晶体管_厂家_价格_品牌_库存

N沟道,50V,0.2A,3.5Ω@10V

数据手册

10+
￥0.364
100+
￥0.3011
300+
￥0.2697
3000+
￥0.2461
6000+
￥0.2273
9000+
￥0.2178

有货

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型号：TPDMP2165UW 编号：C5197343

封装：SOT-323

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

10+
￥0.3835
100+
￥0.3115
300+
￥0.2755
3000+
￥0.2275
6000+
￥0.2059
9000+
￥0.195

有货

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型号：SSM3J334R,LF 编号：C396017

封装：SOT-23F

品牌：TOSHIBA(东芝)

适用于电源管理开关应用。

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10+
￥0.4116
100+
￥0.3298
300+
￥0.289
3000+
￥0.2583
6000+
￥0.2338
9000+
￥0.2215

有货

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型号：DMG1013UW-7 编号：C211434

封装：SOT-323

P 沟道,-20V,-820mA,1.5Ω@-1.8V

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10+
￥0.4274
100+
￥0.3482
300+
￥0.3086
3000+
￥0.2789
6000+
￥0.2551
9000+
￥0.2432

有货

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型号：ZXMN3F30FHTA 编号：C19829418

封装：SOT-23

特性：VDS = 30V，ID = 3A。 RDS(ON) < 95mΩ @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 75mΩ @ VGS = 10V。应用：负载开关。 PWM应用

10+
￥0.435385 ￥0.4583
100+
￥0.344185 ￥0.3623
300+
￥0.298585 ￥0.3143
3000+
￥0.264385 ￥0.2783
6000+
￥0.237025 ￥0.2495
9000+
￥0.22325 ￥0.235

有货

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型号：D882H(RANGE:160-320) 编号：C106810

封装：SOT-89-3L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：低VCE(sat)。大电流容量

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10+
￥0.4387
100+
￥0.3523
300+
￥0.3091
1000+
￥0.2748
5000+
￥0.2489
10000+
￥0.2359

有货

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型号：AP4606C 编号：C2833151

封装：SOP-8

SOP-8塑封封装互补增强模式MOS场效应管。

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10+
￥0.4389
100+
￥0.3573
300+
￥0.3165
1000+
￥0.2859
4000+
￥0.2192
8000+
￥0.2069

有货

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型号：AP4953 编号：C353083

封装：SOP-8

SOP-8 塑封封装双 P 沟道 MOS 场效应管。

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5+
￥0.4414
50+
￥0.3588
150+
￥0.3176
500+
￥0.2866
2500+
￥0.2618
4000+
￥0.2494

有货

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型号：SI2318CDS 编号：C5122034

封装：SOT-23-3

应用：负载/电源开关。接口开关。超小型便携式电子设备的电池管理。逻辑电平转换

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5+
￥0.4459
50+
￥0.3909
150+
￥0.3634
500+
￥0.3428
3000+
￥0.3163
6000+
￥0.3081

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型号：SC015P2G 编号：C41367295

封装：SOP-8

品牌：DOINGTER(杜因特)

P管/-30V/-10A/15mΩ(典型值12mΩ)

10+
￥0.4471
100+
￥0.3594
300+
￥0.3155
3000+
￥0.2771
6000+
￥0.2508
9000+
￥0.2376

有货

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型号：BSS123NH6327 编号：C5205497

封装：TO-236-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道增强模式。逻辑电平（额定 4.5V）。雪崩额定。根据 AEC Q101 认证。 100% 无铅；符合 RoHS 标准，无卤素

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10+
￥0.4551
100+
￥0.3672
300+
￥0.3233
3000+
￥0.2904
6000+
￥0.264
9000+
￥0.2508

有货

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型号：CZT5551 编号：C189433

封装：SOT-223

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：高电压：适用于高电压放大器应用

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10+
￥0.4611
100+
￥0.3683
300+
￥0.3219
2500+
￥0.287
5000+
￥0.2592
10000+
￥0.2453

有货

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型号：AP4438 编号：C353072

封装：SOT-89

AP4438系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种超高效的器件，可广泛应用于各种电源领域。SOT89封装在所有采用红外回流焊技术的商业 - 工业表面贴装应用中广受青睐，适用于电压转换或开关应用

数据手册

10+
￥0.4672
100+
￥0.3736
300+
￥0.3268
1000+
￥0.2931
5000+
￥0.265
10000+
￥0.251

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型号：AP3010 编号：C353073

封装：SOP-8

特性：30V, 10A，RDS(ON) < 10mΩ（VGS = 10V，典型值：8.5mΩ），RDS(ON) < 14mΩ（VGS = 4.5V，典型值：11mΩ）。先进的沟槽技术。获得无铅产品认证。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。负载开关

数据手册

10+
￥0.4828
100+
￥0.3685
300+
￥0.3114
1000+
￥0.2686
4000+
￥0.2343
8000+
￥0.2171

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型号：DOD20N06 编号：C36499181

封装：TO-252

品牌：DOINGTER(杜因特)

N管/60V/20A/36mΩ(典型27mΩ)

10+
￥0.4899
100+
￥0.3982
300+
￥0.3523
2500+
￥0.3084
5000+
￥0.2809
10000+
￥0.2671

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型号：2SC3356 编号：C713604

封装：SOT-23

品牌：LGE(鲁光)

特性：低噪声和高增益。典型噪声系数NF = 1.1dB，典型增益G = 11dB，条件为Vce = 10V，Ic = 7mA，f = 1.0GHz。高功率增益。典型最大可用增益MAG = 13dB，条件为Vce = 10V，Ic = 20mA，f = 1.0GHz。应用：设计用于甚高频（VHF）、超高频（UHF）和有线电视（CATV）频段的低噪声放大器

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5+
￥0.501505 ￥0.5279
50+
￥0.406695 ￥0.4281
150+
￥0.35929 ￥0.3782
500+
￥0.32376 ￥0.3408
3000+
￥0.29526 ￥0.3108
6000+
￥0.28101 ￥0.2958

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型号：AP4410 编号：C2837277

封装：SOP-8

特性：30V，15A。 RDS(ON) < 8mΩ（VGS = 10V，典型值6.5mΩ）。 RDS(ON) < 13mΩ（VGS = 4.5V，典型值10.2mΩ）。先进的沟槽技术。获得无铅产品认证。出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。负载开关

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5+
￥0.5108
50+
￥0.4052
150+
￥0.3524
500+
￥0.3128
2500+
￥0.2987
4000+
￥0.2829

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型号：BCP56-16 编号：C2909805

封装：SOT-223

品牌：Slkor(萨科微)

特性：用于音频驱动和输出级。集电极电流高。集电极-发射极饱和电压低。互补类型：BCP51 ... BCP53（PNP）

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10+
￥0.5271
100+
￥0.4313
300+
￥0.3834
2500+
￥0.3109
5000+
￥0.2821
10000+
￥0.2677

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型号：DMP2120U 编号：C5122017

封装：SOT-23

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥0.5399
50+
￥0.4343
150+
￥0.3815
500+
￥0.3419
3000+
￥0.2744
6000+
￥0.2585

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型号：BC807-16,215 编号：C131673

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

采用小型SOT23（TO - 236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装的PNP通用晶体管。

数据手册

10+
￥0.562
100+
￥0.4828
300+
￥0.4432
3000+
￥0.4135
6000+
￥0.3897
9000+
￥0.3779

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型号：D882M(RANGE:160-320) 编号：C28734

封装：TO-252-2L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

特性：功率耗散

数据手册

5+
￥0.5845
50+
￥0.467
150+
￥0.4082
500+
￥0.3641
2500+
￥0.3288
5000+
￥0.3111

有货

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型号：4410 编号：C2922757

封装：SOP-8

品牌：KUU

4410将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

数据手册

5+
￥0.5909
50+
￥0.4757
150+
￥0.4181
500+
￥0.3749
2500+
￥0.2993
4000+
￥0.282

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型号：15N10 编号：C7471106

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

15N10是高性能的沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。15N10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.5922
50+
￥0.473
150+
￥0.4134
500+
￥0.3687
2500+
￥0.311
5000+
￥0.2932

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型号：SI2302DDS-T1-GE3 编号：C194092

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤产品。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100%进行 Rg 测试。符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC 转换器

数据手册

5+
￥0.6531
50+
￥0.5216
150+
￥0.4559
500+
￥0.4066
3000+
￥0.3196
6000+
￥0.2999

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型号：DMN6140L-13 编号：C211403

封装：SOT-23

这新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。

数据手册

5+
￥0.6778
50+
￥0.542
150+
￥0.4741
500+
￥0.4232
2500+
￥0.3825
5000+
￥0.3621

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型号：SP3023CTM 编号：C49257229

封装：TO-252-4L

品牌：Siliup(矽普)

N+P MOSFET产品，耐压：30V，电流：N 25A/P -21A, Rdson：N 10mR/P 20mR

5+
￥0.6896
50+
￥0.5511
150+
￥0.4819
500+
￥0.43
2500+
￥0.3971
5000+
￥0.3763

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型号：NTGD3148NT1G 编号：C5123953

封装：SOT-23-6

应用：笔记本电脑。负载开关。网络。手持仪器

数据手册

5+
￥0.6917
50+
￥0.5597
150+
￥0.4937
500+
￥0.4442
3000+
￥0.36
6000+
￥0.3401

有货

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型号：FMMT493TA 编号：C435889

封装：SOT-23