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首页 > 热门关键词 > 晶体管
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1个N沟道 耐压:20V 电流:4.3A
型号：SI2302 编号：C2938373
封装：SOT-23
品牌：GOODWORK(固得沃克)
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.3A适用于电源开关和信号控制
数据手册

  • 50+

    ￥0.112195 ￥0.1181

  • 500+

    ￥0.089395 ￥0.0941

  • 3000+

    ￥0.07182 ￥0.0756

  • 6000+

    ￥0.06422 ￥0.0676

  • 30000+

    ￥0.057665 ￥0.0607

  • 45000+

    ￥0.05415 ￥0.057
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:207A
    型号：TK100E10N1,S1X(S 编号：C396029
    封装：TO-220
    品牌：TOSHIBA(东芝)
    特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.8 mΩ（典型值）(VGS = 10V)。 低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 100V)。 增强模式：VTH = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V，ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器
    数据手册

    • 1+

      ￥9.31

    • 10+

      ￥7.96

    • 50+

      ￥6.83

    • 100+

      ￥5.99

    • 500+

      ￥5.62

    • 1000+

      ￥5.45
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:300A
    型号：AGM015N10LL 编号：C5297508
    封装：TOLL-8L
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM015N10LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
    数据手册

    • 1+

      ￥10.62 ￥11.8

    • 10+

      ￥9.018 ￥10.02

    • 30+

      ￥8.019 ￥8.91

    • 100+

      ￥6.561 ￥7.29

    • 500+

      ￥6.102 ￥6.78

    • 1000+

      ￥5.895 ￥6.55
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:380A
    型号：HYG015N10NS1TA 编号：C2979263
    封装：TOLL-8L
    品牌：HUAYI(华羿微)
    特性：100V/380A，导通电阻（RDS(ON)）典型值为 1.2mΩ（VGS = 10V 时）。 100% 雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合 RoHS 标准）。应用：开关应用。 逆变器系统的电源管理
    数据手册

    • 1+

      ￥12.68

    • 10+

      ￥10.88

    • 30+

      ￥9.75

    • 100+

      ￥8.11

    • 500+

      ￥7.59

    • 1000+

      ￥7.36
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:100V 电流:86A
    型号：WSD86P10DN56 编号：C5185333
    封装：DFN5X6-8L
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSD86P10DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD86P10DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的可靠性认证。
    数据手册

    • 1+

      ￥13.7

    • 10+

      ￥11.95

    • 30+

      ￥10.86

    • 100+

      ￥7.51

    • 500+

      ￥7

    • 1000+

      ￥6.78
  • 有货
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    OptiMOs 6功率晶体管，120 V
    型号：IPT017N12NM6ATMA1 编号：C20191620
    封装：HSOF-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：N沟道，正常电平。 极低导通电阻RDS(on)。 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积（FOM）。 极低反向恢复电荷(Qrr)。 高雪崩能量额定值。 175℃工作温度。 针对高频开关进行优化。 无铅镀铅；符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 根据J-STD-020标准进行MSL 1分类

    • 1+

      ￥17.43

    • 10+

      ￥15

    • 30+

      ￥13.48

    • 100+

      ￥11.92

    • 500+

      ￥11.22

    • 1000+

      ￥10.92
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:1500V 电流:2A
    型号：2SK2225-E 编号：C37357
    封装：TO-3PFM
    品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT
    N沟道,1500V,2A,12Ω@15V
    数据手册

    • 1+

      ￥22.73

    • 10+

      ￥19.57

    • 30+

      ￥17.69

    • 100+

      ￥15.79

    • 500+

      ￥14.91

    • 1000+

      ￥14.52
  • 有货
    • 立即购买
    1.2kV 64A
    型号：FGL40N120ANDTU 编号：C11754
    封装：TO-264-3
    品牌：onsemi(安森美)
    安森美半导体的 AN 系列 IGBT 采用 NPT 技术，提供了低导通和开关损耗。AN 系列为感应加热 (IH)、电机控制、通用型逆变器和不中断电源 (UPS) 等应用提供方案。
    数据手册

    • 1+

      ￥79.97

    • 10+

      ￥63.69

    • 25+

      ￥57.19

    • 100+

      ￥51.75
  • 有货
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    PNP 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8550 编号：C909747
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    耐压:25V 电流:500mA PNP (hFE):400@50mA,1V
    数据手册

    • 100+

      ￥0.05092 ￥0.0536

    • 1000+

      ￥0.04066 ￥0.0428

    • 3000+

      ￥0.035245 ￥0.0371

    • 9000+

      ￥0.031825 ￥0.0335

    • 45000+

      ￥0.028785 ￥0.0303

    • 105000+

      ￥0.02717 ￥0.0286
  • 有货
    • 立即购买
    MMBT5551 hFE:100-300 NPN 晶体管 电流：600mA 电压：120V
    型号：MMBT5551 编号：C51953467
    封装：SOT-23
    品牌：CCX(晁禾)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

    • 10+

      ￥0.0541

    • 100+

      ￥0.0422

    • 300+

      ￥0.0356

    • 3000+

      ￥0.0316

    • 6000+

      ￥0.0282

    • 9000+

      ￥0.0263
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
    型号：7002-2N7002K 编号：C17702881
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA适用于电源开关和信号控制

    • 50+

      ￥0.05864 ￥0.0733

    • 500+

      ￥0.04568 ￥0.0571

    • 3000+

      ￥0.0356 ￥0.0445

    • 6000+

      ￥0.03128 ￥0.0391

    • 30000+

      ￥0.02752 ￥0.0344

    • 45000+

      ￥0.02544 ￥0.0318
  • 有货
    • 立即购买
    低导通电阻MOSFET 1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
    型号：BSS138 编号：C2874697
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.06256 ￥0.0782

    • 500+

      ￥0.0492 ￥0.0615

    • 3000+

      ￥0.03848 ￥0.0481

    • 6000+

      ￥0.03408 ￥0.0426

    • 24000+

      ￥0.03016 ￥0.0377

    • 45000+

      ￥0.02808 ￥0.0351
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8050 编号：C2846756
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：与S8550互补,集电极电流:Ic = 0.5A。标记:J3Y
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0626

    • 500+

      ￥0.0496

    • 3000+

      ￥0.0371

    • 6000+

      ￥0.0328

    • 24000+

      ￥0.029

    • 51000+

      ￥0.027
  • 有货
    • 立即购买
    1.5A 25V
    型号：SS8050 Y1 0.52 编号：C49023581
    封装：SOT-23
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    放大倍数200-350 1500MA电流

    • 50+

      ￥0.063

    • 500+

      ￥0.0501

    • 3000+

      ￥0.0429

    • 6000+

      ￥0.0386

    • 24000+

      ￥0.0349
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
    型号：BR2N7002K2 编号：C358380
    封装：SOT-23
    品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)
    SOT-23 塑封封装N 沟道MOS 场效应管。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0673

    • 500+

      ￥0.0577

    • 3000+

      ￥0.0524

    • 6000+

      ￥0.0493

    • 24000+

      ￥0.0465

    • 51000+

      ￥0.045
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:0.1A 电压:65V
    型号：BC856B 编号：C545565
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0729

    • 500+

      ￥0.0556

    • 3000+

      ￥0.0434

    • 6000+

      ￥0.0377

    • 24000+

      ￥0.0327

    • 51000+

      ￥0.03
  • 有货
    • 立即购买
    档位：200-400 NPN 电流:150mA 电压:50V
    型号：C1815 编号：C123401
    封装：SOT-23
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：适用于开关和音频放大器应用。 晶体管根据其直流电流增益分为四组：O、Y、G 和 L。 SOT-23封装
    数据手册

    • 50+

      ￥0.07353 ￥0.0774

    • 500+

      ￥0.059185 ￥0.0623

    • 3000+

      ￥0.04693 ￥0.0494

    • 6000+

      ￥0.04218 ￥0.0444

    • 24000+

      ￥0.038 ￥0.04

    • 51000+

      ￥0.03572 ￥0.0376
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:500mA 电压:150V
    型号：LMBT5401LT1G 编号：C57683
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0794

    • 500+

      ￥0.0617

    • 3000+

      ￥0.0518

    • 6000+

      ￥0.0459

    • 24000+

      ￥0.0407

    • 51000+

      ￥0.038
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：2N7002 编号：C350313
    封装：SOT-23
    品牌：Slkor(萨科微)
    类型 N VDSS(V) 60 ID@TC=73?C(A) 0.115 PD@TC=73?C(W) 0.225 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.53V -
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0801

    • 500+

      ￥0.0622

    • 3000+

      ￥0.0499

    • 6000+

      ￥0.0439

    • 24000+

      ￥0.0388

    • 51000+

      ￥0.036
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:1500mA 电压:25V
    型号：SS8550-6AF 编号：C48587190
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    晶体管类型: PNP,集电极电流(Ic): 1.5A,集射极击穿电压 25V,耗散功率(Pd); 300mW

    • 50+

      ￥0.0902

    • 500+

      ￥0.0696

    • 3000+

      ￥0.0581

    • 6000+

      ￥0.0512

    • 24000+

      ￥0.0453

    • 51000+

      ￥0.042
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:30V
    型号：MMBT9013H 编号：C81408
    封装：SOT-23
    品牌：ST(先科)
    NPN 电流:500mA 电压:30V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0955

    • 500+

      ￥0.075

    • 3000+

      ￥0.0631

    • 6000+

      ￥0.0563

    • 24000+

      ￥0.0503

    • 51000+

      ￥0.0471
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:60V
    型号：MMBT2222A-6AF 编号：C48587189
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    晶体管类型: NPN,集电极电流(Ic): 600mA,集射极击穿电压 60V,耗散功率(Pd): 250mW

    • 50+

      ￥0.0964

    • 500+

      ￥0.0743

    • 3000+

      ￥0.0621

    • 6000+

      ￥0.0547

    • 24000+

      ￥0.0484

    • 51000+

      ￥0.0449
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.43A
    型号：2N7002（丝印12W） 编号：C111581
    封装：SOT-23
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：表面贴装封装。 极低的阈值电压。 先进的沟槽单元设计。 ESD 保护（HBM > 2KV）。应用：便携式电器
    数据手册

    • 50+

      ￥0.098135 ￥0.1033

    • 500+

      ￥0.07714 ￥0.0812

    • 3000+

      ￥0.063555 ￥0.0669

    • 6000+

      ￥0.056525 ￥0.0595

    • 24000+

      ￥0.050445 ￥0.0531

    • 51000+

      ￥0.047215 ￥0.0497
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC807-40 编号：C181152
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：与BC817互补。 高集电极电流。 外延平面管芯结构。 高电流增益。 表面贴装器件
    数据手册

    • 50+

      ￥0.10773 ￥0.1134

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    hfe=250~600 PNP 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC807-40(RANGE:250-600) 编号：C8587
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：非常适合自动插入。 外延平面管芯结构。 有互补NPN类型（BC817）
    数据手册

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      ￥0.1143

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.115A
    型号：2N7002T 编号：C7507460
    封装：SOT-523
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该消费级N沟道MOSFET采用SOT-523微型封装，具有60V高耐压和0.1A电流处理能力，专为紧凑型、低功耗电子设备设计，实现精细电源管理与高效开关功能。

    • 20+

      ￥0.12331 ￥0.1298

    • 200+

      ￥0.09823 ￥0.1034

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      ￥0.063365 ￥0.0667
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：3401 编号：C7431448
    封装：SOT-23
    品牌：HL(富海微)
    3401是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3401符合RoHS标准和绿色产品要求，且经过全面功能可靠性认证。

    • 50+

      ￥0.1276

    • 500+

      ￥0.0985

    • 3000+

      ￥0.081

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    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：TK3904LED03 编号：C3031915
    封装：WBFBP-03E
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    NPN单开关晶体管，超小型贴片塑料封装。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1362

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
    型号：FS3401M 编号：C2936839
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1391

    • 200+

      ￥0.1062

    • 600+

      ￥0.0879

    • 3000+

      ￥0.0824

    • 9000+

      ￥0.0729

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      ￥0.0678
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    塑料封装MOSFET
    型号：2N7002DW 编号：C42434496
    封装：SOT-363
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    特性：用于低RDS(on)的高密度单元设计。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD保护。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器

    • 20+

      ￥0.144585 ￥0.1701

    • 200+

      ￥0.11475 ￥0.135

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      ￥0.098175 ￥0.1155

    • 3000+

      ￥0.08823 ￥0.1038

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      ￥0.076585 ￥0.0901

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