥0.1172

有货

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NPN 电流:0.2A 电压:160V

型号：MMDT5551DW 编号：C2919803

封装：SOT-363

品牌：CBI(创基)

特性：外延平面管芯结构。有互补PNP类型（MMDT5401）。适用于中功率放大和开关

数据手册

20+
￥0.2441
200+
￥0.1977
600+
￥0.1719
3000+
￥0.1224
9000+
￥0.109
21000+
￥0.1018

有货

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N沟道 AO3402M-6AF SOT-23

型号：AO3402M-6AF 编号：C48587112

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

N沟道,30V,5.6A,25mΩ@4.5V

10+
￥0.2465
100+
￥0.1931
300+
￥0.1664
3000+
￥0.1464
6000+
￥0.1304
9000+
￥0.1223

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:300mA

型号：NX7002AK,215 编号：C255584

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

20+
￥0.2527
200+
￥0.2004
600+
￥0.1714
3000+
￥0.14938 ￥0.154
9000+
￥0.134733 ￥0.1389
21000+
￥0.126779 ￥0.1307

有货

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NPN 电流:100mA 电压:45V

型号：BC847A,215 编号：C131674

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

NPN通用晶体管，采用小型SOT23 (TO-236AB)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

数据手册

10+
￥0.2972
100+
￥0.2394
300+
￥0.2105
3000+
￥0.183136 ￥0.1888
6000+
￥0.166258 ￥0.1714
9000+
￥0.157819 ￥0.1627

有货

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