晶体管_厂家_价格_品牌_库存

N沟道.30V/66A.5.5mΩ.功能与脚位等同AON7534

数据手册

5+
￥1.309
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￥1.162
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￥1.099
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￥1.0204
2500+
￥0.8532
5000+
￥0.8322

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型号：BC817DPN,115 编号：C426778

封装：SC-74(TSOP-6)

品牌：Nexperia(安世)

采用SOT457（SC - 74）塑料封装的NPN/PNP通用双晶体管。

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￥1.316
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￥1.0375
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￥0.9182
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￥0.746221 ￥0.7693
3000+
￥0.681813 ￥0.7029
6000+
￥0.643207 ￥0.6631

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型号：IRF7341 编号：C5355495

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

双N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。它可用于各种应用。

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5+
￥1.33589 ￥1.4062
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￥1.049085 ￥1.1043
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￥0.92625 ￥0.975
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￥0.77292 ￥0.8136
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￥0.704615 ￥0.7417
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￥0.66367 ￥0.6986

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型号：SI2356DS-T1-GE3 编号：C74127

封装：SOT-23

特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。应用：DC/DC转换器。负载开关

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￥1.3549
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￥1.0659
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￥0.9421
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￥0.7875
3000+
￥0.7187
6000+
￥0.6774

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型号：WSP4807 编号：C148417

封装：SOP-8

特性：30V/-8.9A。 RDS(ON) = 21mΩ (max.) @ VGS = -10V。 RDS(ON) = 32mΩ (max.) @ VGS = -4.5V。可靠耐用。提供无铅和环保设备（符合 RoHS 标准）。应用：笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理

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5+
￥1.3615
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￥1.0843
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￥0.9655
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￥0.8173
3000+
￥0.6868
6000+
￥0.6472

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型号：WST3078 编号：C148370

封装：SOT-23-6

WST3078是具有极高单元密度的高性能沟槽式N沟道和P沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WST3078符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

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5+
￥1.4211
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￥1.1439
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￥1.0251
500+
￥0.8769
3000+
￥0.6912
6000+
￥0.6516

有货

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型号：SI4435DDY-T1-GE3 编号：C10491

封装：SO-8

P沟道,-30V,11.4A,24mΩ@-10V

数据手册

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￥1.4249
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￥1.1469
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￥1.0278
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￥0.8791
2500+
￥0.7403
5000+
￥0.7006

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型号：ESN21307 编号：C5224307

封装：PDFN5x6-8L

品牌：ElecSuper(静芯)

P沟道，-30V，-45A，8.5mΩ@-10V,-20A，-1.5V@-250uA；应用领域：锂电池保护板、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。

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￥1.4726
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￥1.1324
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￥0.9866
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￥0.8047
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￥0.7237
1000+
￥0.675

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型号：FDS4559-HXY 编号：C4748740

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款消费级N+P沟道MOSFET采用SOP-8封装，额定电压60V，连续电流高达6A，特别适合于电池管理系统、电源转换等需要双向电压控制的场合。器件具备双通道设计，实现高效能与低导通电阻，确保在正负电压切换时表现出色，是现代电子产品中理想的功率开关元件。

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5+
￥1.479625 ￥1.5575
50+
￥1.19814 ￥1.2612
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￥1.077585 ￥1.1343
500+
￥0.92701 ￥0.9758
3000+
￥0.658255 ￥0.6929
6000+
￥0.61807 ￥0.6506

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型号：SL25N10 编号：C2965548

封装：TO-252

品牌：Slkor(萨科微)

类型 N VDSS(V) 100 ID@TC=91?C(A) 25 PD@TC=91?C(W) 34 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.71V -

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5+
￥1.5214
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￥1.219
150+
￥1.0894
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￥0.9277
2500+
￥0.7897
5000+
￥0.7464

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型号：NTF3055L108T1G 编号：C7472933

封装：SOT-223

特性：60V, 4A, RDS(ON) = 85 mΩ @ VGS = 10 V。 RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = 4.5 V。高密单元设计，实现极低的RDS(ON)。坚固可靠。获得无铅产品认证。 SOT-223封装。应用：负载/电源开关。接口

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￥1.6455
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￥1.2914
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￥1.1396
500+
￥0.9502
2500+
￥0.8658
5000+
￥0.8152

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型号：WSP4984 编号：C148405

封装：SOP-8

WSP4984是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷。WSP4984符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

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1+
￥1.8509
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￥1.4729
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￥1.3109
100+
￥1.1087
500+
￥1.0187
1000+
￥0.8836

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型号：AO4616 编号：C115831

封装：SOIC-8

品牌：AOS

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￥1.8748
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￥1.5048
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￥1.3462
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￥1.0294
3000+
￥0.9413
6000+
￥0.8884

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型号：AO4882 编号：C477943

封装：SOIC-8

品牌：AOS

使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷。这是一种通用器件，适用于广泛的功率转换应用。

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5+
￥1.933
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￥1.537
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￥1.3673
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￥1.1556
3000+
￥1.015
6000+
￥0.9585

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型号：YJQ40G10A 编号：C919608

封装：DFN3333-8L

品牌：YANGJIE(扬杰)

YJQ40G10A-F1-1100HF

数据手册

5+
￥1.9615
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￥1.555
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￥1.3807
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￥1.0665
5000+
￥1.0084

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型号：STD35NF06L 编号：C20611850

封装：TO-252-3L

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

5+
￥1.9747
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￥1.5715
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￥1.3987
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￥1.1831
2500+
￥1.0871
5000+
￥1.0295

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型号：IRFR9120NTRPBF 编号：C3019

封装：DPAK(TO-252AA)

品牌：Infineon(英飞凌)

P沟道,-100V,-6.6A,480mΩ@-10V

数据手册

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￥2.0321
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￥1.6089
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￥1.4275
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￥1.141045 ￥1.2011
2000+
￥1.04538 ￥1.1004
4000+
￥0.987905 ￥1.0399

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型号：WSP4099 编号：C148423

封装：SOP-8

WSP4099是高性能沟槽P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSP4099符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过输出特性雪崩耐量（EAS）测试，且通过了全功能可靠性认证。

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1+
￥2.0864
10+
￥1.658
30+
￥1.4744
100+
￥1.2453
500+
￥1.1433
1000+
￥1.0566

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型号：SI2369DS-T1-GE3 编号：C141546

封装：SOT-23

特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。材料分类：有关合规性定义，请参阅相关文档。应用：移动计算。负载开关

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5+
￥2.1293
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￥1.6894
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￥1.5008
500+
￥1.24019 ￥1.2655
3000+
￥1.096816 ￥1.1192
6000+
￥1.035174 ￥1.0563

有货

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型号：WSD20L75DN33 编号：C148391

封装：DFN-8(3.3x3.3)

WSD20L75DN33采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用场景。

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1+
￥2.169 ￥2.41
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￥1.719 ￥1.91
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￥1.521 ￥1.69
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￥1.278 ￥1.42
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￥1.134 ￥1.26
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￥1.062 ￥1.18

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型号：SP60N02BGNK 编号：C22385420

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品

1+
￥2.204 ￥2.32
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￥1.919 ￥2.02
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￥1.7955 ￥1.89
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￥1.6435 ￥1.73
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￥1.596 ￥1.68
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￥1.558 ￥1.64

有货

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型号：NTD2955T4G 编号：C5246441

封装：TO-252

NTD2955T4G Pin to PIN 标准参数Vth:3.0

数据手册

1+
￥2.21
10+
￥1.94
30+
￥1.82
100+
￥1.67
500+
￥1.52
1000+
￥1.48

有货

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型号：IRF640NPBF-JSM 编号：C2857860

封装：TO-220

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

应用于高频开关电源、有源功率因数校正。

数据手册

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￥2.24325 ￥2.4925
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￥1.63071 ￥1.8119
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￥1.42128 ￥1.5792
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￥1.15992 ￥1.2888
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￥1.04364 ￥1.1596
5000+
￥0.9738 ￥1.082

有货

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型号：AOD403 编号：C28969

封装：TO-252

品牌：AOS

P沟道,-30V,-70A,8mΩ@-10V

数据手册

1+
￥2.48
10+
￥1.96
30+
￥1.74
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￥1.46
500+
￥1.18
1000+
￥1.11

有货

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型号：SI2312BDS-T1-GE3 编号：C10490

封装：SOT-23

N沟道,20V,5A,31mΩ@4.5V

数据手册

5+
￥2.5178
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￥2.0335
150+
￥1.826
500+
￥1.386602 ￥1.4149
3000+
￥1.273608 ￥1.2996
6000+
￥1.205792 ￥1.2304

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型号：PBSS306NZ,135 编号：C478130

封装：SOT-223

品牌：Nexperia(安世)

NPN低VCEsat 小信号突破（BISS）晶体管，采用SOT223（SC-73）小型表面贴装器件（SMD）塑料封装。PNP互补型号：PBSS306PZ。

数据手册

1+
￥2.65
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￥2.33
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￥2.17
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￥1.9497 ￥2.01
500+
￥1.8527 ￥1.91
1000+
￥1.8139 ￥1.87

有货

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型号：IRLL024NTRPBF 编号：C148138

封装：SOT-223

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道 55V 3.1A

数据手册

1+
￥2.67
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￥2.14
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￥1.91
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￥1.539 ￥1.62
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￥1.3015 ￥1.37
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￥1.235 ￥1.3

有货

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型号：NTD5865NLT4G 编号：C5350898

封装：TO-252

这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。

数据手册

1+
￥2.69
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￥2.09
30+
￥1.83
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￥1.51
500+
￥1.36
1000+
￥1.28

有货

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型号：WSD6056DN56 编号：C2758412

封装：DFN5x6-8

Configuration Dual Type N-Ch VDS(V) 60 VGS(V) 20 ID(A)Max. 45 VGS(th)(v) 1.5 RDS(ON)(m?)@4.228V 20 Qg(nC)@4.5V 17.6 QgS(nC) 2.7 Qgd(nC) 6.3 Ciss(pF) 945 Coss(pF) 275 Crss(pF) 26

数据手册

1+
￥2.8
10+
￥2.24
30+
￥2
100+
￥1.71
500+
￥1.49
1000+
￥1.41

有货

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型号：FDS4141 编号：C22358679

封装：SOP-8