晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRF9540NS 编号：C19272230

封装：TO-263

品牌：minos(迈诺斯)

IRF9540NS采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

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￥3.57
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￥2.92
30+
￥2.6
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￥2.28
500+
￥1.9
800+
￥1.8

有货

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型号：FDS9958 编号：C5197324

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

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￥3.29
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￥2.62
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￥2.34
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￥1.98
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￥1.64
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￥1.54

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型号：IPD50P04P4L-11 编号：C5370996

封装：TO-252-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -40V。 ID = -50A。 RDS(ON) < -13mΩ @ VGS = -10V (Type:9.0mΩ)。应用：负载/电源开关。接口开关

数据手册

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￥3.31
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￥2.67
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￥2.34
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￥2.02
500+
￥1.83
1000+
￥1.73

有货

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型号：NCEP40T13GU 编号：C191993

封装：DFN5X6-8L

品牌：NCE(无锡新洁能)

N沟道,40V,130A,2.3mΩ@10V

数据手册

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￥3.45
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￥2.66
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￥1.89
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￥1.7
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型号：PMV100XPEAR 编号：C553079

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

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￥3.48
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￥2.72
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￥2.4
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￥1.94 ￥2
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￥1.7654 ￥1.82
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￥1.6587 ￥1.71

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型号：BSC070N10NS5 编号：C534364

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

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￥3.56
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￥2.88
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￥2.59
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￥1.94
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￥1.78
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￥1.68

有货

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型号：STP55NF06 编号：C10657

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,60V,50A,15mΩ@10V

数据手册

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￥3.71
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￥3.05
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￥2.71
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￥2.38
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￥2.19
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￥2.08

有货

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型号：CMSA5950A 编号：C5203728

封装：DFN-8(5x6)

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSA5950A采用先进技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源（SMPS）的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用应用。

数据手册

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￥3.74
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￥3.07
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￥2.74
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￥2.41
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￥1.96
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￥1.86

有货

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型号：CJAC130SN06L 编号：C5441189

封装：PDFNWB5x6-8L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CJAC130SN06L采用屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

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￥3.76
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￥3.07
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￥2.72
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￥2.38
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￥2.17
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￥2.07

有货

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型号：SI7149ADP-T1-GE3 编号：C554002

封装：SO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET功率MOSFET，低导通电阻，低压降。扩展的VGS最大额定值：25V。 100% Rg和UIS测试。应用：电池、负载和适配器开关。笔记本电脑

数据手册

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￥4.14
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￥3.36
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￥2.98
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￥2.36
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￥2.24

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型号：IRF9540NSTRLPBF 编号：C33903

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-23A,117mΩ@-10V

数据手册

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￥4.24
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￥3.18
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￥2.83
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￥2.13
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￥2.02

有货

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型号：SUD50P06-15 编号：C7472883

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：RDS(ON) 14mΩ@VGS = -10V (Typ)。 RDS(ON) 16mΩ@VGS = -4.5V (Typ)。超高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。出色的导通电阻和最大直流电流能力。应用：笔记本电脑电源管理。 DC/DC转换器

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￥2.46
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￥2.32

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型号：IRFH7004TRPBF 编号：C112334

封装：PQFN-8(4.9x5.8)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全特性电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。符合 RoHS 标准，无铅、无溴、无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

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￥4.66
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￥3.49
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￥2.9545 ￥3.11
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￥2.261 ￥2.38
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￥2.147 ￥2.26

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型号：IRF3205STRLPBF 编号：C2613

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,55V,110A,8mΩ@10V

数据手册

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￥4.81
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￥3.57
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型号：AGM035N10A 编号：C5297509

封装：PDFN5x6-8L

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM035N10A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

数据手册

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￥4.833 ￥5.37
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￥3.978 ￥4.42
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￥3.546 ￥3.94
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￥3.123 ￥3.47
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￥2.34 ￥2.6

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型号：CJAC100P03 编号：C504076

封装：PDFNWB5x6-8L

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CJAC100P03采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

数据手册

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￥4.92
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￥2.61

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型号：SIR182DP-T1-RE3 编号：C467943

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。针对最低的RDS-Qoss FOM进行了调整。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。初级侧开关

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￥4.99
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￥4.51
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￥4.27
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￥3.8285 ￥4.03
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￥3.2965 ￥3.47
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￥3.2205 ￥3.39

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型号：IRLR7843TRPBF 编号：C21988

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,30V,161A,4mΩ@4.5V

数据手册

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￥5.28
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￥4.29
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￥3.8
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￥3.3
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￥3.01
1000+
￥2.86

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型号：BSC028N06NS 编号：C148250

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,60V,100A,2.8mΩ@10V

数据手册

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￥5.43
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￥4.4
30+
￥3.88
100+
￥3.37
500+
￥3.06
1000+
￥2.91

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型号：BSC072N08NS5 编号：C431094

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源进行优化，例如同步整流。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥5.65
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￥3.41
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￥2.9

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型号：IRFR4620TRLPBF 编号：C500531

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 200V 24A

数据手册

1+
￥5.68
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￥4.25
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￥3.78
500+
￥2.88
1000+
￥2.74

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型号：BSC060N10NS3G 编号：C501504

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：非常低的栅极电荷，适用于高频应用。为直流-直流转换进行优化。 N 沟道，正常电平。出色的栅极电荷×导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM）。极低的导通电阻 RDS(on)。 150℃工作温度。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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