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首页 > 热门关键词 > 晶体管
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P沟道,-20V,-5.5A,29mΩ@-4.5V
  • 20+

    ¥0.2007
  • 200+

    ¥0.1548
  • 600+

    ¥0.1293
  • 3000+

    ¥0.114
  • 9000+

    ¥0.1007
  • 21000+

    ¥0.0936
  • 有货
  • 这款SOT-89封装的PNP型三极管,拥有25V的VCEO耐压值和1.5A的稳定集电极电流IC,其放大倍数范围在200至300之间,适用于高增益、大电流应用场景,是您电子设计与制造的理想选择。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1565
    • 200+

      ¥0.1209
    • 1000+

      ¥0.1016
    • 2000+

      ¥0.0898
    • 10000+

      ¥0.0795
    • 20000+

      ¥0.0739
  • 有货
  • SOT23-3塑封封装 N 道 MOS 场效应管。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1636
    • 100+

      ¥0.1476
    • 300+

      ¥0.1395
    • 3000+

      ¥0.1335
  • 有货
  • 特性:驱动晶体管
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1636
    • 200+

      ¥0.1298
    • 600+

      ¥0.111
    • 3000+

      ¥0.0997
    • 9000+

      ¥0.0899
    • 21000+

      ¥0.0847
  • 有货
  • 此 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-416/SC-75 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1653
    • 200+

      ¥0.1292
    • 600+

      ¥0.1092
    • 3000+

      ¥0.0927
    • 9000+

      ¥0.0823
    • 21000+

      ¥0.0767
  • 有货
  • 漏源电压:30V 连续漏极电流:5.7A 导通电阻:48mΩ@2.5V 耗散功率:1.4W 阀值电压:0.65V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
    • 20+

      ¥0.1711
    • 200+

      ¥0.1318
    • 600+

      ¥0.11
    • 3000+

      ¥0.0969
    • 9000+

      ¥0.0855
    • 21000+

      ¥0.0794
  • 有货
  • 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1842
    • 200+

      ¥0.1475
    • 600+

      ¥0.1271
    • 3000+

      ¥0.1092
    • 9000+

      ¥0.0986
    • 21000+

      ¥0.0928
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1907
    • 100+

      ¥0.1677
    • 300+

      ¥0.1562
    • 3000+

      ¥0.1406
    • 6000+

      ¥0.1337
    • 9000+

      ¥0.1303
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1928
    • 200+

      ¥0.1437
    • 600+

      ¥0.1164
    • 3000+

      ¥0.1069
    • 9000+

      ¥0.0927
    • 21000+

      ¥0.085
  • 有货
  • 漏源电压:30V 连续漏极电流:4.2A 导通电阻:120mΩ@2.5V 耗散功率:1.4W 阀值电压:0.4V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
    • 20+

      ¥0.193
    • 200+

      ¥0.1484
    • 600+

      ¥0.1237
    • 3000+

      ¥0.1088
    • 9000+

      ¥0.0959
    • 21000+

      ¥0.089
  • 有货
  • N管/100V/3A/280mΩ(典型220mΩ)
    • 20+

      ¥0.197
    • 200+

      ¥0.1543
    • 600+

      ¥0.1306
    • 3000+

      ¥0.1076
    • 9000+

      ¥0.0953
    • 21000+

      ¥0.0886
  • 有货
  • 特性:超低导通电阻:VDS = 30V,RDS(ON) ≤ 52mΩ @VGS = 10V,ID = 4A。 适用于PWM应用。 适用于负载开关应用。 表面贴装器件
    数据手册
    • 20+

      ¥0.200735 ¥0.2113
    • 200+

      ¥0.156655 ¥0.1649
    • 600+

      ¥0.132145 ¥0.1391
    • 3000+

      ¥0.12692 ¥0.1336
    • 9000+

      ¥0.11419 ¥0.1202
    • 21000+

      ¥0.10735 ¥0.113
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 适用于低功率放大和开关。 互补PNP型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2015
    • 200+

      ¥0.159
    • 600+

      ¥0.1354
    • 3000+

      ¥0.1079
    • 9000+

      ¥0.0956
    • 21000+

      ¥0.089
  • 有货
  • WNM66002 是 N 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、功率开关和充电电路
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2142
    • 200+

      ¥0.1743
    • 600+

      ¥0.1521
    • 3000+

      ¥0.1388
    • 9000+

      ¥0.1272
    • 21000+

      ¥0.121
  • 有货
  • 特性:使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 VDS = 30V。 ID = 5.8A(VGS = 10V)。 RDS(ON) = 18mΩ(典型值)@VGS = 10V。 RDS(ON) = 24mΩ(典型值)@VGS = 10V
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2233
    • 200+

      ¥0.1728
    • 600+

      ¥0.1448
    • 3000+

      ¥0.1279
    • 9000+

      ¥0.1134
    • 21000+

      ¥0.1055
  • 有货
  • N 沟道增强型场效应晶体管 (FET),采用沟槽 MOSFET 技术,采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2246
    • 200+

      ¥0.176
    • 600+

      ¥0.149
    • 3000+

      ¥0.1328
    • 9000+

      ¥0.1188
    • 21000+

      ¥0.1112
  • 有货
  • 特性:无铅产品。 表面贴装封装。 低导通电阻的P沟道开关。 在低逻辑电平栅极驱动下工作。 栅极具有ESD保护。应用:负载/电源开关。 接口开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2254
    • 200+

      ¥0.1806
    • 600+

      ¥0.1557
    • 2000+

      ¥0.1407
    • 10000+

      ¥0.1278
    • 20000+

      ¥0.1208
  • 有货
  • P沟道,-30V,-4.2A,70mΩ@-4.5V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2383
    • 100+

      ¥0.1911
    • 300+

      ¥0.1675
    • 3000+

      ¥0.1498
    • 6000+

      ¥0.1356
    • 9000+

      ¥0.1285
  • 有货
  • 这款单N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计,旨在优化导通电阻RDS(ON)。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.251
    • 200+

      ¥0.2052
    • 600+

      ¥0.1797
    • 3000+

      ¥0.1576
    • 9000+

      ¥0.1443
  • 有货
  • 3400采用先进的沟槽技术,可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2795
    • 100+

      ¥0.2219
    • 300+

      ¥0.1931
    • 3000+

      ¥0.1571
    • 6000+

      ¥0.1398
    • 9000+

      ¥0.1311
  • 有货
  • 此款SOT-23封装的PNP三极管,具备40V高击穿电压VCEO和1.5A大电流承载能力,放大倍数高达300至480,尤其适用于需要高增益、大电流处理能力的电子电路中,提供卓越的信号放大功能。
    • 10+

      ¥0.284952 ¥0.3064
    • 100+

      ¥0.224688 ¥0.2416
    • 300+

      ¥0.194556 ¥0.2092
    • 3000+

      ¥0.160239 ¥0.1723
    • 6000+

      ¥0.142197 ¥0.1529
    • 9000+

      ¥0.133083 ¥0.1431
  • 有货
  • N沟道,20V,6.8A,16mΩ@4.5V
    • 10+

      ¥0.2856
    • 100+

      ¥0.2237
    • 300+

      ¥0.1928
    • 3000+

      ¥0.1696
    • 6000+

      ¥0.151
    • 9000+

      ¥0.1417
  • 有货
  • 特性:开关晶体管。 极低的饱和电压。 互补NPN类型。应用:栅极驱动MOSFET和IGBT。 DC-DC转换器
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2879
    • 100+

      ¥0.2351
    • 300+

      ¥0.2087
    • 3000+

      ¥0.1669
    • 6000+

      ¥0.1511
    • 9000+

      ¥0.1432
  • 有货
  • PMOS, -30V -4.2A ,RDS(ON)<72mΩ@VGS=-4.5V
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2989
    • 100+

      ¥0.2499
    • 300+

      ¥0.2254
    • 3000+

      ¥0.207
    • 6000+

      ¥0.1924
    • 9000+

      ¥0.185
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.319
    • 100+

      ¥0.2556
    • 300+

      ¥0.2239
    • 3000+

      ¥0.2002
    • 6000+

      ¥0.1812
    • 9000+

      ¥0.1716
  • 有货
  • 特性:高功率和电流处理能力。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。应用:PWM应用。 负载开关
    • 10+

      ¥0.3354
    • 100+

      ¥0.2634
    • 300+

      ¥0.2274
    • 3000+

      ¥0.2004
    • 6000+

      ¥0.1788
    • 9000+

      ¥0.168
  • 有货
  • 先进的沟槽工艺技术。高密度单元设计,实现超低导通电阻。采用SOT-23表面贴装封装
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3433
    • 100+

      ¥0.2761
    • 300+

      ¥0.2425
    • 3000+

      ¥0.1903
    • 6000+

      ¥0.1701
    • 9000+

      ¥0.16
  • 有货
  • MOS管/PC/一体机@@P沟道增强型功率MOSFET
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3435
    • 100+

      ¥0.282
    • 300+

      ¥0.2513
    • 3000+

      ¥0.1634
    • 6000+

      ¥0.1449
    • 9000+

      ¥0.1357
  • 有货
  • 特性:低导通电阻。 高静电放电能力。 高速开关。 低电压驱动 (4V)。 驱动电路简单。 易于并联使用。应用:开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3552
    • 100+

      ¥0.2793
    • 300+

      ¥0.2414
    • 3000+

      ¥0.213
    • 6000+

      ¥0.1902
    • 9000+

      ¥0.1788
  • 有货
  • 特性:VDS = 20V。RDS(ON) = 300mΩ (typ.) @ VGS = 2.5V。RDS(ON) = 250mΩ (typ.) @ VGS = 4.5V。ESD Protected up to 2KV。应用:负载/电源开关。接口开关
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3562
    • 100+

      ¥0.2875
    • 300+

      ¥0.2532
    • 3000+

      ¥0.197
    • 6000+

      ¥0.1764
    • 9000+

      ¥0.1661
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