您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > 晶体管
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共89884
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
P沟道,-20V,-2A,82mΩ@-4.5V,-2.0A;应用领域:DC/DC转换器、便携式设备负载开关、LED驱动器、电源模块等。
数据手册
  • 10+

    ¥0.0735
  • 100+

    ¥0.0663
  • 300+

    ¥0.0623
  • 3000+

    ¥0.0598
  • 6000+

    ¥0.0578
  • 9000+

    ¥0.0566
  • 有货
    • 20+

      ¥0.0738
    • 200+

      ¥0.057
    • 600+

      ¥0.0477
    • 3000+

      ¥0.041
    • 9000+

      ¥0.0362
    • 21000+

      ¥0.0336
  • 有货
  • 特性:作为互补类型,推荐使用NPN晶体管S9013。 外延平面芯片结构
    数据手册
    • 20+

      ¥0.0781
    • 200+

      ¥0.0603
    • 600+

      ¥0.0504
    • 3000+

      ¥0.0449
    • 9000+

      ¥0.0398
    • 21000+

      ¥0.037
  • 有货
  • 特性:材料符合RoHS要求。适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合AEC Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0796
    • 500+

      ¥0.0628
    • 3000+

      ¥0.0535
    • 6000+

      ¥0.0479
    • 24000+

      ¥0.0431
  • 有货
    • 50+

      ¥0.0853
    • 500+

      ¥0.0675
    • 3000+

      ¥0.0532
    • 6000+

      ¥0.0472
    • 24000+

      ¥0.0421
    • 51000+

      ¥0.0393
  • 有货
  • 特性:高集电极电流。 高电流增益。 低集电极-发射极饱和电压。 互补类型:BC817(NPN)
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0874
    • 500+

      ¥0.0699
    • 3000+

      ¥0.0559
    • 6000+

      ¥0.0507
    • 24000+

      ¥0.05
    • 51000+

      ¥0.048
  • 有货
  • 晶体管类型: PNP,集电极电流(Ic): 1.5A,集射极击穿电压 25V,耗散功率(Pd); 300mW
    • 50+

      ¥0.0902
    • 500+

      ¥0.0696
    • 3000+

      ¥0.0581
    • 6000+

      ¥0.0512
    • 24000+

      ¥0.0453
    • 51000+

      ¥0.042
  • 有货
  • 类型 N VDSS(V) 60 ID@TC=74?C(A) 0.3 PD@TC=74?C(W) 0.225 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.54V 4000
    数据手册
    • 50+

      ¥0.09519 ¥0.1002
    • 500+

      ¥0.07467 ¥0.0786
    • 3000+

      ¥0.05852 ¥0.0616
    • 6000+

      ¥0.05168 ¥0.0544
    • 24000+

      ¥0.04579 ¥0.0482
    • 51000+

      ¥0.04256 ¥0.0448
  • 有货
  • 晶体管类型: NPN,集电极电流(Ic): 600mA,集射极击穿电压 60V,耗散功率(Pd): 250mW
    • 50+

      ¥0.0964
    • 500+

      ¥0.0743
    • 3000+

      ¥0.0621
    • 6000+

      ¥0.0547
    • 24000+

      ¥0.0484
    • 51000+

      ¥0.0449
  • 有货
  • 作为互补类型,推荐使用外延平面管芯结构的SOT-323塑料封装。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0978
    • 500+

      ¥0.0773
    • 3000+

      ¥0.0635
    • 6000+

      ¥0.0567
    • 24000+

      ¥0.0507
    • 51000+

      ¥0.0475
  • 有货
  • 晶体管类型: PNP,集电极电流(Ic): 600mA,集射极击穿电压 40V,耗散功率(Pd): 250mW
    • 50+

      ¥0.1067
    • 500+

      ¥0.0823
    • 3000+

      ¥0.0687
    • 6000+

      ¥0.0606
    • 24000+

      ¥0.0535
    • 51000+

      ¥0.0497
  • 有货
  • 晶体管类型: PNP,集电极电流(Ic): 600mA,集射极击穿电压 60V,耗散功率(Pd): 250mW
    • 50+

      ¥0.1067
    • 500+

      ¥0.0823
    • 3000+

      ¥0.0687
    • 6000+

      ¥0.0606
    • 24000+

      ¥0.0535
    • 51000+

      ¥0.0497
  • 有货
  • 类型 N VDSS(V) 50 ID@TC=69?C(A) 0.3 PD@TC=69?C(W) 0.35 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.49V 3000
    数据手册
    • 50+

      ¥0.11248 ¥0.1184
    • 500+

      ¥0.089395 ¥0.0941
    • 3000+

      ¥0.072485 ¥0.0763
    • 6000+

      ¥0.06479 ¥0.0682
    • 24000+

      ¥0.05814 ¥0.0612
    • 51000+

      ¥0.05453 ¥0.0574
  • 有货
  • 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):200mW 集电极截止电流(Icbo):100nA
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1185
    • 200+

      ¥0.0924
    • 600+

      ¥0.0779
    • 3000+

      ¥0.0662
    • 9000+

      ¥0.0587
    • 21000+

      ¥0.0546
  • 有货
  • 1个N沟道 耐压:20V 电流:6A适用于电源开关和信号控制
    • 50+

      ¥0.12122 ¥0.1276
    • 500+

      ¥0.09557 ¥0.1006
    • 3000+

      ¥0.08132 ¥0.0856
    • 6000+

      ¥0.07277 ¥0.0766
    • 30000+

      ¥0.06536 ¥0.0688
    • 45000+

      ¥0.06137 ¥0.0646
  • 有货
  • 特性:VDS = 60V,ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD Rating: HBM 2000V。应用:直接逻辑电平接口:TTL/CMOS。 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
    • 50+

      ¥0.1216
    • 500+

      ¥0.0946
    • 3000+

      ¥0.0796
    • 6000+

      ¥0.0706
    • 24000+

      ¥0.0628
    • 51000+

      ¥0.0585
  • 有货
  • 3400 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻(RDSON)和效率。3400 符合 RoHS 标准和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证。
    • 50+

      ¥0.1224
    • 500+

      ¥0.095
    • 3000+

      ¥0.0798
    • 6000+

      ¥0.0707
    • 24000+

      ¥0.0627
    • 51000+

      ¥0.0585
  • 有货
  • N管/100V/3A/280mΩ(典型220mΩ)
    • 20+

      ¥0.1229
    • 200+

      ¥0.1071
    • 600+

      ¥0.0984
    • 3000+

      ¥0.0854
    • 9000+

      ¥0.0809
    • 21000+

      ¥0.0784
  • 有货
  • NPN 开关晶体管,采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.133
    • 200+

      ¥0.1033
    • 600+

      ¥0.0868
    • 3000+

      ¥0.0765
    • 9000+

      ¥0.0679
    • 21000+

      ¥0.0633
  • 有货
  • 特性:湿度敏感度等级:1-ESD 等级。 人体模型:>4000V。 机器模型:>400V。 S 和 NSV 前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用;符合 AEC-Q101 标准且具备 PPAP 能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,且符合 RoHS 标准
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1494
    • 200+

      ¥0.1154
    • 600+

      ¥0.0965
    • 3000+

      ¥0.082
    • 9000+

      ¥0.0721
    • 21000+

      ¥0.0668
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,可提供具有低栅极电荷的出色导通电阻。该器件适用于用作负载开关或在PWM应用中使用。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1531
    • 200+

      ¥0.1326
    • 600+

      ¥0.1212
    • 3000+

      ¥0.1143
    • 9000+

      ¥0.1084
    • 21000+

      ¥0.1052
  • 有货
  • 晶体管类型:2个NPN 集射极击穿电压(Vceo):40V 集电极电流(Ic):200mA 功率(Pd):200mW 双NPN,40V,0.2A
    数据手册
    • 20+

      ¥0.15534 ¥0.1726
    • 200+

      ¥0.12357 ¥0.1373
    • 600+

      ¥0.10593 ¥0.1177
    • 3000+

      ¥0.08892 ¥0.0988
    • 9000+

      ¥0.07974 ¥0.0886
    • 21000+

      ¥0.07479 ¥0.0831
  • 有货
  • 特性:VDS 30V。 RDS(ON) (VGS=10V) ≤22mΩ (Typ)。 RDS(ON) (VGS=4.5V) ≤27mΩ (Typ)。应用:接口开关。 负载开关
    • 20+

      ¥0.1652
    • 200+

      ¥0.1296
    • 600+

      ¥0.1098
    • 3000+

      ¥0.0979
    • 9000+

      ¥0.0876
    • 21000+

      ¥0.0821
  • 有货
  • SOT23 塑封封装 P 道 MOS 场效应管。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1695
    • 200+

      ¥0.1565
    • 600+

      ¥0.1493
    • 3000+

      ¥0.0994
    • 9000+

      ¥0.0957
    • 21000+

      ¥0.0936
  • 有货
  • 特性:小封装 (SOT723)。 超低电压驱动 (1.2V驱动)。 无铅镀铅,符合RoHS标准。 无卤。应用:开关
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1739
    • 200+

      ¥0.1538
    • 600+

      ¥0.1426
    • 2000+

      ¥0.1358
    • 8000+

      ¥0.1125
    • 16000+

      ¥0.1093
  • 有货
  • 带ESD防护,N沟道,20V,0.9A,150mΩ@4.5V;应用领域:开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    • 20+

      ¥0.1814
    • 200+

      ¥0.1409
    • 600+

      ¥0.1184
    • 2000+

      ¥0.1049
    • 8000+

      ¥0.0932
    • 16000+

      ¥0.0869
  • 有货
  • 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1835
    • 200+

      ¥0.1611
    • 600+

      ¥0.1487
    • 2000+

      ¥0.1413
    • 8000+

      ¥0.1187
    • 16000+

      ¥0.1152
  • 有货
  • 使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.1896
    • 100+

      ¥0.167
    • 300+

      ¥0.1556
    • 3000+

      ¥0.1404
    • 6000+

      ¥0.1336
    • 9000+

      ¥0.1302
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 适用于低功率放大和开关。 互补PNP型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑,“绿色”器件。 适用于需要特定变更控制的汽车应用,这些部件符合AEC-Q101标准,具备PPAP能力,并在通过IATF 16949认证的工厂生产
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2089
    • 200+

      ¥0.1684
    • 600+

      ¥0.1459
    • 3000+

      ¥0.1196
    • 9000+

      ¥0.1079
    • 21000+

      ¥0.1016
  • 有货
  • 特性:TrenchFET Power MOSFET。应用:便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2251
    • 200+

      ¥0.179
    • 600+

      ¥0.1533
    • 3000+

      ¥0.1235
    • 9000+

      ¥0.1101
    • 21000+

      ¥0.103
  • 有货
  • 立创商城为您提供晶体管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买晶体管提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content