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封装：SOT-23(TO-236)

台积电流片，长电科技封装；是一款单P型场效应管，采用Trench工艺制造，适用于广泛的领域和模块，包括电源管理、电路保护、低功耗应用、传感器接口和医疗电子等领域。SOT23；P—Channel沟道,-60V；-5.2A；RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；

数据手册

5+
￥1.653475 ￥1.7405
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￥1.299125 ￥1.3675
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￥1.147315 ￥1.2077
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￥0.95779 ￥1.0082
3000+
￥0.845025 ￥0.8895
6000+
￥0.79439 ￥0.8362

有货

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型号：STD20NF06LT4 编号：C5350879

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = 60V，ID = 25A。 RDS(ON) < 33mΩ @ VGS = 10V。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

5+
￥1.6121
50+
￥1.2694
150+
￥1.1225
500+
￥0.9393
2500+
￥0.8101
5000+
￥0.7611

有货

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型号：NTF2955T1G 编号：C5246422

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

NTF2955T1G 高开启标准Vth:3.0

数据手册

5+
￥1.6218
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￥1.3972
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￥1.3009
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￥1.0943
2500+
￥1.0409
5000+
￥1.0088

有货

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型号：PBSS4540X,135 编号：C551944

封装：SOT-89

品牌：Nexperia(安世)

NPN低VCEsat晶体管，采用中功率SOT89 (SC-62)封装。PNP互补型号为PBSS540X。

数据手册

5+
￥1.6514
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￥1.2801
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￥1.1209
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￥0.9224
2500+
￥0.834
4000+
￥0.7809

有货

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型号：TPN2R703NL,L1Q(ES) 编号：C49108772

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：ElecSuper(静芯)

N沟道，30V，80A，2.4mΩ@10V,20A，1.6V@250μA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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￥1.86
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￥1.64
30+
￥1.54
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￥1.42
500+
￥1.37
1000+
￥1.33

有货

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型号：SUF630G-TN3-R 编号：C20616635

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

N沟道耐压:200V 电流:9A 类型:N沟道漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):250mΩ@10V,4.5A

5+
￥1.8695
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￥1.4663
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￥1.2935
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￥1.0779
2500+
￥1.0299

有货

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型号：NDT2955 编号：C5246423

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

NDT2955 高开启标准Vth:3.0

数据手册

1+
￥1.87
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￥1.65
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￥1.56
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￥1.44
500+
￥1.24
1000+
￥1.21

有货

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型号：STN1NK80Z 编号：C118277

封装：SOT-223

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,800V,250mA,16Ω@10V

数据手册

5+
￥1.9489
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￥1.5161
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￥1.3306
500+
￥1.0991
2500+
￥0.9961
4000+
￥0.9342

有货

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型号：7N65F 编号：C347321

封装：TO-220F

品牌：UMW(友台半导体)

特性：VDS(V)=650V。ID = 7A。RDS(ON) ≤ 1.4Ω (VGS = 10V)

数据手册

5+
￥2.0406
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￥1.4142
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￥1.2672
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￥1.0837
2000+
￥1.002
5000+
￥0.953

有货

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型号：IPD50N04S4-08 编号：C5370957

封装：TO-252-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：Vds = 60V。 ID = 53A。 Rds(ON) 12mΩ，Vgs = 10V。 Rds(ON) 17mΩ，Vgs = 4.5V。应用：负载开关。 PWM应用

数据手册

5+
￥2.0444
50+
￥1.5908
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￥1.3964
500+
￥1.1539
2500+
￥1.0459
5000+
￥0.9811

有货

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型号：SP010N04BGTH 编号：C22385380

封装：TO-252

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品

5+
￥2.0729 ￥2.182
50+
￥1.61291 ￥1.6978
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￥1.41588 ￥1.4904
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￥1.242885 ￥1.3083
2500+
￥1.133445 ￥1.1931
5000+
￥1.067705 ￥1.1239

有货

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型号：PBSS4120T,215 编号：C455069

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

NPN BISS晶体管采用SOT23塑料封装，提供超低的VcEsat和RcEsat参数。PNP互补型号为PBSS5120T。

数据手册

5+
￥2.0743
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￥1.6316
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￥1.4419
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￥1.2052
3000+
￥1.0998
6000+
￥1.0365

有货

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型号：SP40P04NK 编号：C41355035

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：Siliup(矽普)

中低压MOSFET产品，P沟道，耐压：-40V,电流：-85A,RDSON:4.9mR

5+
￥2.079835 ￥2.1893
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￥1.649105 ￥1.7359
150+
￥1.46452 ￥1.5416
500+
￥1.234145 ￥1.2991
2500+
￥1.13164 ￥1.1912
5000+
￥1.07008 ￥1.1264

有货

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型号：WSP4099 编号：C148423

封装：SOP-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSP4099是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4099符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过输出特性雪崩耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥2.0864
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￥1.658
30+
￥1.4744
100+
￥1.2453
500+
￥1.1433
1000+
￥1.0566

有货

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型号：IRLR120NTRPBF 编号：C2594

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,10A,185mΩ@10V

数据手册

5+
￥2.1052
50+
￥1.689
150+
￥1.5106
500+
￥1.16
2000+
￥1.0609
4000+
￥1.0014

有货

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型号：CMSA80P06A 编号：C22364965

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

P沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻。该器件适用于负载开关或PWM应用。

1+
￥2.185 ￥2.3
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￥1.7005 ￥1.79
30+
￥1.501 ￥1.58
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￥1.2445 ￥1.31
500+
￥1.197 ￥1.26
1000+
￥1.121 ￥1.18

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型号：TPH1R403NL-HXY 编号：C7543027

封装：DFN5x6-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，具有出色的功率密度。额定电压30V，峰值电流高达150A，特别适用于空间受限且需要高效能开关控制的电路设计，如电源转换、负载开关及电池管理系统等应用。

5+
￥2.33358 ￥2.5365
50+
￥1.937152 ￥2.1056
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￥1.767228 ￥1.9209
500+
￥1.32526 ￥1.4405
2500+
￥1.230868 ￥1.3379
5000+
￥1.174196 ￥1.2763

有货

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型号：BSP613P 编号：C5246421

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

BSP613P 高开启标准Vth:3.0

数据手册

5+
￥2.39
50+
￥1.88
150+
￥1.67
500+
￥1.26
2500+
￥1.14
5000+
￥1.06

有货

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型号：SI9407AEY 编号：C5122044

封装：SOIC-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：负载/电源开关。接口。开关逻辑电平转换

数据手册

5+
￥2.4572
50+
￥1.9969
150+
￥1.7996
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￥1.5535
3000+
￥1.295
6000+
￥1.2292

有货

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型号：NDS9948 编号：C5197325

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

1+
￥2.46
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￥1.95
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￥1.73
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￥1.46
500+
￥1.23
1000+
￥1.16

有货

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型号：IRFL9014TRPBF 编号：C3054

封装：SOT-223

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-60V,-1.8A,500mΩ@-10V

数据手册

5+
￥2.5158
50+
￥2.0601
150+
￥1.8647
500+
￥1.5031
2500+
￥1.3945
5000+
￥1.3294

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型号：IRF530NS-JSM 编号：C7496524

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于高频开关电源、有源功率因数校正。

1+
￥2.556 ￥2.84
10+
￥1.989 ￥2.21
30+
￥1.746 ￥1.94
100+
￥1.449 ￥1.61
500+
￥1.404 ￥1.56
800+
￥1.323 ￥1.47

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型号：SM409T9RL-HXY 编号：C48972137

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

P沟道场效应管（MOSFET），漏源电压（VDSS）为60V，持续漏极电流（ID）可达30A，适用于多种电源管理场景。导通电阻（RDON）仅为29mΩ，有助于减少功率损耗并提升整体效率。该器件基于P沟道设计，常用于直流电机驱动、电池充放电控制及开关电源电路中。凭借其高可靠性与优异的热稳定性，可广泛适配于通信设备、智能家居装置以及便携式电子产品的电源系统。