晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：PMV250EPEAR 编号：C477997

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。

数据手册

1+
￥2.82
10+
￥2.26
30+
￥2.01
100+
￥1.71
500+
￥1.58
1000+
￥1.5

有货

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型号：AOD409 编号：C5182105

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥2.1289
50+
￥1.6507
150+
￥1.4458
500+
￥1.1901
2500+
￥1.0763
5000+
￥1.0079

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型号：IRF640NPBF-JSM 编号：C2857860

封装：TO-220

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于高频开关电源、有源功率因数校正。

数据手册

5+
￥2.16846 ￥2.4094
50+
￥1.57761 ￥1.7529
150+
￥1.37556 ￥1.5284
500+
￥1.12356 ￥1.2484
2000+
￥1.01133 ￥1.1237
5000+
￥0.94401 ￥1.0489

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型号：WSF15P10 编号：C148442

封装：TO-252

品牌：WINSOK(微硕)

WSF15P10是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF15P10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且具备完整的可靠性认证。

数据手册

1+
￥2.17242 ￥2.4138
10+
￥1.76418 ￥1.9602
30+
￥1.58922 ￥1.7658
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￥1.37088 ￥1.5232
500+
￥1.0953 ￥1.217
1000+
￥1.03689 ￥1.1521

有货

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型号：SP60N02BGNK 编号：C22385420

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品

1+
￥2.204 ￥2.32
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￥1.919 ￥2.02
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￥1.7955 ￥1.89
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￥1.6435 ￥1.73
500+
￥1.596 ￥1.68
1000+
￥1.558 ￥1.64

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型号：CMB18N20A 编号：C5203925

封装：TO-263

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMB18N20A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于各种不同的领域。

数据手册

1+
￥2.4035 ￥2.53
10+
￥1.862 ￥1.96
30+
￥1.634 ￥1.72
100+
￥1.349 ￥1.42
500+
￥1.254 ￥1.32
800+
￥1.178 ￥1.24

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型号：AO4405 编号：C48639032

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

1+
￥2.47 ￥2.6
10+
￥1.938 ￥2.04
30+
￥1.7195 ￥1.81
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￥1.4345 ￥1.51
500+
￥1.311 ￥1.38
1000+
￥1.235 ￥1.3

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型号：WSD30100DN56 编号：C148393

封装：DFN5X6-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSD30100DN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD30100DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过全功能可靠性测试，确保产品质量。

数据手册

1+
￥2.5009
10+
￥2.0221
30+
￥1.8169
100+
￥1.5609
500+
￥1.4469
1000+
￥1.1648

有货

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型号：NTD5865NLT4G 编号：C5350898

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

1+
￥2.69
10+
￥2.09
30+
￥1.83
100+
￥1.51
500+
￥1.36
1000+
￥1.28

有货

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型号：HSBB6115 编号：C845604

封装：PRPAK3x3-8L

品牌：HUASHUO(华朔)

HSBB6115 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSBB6115 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 保证具有抗雪崩能力，并通过了全功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥2.75
10+
￥2.17
30+
￥1.91
100+
￥1.6
500+
￥1.33
1000+
￥1.25

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型号：WSD6056DN56 编号：C2758412

封装：DFN5x6-8

品牌：WINSOK(微硕)

Configuration Dual Type N-Ch VDS(V) 60 VGS(V) 20 ID(A)Max. 45 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m?)@4.228V 20 Qg(nC)@4.5V 17.6 QgS(nC) 2.7 Qgd(nC) 6.3 Ciss(pF) 945 Coss(pF) 275 Crss(pF) 26

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.24
30+
￥2
100+
￥1.71
500+
￥1.49
1000+
￥1.41

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型号：NCE40P70K 编号：C130101

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

P沟道，40V，70A.

数据手册

1+
￥2.84
10+
￥2.19
30+
￥1.9
100+
￥1.55
500+
￥1.4
1000+
￥1.3

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型号：IRF7103TRPBF 编号：C27080

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,50V,3A,130mΩ@10V

数据手册

1+
￥2.96
10+
￥2.37
30+
￥2.12
100+
￥1.8
500+
￥1.49
1000+
￥1.4

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型号：BSH105,215 编号：C478010

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道、增强型、逻辑电平场效应功率晶体管。该器件的阈值电压极低，开关速度极快，非常适合电池供电应用和高速数字接口。BSH105采用SOT23超小型表面贴装封装

数据手册

5+
￥2.9982
50+
￥2.5447
150+
￥2.3503
500+
￥2.1077
3000+
￥1.9997
6000+
￥1.9349

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型号：IRF4905STRLPBF-JSM 编号：C28642375

封装：TO-263

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

电池管理系统、电源开关及高效能电子设备设计，具有卓越的低导通电阻和快速开关性能，确保在各种应用场合下实现稳定高效的功率转换与控制。

1+
￥3.2555 ￥3.83
10+
￥2.669 ￥3.14
30+
￥2.38 ￥2.8
100+
￥2.0825 ￥2.45
500+
￥1.9125 ￥2.25
800+
￥1.819 ￥2.14

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型号：IRF9540NS 编号：C19272230

封装：TO-263

品牌：minos(迈诺斯)

IRF9540NS采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

1+
￥3.57
10+
￥2.92
30+
￥2.6
100+
￥2.28
500+
￥1.9
800+
￥1.8

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型号：FQT1N60CTF-WS 编号：C258152

封装：SOT-223

品牌：onsemi(安森美)

这是一款N沟道增强型功率MOSFET，采用专有平面条纹和DMOS技术。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供出色的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。

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1+
￥3.89
10+
￥3.13
30+
￥2.74
100+
￥2.36
500+
￥2.14
1000+
￥2.02

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型号：WSD40120DN56G 编号：C507088

封装：DFN5x6-8

品牌：WINSOK(微硕)

使用先进的SOCT MOSFET技术，提供低RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。本器件经过专门设计，具有更好的耐用性。

数据手册

1+
￥4.25
10+
￥3.8
30+
￥3.57
100+
￥3.35
500+
￥2.72
1000+
￥2.65

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型号：IRF7342TRPBF 编号：C41811

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-50V,-3.4A,170mΩ@4.5V

数据手册

1+
￥4.28
10+
￥3.55
30+
￥3.19
100+
￥2.83
500+
￥2.32
1000+
￥2.21

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型号：NCEP60T12AK 编号：C216779

封装：TO-252-2L

品牌：NCE(无锡新洁能)

NCEP60T12AK采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流

数据手册

1+
￥4.32
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￥3.42
30+
￥2.96
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￥2.51
500+
￥2.24
1000+
￥2.1

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型号：TK5A90E,S4X(S 编号：C5360505

封装：TO-220SIS-3

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.5Ω（典型值）。低泄漏电流：IRSS = 10μA（最大值）（VRS = 720V）。增强模式：Vth = 2.5 至 4.0V（VDS = 10V，ID = 0.45mA）。应用：开关稳压器

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1+
￥4.56
10+
￥3.72
50+
￥3.3
100+
￥2.88
500+
￥2.63
1000+
￥2.5

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型号：IRFB5615PBF 编号：C79992

封装：ITO-220AB-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术，以实现每个硅面积的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175℃的工作结温和重复雪崩能力。这些特性结合在一起，使该MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。

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