晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTMFS5C430NLT1G 编号：C194661

封装：DFN5(5x6)

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，40 V，1.4 mΩ，200 A，单 N 沟道

数据手册

1+
￥3.27
10+
￥2.58
30+
￥2.28
100+
￥1.91
500+
￥1.64
1500+
￥1.54

有货

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型号：AO4421 编号：C33484

封装：SOIC-8

品牌：AOS

将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的导通电阻。该器件适用于负载开关和电池保护应用。

数据手册

1+
￥3.27
10+
￥2.59
30+
￥2.29
100+
￥1.93
500+
￥1.77
1000+
￥1.67

有货

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型号：PHPT60610NYX 编号：C332243

封装：LFPAK56(PowerSO-8)

品牌：Nexperia(安世)

PNP高功率双极晶体管，采用SOT669 (LFPAK56)表面贴装器件(SMD)功率塑料封装。PNP互补型号：PHPT60610PY

数据手册

1+
￥3.73
10+
￥3.02
30+
￥2.66
100+
￥2.2407 ￥2.31
500+
￥2.0273 ￥2.09
1500+
￥1.9206 ￥1.98

有货

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型号：CJAC70P06 编号：C2898279

封装：PDFNWB-8L-EP(5x6)

品牌：CJ(江苏长电/长晶)

CJAC70P06采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

数据手册

1+
￥3.86
10+
￥3.27
30+
￥2.85
100+
￥2.51
500+
￥2.25

有货

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型号：STF13N60M2 编号：C146208

封装：TO-220FPAB-3

品牌：ST(意法半导体)

N沟道600 V、0.35 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装

数据手册

1+
￥4.06
10+
￥3.23
50+
￥2.82
100+
￥2.41
500+
￥2.16
1200+
￥2.03

有货

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型号：BSC010N04LS 编号：C501508

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化用于同步整流。极低导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道，逻辑电平。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

数据手册

1+
￥4.11
10+
￥3.34
30+
￥2.95
100+
￥2.432 ￥2.56
500+
￥2.2135 ￥2.33
1000+
￥2.0995 ￥2.21

有货

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型号：WSD30L120DN56 编号：C148396

封装：DFN5X6-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSD30L120DN56是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD30L120DN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS保证，并经过全面功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥4.365 ￥4.85
10+
￥3.627 ￥4.03
30+
￥3.249 ￥3.61
100+
￥2.88 ￥3.2
500+
￥2.295 ￥2.55
1000+
￥2.178 ￥2.42

有货

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型号：IRF9630PBF 编号：C2627

封装：TO-220AB

品牌：VISHAY(威世)

P沟道,-200V,-6.5A,800mΩ@-10V

数据手册

1+
￥4.51
10+
￥3.65
50+
￥2.96
100+
￥2.54
500+
￥2.28
1000+
￥2.15

有货

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型号：WSF50P10 编号：C2758447

封装：TO-252

品牌：WINSOK(微硕)

WSF50P10是一款高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSF50P10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。

数据手册

1+
￥4.51
10+
￥3.69
30+
￥3.28
100+
￥2.87
500+
￥2.28
1000+
￥2.15

有货

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型号：NCEP60T15G 编号：C216776

封装：DFN5X6-8L

品牌：NCE(无锡新洁能)

使用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg的组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

数据手册

1+
￥4.9
10+
￥3.87
30+
￥3.36
100+
￥2.85
500+
￥2.54
1000+
￥2.38

有货

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型号：BSC066N06NS 编号：C3278728

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行了优化，例如同步整流。 100%经过雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤

1+
￥4.9
10+
￥3.99
30+
￥3.53
100+
￥2.9165 ￥3.07
500+
￥2.66 ￥2.8
1000+
￥2.527 ￥2.66

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型号：IRF5210PBF 编号：C2621

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-40A,60mΩ@-10V

数据手册

1+
￥5.17
10+
￥4.64
50+
￥4.35
100+
￥4.02
500+
￥3.87
1000+
￥3.8

有货

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型号：SI7288DP-T1-GE3 编号：C126988

封装：PowerPAKSO-8

品牌：VISHAY(威世)

N沟道

数据手册

1+
￥6.28
10+
￥5.19
30+
￥4.65
100+
￥4.11
500+
￥3.22
1000+
￥3.05

有货

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型号：IPD068N10N3G 编号：C88066

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,90A,6.8mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.9
10+
￥5.82
30+
￥5.23
100+
￥4.12
500+
￥3.82
1000+
￥3.69

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型号：SP60P03GHTO 编号：C42372352

封装：TOLL-8L

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品，P沟道，耐压：-60V，电流：-140A,Rdson：3.1mR

1+
￥7.9
10+
￥6.5
30+
￥5.73
100+
￥4.86
500+
￥4.74
1000+
￥4.57

有货

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型号：CMSL107N20 编号：C39840891

封装：TOLL-8L

品牌：Cmos(广东场效应半导体)

CMSL107N20采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合高效率快速开关应用。

1+
￥8.07
10+
￥6.66
30+
￥5.89
100+
￥4.98
500+
￥4.59

有货

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型号：AGM15T03LL 编号：C17701044

封装：TOLL-8L

品牌：AGMSEMI(芯控源)

AGM15T03LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

1+
￥13.4412 ￥14.61
10+
￥11.4448 ￥12.44
30+
￥10.1936 ￥11.08
100+
￥8.1144 ￥8.82
500+
￥7.544 ￥8.2
1000+
￥7.2864 ￥7.92

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型号：IRFP350PBF 编号：C2680

封装：TO-247AC

品牌：VISHAY(威世)

N沟道,400V,16A,300mΩ@10V

数据手册

1+
￥13.87
10+
￥11.66
25+
￥10.27
100+
￥8.86
500+
￥8.21
1000+
￥7.94

有货

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型号：IRFP4868PBF 编号：C415700

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥14.6
10+
￥12.55
25+
￥10.68
75+
￥9.36
525+
￥8.77
975+
￥8.51

有货

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型号：FGH60N60SMD 编号：C50649

封装：TO-247

品牌：onsemi(安森美)

安森美半导体的新型场截止第 2 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术，为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。

数据手册

1+
￥19.47
10+
￥16.5
30+
￥14.73
90+
￥12.95
450+
￥12.12
900+
￥11.75

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型号：BUK9M85-60EX 编号：C179365

封装：LFPAK33-8

品牌：Nexperia(安世)

逻辑电平N沟道MOSFET，采用LFPAK33（Power33）封装，使用TrenchMOS技术。该产品已按照AEC Q101标准进行设计和认证，适用于高性能汽车应用。

数据手册

1+
￥21.71
10+
￥18.75
30+
￥16.89
100+
￥14.6902 ￥14.99
500+
￥13.8572 ￥14.14
1500+
￥12.5244 ￥12.78

有货

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型号：2N7002 编号：C42441800

封装：SOT-23

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

N沟道,60V,0.3A,2Ω@10V

100+
￥0.0494
1000+
￥0.0392
3000+
￥0.0335
9000+
￥0.0301
51000+
￥0.0272
99000+
￥0.0256

有货

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型号：S9013 编号：C46594523

封装：SOT-23

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

100+
￥0.0494
1000+
￥0.0392
3000+
￥0.0335
9000+
￥0.0301

有货

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型号：S9013 编号：C181163

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：与S9012互补。出色的hFE线性度。高集电极电流。表面贴装器件

数据手册

50+
￥0.051775 ￥0.0545
500+
￥0.040185 ￥0.0423
3000+
￥0.03591 ￥0.0378
6000+
￥0.03211 ￥0.0338
24000+
￥0.02869 ￥0.0302
51000+
￥0.02698 ￥0.0284

有货

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型号：S8050M-D 编号：C2844025

封装：SOT-23

品牌：BLUE ROCKET(蓝箭)

SOT-23 塑封封装 NPN 半导体三极管。

数据手册

50+
￥0.0528
500+
￥0.0453
3000+
￥0.0411
6000+
￥0.0386
24000+
￥0.0365
51000+
￥0.0353

有货

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型号：BC848C 编号：C181143

封装：SOT-23

品牌：Hottech(合科泰)

特性：适用于一般音频应用。高集电极电流。高电流增益。低集电极-发射极饱和电压

数据手册

5+
￥0.060135 ￥0.0633
50+
￥0.0475 ￥0.05
150+
￥0.040565 ￥0.0427
500+
￥0.036385 ￥0.0383
3000+
￥0.03078 ￥0.0324
6000+
￥0.02888 ￥0.0304

有货

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型号：BSS84 编号：C41354933

封装：SOT-23

品牌：Siliup(矽普)

小电流MOSFET产品，P沟道，耐压：-60V，电流：-0.13A, Rdson：4200mR

50+
￥0.06308 ￥0.0664
500+
￥0.048735 ￥0.0513
3000+
￥0.04161 ￥0.0438
6000+
￥0.03686 ￥0.0388
24000+
￥0.03268 ￥0.0344
51000+
￥0.030495 ￥0.0321

有货

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型号：MMBT5551 编号：C51898301

封装：SOT-23

品牌：baocheng(宝乘)

集电极电流(IC)：600mA 集射极击穿电压(VCEO)：40V 耗散功率(pd)：200mW 直流电流增益（hfE）： 300@1V,10mA 特征频率(fT):300HZ 集电极截止电流(Icbo) ：100nA 集射极饱和电压(VCE(sat))：300mV @50mA,5mA 射基极击穿电压(Vebo)：6V 工作温度：-55℃~+155℃@(Tj)