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首页 > 热门关键词 > 晶体管
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NPN 电流:600mA 电压:40V
型号：MMBT4401 编号：C916376
封装：SOT-23
品牌：JSMSEMI(杰盛微)
专为中等电压、中等电流环境下的线性和开关应用设计，是各类电子设备电路的理想半导体元件。
数据手册

  • 50+

    ￥0.089165 ￥0.1049

  • 500+

    ￥0.070805 ￥0.0833

  • 3000+

    ￥0.060605 ￥0.0713

  • 6000+

    ￥0.054485 ￥0.0641

  • 24000+

    ￥0.04913 ￥0.0578

  • 45000+

    ￥0.04624 ￥0.0544
  • 有货
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    hFE:160-300 NPN 电流:1.5A 电压:25V
    型号：SS8050 编号：C2931495
    封装：TO-92
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于开关电源、音频放大器。
    数据手册

    • 50+

      ￥0.0989

    • 500+

      ￥0.0773

    • 2000+

      ￥0.0685

    • 5000+

      ￥0.0613

    • 25000+

      ￥0.055

    • 50000+

      ￥0.0516
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 600mA 150V
    型号：2N5401 编号：C18195370
    封装：SOT-23
    品牌：LJ(朗捷)
    特性：PNP晶体管，与MMBT5551互补，适用于中功率放大和开关应用

    • 50+

      ￥0.0993

    • 500+

      ￥0.0777

    • 3000+

      ￥0.0657

    • 6000+

      ￥0.0585

    • 24000+

      ￥0.0522

    • 51000+

      ￥0.0488
  • 有货
    • 立即购买
    2TY(2TY表示丝印) PNP 电流:0.5A 电压:25V
    型号：S8550 编号：C2836082
    封装：SOT-523
    品牌：CBI(创基)
    PNP 电流:0.5A 电压:25V
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1001

    • 200+

      ￥0.0785

    • 600+

      ￥0.0665

    • 3000+

      ￥0.058

    • 9000+

      ￥0.0517

    • 21000+

      ￥0.0484
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:50V 电流:0.22A
    型号：BSS138 编号：C5190146
    封装：SOT-23
    品牌：Hottech(合科泰)
    特性：低导通电阻。 低栅极阈值电压。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 超小型表面贴装封装
    数据手册

    • 50+

      ￥0.103265 ￥0.1087

    • 500+

      ￥0.08018 ￥0.0844

    • 3000+

      ￥0.071535 ￥0.0753

    • 6000+

      ￥0.06384 ￥0.0672

    • 24000+

      ￥0.05719 ￥0.0602

    • 51000+

      ￥0.05358 ￥0.0564
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904M 编号：C19630729
    封装：SOT-723
    品牌：YONGYUTAI(永裕泰)
    特性：低外形封装。 适合自动贴装。 与MMBT3906M（PNP）互补。 功率耗散为200mW。 高稳定性和高可靠性。 符合RoHS标准。应用：放大信号。 电子开关

    • 50+

      ￥0.1055

    • 500+

      ￥0.0812

    • 1500+

      ￥0.0677

    • 8000+

      ￥0.0596

    • 24000+

      ￥0.0526

    • 48000+

      ￥0.0488
  • 有货
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    PNP 电流:800mA 电压:25V
    型号：S8550-6AF 编号：C48587105
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    晶体管类型: PNP,集电极电流(Ic): 500mA,集射极击穿电压 25V,耗散功率(Pd): 300mW

    • 50+

      ￥0.1069

    • 500+

      ￥0.0824

    • 3000+

      ￥0.0689

    • 6000+

      ￥0.0607

    • 24000+

      ￥0.0537

    • 51000+

      ￥0.0498
  • 有货
    • 立即购买
    hfe=250~600 PNP 电流:500mA 电压:45V
    型号：BC807-40(RANGE:250-600) 编号：C8587
    封装：SOT-23
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：非常适合自动插入。 外延平面管芯结构。 有互补NPN类型（BC817）
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1143

    • 500+

      ￥0.09

    • 3000+

      ￥0.0765

    • 6000+

      ￥0.0684

    • 24000+

      ￥0.0614
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
    型号：SI2302S 编号：C431493
    封装：SOT-23
    品牌：BORN(伯恩半导体)
    特性：低导通电阻（RDS(ON)），在VGS = 4.5V-3.3V逻辑电平控制下。 N沟道SOT23封装。 无铅，符合RoHS标准。应用：负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1276

    • 200+

      ￥0.1114

    • 600+

      ￥0.1024

    • 3000+

      ￥0.0829

    • 9000+

      ￥0.0782

    • 21000+

      ￥0.0757
  • 有货
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    PNP 电流:1500mA 电压:50V
    型号：LH8550QLT1G 编号：C97290
    封装：SOT-23
    品牌：LRC(乐山无线电)
    特性：小封装大电流容量：Ic = -1.5A。 外延平面型。 提供无铅封装。 S前缀适用于汽车和其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序能力
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1289

    • 500+

      ￥0.1024

    • 3000+

      ￥0.0835

    • 6000+

      ￥0.0746

    • 24000+

      ￥0.067

    • 51000+

      ￥0.0629
  • 有货
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    P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401-TD 编号：C42421810
    封装：SOT-23
    品牌：TDSEMIC(拓电半导体)
    该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压20V，可承载3A电流。具备低导通电阻与快速开关特性，应用于充电器、电源转换等场合，提供高效能、稳定可靠的功率控制方案，是各类电子设备的理想选择。

    • 20+

      ￥0.136

    • 200+

      ￥0.1071

    • 600+

      ￥0.091

    • 3000+

      ￥0.0814

    • 9000+

      ￥0.073

    • 21000+

      ￥0.0685
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
    型号：2SK3018 编号：C475593
    封装：SOT-23
    品牌：SHIKUES(时科)
    低导通电阻。快速开关速度。硅N沟道MOSFET。驱动电路可以很简单
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1368 ￥0.144

    • 200+

      ￥0.10773 ￥0.1134

    • 600+

      ￥0.091675 ￥0.0965

    • 3000+

      ￥0.076475 ￥0.0805

    • 9000+

      ￥0.06802 ￥0.0716

    • 21000+

      ￥0.063555 ￥0.0669
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:360mA
    型号：BSS138W-7-F-ES 编号：C5224279
    封装：SOT-323
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.8Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.1385

    • 100+

      ￥0.1061

    • 300+

      ￥0.0881

    • 3000+

      ￥0.0857

    • 6000+

      ￥0.0763

    • 9000+

      ￥0.0713
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
    型号：2N7002KW 编号：C5224237
    封装：SOT-323
    品牌：ElecSuper(静芯)
    带ESD防护，N沟道，60V，0.3A，1.85Ω@10V；应用领域：开关电路、继电器、驱动器、高速信号线驱动、低边开关等。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1526

    • 200+

      ￥0.1162

    • 600+

      ￥0.0959

    • 3000+

      ￥0.0838

    • 9000+

      ￥0.0732

    • 21000+

      ￥0.0675
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:3.16A
    型号：SI2306 编号：C727154
    封装：SOT-23
    品牌：TWGMC(迪嘉)
    类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.16A 功率(Pd)：750mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：47mΩ@10V,3.5A
    数据手册

    • 20+

      ￥0.153045 ￥0.1611

    • 200+

      ￥0.13281 ￥0.1398

    • 600+

      ￥0.121505 ￥0.1279

    • 3000+

      ￥0.11476 ￥0.1208

    • 9000+

      ￥0.10887 ￥0.1146

    • 21000+

      ￥0.105735 ￥0.1113
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3906-7-F 编号：C82762
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    特性：外延平面管芯结构。 适用于中功率放大和开关。 互补NPN型。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，可靠性高。 具备PPAP能力
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1583

    • 200+

      ￥0.1249

    • 600+

      ￥0.1064

    • 3000+

      ￥0.0952

    • 9000+

      ￥0.0856

    • 21000+

      ￥0.0804
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:60V 电流:115mA
    型号：L2N7002DW1T1G 编号：C383161
    封装：SC-88
    品牌：LRC(乐山无线电)
    N沟道,60V,115mA
    数据手册

    • 20+

      ￥0.168

    • 200+

      ￥0.1293

    • 600+

      ￥0.1079

    • 3000+

      ￥0.095

    • 9000+

      ￥0.0839

    • 21000+

      ￥0.0779
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：IRLML6344TRPBF-HXY 编号：C6285738
    封装：SOT-23
    品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)
    该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于30V电压系统，提供高达5.8A的大电流承载能力。具备出色的低导通电阻与快速开关特性，特别适合充电器、电源模块及高效能电子设备中，实现精准、稳定的功率控制和转换需求。

    • 20+

      ￥0.170765 ￥0.2009

    • 200+

      ￥0.13124 ￥0.1544

    • 600+

      ￥0.10931 ￥0.1286

    • 3000+

      ￥0.095115 ￥0.1119

    • 9000+

      ￥0.08364 ￥0.0984

    • 21000+

      ￥0.07752 ￥0.0912
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:200mA 电压:40V
    型号：MMBT3904T-7-F 编号：C239187
    封装：SOT-523
    品牌：DIODES(美台)
    特性：BVCEO > 40V。 IC = 200mA 集电极电流。 外延平面芯片结构。 超小型表面贴装封装。 互补 PNP 类型。 完全无铅且完全符合 RoHS 标准。 无卤素和锑。 “绿色”器件。 符合 AEC-Q101 高可靠性标准
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1741

    • 200+

      ￥0.1388

    • 600+

      ￥0.1191

    • 3000+

      ￥0.1043

    • 9000+

      ￥0.094

    • 21000+

      ￥0.0885
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:150mA 电压:50V
    型号：2SC2412KT146R 编号：C111699
    封装：TO-236-3(SOT-23-3)
    品牌：ROHM(罗姆)
    通用小信号放大器（50V，150mA）
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1765

    • 200+

      ￥0.1411

    • 600+

      ￥0.1213

    • 3000+

      ￥0.096

    • 9000+

      ￥0.0857

    • 21000+

      ￥0.0802
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
    型号：AP3400 编号：C353070
    封装：SOT-23
    品牌：ALLPOWER(铨力)
    SOT23 塑封封装 N 道 MOS 场效应管。
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1797

    • 200+

      ￥0.1392

    • 600+

      ￥0.1167

    • 3000+

      ￥0.1149

    • 9000+

      ￥0.1032

    • 21000+

      ￥0.0969
  • 有货
    • 立即购买
    NPN 电流:600mA 电压:40V
    型号：MMBT2222AT 编号：C190608
    封装：SOT-523
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：与MMBT2907AT互补。 小封装
    数据手册

    • 20+

      ￥0.1937

    • 200+

      ￥0.158

    • 600+

      ￥0.1382

    • 3000+

      ￥0.1197

    • 9000+

      ￥0.1094

    • 21000+

      ￥0.1038
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:1.7A
    型号：SI2303 编号：C545575
    封装：SOT-23
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=-30V ，Ip =-1.7A。 RDS(ON)=100mΩ（VGS =-10V），RDS(ON)<330mΩ（VGS =-4.5V）。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册

    • 20+

      ￥0.207

    • 200+

      ￥0.1646

    • 600+

      ￥0.141

    • 3000+

      ￥0.1069

    • 9000+

      ￥0.0946

    • 21000+

      ￥0.088
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
    型号：AO3401 编号：C2985640
    封装：SOT-23
    品牌：KUU
    特性：TrenchFET功率MOSFET。 出色的导通电阻和最大直流电流能力。 高密度单元设计，实现极低的RDS(ON)。应用：便携式设备负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2167

    • 100+

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    P沟道 AO3407M-6AF SOT-23
    型号：AO3407M-6AF 编号：C48587192
    封装：SOT-23
    品牌：FOSAN(富捷/富信)
    P沟道,-30V,-4.1A,53mΩ@-4.5V

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    耐压:20V 电流:0.7A
    型号：TPDMN26D0UFB4 编号：C970037
    封装：DFN1006-3L
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：表面贴装封装。 N沟道低导通电阻开关。 低逻辑电平栅极驱动操作。 ESD保护。应用：负载/电源开关。 接口开关
    数据手册

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    P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：AO3401 编号：C22459284
    封装：SOT-23
    品牌：晶扬电子
    P沟道,-30V,-4A,50mΩ@-10V

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    1个N沟道 耐压:30V 电流:400mA
    型号：NX3008NBK,215 编号：C179399
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
    数据手册

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    1个N沟道 耐压:20V 电流:200mA
    型号：RUM002N02T2L 编号：C250130
    封装：SOT-723
    品牌：ROHM(罗姆)
    特性：小封装 (SOT723)。 超低电压驱动 (1.2V驱动)。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 无卤。应用：开关
    数据手册

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    HL3139KDA
    型号：HL3139KDA 编号：C53155117
    封装：DFN1006-3L
    品牌：R+O(宏嘉诚)

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