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1个P沟道 耐压:60V 电流:20A
型号：NVTFS5116PL-MS 编号：C17702939
封装：DFN3x3-8L
品牌：MSKSEMI(美森科)
NVTFS5116PL-MS采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

  • 5+

    ￥1.3224 ￥1.392

  • 50+

    ￥1.03512 ￥1.0896

  • 150+

    ￥0.912 ￥0.96

  • 500+

    ￥0.758385 ￥0.7983

  • 2500+

    ￥0.689985 ￥0.7263

  • 5000+

    ￥0.64885 ￥0.683
  • 有货
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    耐压:30V 电流:6A
    型号：FDS8958A 编号：C5123898
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：电池保护。负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3244

    • 50+

      ￥1.0468

    • 150+

      ￥0.9279

    • 500+

      ￥0.7794

    • 3000+

      ￥0.6236

    • 6000+

      ￥0.5839
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
    型号：TMG60N04NF 编号：C7422899
    封装：PDFN5x6-8L
    品牌：TMC(台懋)
    N沟道,40V,60A,6.7mΩ@10v

    • 5+

      ￥1.3306

    • 50+

      ￥1.0651

    • 150+

      ￥0.9513

    • 500+

      ￥0.768835 ￥0.8093

    • 2500+

      ￥0.65873 ￥0.6934

    • 5000+

      ￥0.622725 ￥0.6555
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 3A 100V
    型号：MJD31C 编号：C27596
    封装：TO-252-2L
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：专为通用放大器和低速开关应用设计。 引脚适用于塑料套管中的表面贴装应用（无后缀）。 塑料套管中的直引脚版本（“-1”后缀）。 16mm 卷带包装的引脚成型版本（“T4”后缀）。 电气性能与流行的 TIP31 和 TIP32 系列相似
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3598

    • 50+

      ￥1.0976

    • 150+

      ￥0.9852

    • 500+

      ￥0.845

    • 2500+

      ￥0.7826

    • 5000+

      ￥0.7451
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:2.4A
    型号：FDN304P 编号：C241803
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    此 P 沟道 1.8V 指定 MOSFET 使用先进的低压 PowerTrench 工艺。此产品非常适用于电池管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3609

    • 50+

      ￥1.0726

    • 150+

      ￥0.9491

    • 500+

      ￥0.7949

    • 3000+

      ￥0.6475

    • 6000+

      ￥0.6063
  • 有货
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    耐压:60V 电流:25A
    型号：AOD409 编号：C5182105
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3911

    • 50+

      ￥1.1919

    • 150+

      ￥1.1065

    • 500+

      ￥0.9999

    • 2500+

      ￥0.9525

    • 5000+

      ￥0.924
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:8A 电压:80V
    型号：MJD45H11 编号：C48580717
    封装：TO-252
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    PNP (hFE):60

    • 5+

      ￥1.4184 ￥1.576

    • 50+

      ￥1.12356 ￥1.2484

    • 150+

      ￥0.9972 ￥1.108

    • 500+

      ￥0.83952 ￥0.9328

    • 2500+

      ￥0.76932 ￥0.8548

    • 5000+

      ￥0.7272 ￥0.808
  • 有货
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    2个P沟道 耐压:30V 电流:21A
    型号：AGM30P14MBP 编号：C5367089
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM30P14MBP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.426

    • 50+

      ￥1.1236

    • 150+

      ￥0.994

    • 500+

      ￥0.8323

    • 2500+

      ￥0.7423

    • 5000+

      ￥0.699
  • 有货
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    2个N沟道 耐压:30V 电流:35A
    型号：WSD3056DN33 编号：C2758429
    封装：DFN-8(3x3)
    品牌：WINSOK(微硕)
    WsD3056DN33是一款高性能沟槽式双N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻Rps(on)和栅极电荷。WsD3056DN33符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过功能可靠性认证，确保产品质量。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.44324 ￥1.6036

    • 50+

      ￥1.14831 ￥1.2759

    • 150+

      ￥1.02195 ￥1.1355

    • 500+

      ￥0.86427 ￥0.9603

    • 2500+

      ￥0.6624 ￥0.736

    • 5000+

      ￥0.62028 ￥0.6892
  • 有货
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    耐压:30V 电流:50A
    型号：AON7401 编号：C5311002
    封装：PDFN-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.596

    • 50+

      ￥1.26

    • 150+

      ￥1.1161

    • 500+

      ￥0.9365

    • 2500+

      ￥0.7945

    • 5000+

      ￥0.7465
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:45A
    型号：IRF540N 编号：C41430602
    封装：TO-220
    品牌：DOINGTER(杜因特)
    N管/100V/45A/16mΩ/(典型13.9mΩ)

    • 5+

      ￥1.6422

    • 50+

      ￥1.2886

    • 150+

      ￥1.1482

    • 500+

      ￥0.973

    • 2500+

      ￥0.895

    • 5000+

      ￥0.8482
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:10A
    型号：IRLR120NTRPBF 编号：C2594
    封装：DPAK(TO-252AA)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    N沟道,100V,10A,185mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6906

    • 50+

      ￥1.361

    • 150+

      ￥1.2197

    • 500+

      ￥0.894995 ￥0.9421

    • 2000+

      ￥0.82042 ￥0.8636

    • 4000+

      ￥0.77577 ￥0.8166
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:3A
    型号：BSP170P 编号：C5246419
    封装：SOT-223
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    BSP170P 高开启标准Vth:3.0
    数据手册

    • 5+

      ￥1.6969

    • 50+

      ￥1.3344

    • 150+

      ￥1.179

    • 500+

      ￥0.9183

    • 2500+

      ￥0.832

    • 5000+

      ￥0.7802
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
    型号：AO4616 编号：C115831
    封装：SOIC-8
    品牌：AOS
    数据手册

    • 5+

      ￥1.8748

    • 50+

      ￥1.5048

    • 150+

      ￥1.3462

    • 500+

      ￥1.0294

    • 3000+

      ￥0.9413

    • 6000+

      ￥0.8884
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:100A
    型号：SP60N05GTD 编号：C22466770
    封装：TO-263-3L
    品牌：Siliup(矽普)
    大电流SGT MOSFET产品，N沟道，耐压：60V，电流：100A,Rdson：4.9mR

    • 5+

      ￥1.9189

    • 50+

      ￥1.4905

    • 150+

      ￥1.3069

    • 800+

      ￥1.1578

    • 2400+

      ￥1.0558

    • 4800+

      ￥0.9945
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:100A
    型号：AON6407 编号：C7603355
    封装：DFN-8(5x6)
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = -30V，ID = -100A。 RDS(ON) < 4.1mΩ @ VGS = -10V。 RDS(ON) < 6.6mΩ @ VGS = -4.5V。 先进的沟槽技术。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 无铅。应用：PWM应用。 负载开关

    • 1+

      ￥1.9275 ￥2.57

    • 10+

      ￥1.71 ￥2.28

    • 30+

      ￥1.5975 ￥2.13

    • 100+

      ￥1.4925 ￥1.99

    • 500+

      ￥1.425 ￥1.9

    • 1000+

      ￥1.395 ￥1.86
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:5A
    型号：FDS4559 编号：C5123951
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：N沟道：VDS = 60V，ID = 6.0A，RDS(ON) < 35mΩ（VGS = 10V时）。 P沟道：VDS = -60V，ID = -5A，RDS(ON) < 95mΩ（VGS = -10V时）。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装
    数据手册

    • 5+

      ￥1.9667

    • 50+

      ￥1.536

    • 150+

      ￥1.3515

    • 500+

      ￥1.1212

    • 3000+

      ￥1.0186

    • 6000+

      ￥0.9571
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:36A
    型号：WSD6040DN56 编号：C719102
    封装：DFN-8-EP(6.1x5.2)
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSD6040DN56是一款高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（Rpson）和栅极电荷。WSD6040DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备完整的功能可靠性。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.0287

    • 10+

      ￥1.6356

    • 30+

      ￥1.4671

    • 100+

      ￥1.2569

    • 500+

      ￥1.1633

    • 1000+

      ￥0.926
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:85V 电流:120A
    型号：CRST055N08N 编号：C410925
    封装：TO-220
    品牌：CRMICRO(华润微)
    低压MOSFET 电源、储能电源、UPS用,Vds=85V Id=120A Rds=4.6mΩ(5.5mΩ最大) TO-220封装；完全兼容 SKD502T C467184
    数据手册

    • 5+

      ￥2.0852

    • 50+

      ￥1.6616

    • 150+

      ￥1.4672

    • 500+

      ￥1.2246

    • 2000+

      ￥1.1165

    • 5000+

      ￥1.0517
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:55V 电流:18A
    型号：IRFR5505TRPBF 编号：C26340
    封装：TO-252
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-55V,-18A,110mΩ@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥2.1865

    • 50+

      ￥1.6949

    • 150+

      ￥1.4842

    • 500+

      ￥1.2213

    • 2000+

      ￥1.1042

    • 4000+

      ￥1.034
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
    型号：AGM403A1 编号：C5184861
    封装：PDFN-8(5x6)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    BLDC(无刷电机)推荐料,Vds=40V Id=120A Rds=2.7mΩ(3.6mΩ最大)DFN5*6封装；
    数据手册

    • 5+

      ￥2.215115 ￥2.3317

    • 50+

      ￥1.760255 ￥1.8529

    • 150+

      ￥1.565315 ￥1.6477

    • 500+

      ￥1.20023 ￥1.2634

    • 3000+

      ￥1.09193 ￥1.1494

    • 6000+

      ￥1.02695 ￥1.081
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
    型号：CSD19538Q3A 编号：C478471
    封装：VSONP-8(3.3x3.3)
    品牌：TI(德州仪器)
    CSD19538Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
    数据手册

    • 5+

      ￥2.3676

    • 50+

      ￥1.8758

    • 150+

      ￥1.6651

    • 500+

      ￥1.4021

    • 2500+

      ￥1.285

    • 5000+

      ￥1.2148
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:40V 电流:39A
    型号：HSBB4115 编号：C2828497
    封装：PRPAK3x3-8L
    品牌：HUASHUO(华朔)
    HSBB4115是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBB4115符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 5+

      ￥2.4331

    • 50+

      ￥1.8823

    • 150+

      ￥1.6462

    • 500+

      ￥1.2505

    • 3000+

      ￥1.1193

    • 6000+

      ￥1.0406
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:100A
    型号：AON6407-MS 编号：C17702953
    封装：DFN5x6-8L
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    AON6407-MS采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。

    • 1+

      ￥2.529 ￥2.81

    • 10+

      ￥1.962 ￥2.18

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      ￥1.197 ￥1.33
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:33A
    型号：IRF530NS-JSM 编号：C7496524
    封装：TO-263
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    应用于高频开关电源、有源功率因数校正。

    • 1+

      ￥2.556 ￥2.84

    • 10+

      ￥1.989 ￥2.21

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    耐压:100V 电流:13A
    型号：IRFR5410 编号：C5342377
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS-100V。 ID-13A。 RDS(ON) (at VGS=- 10V) < 210mΩ。应用：负载/电源开关。 接口开关
    数据手册

    • 1+

      ￥2.58

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      ￥2.03

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      ￥1.28
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:55V 电流:4.7A
    型号：IRF7343TRPBF 编号：C36656
    封装：SO-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    MOS全桥
    数据手册

    • 1+

      ￥2.61

    • 10+

      ￥2.12

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    耐压:55V 电流:110A
    型号：IRF3205S-JSM 编号：C2874633
    封装：TO-263
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于电池保护、负载开关等应用，拥有低导通电阻和快速切换特性，为电子设备提供可靠高效的功率管理解决方案。
    数据手册

    • 1+

      ￥2.8028 ￥3.64

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      ￥1.3552 ￥1.76
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    1个P沟道 耐压:55V 电流:31A
    型号：IRF5305PBF 编号：C2623
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-55V,-31A,60mΩ@-10V
    数据手册

    • 1+

      ￥3.1

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      ￥2.8

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    • 100+

      ￥1.957 ￥2.06

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      ￥1.8715 ￥1.97

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      ￥1.824 ￥1.92
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:2.6A
    型号：NTF2955T1G 编号：C17265
    封装：SOT-223
    品牌：onsemi(安森美)
    这是 SOT-223 封装中的 -60 V，P 沟道 MOSFET。 此器件非常坚固，拥有很大的安全运行区域。
    数据手册

    • 1+

      ￥3.16

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      ￥2.48

    • 30+

      ￥2.19

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