晶体管_厂家_价格_品牌_库存

型号：NTD2955T4G 编号：C5246441

封装：TO-252

品牌：TECH PUBLIC(台舟)

NTD2955T4G Pin to PIN 标准参数Vth:3.0

数据手册

1+
￥3.12
10+
￥2.46
30+
￥2.17
100+
￥1.82
500+
￥1.58
1000+
￥1.48

有货

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型号：PMV40UN2R 编号：C179442

封装：SOT-23

品牌：Nexperia(安世)

N沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用小型SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装

数据手册

1+
￥3.25
10+
￥2.68
30+
￥2.44
100+
￥2.13
500+
￥2
1000+
￥1.83

有货

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型号：WSD60N10GDN56 编号：C719101

封装：DFN5x6-8

品牌：WINSOK(微硕)

WSD60N10GDN56是一款高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。WSD60N10GDN56符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过全面的功能可靠性认证。

数据手册

1+
￥3.474 ￥3.86
10+
￥2.826 ￥3.14
30+
￥2.547 ￥2.83
100+
￥2.196 ￥2.44
500+
￥1.638 ￥1.82
1000+
￥1.548 ￥1.72

有货

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型号：CSD19538Q3A 编号：C478471

封装：VSONP-8(3.3x3.3)

品牌：TI(德州仪器)

CSD19538Q3A 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、61mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册

1+
￥3.48
10+
￥2.79
30+
￥2.49
100+
￥2.12
500+
￥1.96
1000+
￥1.86

有货

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型号：HD506N032SG 编号：C52766425

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：R+O(宏嘉诚)

1+
￥3.71
10+
￥3.01
30+
￥2.66
100+
￥2.32
500+
￥2.11
1000+
￥2

有货

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型号：HD503N110D 编号：C51883846

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：R+O(宏嘉诚)

特性：VDS = 30V。 ID = 80A。 RDS(on)@VGS = 10V < 5mΩ。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 6mΩ。沟槽技术功率MOSFET。低栅极电阻。应用：功率开关应用。硬开关和高频电路

1+
￥4.35
10+
￥3.53
30+
￥3.12
100+
￥2.71
500+
￥2.47
1000+
￥2.35

有货

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型号：IRF2807PBF 编号：C2560

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,75V,75A,13mΩ@10V

数据手册

1+
￥4.79
10+
￥3.93
50+
￥3.22
100+
￥2.79
500+
￥2.54
1000+
￥2.4

有货

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型号：HK04N010SG 编号：C50132386

封装：TOLL

品牌：R+O(宏嘉诚)

1+
￥5.27
10+
￥4.27
30+
￥3.78
100+
￥3.29
500+
￥2.99
1000+
￥2.84

有货

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型号：NTMFS5C612NLT1G 编号：C348543

封装：SO-8FL

品牌：onsemi(安森美)

功率 MOSFET，60V，196A，1.5mΩ，单 N 沟道

数据手册

1+
￥5.32
10+
￥4.22
30+
￥3.67
100+
￥3.13
500+
￥2.8
1500+
￥2.63

有货

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型号：TK10A80E,S4X(S 编号：C5379814

封装：TO-220SIS

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.7 Ω（典型值）。低漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 640 V)。增强模式：Vtch = 2.5 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥5.9
10+
￥4.72
50+
￥4.13
100+
￥3.55
500+
￥3.2
1000+
￥3.01

有货

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型号：STP110N8F6 编号：C81146

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

N沟道,80V,110A,6.5mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.02
10+
￥5.16
50+
￥4.48
100+
￥4.05
500+
￥3.8
1000+
￥3.66

有货

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型号：IRFP260MPBF 编号：C2679

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,200V,50A,40mΩ@10V

数据手册

1+
￥6.72
10+
￥5.6
25+
￥4.24
100+
￥3.68
400+
￥3.35
800+
￥3.18

有货

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型号：BSC160N10NS3G 编号：C148261

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

N沟道,100V,8.8A,16mΩ@10V

数据手册

1+
￥8.61
10+
￥7.19
30+
￥6.4
100+
￥5.51
500+
￥4.53
1000+
￥4.35

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型号：SP60P03GHTO 编号：C42372352

封装：TOLL-8L

品牌：Siliup(矽普)

大电流SGT MOSFET产品，P沟道，耐压：-60V，电流：-140A,Rdson：3.1mR

1+
￥10
10+
￥8.41
30+
￥7.42
100+
￥6.41
500+
￥6.32
1000+
￥6.12

有货

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型号：TK100E08N1,S1X(S 编号：C396033

封装：TO-220

品牌：TOSHIBA(东芝)

特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.6 mΩ（典型值）(VGS = 10 V)。低泄漏电流：IDSS = 10 μA（最大值）(VDS = 80 V)。增强模式：VTH = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1.0 mA)。应用：开关稳压器

数据手册

1+
￥10.08
10+
￥8.71
50+
￥7.96
100+
￥7.11
500+
￥6.74
1000+
￥6.57

有货

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型号：IKW40N65H5 编号：C454249

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压650V。低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175°C。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥11.57
10+
￥9.8
30+
￥7.25
100+
￥6.15
500+
￥5.67
1000+
￥5.45

有货

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型号：NCEP016N85LL 编号：C2686653

封装：TOLL

品牌：NCE(无锡新洁能)

该系列器件采用超级沟槽 II 技术，经过独特优化，可提供高效的高频开关性能。由于极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg 的组合，传导和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

数据手册

1+
￥14.14
10+
￥11.79
30+
￥10.31
100+
￥8.8
500+
￥8.12
1000+
￥7.82

有货

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型号：IKW40N120T2 编号：C111028

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于1200V应用的第二代TrenchStop，具有非常紧密的参数分布和高耐用性、温度稳定特性。由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。具有低电磁干扰和低栅极电荷。采用软、快速恢复的反并联发射极控制二极管。

数据手册

1+
￥26.04
10+
￥22.8
30+
￥19.28
90+
￥17.34
480+
￥16.44
960+
￥16.03

有货

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型号：MMBT3904X 编号：C5156716

封装：SOT-23

品牌：晶扬电子

Type(NPN)/VCBO60(V)/VCEO40(V)/VEBO 6(V)/IC0.2(A)/hFE30~300/fT300(MHz)

数据手册

50+
￥0.0338
500+
￥0.0293
3000+
￥0.0256
6000+
￥0.0241
24000+
￥0.0228
51000+
￥0.0221

有货

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型号：2N7002K 编号：C5278865

封装：SOT-23

品牌：PAKER(派克微)

特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。用于低RDS(ON)的高密度单元设计。5V逻辑电平控制。HMB ESD保护2KV。应用：电池保护和负载开关。电压调节器模块

50+
￥0.04614 ￥0.0769
500+
￥0.04008 ￥0.0668
3000+
￥0.03672 ￥0.0612
6000+
￥0.03468 ￥0.0578
24000+
￥0.03294 ￥0.0549
51000+
￥0.03198 ￥0.0533

有货

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型号：SS8550 编号：C2926168

封装：SOT-23

品牌：FOSAN(富捷/富信)

放大倍数200-300 1.5A电流

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50+
￥0.05202 ￥0.0578
500+
￥0.04041 ￥0.0449
3000+
￥0.03528 ￥0.0392
6000+
￥0.03141 ￥0.0349
24000+
￥0.02799 ￥0.0311
51000+
￥0.02619 ￥0.0291

有货

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型号：MMBT5551 G1 编号：C46956352

封装：SOT-23

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

该 PNP 双极晶体管适用于线性和开关应用。此器件采用 SOT-23 封装，适用于低功率表面贴装应用。

50+
￥0.0538
500+
￥0.0425
3000+
￥0.0362
6000+
￥0.0324
24000+
￥0.0291

有货

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型号：LMBT3906LT1G 编号：C12091

封装：SOT-23

品牌：LRC(乐山无线电)

数据手册

100+
￥0.0566
1000+
￥0.0438
3000+
￥0.0366
9000+
￥0.0324
51000+
￥0.0287

有货

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型号：BC847B-TD 编号：C49211315

封装：SOT-23

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

BC847是一种小信号 NPN 型双极性晶体管

50+
￥0.0567
500+
￥0.0445
3000+
￥0.0377
6000+
￥0.0336
24000+
￥0.0301

有货

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型号：2N7002KX 编号：C3038094

封装：SOT-23

品牌：晶扬电子

MOSFET，小信号，SOT-23

数据手册

20+
￥0.0619
200+
￥0.0533
600+
￥0.0486
3000+
￥0.0441
9000+
￥0.0417
21000+
￥0.0403

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型号：2N3906S-RTK/PS 编号：C5300004

封装：SOT-23

品牌：KEC

特性：低漏电流：ICEX = -50nA（最大值），IBL = -50nA（最大值），VCE = -30V，VEB = -3V。出色的直流电流增益线性度。低饱和电压：VCE(sat) = -0.4V（最大值），IC = -50mA，IBL = -5mA。低集电极输出电容：Cob = 4.5pF（最大值），VCB = -5V。与2N3904S互补。后缀U：符合AEC-Q101标准。应用：通用应用。开关应用

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