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该NPN双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
  • 10+

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    ¥0.019665 ¥0.0207
  • 有货
  • 特性:与MMBT2222A互补。 功率耗散:250mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值温度为260℃
    • 50+

      ¥0.0861
    • 500+

      ¥0.0714
    • 3000+

      ¥0.0558
    • 6000+

      ¥0.0509
    • 24000+

      ¥0.0466
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      ¥0.0443
  • 有货
  • 特性:功率耗散:300mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃
    • 20+

      ¥0.1529
    • 200+

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    • 600+

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  • 有货
  • hFE:100-200,丝印:1D
    • 20+

      ¥0.1677
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    • 21000+

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  • 有货
  • 特性:VDS = -20V。 IO = -5.0A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 43mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 55mΩ。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器
    • 20+

      ¥0.2292
    • 200+

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    • 600+

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      ¥0.1392
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      ¥0.1248
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      ¥0.1175
  • 有货
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    • 24000+

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    • 51000+

      ¥0.0391
  • 有货
  • 特性:AM/FM 放大器。功率耗散:200mW。高稳定性和高可靠性。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260℃
    • 50+

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    • 500+

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    • 3000+

      ¥0.0557
    • 6000+

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    • 24000+

      ¥0.0443
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  • 有货
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  • 有货
  • 特性:VDSS = -20V。 I₀ = -2.3A。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 112mΩ。 RDS(on)@VGS = -2.5V < 142mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:电池供电系统。 固态继电器
    • 20+

      ¥0.1511
    • 200+

      ¥0.1354
    • 600+

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  • 有货
  • hFE:100-400,丝印:1GM
    • 20+

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    • 200+

      ¥0.1237
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  • 有货
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    • 20+

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    • 9000+

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    • 21000+

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  • 有货
  • 特性:VDS = 30V。 ID = 5.8A。 RDS(on)@VGS = 10V < 35mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 40mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池保护。 负载开关
    • 5+

      ¥0.1821
    • 50+

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    • 3000+

      ¥0.1016
    • 6000+

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  • 有货
  • 特性:功率耗散:250mW。 NPN低等效导通电阻。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260°C
    • 10+

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    • 100+

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    • 300+

      ¥0.196
    • 3000+

      ¥0.1684
    • 6000+

      ¥0.1511
    • 9000+

      ¥0.1425
  • 有货
  • 特性:VDS = -60V。 ID = -1.25A。 RDS(on)@VGS = -10V < 340mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 550mΩ。 Trench Power MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器
    • 10+

      ¥0.2839
    • 100+

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    • 300+

      ¥0.2333
    • 3000+

      ¥0.2206
    • 6000+

      ¥0.2105
    • 9000+

      ¥0.2054
  • 有货
  • 特性:NPN 互补于 BCX54、BCX55、BCX56。功率耗散:500mW。低电压和高电流。符合 J-STD-020 的 MSL 1 级,LF 最大峰值为 260°C
    • 10+

      ¥0.2888
    • 100+

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    • 300+

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    • 1000+

      ¥0.1646
    • 5000+

      ¥0.1469
    • 10000+

      ¥0.1381
  • 有货
  • 特性:低饱和电压。 功率耗散为500mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃
    • 10+

      ¥0.3319
    • 100+

      ¥0.2649
    • 300+

      ¥0.2314
    • 1000+

      ¥0.1992
    • 5000+

      ¥0.1791
    • 10000+

      ¥0.169
  • 有货
  • hFE:100-250,丝印:BL
    • 10+

      ¥0.3843
    • 100+

      ¥0.3123
    • 300+

      ¥0.2763
    • 1000+

      ¥0.2144
    • 5000+

      ¥0.1928
    • 10000+

      ¥0.182
  • 有货
  • 特性:与BCP51、BCP52、BCP53互补。 功率耗散为1.33W。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃
    • 10+

      ¥0.4405
    • 100+

      ¥0.3509
    • 300+

      ¥0.306
    • 2500+

      ¥0.2724
    • 5000+

      ¥0.2456
    • 10000+

      ¥0.2321
  • 有货
  • 该 NPN 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装,适用于低功率表面贴装应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.075905 ¥0.0799
    • 500+

      ¥0.060515 ¥0.0637
    • 3000+

      ¥0.049115 ¥0.0517
    • 6000+

      ¥0.043985 ¥0.0463
    • 24000+

      ¥0.03952 ¥0.0416
    • 51000+

      ¥0.037145 ¥0.0391
  • 有货
  • 特性:VDSS = -30V。 I₀ = -1.9A。 RDS(on)@VGS = -10V < 190mΩ。 RDS(on)@VGS = -4.5V < 330mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:电池供电系统。 固态继电器
    • 20+

      ¥0.1533
    • 200+

      ¥0.1233
    • 600+

      ¥0.1066
    • 3000+

      ¥0.0942
    • 9000+

      ¥0.0855
    • 21000+

      ¥0.0808
  • 有货
  • 特性:功率耗散:200mW。 高稳定性和高可靠性。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260℃
    • 20+

      ¥0.1808
    • 200+

      ¥0.14
    • 600+

      ¥0.1172
    • 3000+

      ¥0.1036
    • 9000+

      ¥0.0918
    • 21000+

      ¥0.0855
  • 有货
  • 特性:VDSS = 20V。 I₀ = 4.5A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 25mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 32mΩ。 Trench Power LV MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用:电池保护。 负载开关
    • 5+

      ¥0.1835
    • 50+

      ¥0.1482
    • 150+

      ¥0.1287
    • 500+

      ¥0.1169
    • 3000+

      ¥0.1039
    • 6000+

      ¥0.0984
  • 有货
  • 特性:VDS = -30V。I0 = -4.4A。RDS(on)@VGS = -10V < 55mΩ。RDS(on)@VGS = -4.5V < 68mΩ。RDS(on)@VGS = -2.5V < 96mΩ。沟槽功率低压MOSFET技术。应用:电池保护。负载开关
    • 20+

      ¥0.2067
    • 200+

      ¥0.161
    • 600+

      ¥0.1357
    • 3000+

      ¥0.1204
    • 9000+

      ¥0.1072
    • 21000+

      ¥0.1001
  • 有货
  • 特性:功率耗散:250mW。 NPN低等效导通电阻。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值260℃
    • 20+

      ¥0.2295
    • 200+

      ¥0.1815
    • 600+

      ¥0.1575
    • 3000+

      ¥0.1345
    • 9000+

      ¥0.1201
    • 21000+

      ¥0.1128
  • 有货
  • 特性:功率耗散:250mW。 PNP低等效导通电阻。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值温度为260°C
    • 20+

      ¥0.2302
    • 200+

      ¥0.1803
    • 600+

      ¥0.1526
    • 3000+

      ¥0.1314
    • 9000+

      ¥0.117
    • 21000+

      ¥0.1092
  • 有货
  • 特性:VDS = 25V。 ID = 0.22A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 4.0Ω。 RDS(on)@VGS = 2.7V < 5.0Ω。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用:电池供电系统。 固态继电器
    • 10+

      ¥0.267
    • 100+

      ¥0.2139
    • 300+

      ¥0.1874
    • 3000+

      ¥0.155
    • 6000+

      ¥0.1391
    • 9000+

      ¥0.1311
  • 有货
  • hFE:100-250,丝印:6A
    • 50+

      ¥0.1171
    • 500+

      ¥0.0923
    • 3000+

      ¥0.0756
    • 6000+

      ¥0.0673
    • 24000+

      ¥0.0601
    • 51000+

      ¥0.0562
  • 有货
  • 特性:功率耗散:0.2W。 适用于中功率放大和开关。 双晶体管(NPN+NPN)。 符合J-STD-020的MSL 1级,LF最大峰值为260°C
    • 10+

      ¥0.1834
    • 100+

      ¥0.161
    • 300+

      ¥0.1499
    • 3000+

      ¥0.1415
    • 6000+

      ¥0.1348
    • 9000+

      ¥0.1314
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