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N沟道MOSFET
型号：IRLML6244TRPBF 编号：C5123965
封装：SOT-23
品牌：TECH PUBLIC(台舟)
这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
数据手册

  • 5+

    ￥0.4926

  • 50+

    ￥0.3914

  • 150+

    ￥0.3407

  • 500+

    ￥0.3027

  • 3000+

    ￥0.2632

  • 6000+

    ￥0.248
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    P沟道 耐压:20V 电流:5A
    型号：DMG2305UX-13 编号：C144153
    封装：SOT-23
    品牌：DIODES(美台)
    这款MOSFET旨在将导通电阻（RDS(on)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥0.4994

    • 50+

      ￥0.4014

    • 150+

      ￥0.3524

    • 500+

      ￥0.3156

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      ￥0.2862

    • 5000+

      ￥0.2635
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:20V 电流:2.9A
    型号：SI2302DDS-T1-GE3 编号：C194092
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤产品。 TrenchFET 功率 MOSFET。 100%进行 Rg 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：便携式设备的负载开关。 DC/DC 转换器
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5428

    • 50+

      ￥0.4331

    • 150+

      ￥0.3782

    • 500+

      ￥0.330358 ￥0.3371

    • 3000+

      ￥0.25921 ￥0.2645

    • 6000+

      ￥0.24304 ￥0.248
  • 有货
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    耐压:20V 电流:6A
    型号：SI2305CDS 编号：C5182095
    封装：SOT-23-3
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：负载/电源开关。接口开关。逻辑电平转换
    数据手册

    • 5+

      ￥0.557

    • 50+

      ￥0.491

    • 150+

      ￥0.458

    • 500+

      ￥0.4333

    • 3000+

      ￥0.3597

    • 6000+

      ￥0.3498
  • 有货
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    耐压:20V 电流:2.8A
    型号：FDC6327C 编号：C5182064
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：DC-DC转换器。负载开关。电源管理
    数据手册

    • 5+

      ￥0.5574

    • 50+

      ￥0.4914

    • 150+

      ￥0.4583

    • 500+

      ￥0.4336

    • 3000+

      ￥0.3598

    • 6000+

      ￥0.3499
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
    型号：15N10 编号：C5807889
    封装：TO-252
    品牌：GOODWORK(固得沃克)
    1个N沟道 耐压:100V 电流:15A适用于电源开关和信号控制

    • 5+

      ￥0.5612 ￥0.7015

    • 50+

      ￥0.446 ￥0.5575

    • 150+

      ￥0.3884 ￥0.4855

    • 500+

      ￥0.3452 ￥0.4315

    • 2500+

      ￥0.29936 ￥0.3742

    • 5000+

      ￥0.282 ￥0.3525
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:20V 电流:3.7A
    型号：IRLML6402TRPBF 编号：C2593
    封装：SOT-23
    品牌：Infineon(英飞凌)
    P沟道,-20V,-3.7A,65mΩ@-4.5V
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6151

    • 50+

      ￥0.4942

    • 150+

      ￥0.4321

    • 500+

      ￥0.361855 ￥0.3809

    • 3000+

      ￥0.34485 ￥0.363

    • 6000+

      ￥0.333355 ￥0.3509
  • 有货
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    耐压:100V 电流:3.5A
    型号：IRLML0100TRPBF 编号：C5122026
    封装：SOT-23
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    特性：VDS = 100V, ID = 3.5A。 RDS(ON) < 130mΩ @ VGS = 10V (96mΩ Typ)。 RDS(ON) < 180mΩ @ VGS = 4.5V (140mΩ Typ)。应用：负载/电源开关。 接口开关
    数据手册

    • 5+

      ￥0.627

    • 50+

      ￥0.495

    • 150+

      ￥0.429

    • 500+

      ￥0.3795

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      ￥0.3279

    • 6000+

      ￥0.308
  • 有货
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    2个N沟道 耐压:20V 电流:4A
    型号：NTGD3148NT1G 编号：C5123953
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    应用：笔记本电脑。负载开关。网络。手持仪器
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6563

    • 50+

      ￥0.5243

    • 150+

      ￥0.4583

    • 500+

      ￥0.4088

    • 3000+

      ￥0.3245

    • 6000+

      ￥0.3047
  • 有货
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    N沟道 30V 80A
    型号：JSM80N03D 编号：C22447118
    封装：TO-252
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    N沟道,30V,100A,2mΩ@10V

    • 5+

      ￥0.65637 ￥0.7722

    • 50+

      ￥0.51357 ￥0.6042

    • 150+

      ￥0.44217 ￥0.5202

    • 500+

      ￥0.38862 ￥0.4572

    • 2500+

      ￥0.36958 ￥0.4348

    • 5000+

      ￥0.348075 ￥0.4095
  • 有货
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    1个P沟道 耐压:40V 电流:30A
    型号：40P30 编号：C7499852
    封装：TO-252
    品牌：HL(富海微)
    40P30是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40P30符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。

    • 5+

      ￥0.717

    • 50+

      ￥0.5687

    • 150+

      ￥0.4945

    • 500+

      ￥0.4389

    • 2500+

      ￥0.3659

    • 5000+

      ￥0.3436
  • 有货
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    20-25 NPN 电流:1.5A 电压:400V
    型号：3DD13003(RANGE:20-25) 编号：C80358
    封装：TO-252-2(DPAK)
    品牌：CJ(江苏长电/长晶)
    特性：适用于功率开关应用
    数据手册

    • 5+

      ￥0.7599

    • 50+

      ￥0.6159

    • 150+

      ￥0.5439

    • 500+

      ￥0.4899

    • 2500+

      ￥0.4227

    • 5000+

      ￥0.4011
  • 有货
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    1个N沟道 耐压:100V 电流:7A
    型号：ESP10N10 编号：C5224294
    封装：SOP8
    品牌：ElecSuper(静芯)
    N沟道，100V，7.0A，90.0mΩ@10V,3.5A，1.65V@250uA；应用领域：POE交换机、DC/DC转换、负载开关、开关电路、继电器、驱动器、LED驱动器、电机控制模块、电源管理模块等。
    数据手册

    • 1+

      ￥0.7614

    • 10+

      ￥0.5732

    • 30+

      ￥0.4791

    • 100+

      ￥0.4086
  • 有货
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    1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:25A
    型号：AGM210MAP 编号：C7431169
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM210MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

    • 5+

      ￥0.892216 ￥0.9698

    • 50+

      ￥0.706744 ￥0.7682

    • 150+

      ￥0.627256 ￥0.6818

    • 500+

      ￥0.52808 ￥0.574

    • 2500+

      ￥0.48392 ￥0.526

    • 5000+

      ￥0.457424 ￥0.4972
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:30V 电流:180mA
    型号：NX3020NAKS,115 编号：C179400
    封装：TSSOP-6(SOT-363)
    品牌：Nexperia(安世)
    双 N 沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用非常小的 SOT363 (SC-88) 表面贴装封装 (SMD) 塑料封装。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.0303

    • 50+

      ￥0.8123

    • 150+

      ￥0.7188

    • 500+

      ￥0.584134 ￥0.6022

    • 3000+

      ￥0.533791 ￥0.5503

    • 6000+

      ￥0.503624 ￥0.5192
  • 有货
    • 立即购买
    4884 2个N沟道 耐压:40V 电流:10A
    型号：AO4884-MS 编号：C2847036
    封装：SOP-8
    品牌：MSKSEMI(美森科)
    特性：VDS = 40V，ID = 10A。 RDS(ON) < 19mΩ @ VGS=10V。应用：电池保护。 负载开关
    数据手册

    • 5+

      ￥1.035405 ￥1.0899

    • 50+

      ￥0.819945 ￥0.8631

    • 150+

      ￥0.727605 ￥0.7659

    • 500+

      ￥0.61237 ￥0.6446

    • 2500+

      ￥0.53029 ￥0.5582

    • 4000+

      ￥0.499415 ￥0.5257
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:10A
    型号：SL10N10A 编号：C2965540
    封装：SOT-223
    品牌：Slkor(萨科微)
    类型 N VDSS(V) 100 ID@TC=88?C(A) 10 PD@TC=88?C(W) 3.1 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.68V 120
    数据手册

    • 5+

      ￥1.04481 ￥1.0998

    • 50+

      ￥0.84341 ￥0.8878

    • 150+

      ￥0.75715 ￥0.797

    • 500+

      ￥0.649515 ￥0.6837

    • 2500+

      ￥0.533615 ￥0.5617

    • 5000+

      ￥0.50483 ￥0.5314
  • 有货
    • 立即购买
    2个N沟道 耐压:20V 电流:4A
    型号：FDC6305N 编号：C5123954
    封装：SOT-23-6
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.079

    • 50+

      ￥0.8573

    • 150+

      ￥0.7622

    • 500+

      ￥0.6436

    • 3000+

      ￥0.5191

    • 6000+

      ￥0.4874
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:6A 电压:100V
    型号：TIP42C 编号：C2900601
    封装：TO-220
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    适用于大功率开关电路与中等放大需求，是工业控制、电源转换等领域不可或缺的半导体元件。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.09956 ￥1.2936

    • 50+

      ￥0.808265 ￥0.9509

    • 150+

      ￥0.709155 ￥0.8343

    • 500+

      ￥0.585395 ￥0.6887

    • 2000+

      ￥0.530315 ￥0.6239

    • 5000+

      ￥0.49725 ￥0.585
  • 有货
    • 立即购买
    1个P沟道 耐压:30V 电流:4A
    型号：SI2343CDS-T1-GE3 编号：C6903
    封装：SOT-23
    品牌：VISHAY(威世)
    P沟道,-30V,-4A,53mΩ@-10V
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1461

    • 50+

      ￥0.9229

    • 150+

      ￥0.8272

    • 500+

      ￥0.6306

    • 3000+

      ￥0.5774

    • 6000+

      ￥0.5455
  • 有货
    • 立即购买
    1个N沟道 耐压:100V 电流:35A
    型号：AGM18N10AP 编号：C7509649
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM18N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

    • 5+

      ￥1.1529

    • 50+

      ￥0.9282

    • 150+

      ￥0.832

    • 500+

      ￥0.7118

    • 2500+

      ￥0.7007

    • 5000+

      ￥0.6686
  • 有货
    • 立即购买
    耐压:30V 电流:50A
    型号：AON7403 编号：C5310961
    封装：PDFN-8
    品牌：TECH PUBLIC(台舟)
    这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1578

    • 50+

      ￥0.9976

    • 150+

      ￥0.929

    • 500+

      ￥0.8434

    • 2500+

      ￥0.7655

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      ￥0.7426
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    P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:40V 电流:11A
    型号：AO4485 编号：C5183843
    封装：SOP-8
    品牌：JSMSEMI(杰盛微)
    广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1812 ￥1.4765

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      ￥0.91912 ￥1.1489

    • 150+

      ￥0.8068 ￥1.0085

    • 500+

      ￥0.66672 ￥0.8334

    • 3000+

      ￥0.64592 ￥0.8074

    • 6000+

      ￥0.6084 ￥0.7605
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:500mA 电压:80V
    型号：PMBTA56,215 编号：C75559
    封装：SOT-23
    品牌：Nexperia(安世)
    采用小型SOT23塑料封装的PNP通用晶体管。NPN互补型号：PMBTA06。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.1849

    • 50+

      ￥0.949

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      ￥0.612943 ￥0.6319
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    1个P沟道 耐压:200V 电流:12A
    型号：AGM500P20D 编号：C17701063
    封装：TO-252
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM500P20D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

    • 5+

      ￥1.1978

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:60A
    型号：AGM30P05AP 编号：C6719406
    封装：PDFN-8(3.3x3.3)
    品牌：AGMSEMI(芯控源)
    AGM30P05AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

    • 5+

      ￥1.3068

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    PNP 电流:3A 电压:50V
    型号：PBSS5350X,135 编号：C551988
    封装：SOT-89
    品牌：Nexperia(安世)
    采用SOT89塑料封装的PNP低VCEsat晶体管。NPN互补型号：PBSS4350X。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.3096

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      ￥1.1471

    • 150+

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    • 500+

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    • 2500+

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      ￥0.900839 ￥0.9287
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    1个N沟道 耐压:30V
    型号：SI4134DY-T1-GE3 编号：C142600
    封装：SO-8
    品牌：VISHAY(威世)
    特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。应用：DC/DC转换。 笔记本系统电源
    数据手册

    • 5+

      ￥1.373

    • 50+

      ￥1.0961

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    1个P沟道 耐压:30V 电流:18A
    型号：FDS6681Z(UMW) 编号：C5236690
    封装：SOP-8
    品牌：UMW(友台半导体)
    特性：VDS(V)=-30V。 Qg = 27nC。 I = 18A(VGs = 10V)。 RDS(ON) < 5mΩ(VGs = 10V)。 RDS(ON) < 8mΩ(VGs = 4.5V)。应用：移动设备电池管理。 适配器和充电器开关

    • 5+

      ￥1.373

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      ￥1.0746

    • 150+

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    • 6000+

      ￥0.6039
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    1个P沟道 耐压:60V 电流:12A
    型号：AOD407 编号：C75092
    封装：TO-252
    品牌：AOS
    AOD407采用先进的沟槽技术，可实现出色的 $\mathsf{R}_{\mathsf{DS}(\mathsf{ON})}$、低栅极电荷和低栅极电阻。凭借DPAK封装出色的热阻特性，该器件非常适合大电流负载应用。
    数据手册

    • 5+

      ￥1.4064

    • 50+

      ￥1.2481

    • 150+

      ￥1.1803

    • 500+

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