晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：AOD403 编号：C6396161

封装：TO-252

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

便携式设备，使用高电池密度，先进的沟槽技术，适合于低压应用以及低在线功率损耗

5+
￥1.003 ￥1.18
50+
￥0.88162 ￥1.0372
150+
￥0.8296 ￥0.976
500+
￥0.764745 ￥0.8997
2500+
￥0.6936 ￥0.816
5000+
￥0.67626 ￥0.7956

有货

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型号：AO4407 编号：C5370947

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：VDS = -30V。 ID = -60A。 RDS(ON) < 11mΩ @ VGS = 10V。应用：Load/Power Switching。 Interfacing

数据手册

5+
￥0.8897
50+
￥0.708
150+
￥0.6171
500+
￥0.5489
3000+
￥0.4944
6000+
￥0.4671

有货

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型号：AO4459 编号：C49047

封装：SOIC-8

品牌：AOS

P沟道,-30V,-6.5A,46mΩ@-10V

数据手册

5+
￥0.935
50+
￥0.77
150+
￥0.6875
500+
￥0.6256
3000+
￥0.5159
6000+
￥0.4912

有货

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型号：SI2307CDS-T1-GE3 编号：C141561

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

特性：无卤选项。 TrenchFET功率MOSFET。应用：便携式设备的负载开关

数据手册

5+
￥0.9484
50+
￥0.7676
150+
￥0.6771
500+
￥0.6093
3000+
￥0.5061
6000+
￥0.4789

有货

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型号：AOD413A 编号：C5261059

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型TO-252-2L封装，具有40V工作电压及高效能的25A电流承载力。专为低压、高效率开关应用设计，应用于各类消费电子产品中，以实现卓越的电源转换效能与系统稳定性，是优化电路的理想选择。

数据手册

5+
￥0.971375 ￥1.0225
50+
￥0.78603 ￥0.8274
150+
￥0.706705 ￥0.7439
500+
￥0.60762 ￥0.6396
2500+
￥0.52668 ￥0.5544
5000+
￥0.50027 ￥0.5266

有货

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型号：AON7264E-HXY 编号：C6285769

封装：DFN3x3-8L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

本款消费级N沟道MOSFET采用紧凑型DFN3X3-8L封装，具有出色的功率密度。额定电压60V，连续电流高达40A，适用于小型化、高性能电源转换、负载开关及电池管理系统设计，实现空间节省与高效能的完美结合。

5+
￥0.973258 ￥1.1726
50+
￥0.88229 ￥1.063
150+
￥0.84328 ￥1.016
500+
￥0.794642 ￥0.9574
2500+
￥0.61171 ￥0.737
5000+
￥0.598762 ￥0.7214

有货

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型号：ESN4832 编号：C5224304

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

2个N沟道，30V，27.0A，11.5mΩ@10V,8.0A，1.5V@250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

5+
￥0.988
50+
￥0.7384
150+
￥0.6136
500+
￥0.52

有货

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型号：IRLML9301TRPBF 编号：C82056

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,30V,3.6A,64mΩ@3.6A,10V

数据手册

5+
￥1.0068
50+
￥0.7869
150+
￥0.6927
500+
￥0.5752
3000+
￥0.5229
6000+
￥0.4915

有货

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型号：PMF170XP,115 编号：C389353

封装：SOT-323

品牌：Nexperia(安世)

采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用SOT323（SC - 70）小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。

数据手册

5+
￥1.007
50+
￥0.8046
150+
￥0.7178
500+
￥0.6096
3000+
￥0.5614
6000+
￥0.5325

有货

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型号：AO4606 编号：C5123896

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

应用：电池保护。负载开关

数据手册

5+
￥1.0127
50+
￥0.791
150+
￥0.6959
500+
￥0.5773
3000+
￥0.4981
6000+
￥0.4664

有货

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型号：BC817DS,115 编号：C128436

封装：SC-74(TSOP-6)

品牌：Nexperia(安世)

NPN/NPN通用双晶体管，采用SOT457 (SC-74)塑料封装。

数据手册

5+
￥1.0364
50+
￥0.83
150+
￥0.7416
500+
￥0.6313
3000+
￥0.5822
6000+
￥0.5527

有货

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型号：IRLR8726 编号：C5350860

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥1.0582
50+
￥0.8314
150+
￥0.7342
500+
￥0.613
2500+
￥0.5365
5000+
￥0.504

有货

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型号：FDC6305N 编号：C5123954

封装：SOT-23-6

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥1.0796
50+
￥0.8578
150+
￥0.7628
500+
￥0.6442
3000+
￥0.5197
6000+
￥0.488

有货

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型号：SI1308EDL-T1-GE3 编号：C469327

封装：SOT-323

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,30V,1.4A,0.11Ω@10V

数据手册

5+
￥1.1591
50+
￥0.9449
150+
￥0.8531
500+
￥0.7385
3000+
￥0.6174
6000+
￥0.5868

有货

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型号：AO4266-MS 编号：C3008148

封装：SOP-8

品牌：MSKSEMI(美森科)

AO4266-MS采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

数据手册

5+
￥1.165365 ￥1.2267
50+
￥0.949905 ￥0.9999
150+
￥0.857565 ￥0.9027
500+
￥0.74233 ￥0.7814
3000+
￥0.59261 ￥0.6238
6000+
￥0.56183 ￥0.5914

有货

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型号：BFP420H6327 编号：C412737

封装：SOT-343

品牌：Infineon(英飞凌)

BFP420是一款基于接地发射极（SIEGET™）的低噪声器件，属于英飞凌成熟的第四代射频双极晶体管系列。其25 GHz的特征频率fₜ、高增益和低电流特性，使该器件适用于高达10 GHz的振荡器。它在保证易用性的同时，还具有成本竞争力

数据手册

5+
￥1.2065
50+
￥1.06
150+
￥0.9868
500+
￥0.9319
3000+
￥0.822
6000+
￥0.8

有货

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型号：HXY4884S 编号：C5148649

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款消费级MOSFET采用紧凑型SOP-8封装，内置双N沟道设计，额定电压40V，可承载高达12A的连续电流。专为高效电源转换、电机驱动等应用打造，具备出色的低导通电阻和快速开关性能，是优化系统能效、提升设备运行表现的理想半导体器件选择。

数据手册

5+
￥1.21467 ￥1.2786
50+
￥0.99484 ￥1.0472
150+
￥0.900695 ￥0.9481
500+
￥0.78318 ￥0.8244
3000+
￥0.663575 ￥0.6985
6000+
￥0.632225 ￥0.6655

有货

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型号：AGM30P08AP 编号：C5349152

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM30P08AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

5+
￥1.2176
50+
￥0.9657
150+
￥0.8578
500+
￥0.7231
2500+
￥0.6258
5000+
￥0.5898

有货

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型号：FQD13N10LTM(UMW) 编号：C5159779

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。

数据手册

5+
￥1.2588
50+
￥0.9915
150+
￥0.877
500+
￥0.734
2500+
￥0.6386
5000+
￥0.6004

有货

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型号：CJT04N15 编号：C81507

封装：SOT-223

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

这款CJT04N15采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。

数据手册

5+
￥1.2611
50+
￥1.0066
150+
￥0.8975
500+
￥0.7615
2500+
￥0.673
5000+
￥0.6367

有货

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型号：IRFR5305TR(UMW) 编号：C5693005

封装：TO-252

品牌：UMW(友台半导体)

采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。

5+
￥1.3282
50+
￥1.0389
150+
￥0.915
500+
￥0.7603
2500+
￥0.6914
5000+
￥0.65

有货

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型号：SI4532CDY 编号：C5123895

封装：SOIC-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

5+
￥1.4143
50+
￥1.1371
150+
￥1.0183
500+
￥0.8701
3000+
￥0.7145
6000+
￥0.6748

有货

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型号：SI2347DS-T1-GE3 编号：C145002

封装：SOT-23

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-30V,-5A,0.042Ω@-10V

数据手册

5+
￥1.5011
50+
￥1.2359
150+
￥1.1222
500+
￥0.9804
3000+
￥0.8572
6000+
￥0.8194

有货

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型号：STN3NF06L 编号：C222218

封装：SOT-223

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,40V,6A

数据手册

5+
￥1.6292
50+
￥1.2761
150+
￥1.1247
500+
￥0.9359
2500+
￥0.8519
4000+
￥0.8014

有货

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型号：AON7409 编号：C41348138

封装：PDFN-8(3.3x3.3)

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥1.63989 ￥1.7262
50+
￥1.28079 ￥1.3482
150+
￥1.12689 ￥1.1862
500+
￥0.934895 ￥0.9841
2500+
￥0.849395 ￥0.8941
5000+
￥0.798 ￥0.84

有货

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型号：NTF3055L108T1G 编号：C7472933

封装：SOT-223

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：60V, 4A, RDS(ON) = 85 mΩ @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = 4.5 V。高密单元设计，实现极低的RDS(ON)。坚固可靠。获得无铅产品认证。 SOT-223封装。应用：负载/电源开关。接口

5+
￥1.6455
50+
￥1.2914
150+
￥1.1396
500+
￥0.9502
2500+
￥0.8658
5000+
￥0.8152

有货

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型号：IRF7343TRPBF 编号：C5123950

封装：SOP-8

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

特性：N沟道：VDS = 60V，ID = 6.0A，RDS(ON) < 35mΩ @ VGS = 10V。高功率和电流处理能力。无铅产品。表面贴装封装。 P沟道：VDS = -60V，ID = -5A，RDS(ON) < 95mΩ @ VGS = -10V

数据手册

5+
￥1.9478
50+
￥1.5194
150+
￥1.3358
500+
￥1.1068
3000+
￥0.9623
6000+
￥0.901

有货

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型号：ESN4485 编号：C5224302

封装：PDFN3x3-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-40V，-34A，13mΩ@-10V,-10A，-1.6V@-250uA；应用领域：DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

数据手册

5+
￥1.9852
50+
￥1.5266
150+
￥1.33
500+
￥1.0848
2500+
￥0.9756
5000+
￥0.91

有货

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型号：TP5322K1-G 编号：C22435122

封装：SOT-23-3L

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥2.0926
50+
￥1.639
150+
￥1.4446
500+
￥1.202
3000+
￥1.094
6000+
￥1.0292

有货

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型号：BCP56-16,115 编号：C92221

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

NPN中功率晶体管，采用中功率SOT223 (SC-73)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

数据手册

5+
￥2.1198
50+
￥1.6561
150+
￥1.4574
1000+
￥1.2095
2000+
￥1.0991
5000+
￥1.0328

有货

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