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耐压:30V 电流:10A
型号：AO4435 编号：C5182770
封装：SOP-8
品牌：JSMSEMI(杰盛微)
电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。
数据手册

  • 5+

    ￥0.58936 ￥0.7367

  • 50+

    ￥0.46456 ￥0.5807

  • 150+

    ￥0.40216 ￥0.5027

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    ￥0.35536 ￥0.4442

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    ￥0.3004 ￥0.3755

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    ￥0.28168 ￥0.3521
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    P沟道 耐压:60V 电流:1.6A
    型号：SI2309CDS 编号：C3021112
    封装：SOT-23-3
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5898

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      ￥0.4665

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      ￥0.3586

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      ￥0.3122

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      ￥0.2937
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    P沟道60V快速开关MOSFET
    型号：XR15P06D 编号：C42457005
    封装：PDFN3333-8L
    品牌：XNRUSEMI(新锐)
    高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩能量，具备完整功能可靠性。

    • 5+

      ￥0.59454 ￥0.6606

    • 50+

      ￥0.47358 ￥0.5262

    • 150+

      ￥0.4131 ￥0.459

    • 500+

      ￥0.36774 ￥0.4086

    • 2500+

      ￥0.33138 ￥0.3682

    • 5000+

      ￥0.31329 ￥0.3481
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A
    型号：SI2307CDS-T1-GE3 编号：C141561
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：无卤选项。 TrenchFET功率MOSFET。应用：便携式设备的负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6472

    • 50+

      ￥0.5755

    • 150+

      ￥0.5397

    • 500+

      ￥0.502544 ￥0.5128

    • 3000+

      ￥0.435806 ￥0.4447

    • 6000+

      ￥0.42532 ￥0.434
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    高电压晶体管 PNP 电流:150mA 电压:500V
    型号：FMMT560TA 编号：C112348
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO >-500V。 IC =-150mA 高连续集电极电流。 ICM 高达-500mA 峰值脉冲电流。 高达 IC =-100mA 时具有出色的 hFE 特性。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册

    • 5+

      ￥0.687

    • 50+

      ￥0.5517

    • 150+

      ￥0.4841

    • 500+

      ￥0.4334

    • 3000+

      ￥0.3698

    • 6000+

      ￥0.3495
  • 有货
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    低压MOSFET（P沟道）
    型号：HKTQ30P03 编号：C49238169
    封装：PDFN3333
    品牌：Hottech(合科泰)
    P-ch -30V -60A

    • 5+

      ￥0.701005 ￥0.7379

    • 50+

      ￥0.55841 ￥0.5878

    • 150+

      ￥0.487065 ￥0.5127

    • 500+

      ￥0.43358 ￥0.4564

    • 2500+

      ￥0.39083 ￥0.4114

    • 5000+

      ￥0.369455 ￥0.3889
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:360mA
    型号：BSS138P,215 编号：C75547
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    N沟道,60V,0.36A,1.6Ω@10V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7201

    • 50+

      ￥0.5676

    • 150+

      ￥0.4913

    • 500+

      ￥0.429759 ￥0.4341

    • 3000+

      ￥0.384516 ￥0.3884

    • 6000+

      ￥0.361845 ￥0.3655
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    电流:70mA 电压:15V
    型号：BFG520/XR 编号：C46538657
    封装：SOT-143R
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    本芯片采用硅外延工艺制造，具有高功率增益放大、宽带以及低噪声、低漏电流、小结电容特性，较大的动态范围，理想的电流线性；主要应用于超高频微波、VHF、UHF和CATV高频宽带低噪声放大器中，如卫星电视调谐器、CATV放大器、模拟数字无绳电话、射频模块和光纤模块中的高频放大器等产品。

    • 5+

      ￥0.73129 ￥1.0447

    • 50+

      ￥0.57253 ￥0.8179

    • 150+

      ￥0.50449 ￥0.7207

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      ￥0.41965 ￥0.5995

    • 3000+

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    • 6000+

      ￥0.36855 ￥0.5265
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    耐压:40V 电流:3.9A
    型号：SI2318DS 编号：C5122035
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：负载/电源开关。接口开关。超小型便携式电子设备的电池管理。逻辑电平转换
    数据手册

    • 5+

      ￥0.752

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      ￥0.5963

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      ￥0.5184

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      ￥0.4601

    • 3000+

      ￥0.4005

    • 6000+

      ￥0.3771
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    NPN 电流:1A 电压:125V
    型号：FMMT624TA 编号：C47297
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 125V。 IC = 1A 高连续集电极电流。 ICM = 3A 峰值脉冲电流。 RCE(sat) = 160mΩ 低等效导通电阻。 625mW 功率耗散。 hFE 指定至 3A，高电流增益保持。应用：DC-DC / DC-AC 模块。 稳压器
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7677

    • 50+

      ￥0.6829

    • 150+

      ￥0.6466

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      ￥0.6013

    • 3000+

      ￥0.5209

    • 6000+

      ￥0.5087
  • 有货
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    耐压:30V 电流:15A
    型号：IRF7455TR(UMW) 编号：C5338296
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=30V。 RDS(ON)=7.5mΩ(VGS=10)。 RDS(ON)=9mΩ(VGS=4.5V)。 高频同步整流DC-DC转换器。 超低栅极阻抗。 极低的RDS(ON)=4.5V VGS。 全特性雪崩电压和电流
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7879

    • 50+

      ￥0.6859

    • 150+

      ￥0.6422

    • 500+

      ￥0.5876

    • 3000+

      ￥0.5634

    • 6000+

      ￥0.5488
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
    型号：NCE0103M 编号：C161844
    封装：SOT-89-3L
    品牌：NCE(无锡新洁能)
    N沟道，100V，3A，160毫欧
    数据手册

    • 5+

      ￥0.8994

    • 50+

      ￥0.6954

    • 150+

      ￥0.5934

    • 1000+

      ￥0.5169

    • 2000+

      ￥0.4557

    • 5000+

      ￥0.425
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:12A
    型号：AO4485 编号：C5125949
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。 漏源电压（VDS）：-40V。 漏极电流（ID）：-10A。 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）< 15mΩ（VGS = -10V）。 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）< 20mΩ（VGS = -4.5V）。应用：DC-DC 转换器应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9055

    • 50+

      ￥0.709

    • 150+

      ￥0.6107

    • 500+

      ￥0.537

    • 3000+

      ￥0.4495

    • 6000+

      ￥0.42
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
    型号：AGM612AP 编号：C5349119
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM612AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

    • 5+

      ￥0.92025 ￥1.0225

    • 50+

      ￥0.80685 ￥0.8965

    • 150+

      ￥0.75825 ￥0.8425

    • 500+

      ￥0.69768 ￥0.7752

    • 2500+

      ￥0.6534 ￥0.726

    • 5000+

      ￥0.6372 ￥0.708
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:2A 电压:20V
    型号：PBSS4320T,215 编号：C426842
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    采用SOT23塑料封装的NPN低VCEsat晶体管。互补PNP型晶体管：PBSS5320T。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.9207

    • 50+

      ￥0.7417

    • 150+

      ￥0.6522

    • 500+

      ￥0.567547 ￥0.5851

    • 3000+

      ￥0.460168 ￥0.4744

    • 6000+

      ￥0.434075 ￥0.4475
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:10A
    型号：WSF12N10 编号：C148434
    封装：TO-252
    品牌：WINSOK(微硕)
    WSF12N10是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF12N10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.93411 ￥1.0379

    • 50+

      ￥0.82629 ￥0.9181

    • 150+

      ￥0.78003 ￥0.8667

    • 500+

      ￥0.72234 ￥0.8026

    • 2500+

      ￥0.6111 ￥0.679

    • 5000+

      ￥0.59562 ￥0.6618
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:30V 电流:27A
    型号：ESN4832 编号：C5224304
    封装：PDFN3x3-8L
    品牌：ElecSuper(静芯)
    2个N沟道，30V，27.0A，11.5mΩ@10V,8.0A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

    • 5+

      ￥0.988

    • 50+

      ￥0.7384

    • 150+

      ￥0.6136

    • 500+

      ￥0.52
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:60V 电流:6.5A
    型号：AO4828 编号：C5125954
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并可在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0441

    • 50+

      ￥0.7999

    • 150+

      ￥0.6953

    • 500+

      ￥0.5647

    • 3000+

      ￥0.4879

    • 6000+

      ￥0.453
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:600V 电流:30mA
    型号：BSS126 编号：C2987085
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0515

    • 50+

      ￥0.8247

    • 150+

      ￥0.7275

    • 500+

      ￥0.6062

    • 3000+

      ￥0.5332

    • 6000+

      ￥0.5008
  • 有货
    • 立即购买
    30V 90A
    型号：IRLR8726 编号：C5350860
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0582

    • 50+

      ￥0.8314

    • 150+

      ￥0.7342

    • 500+

      ￥0.613

    • 2500+

      ￥0.5365

    • 5000+

      ￥0.504
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:25A
    型号：APG250N01Q 编号：C5443731
    封装：PDFN3x3-8L
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    特性：100V, 25A，RDS(ON) < 25mΩ @ VGS = 10V (典型值: 20mΩ)，RDS(ON) < 38mΩ @ VGS = 4.5V (典型值: 30mΩ)。 分裂栅沟槽技术。 获得无铅产品认证。 出色的RDS(ON)和低栅极电荷。应用：PWM应用。 负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0621

    • 50+

      ￥0.9653

    • 150+

      ￥0.9239

    • 500+

      ￥0.8721

    • 2500+

      ￥0.5755

    • 5000+

      ￥0.5617
  • 有货
    • 立即购买
    P沟道 耐压:60V 电流:3A
    型号：ZXMP6A17E6TA 编号：C2959859
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0843

    • 50+

      ￥0.8625

    • 150+

      ￥0.7674

    • 500+

      ￥0.6489

    • 3000+

      ￥0.524

    • 6000+

      ￥0.4923
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
    型号：TMG60N04DF 编号：C7422898
    封装：PDFN3x3-8L
    品牌：TMC(台懋)
    N沟道,40V,60A,6.9mΩ@10v

    • 5+

      ￥1.0995

    • 50+

      ￥0.8744

    • 150+

      ￥0.7779

    • 500+

      ￥0.624625 ￥0.6575

    • 2500+

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    耐压:60V 电流:25A
    型号：25N06 编号：C5350883
    封装：TO-252
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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    P沟道,电流:-2.3A,耐压:-60V
    型号：HSL6107 编号：C2828484
    封装：SOT-223
    品牌：HUASHUO(华朔)
    是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。符合RoHS和绿色产品要求，100%保证雪崩耐量（EAS），具备完整功能可靠性认证。100% EAS保证。有绿色环保器件可供选择。超低栅极电荷。出色的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术
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    30V 12A
    型号：FDS4435BZ 编号：C5310972
    封装：SOP-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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    1个P沟道 耐压:30V 电流:60A
    型号：AGM30P08AP 编号：C5349152
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM30P08AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
    型号：IRFR1205TRPBF-ES 编号：C21713850
    封装：TO-252
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道,60V,20.0A,26mΩ@10.0V,20A,1.6V@250uA；应用领域：功率开关、高频开关、不间断电源等。

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
    型号：AO4407A 编号：C16072
    封装：SOIC-8
    品牌：AOS
    P沟道,-30V,-12A,13mΩ@-10V
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:0.7A
    型号：SI1539CDL-T1-GE3 编号：C141530
    封装：SC-70-6(SOT-363)
    品牌：VISHAY(威世)
    这些新型器件适用于小信号应用，此类应用需要采用小型化封装，且需要直接或通过电平转换配置来切换低电流（约250 mA）。全新的6引脚SC - 70封装可改善导通电阻值并提升热性能。
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