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首页 > 热门关键词 > 晶体管
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1个N沟道 耐压:20V 电流:4.3A
型号：SI2302 编号：C2938373
封装：SOT-23
品牌：GOODWORK(固得沃克)
1个N沟道 耐压:20V 电流:4.3A适用于电源开关和信号控制
数据手册

  • 50+

    ￥0.112195 ￥0.1181

  • 500+

    ￥0.089395 ￥0.0941

  • 3000+

    ￥0.07182 ￥0.0756

  • 6000+

    ￥0.06422 ￥0.0676

  • 30000+

    ￥0.057665 ￥0.0607

  • 45000+

    ￥0.05415 ￥0.057
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
    型号：7002-2N7002K 编号：C17702881
    封装：SOT-23
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA适用于电源开关和信号控制

    • 50+

      ￥0.05864 ￥0.0733

    • 500+

      ￥0.04568 ￥0.0571

    • 3000+

      ￥0.0356 ￥0.0445

    • 6000+

      ￥0.03128 ￥0.0391

    • 30000+

      ￥0.02752 ￥0.0344

    • 45000+

      ￥0.02544 ￥0.0318
  • 有货
    • 立即购买
    低导通电阻MOSFET 1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
    型号：BSS138 编号：C2874697
    封装：SOT-23
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于各类小型电子设备，提供高效、稳定的开关与功率转换性能。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.06256 ￥0.0782

    • 500+

      ￥0.0492 ￥0.0615

    • 3000+

      ￥0.03848 ￥0.0481

    • 6000+

      ￥0.03408 ￥0.0426

    • 24000+

      ￥0.03016 ￥0.0377

    • 45000+

      ￥0.02808 ￥0.0351
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8050 编号：C2846756
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：与S8550互补,集电极电流:Ic = 0.5A。标记:J3Y
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0626

    • 500+

      ￥0.0496

    • 3000+

      ￥0.0371

    • 6000+

      ￥0.0328

    • 24000+

      ￥0.029

    • 51000+

      ￥0.027
  • 有货
    • 立即购买
    1.5A 25V
    型号：SS8050 Y1 0.52 编号：C49023581
    封装：SOT-23
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    放大倍数200-350 1500MA电流

    • 50+

      ￥0.063

    • 500+

      ￥0.0501

    • 3000+

      ￥0.0429

    • 6000+

      ￥0.0386

    • 24000+

      ￥0.0349
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904(1AM) 编号：C3024452
    封装：TO-236
    品牌：ST(先科)
    用于开关和放大应用的NPN硅通用晶体管。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0641

    • 500+

      ￥0.0497

    • 3000+

      ￥0.0409

    • 6000+

      ￥0.0362

    • 24000+

      ￥0.032
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:400mA
    型号：BSS138P 编号：C5224269
    封装：SOT-23
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.0642

    • 100+

      ￥0.0541

    • 300+

      ￥0.0485

    • 3000+

      ￥0.0397

    • 6000+

      ￥0.0368

    • 9000+

      ￥0.0352
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
    型号：BR2N7002K2 编号：C358380
    封装：SOT-23
    品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)
    SOT-23 塑封封装N 沟道MOS 场效应管。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0673

    • 500+

      ￥0.0577

    • 3000+

      ￥0.0524

    • 6000+

      ￥0.0493

    • 24000+

      ￥0.0465

    • 51000+

      ￥0.045
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:0.1A 电压:65V
    型号：BC856B 编号：C545565
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：非常适合自动插入。 适用于开关和音频放大器应用
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0729

    • 500+

      ￥0.0556

    • 3000+

      ￥0.0434

    • 6000+

      ￥0.0377

    • 24000+

      ￥0.0327

    • 51000+

      ￥0.03
  • 有货
    • 立即购买
    档位：200-400 NPN 电流:150mA 电压:50V
    型号：C1815 编号：C123401
    封装：SOT-23
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：适用于开关和音频放大器应用。 晶体管根据其直流电流增益分为四组：O、Y、G 和 L。 SOT-23封装
    数据手册

    • 50+

      ￥0.07353 ￥0.0774

    • 500+

      ￥0.059185 ￥0.0623

    • 3000+

      ￥0.04693 ￥0.0494

    • 6000+

      ￥0.04218 ￥0.0444

    • 24000+

      ￥0.038 ￥0.04

    • 51000+

      ￥0.03572 ￥0.0376
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:500mA 电压:150V
    型号：LMBT5401LT1G 编号：C57683
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：产品材料符合RoHS要求。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用。 AEC-Q101合格且具备PPAP能力
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0794

    • 500+

      ￥0.0617

    • 3000+

      ￥0.0518

    • 6000+

      ￥0.0459

    • 24000+

      ￥0.0407

    • 51000+

      ￥0.038
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:1500mA 电压:25V
    型号：SS8550-6AF 编号：C48587190
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    晶体管类型: PNP,集电极电流(Ic): 1.5A,集射极击穿电压 25V,耗散功率(Pd); 300mW

    • 50+

      ￥0.0902

    • 500+

      ￥0.0696

    • 3000+

      ￥0.0581

    • 6000+

      ￥0.0512

    • 24000+

      ￥0.0453

    • 51000+

      ￥0.042
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:500mA 电压:30V
    型号：MMBT9013H 编号：C81408
    封装：SOT-23
    品牌：ST(先科)
    NPN 电流:500mA 电压:30V
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0955

    • 500+

      ￥0.075

    • 3000+

      ￥0.0631

    • 6000+

      ￥0.0563

    • 24000+

      ￥0.0503

    • 51000+

      ￥0.0471
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:300mA
    型号：BSS138 编号：C347484
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。 VDS(V) = 50V。 ID = 300mA (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 2.5Ω (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 3.5Ω (VGS = 2.5V)。 低导通电阻。 ESD等级：1.5KV HBM
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0963

    • 500+

      ￥0.0731

    • 3000+

      ￥0.058

    • 6000+

      ￥0.0503

    • 24000+

      ￥0.0436

    • 51000+

      ￥0.04
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:60V
    型号：MMBT2222A-6AF 编号：C48587189
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    晶体管类型: NPN,集电极电流(Ic): 600mA,集射极击穿电压 60V,耗散功率(Pd): 250mW

    • 50+

      ￥0.0964

    • 500+

      ￥0.0743

    • 3000+

      ￥0.0621

    • 6000+

      ￥0.0547

    • 24000+

      ￥0.0484

    • 51000+

      ￥0.0449
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:0.43A
    型号：2N7002（丝印12W） 编号：C111581
    封装：SOT-23
    品牌：SHIKUES(时科)
    特性：表面贴装封装。 极低的阈值电压。 先进的沟槽单元设计。 ESD 保护（HBM > 2KV）。应用：便携式电器
    数据手册

    • 50+

      ￥0.098135 ￥0.1033

    • 500+

      ￥0.07714 ￥0.0812

    • 3000+

      ￥0.063555 ￥0.0669

    • 6000+

      ￥0.056525 ￥0.0595

    • 24000+

      ￥0.050445 ￥0.0531

    • 51000+

      ￥0.047215 ￥0.0497
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC807-40 编号：C181152
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：与BC817互补。 高集电极电流。 外延平面管芯结构。 高电流增益。 表面贴装器件
    数据手册

    • 50+

      ￥0.10773 ￥0.1134

    • 500+

      ￥0.08569 ￥0.0902

    • 3000+

      ￥0.069825 ￥0.0735

    • 6000+

      ￥0.06251 ￥0.0658

    • 24000+

      ￥0.056145 ￥0.0591

    • 51000+

      ￥0.052725 ￥0.0555
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:60V 电流:0.3A
    型号：2N7002NXAKR 编号：C19268174
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 60V，ID = 0.3A。 RDS(ON) < 2.5Ω @ VGS = 4.5V。 RDS(ON) < 2.2Ω @ VGS = 10V。 ESD 等级：HBM 2000V。应用：直接逻辑电平接口：TTL/CMOS。 驱动器：继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

    • 20+

      ￥0.12445 ￥0.131

    • 200+

      ￥0.096235 ￥0.1013

    • 600+

      ￥0.08056 ￥0.0848

    • 3000+

      ￥0.071155 ￥0.0749

    • 9000+

      ￥0.062985 ￥0.0663

    • 21000+

      ￥0.05852 ￥0.0616
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：3401 编号：C7431448
    封装：SOT-23
    品牌：HL(富海微)
    3401是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3401符合RoHS标准和绿色产品要求，且经过全面功能可靠性认证。

    • 50+

      ￥0.1276

    • 500+

      ￥0.0985

    • 3000+

      ￥0.081

    • 6000+

      ￥0.0713

    • 24000+

      ￥0.0629

    • 51000+

      ￥0.0583
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：TK3904LED03 编号：C3031915
    封装：WBFBP-03E
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    NPN单开关晶体管，超小型贴片塑料封装。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1362

    • 200+

      ￥0.1075

    • 600+

      ￥0.0916

    • 2000+

      ￥0.0821

    • 10000+

      ￥0.0738

    • 20000+

      ￥0.0694
  • 有货
    • 立即购买
    HL7002KD
    型号：HL7002KD 编号：C53155118
    封装：DFN1006-3L
    品牌：R+O(宏嘉诚)

    • 20+

      ￥0.1487

    • 200+

      ￥0.1167

    • 600+

      ￥0.0988

    • 2000+

      ￥0.0881
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8550(SOT89-3L) 编号：C5346137
    封装：SOT-89-3L
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    这款SOT-89封装的PNP型三极管，拥有25V的VCEO耐压值和1.5A的稳定集电极电流IC，其放大倍数范围在200至300之间，适用于高增益、大电流应用场景，是您电子设计与制造的理想选择。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1565

    • 200+

      ￥0.1209

    • 1000+

      ￥0.1016

    • 2000+

      ￥0.0898

    • 10000+

      ￥0.0795

    • 20000+

      ￥0.0739
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
    型号：AP3404S 编号：C2875959
    封装：SOT-23-3
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    SOT23-3塑封封装 N 道 MOS 场效应管。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1636

    • 100+

      ￥0.1476

    • 300+

      ￥0.1395

    • 3000+

      ￥0.1335
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:0.5A 电压:60V
    型号：MMBTA05 编号：C545554
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：驱动晶体管
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1636

    • 200+

      ￥0.1298

    • 600+

      ￥0.111

    • 3000+

      ￥0.0997

    • 9000+

      ￥0.0899

    • 21000+

      ￥0.0847
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3906TT1G 编号：C82042
    封装：SOT-416
    品牌：onsemi(安森美)
    此 PNP 双极晶体管适用于通用放大器应用。此器件采用 SOT-416/SC-75 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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    30V N沟道MOSFET
    型号：AO3400A 编号：C48678023
    封装：SOT-23
    品牌：baocheng(宝乘)
    漏源电压:30V 连续漏极电流:5.7A 导通电阻:48mΩ@2.5V 耗散功率:1.4W 阀值电压：0.65V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

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    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：SMMBT3904LT1G 编号：C84555
    封装：SOT-23
    品牌：onsemi(安森美)
    该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:3.6A
    型号：HL2304 编号：C7420346
    封装：SOT-23
    品牌：R+O(宏嘉诚)
    特性：VDSS = 30V。 I0 = 3.6A。 RDS(on)@VGS = 10V < 60mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 75mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：电池保护。 负载开关

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    P沟道 耐压:30V 电流:760mA
    型号：IRLML5103TR(UMW) 编号：C5252439
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或用于PWM应用。
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:3.6A
    型号：SI2304A 编号：C2681217
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。适用于电池保护或其他开关应用。
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